C 等価回路 2SD2438 シリコンNPN三重拡散プレーナ型トランジスタ(2SB1587とコンプリメンタリ) 150 VEBO IC IB VCB=160V 100max μA V IEBO VEB=5V 100max μA 5 V V(BR)CEO IC=30mA 150min V 8 A hFE VCE=4V, IC=6A 5000min※ 1 A VCE(sat) IC=6A, IB=6mA 2.5max 75(Tc=25℃) W VBE(sat) IC=6A, IB=6mA 3.0max V Tj 150 ℃ fT VCE=12V, IE=−1A 80typ MHz −55∼+150 ℃ COB VCB=10V, f=1MHz 85typ pF 1.05 +0.2 -0.1 ■代表的スイッチング特性(エミッタ接地) VBB1 (V) VBB2 (V) IB1 ( mA) IB2 (mA) ton (μs) tstg (μs) tf (μs) 60 10 6 10 2 6 –6 0.6typ 10.0typ 0.9typ C E (V CE =4V) 1. 3m A 0 2 4 0 6 0.2 0.5 1 コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V) 5 10 50 0 100 200 度) −30 ˚C ( ケー ス温 温度 ース 2 2.5 θ j-a – t特 性 (V C E =4V) 50000 1 ベース・エミッタ間電圧 V B E (V) h FE – I C 温 度 特 性( 代 表 例 ) (V CE =4V) 40000 0 ベース電流 I B (mA) h FE – I C 特性(代表 例 ) ) ) 温度 ース 2 12 I B =0.3mA I C =4A 1 4 C(ケ 2 I C =6A 25˚ 0.5mA I C =8A (ケ 4 6 2 5˚C 1.0m A 0.8 mA 0 製品質量 約6.5g イ.品名 ロ.ロット番号 8 3 A 3.35 I C – V BE 温 度 特 性( 代 表 例 ) コレクタ電流 I C (A) 1.5m 6 コレクタ電流 I C (A) 1.5 A コレクタ飽和電圧 V C E (s a t ) (V) 5m 2. A 0m A 1 2. 10mA 8 m .8 4.4 B V CE (sat) – I B 特 性( 代 表 例 ) I C – V CE 特性( 代 表 例 ) 0.65 +0.2 -0.1 5.45±0.1 1.5 IC (A) 0.8 2.15 5.45±0.1 RL (Ω) 3.45 ±0.2 1.75 ※ランク O(5000∼12000), P(6500∼20000), Y(15000∼30000) VCC (V) 5.5±0.2 ø3.3±0.2 イ ロ V PC Tstg 15.6±0.2 3.0 VCEO ICBO 0.8±0.2 V 単位 5.5 160 規格値 1.6 VCBO 外形図 FM100(T03PF) (Ta=25℃) 試 験 条 件 記 号 3.3 単 位 9.5±0.2 ■電気的特性 (Ta=25℃) 規 格 値 記 号 E 用途:オーディオ、シリーズレギュレータ、一般用 23.0±0.3 ■絶対最大定格 (7 0 Ω ) 16.2 ダーリントン B 4 Typ 10000 5000 10000 25 ˚C 5000 – 30 ˚C 過渡熱抵抗 θ j- a (˚C /W) 直流電流増幅率 h F E 直流電流増幅率 h F E 125 ˚C 1000 1000 0.2 0.5 1 5 500 0.2 8 0.5 コレクタ電流 I C (A) 1 5 8 1 0.5 0.2 1 5 10 50 100 f T – I E 特性(代 表 例 ) 500 1000 2000 時間 t(ms) コレクタ電流 I C (A) AS O 曲 線( 単 発 パ ル ス ) P c – Ta定 格 (V CE =12V) 120 80 20 10 m 10 DC コレクタ電流 I C (A) 付 放熱板なし 自然空冷 20 板 0.5 熱 1 放 40 60 大 60 s 限 80 0m 最大許容損失 P C (W) 5 無 遮断周波数 f T (MH Z ) Typ s 10 100 40 20 0.1 0 –0.02 –0.1 –1 エミッタ電流 I E (A) 152 –8 0.05 3 5 10 50 100 コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V) 200 3.5 0 放熱板なし 0 50 100 周囲温度 Ta( ˚C) 150