http://www.sanken-ele.co.jp ＳＬＡ５２２７ 2010 年 10 月 特長 ・部分 PFC 回路の IGBT と Di ﾌﾞﾘｯｼﾞを 1pkg に搭載 実装面積の縮小が可能 ・低飽和電圧 IGBT VCE(sat)= 1.7V max ・低飽和 Di ﾌﾞﾘｯｼﾞ VF= 1.1V max ・ｲﾝﾅｰﾘｰﾄﾞにｸﾘｯﾌﾟﾘｰﾄﾞを採用 低ｲﾝﾀﾞｸﾀﾝｽ、低抵抗、大電流耐量 万一の破壊時にもﾊﾟｯｹｰｼﾞの発煙、破裂が起こり難い パッケージ ＳＬＡ 内部等価回路 アプリケーション ・部分ＰＦＣ用 3 (cut) 5 4 1 2 6 絶対最大定格 (Ta=25℃) 項 目 記号 定 格 単位 コ レ ク タ ・ エ ミ ッ タ 電 圧 VCES 600 V ゲ ー ト ・ エ ミ ッ タ 電 圧 VGE ±30 V コ レ ク タ 電 流 （ 直 流 ） IC(DC) 30 A コ レ ク タ 電 流 （ パ ル ス ） IC (pulse) 100 A ダイオードピーク繰返し逆電圧 VRM 600 V 流 IF 25 A ダ イ オ ー ド サ ー ジ 順 電 流 IFSM 200 A 200 A2 s ダ イ オ ー ダ イ オ ー ド 全 許 I 順 2 電 損 抵 縁 I2t ｔ 限 界 値 容 熱 絶 ド 耐 存 温 ※1. PW≦10μs, Duty≦1% ※3. 1ms≦PW≦10ms ※3 5 (No.Fin Ta=25℃) 92 θj-a※4 25 θj-c※4 1.36 (Tc=25℃) ℃/W ( Junction-to-Case ) ℃/W ( Junction-to-Case,IGBT 1 Element Operation ) ℃/W θj-c Di 8.33 ( Junction-to-Case,Di 1 Element ℃/W VISO 1500 ( Between Fin and Lead Pin, 1minute AC) Vrms Tj 150 ℃ Tstg -40∼150 ℃ 圧 度 ※2. ※4. PW≦10ms, Half sinewave, 1shot All Element Operation 記載されている内容は改良などにより予告なく変更することがあります。ご使用の際には、最新の情報であることをご確認ください . Copy Right: SANKEN ELECTRIC CO.,LTD. Ｗ (Junction-to-Ambient) 3.91 θj-c IGBT ジ ャ ン ク シ ョ ン 温 度 保 ※2 PT※4 失 抗 ※1 ページ 1 http://www.sanken-ele.co.jp ＳＬＡ５２２７ 2010 年 10 月 電気的特性 (Ta=25℃) ● ＩＧＢＴ 項 目 記号 条 件 規 min 格 typ max コ レ ク タ ・ エ ミ ッ タ 降 伏 電 圧 V(BR)CES IC= 100μA, VGE=0V ゲ ー ト ・ エ ミ ッ タ 漏 れ 電 流 IGES VGE= ±30V ±500 nA コ レ ク 100 μA ゲ ー ト 6 V 1.7 V 流 ICES VCE= 600V,VGE=0V 電 圧 VGE(th) VCE= 10V,ID=1mA コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) VGE=15V,IC= 30A 1.3 コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) VGE=15V,IC= 50A 1.6 し 遮 き 断 V 電 入 タ 600 単位 い 力 値 容 量 3 Cies V 2500 VCE=20V f=1.0MHz VGE=0V 出 力 容 量 Coes 帰 還 容 量 Cres 80 間 td(on) 80 間 tr 間 td(off) 間 tf 320 記号 規 格 typ オ 立 オ ン 時 ち フ 下 遅 上 時 れ り 遅 時 時 れ 降 時 時 150 IC=50A VCE≒300V RG=39Ω VGE=±15V See fig.1 pF 190 ns 120 (Ta=25℃) ● Ｄｉ 項 目 条 件 min max 単位 順 方 向 降 下 電 圧 VF IF= 12.5A 1.1 V 逆 方 向 漏 れ 電 流 IR VR=600V 50 μA H･IR VR=600V,Tj=150℃ 200 μA 高 温 逆 方 向 漏 れ 電 流 記載されている内容は改良などにより予告なく変更することがあります。ご使用の際には、最新の情報であることをご確認ください . Copy Right: SANKEN ELECTRIC CO.,LTD. ページ 2 http://www.sanken-ele.co.jp ＳＬＡ５２２７ 2010 年 10 月 各種代表特性 IC - VCE (typical) IC - VCE (typical) Tc=25℃ 15V 10V 100 Tc=125℃ 15V 10V 100 VGE=20V VGE=20V 8V 80 8V 80 7V 7V IC (A) IC (A) 60 40 60 40 6V 20 20 6V 0 0 0 1 2 3 4 5 0 1 2 VCE （V) 3 4 5 VCE （V) VCE(sat) - Tc (typical) IC - VGE (typical) VCE=5V VGE=15V 3 100 IC=100A 2 50A IC (A) VCE(sat) (V) 80 70A 30A 1 10A 60 40 Tc=-40℃ 25℃ 20 １25℃ 0 0 -50 0 50 100 150 0 5 Tc （℃) Capa - VCE (typical) 15 VCE,VGE - Qg (typical) Tc=25℃ f=1MHz VGE＝0V 40 VCE (×10V) , VGE (V) 10000 Capacitance(pF) 10 VGE （V) Cies 1000 Coes 100 Cres 10 Tc=25℃ RL=6Ω VCE 30 20 VGE 10 0 0 10 20 30 40 50 0 VCE(V) Copy Right: SANKEN ELECTRIC CO.,LTD. 20 40 Qg (nC) ページ 3 60 80 http://www.sanken-ele.co.jp ＳＬＡ５２２７ 2010 年 10 月 各種代表特性 VCE - VGE (typical) SWTime - IC (typical) Tc=-40℃ Tc=-40℃ 5 1000 SWTime (ns) VCE (V) 4 3 2 IC=100A 50A tf 100 tdoff tdon tr R Load VCE=300V VGE=±15V RG=39Ω 10A 1 10 0 1 10 1 100 10 100 IC （A) VGE （V) VCE - VGE (typical) SWTime - IC (typical) Tc=25℃ Tc=25℃ 5 1000 4 SWTime (ns) VCE (V) tf 3 2 IC=100A 50A tdoff 100 tdon tr 10A 1 0 R Load VCE=300V GE=±15V RG=39Ω 10 1 10 100 1 10 VGE （V) 100 IC （A) VCE - VGE (typical) SWTime - IC (typical) Tc=125℃ Tc=125℃ 5 1000 tf SWTime (ns) VCE (V) 4 3 IC=100A 2 50A tdoff 100 tr tdon 10A 1 R Load VCE=300V VGE=±15V RG=39Ω 0 10 1 10 VGE （V) Copy Right: SANKEN ELECTRIC CO.,LTD. 100 1 10 IC （A) ページ 4 100 http://www.sanken-ele.co.jp ＳＬＡ５２２７ 2010 年 10 月 各種代表特性 IF - VF (typical) SWTime - RG (typical) Tc=-40℃ 100 1000 tf 100 IF (A) SWTime (ns) 80 tr tdoff 60 40 25℃ R Load IC=50A RL=6Ω VGE=±15V tdon 20 10 １25℃ 0 1 10 100 0 1 RG （Ω) 2 3 VF （V) SWTime - RG (typical) S AFE OPERATING AREA Tc=25℃ 1000 1000 tf tr 100 IC [A] SWTime (ns) IC(pulse) max 100 tdoff 10 10μs tdon 10 100μs 1ms 0.1 10 1 IGBT Tc=25℃ 1shot 1 R Load IC=50A RL=6Ω VGE=±15V 1 100 10 1000 VCE [V] RG （Ω) SWTime - RG (typical) 100 Reverse Bias ASO Tc=125℃ 1000 1000 100 tr Tc=25℃ IC [A] SWTime (ns) tf 100 tdoff R Load IC=50A RL=6Ω VGE=±15V tdon 10 1 100 10 100 VCE [V] RG （Ω) Copy Right: SANKEN ELECTRIC CO.,LTD. IGBT VGE=±15V Rg=39Ω 1shot 1 10 1 Tc=125℃ 10 ページ 5 1000 http://www.sanken-ele.co.jp ＳＬＡ５２２７ 2010 年 10 月 各種代表特性 TRANSIENT THERMAL RESISTANCE - PULSE WIDTH ＩＧＢＴ 1.E+01 Rth j-c (℃/W) 1.E+00 1.E-01 1.E-02 IGBT Tc=25℃ VCE＝5V 1素子 1shot 1.E-03 1.E-04 1.E-06 1.E-05 1.E-04 1.E-03 1.E-02 PW 1.E-01 1.E+00 1.E+01 1.E+02 (sec) TRANSIENT THERMAL RESISTANCE - PULSE WIDTH Di 1.E+02 Rth j-c (℃/W) 1.E+01 1.E+00 1.E-01 Di Tc=25℃ 1素子 1shot 1.E-02 1.E-03 1.E-06 1.E-05 1.E-04 1.E-03 1.E-02 PT Copy Right: SANKEN ELECTRIC CO.,LTD. (sec) ページ 6 1.E-01 1.E+00 1.E+01 1.E+02 http://www.sanken-ele.co.jp ＳＬＡ５２２７ 2010 年 10 月 図１ スイッチングタイム 測定方法 VCC≒300V IC=50A RL=60Ω VGE=±15V RG=39Ω （ａ） 測定回路 （ｂ） 出力波形 Copy Right: SANKEN ELECTRIC CO.,LTD. ページ 7 http://www.sanken-ele.co.jp ＳＬＡ５２２７ 2010 年 10 月 外形図 SLA (LF No. 822) a JAPAN ＳＬＡ５２２７ b a：Type No. b：Lot No. 質量 約６ｇ Copy Right: SANKEN ELECTRIC CO.,LTD. ページ 8