C 等価回路 2SD2560 シリコン三重拡散プレーナ型トランジスタ(2SB1647とコンプリメンタリ) VCEO 150 VEBO IC ICBO VCB＝150V 100max μA V IEBO VEB＝5V 100max μA 5 V V(BR)CEO V 15 A hFE IC＝30mA 150min VCE＝4V, IC＝10A 5000min※ A VCE(sat) IC＝10A, IB＝10mA 2.5max PC 130(Tc＝25℃) W VBE(sat) IC＝10A, IB＝10mA 3.0max V Tj 150 ℃ fT VCE＝12V, IE＝−2A 70typ MHz −55∼＋150 ℃ COB VCB＝10V, f＝1MHz 120typ pF 1 IB Tstg 15.6±0.4 9.6 1.8 V 単位 イ 4.8±0.2 5.0±0.2 150 規格値 2.0 VCBO 外形図 MT-100(T03P) (Ta＝25℃) 試 験 条 件 記 号 4.0 単 位 19.9±0.3 規 格 値 記 号 E 用途：オーディオ、シリーズレギュレータ、一般用 ■電気的特性 (Ta＝25℃) (7 0 Ω ) 2.0±0.1 ø3.2±0.1 ロ V 2 4.0max ■絶対最大定格 20.0min ダーリントン B 3 1.05 +0.2 -0.1 0.65 +0.2 -0.1 ※ランク O(5000∼12000), P(6500∼20000), Y(15000∼30000) 5.45±0.1 ■代表的スイッチング特性（エミッタ接地） VCC (V) RL (Ω) IC (A) VBB1 (V) VBB2 (V) IB1 (mA) IB2 (mA) ton (μs) tstg (μs) tf (μs) 40 4 10 10 –5 10 –10 0.8typ 4.0typ 1.2typ I C – V CE 特性 （代 表 例 ） 1. 0m A 0 0 2 4 0 0.2 6 0.5 1 5 コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V) 10 50 (V C E =4V) 5000 1000 5˚ C 過渡熱抵抗 θ j - a (˚C /W) 直流電流増幅率 h F E 10000 12 10000 25 5000 – ˚C ˚C 30 1000 1 5 10 500 0.2 15 0.5 1 5 10 15 度） 度） ） 0.1 1 10 ス温 ケー ˚C（ 100 1000 2000 時間 t(ms) P c – Ta定 格 (V CE =12V) 80 ス温 温度 0.5 AS O 曲 線（ 単 発 パ ル ス ） f T – I E 特性（代表 例 ） 2.2 1.0 コレクタ電流 I C (A) コレクタ電流 I C (A) 2 3.0 50000 Typ 1 θ j-a – t特 性 h FE – I C 温 度 特 性（ 代 表 例 ） 50000 0.5 0 ベース・エミッタ間電圧 V B E (V) (V CE =4V) 直流電流増幅率 h F E 0 100 200 ベース電流 I B (mA) h FE – I C 特性（代表 例 ） 500 0.2 5 −30 I C =5A ース I C =10A 1 ケー I B =0.3mA C（ 5 I C =15A 10 25˚ 0.5mA 2 （ケ コレクタ電流 I C (A) 0. 8m A 10 5˚C 1.5 mA (V CE =4V) 15 3 A 12 2m 1.4 E I C – V BE 温 度 特 性（ 代 表 例 ） コレクタ電流 I C (A) 50mA 15 C 製品質量 約6.0g イ．品名 ロ．ロット番号 V CE (sat) – I B 特 性 （ 代 表 例 ） 3mA コレクタ飽和電圧 V C E (s a t ) (V) 10mA 5.45±0.1 B 130 50 10 m 付 最大許容損失 P C (W) 板 コレクタ電流 I C (A) 熱 20 放 放熱板なし 自然空冷 大 1 0.5 限 5 無 遮断周波数 f T (MH Z ) 100 s 40 DC 0m 10 s 10 Typ 60 50 0.1 0 –0.02 –0.05 –01 –0.5 –1 エミッタ電流 I E (A) 156 –5 –10 0.05 3 5 10 50 100 コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V) 200 3.5 0 放熱板なし 0 25 50 75 100 周囲温度 Ta( ˚C) 125 150