PRC オフラインスイッチング電源用パワーIC STR-A6100 Series 概要 パッケージ STR-A6100 シリーズは、パワーMOSFET と電流モー ド型 PRC IC を 1 パッケージにした PRC 型スイッチング 電源用パワーIC です。 PRC（Pulse Ratio Control）とは、オフ時間固定で、 オン時間を制御する方式です。 低消費電力および低スタンバイ電力に対応するため、 起動回路とスタンバイ機能を内蔵しています。充実した 保護機能により、構成部品が尐なく、コストパフォーマン スの高い電源システムを容易に構成できます。 DIP8 1 8 D VCC 2 7 D 6 GND Not to Scale FB/OLP 4 5 ST シリーズラインアップ 特長 代表特性 電流モード PRC 方式 オートスタンバイ機能 S/OCP 通常時動作------------------------------------- PRC モード 軽負荷時動作 ------------------------------- バースト発振 無負荷時入力電力 PIN < 40mW リーディング・エッジ・ブランキング機能 オートバイアス機能 保護機能 過電流保護（OCP） ----------------- パルス･バイ･パルス 過負荷保護（OLP） ------------------------------- 自動復帰 過電圧保護（OVP） ---------------------------------- ラッチ 過熱保護（TSD） -------------------------------------- ラッチ D51 T1 C1 R1 C5 D1 S R54 R51 MOSFET ON 抵抗、出力電力 POUT(1) 製品名 VDSS (min.) R52 U2 5 D2 ST NC R2 U1 C53 500 V C2 D S/OCP VCC GND FB/OLP 3 4 DZ1 ROCP C4 C3 PC1 CY 650 V STR-A6159 STR-A6159M R56 STR-A6169 GND STR-A6100 RDS(ON) (max.) 2.62 Ω STR-A6132 STR-A6151M C52 R53 7 内蔵* POUT (オープンフレーム) AC85 AC220V ~265V 16 W(2) 18 W(3) 3.95 Ω 13 W(2) 15 W(3) 1.9 Ω 22 W 18 W 3.95 Ω 15 W 13 W 6Ω 13 W 10 W 19.2 Ω 8W 5W R55 C51 DST 2 11.5 μs − − *ST 端子接続のダイオードが削除可能 STR-A6151 PC1 1 STR-A61××E − − 起動抵抗 VOUT P C6 11.5 μs STR-A6153E L51 BR1 D STR-A61××M STR-A61×× STR-A6131M VAC D オートバイ アス機能 搭載 STR-A6131 応用回路例 8 固定 OFF 時間 8 μs 製品名 800 V (1) 上記出力電力は熱定格に基づいています。最大出力電 力は熱定格の 120%～140%程度まで出力可能です。 ただし、出力電圧が低い場合や、コアサイズ、トランス設 計時の ON Duty の設定により、出力電力の制限を受ける ことがあります。 (2) AC100V (3) AC120V アプリケーション 白物 スタンバイ電源 小型 SMPS など STR-A6100 - DS Rev.2.0 Dec. 25, 2013 SANKEN ELECTRIC CO.,LTD. http://www.sanken-ele.co.jp 1 STR-A6100 Series 目次 概要 -------------------------------------------------------------------------------------------- 1 1. 絶対最大定格 --------------------------------------------------------------------------- 3 2. 電気的特性 ------------------------------------------------------------------------------ 4 3. 代表特性 --------------------------------------------------------------------------------- 5 3.1 ディレーティング曲線 --------------------------------------------------------- 5 3.2 MOSFET ASO 曲線---------------------------------------------------------- 6 3.3 TA-PD1 曲線 --------------------------------------------------------------------- 7 3.4 TA-PD2 曲線 --------------------------------------------------------------------- 7 3.5 過渡熱抵抗曲線 --------------------------------------------------------------- 8 4. ブロックダイアグラム ------------------------------------------------------------------- 10 5. 各端子機能 ----------------------------------------------------------------------------- 11 6. 応用回路例 ----------------------------------------------------------------------------- 12 7. 外形図 ----------------------------------------------------------------------------------- 13 8. 捺印仕様 -------------------------------------------------------------------------------- 13 9. 動作説明 -------------------------------------------------------------------------------- 14 9.1 起動動作 ----------------------------------------------------------------------- 14 9.2 低入力時動作禁止回路 （UVLO：Undervoltage Lockout） --------- 14 9.3 定電圧制御回路動作 -------------------------------------------------------- 14 9.4 リーディング・エッジ・ブランキング機能 ----------------------------------- 15 9.5 オートスタンバイ機能--------------------------------------------------------- 15 9.6 オートバイアス機能（STR-A61××） ---------------------------------------- 16 9.7 過電流保護機能（OCP） ---------------------------------------------------- 16 9.8 過負荷保護機能（OLP） ----------------------------------------------------- 16 9.9 過電圧保護機能（OVP） ---------------------------------------------------- 17 9.10 過熱保護機能(TSD) --------------------------------------------------------- 17 10. 設計上の注意点 ----------------------------------------------------------------------- 18 10.1 外付け部品 -------------------------------------------------------------------- 18 10.2 パターン設計 ------------------------------------------------------------------ 19 11. パターンレイアウト例 ------------------------------------------------------------------ 21 12. 電源回路例 ----------------------------------------------------------------------------- 22 使用上の注意 ------------------------------------------------------------------------------- 24 注意書き-------------------------------------------------------------------------------------- 25 STR-A6100 - DS Rev.2.0 Dec. 25, 2013 SANKEN ELECTRIC CO.,LTD. 2 STR-A6100 Series 1. 絶対最大定格 電流値の極性は、IC を基準としてシンクが“＋”、ソースが“－”と規定します 特記がない場合の条件 TA = 25 °C、7 pin = 8 pin 項目 ドレインピーク電流 最大スイッチング電流 アバランシェエネルギ 耐量 記号 (1) (2) IDPEAK IDMAX (4) (5) EAS 測定条件 シングルパルス (3) 端子 規格値 A6131/31M 4.0 A6132 3.4 A 1.2 A6169 3.2 A6131/31M 4.0 A6132 3.4 A 1.2 A6169 ILPEAK = 2.1 A 32 A6131/31M ILPEAK = 2.6 A 78 A6132 ILPEAK = 2.5 A ILPEAK = 3.4 A 72 8–1 136 mJ A6159/59M ILPEAK = 1.2 A 7 A6169 制御部電源電圧 VCC 2–3 35 V VFB/OLP 4–3 − 0.5 ~ 10 V 5−3 − 0.3 ~ 600 V 8–1 1.35 W VST 制御部許容損失(MIC) (7) PD2 基板実装時 基板サイズ 15 mm × 15 mm VCC × ICC で規定 2–3 0.15 W 0.46 °C ― − 20 ~ 125 °C Tstg ― − 40 ~ 125 °C Tch ― 150 °C TF 動作周囲温度 TOP 保存温度 チャネル温度 A61×× A61××M A6153E − 20 ~ 125 動作時内部フレーム温度 A6153E 24 V PD1 A6151/51M ILPEAK = 1.8 A − 0.5 ~ 6 (6) A6153E A6159/59M 1–3 MOSFET 部許容損失 A6151/51M 1.8 VOCP ST 端子電圧 A6153E A6159/59M S/OCP 端子電圧 FB/OLP 端子電圧 A6151/51M 1.8 2.5 8–1 備考 3.2 2.5 8–1 単位 推奨動作温度 TF = 115 °C (max.) (1) 図 3-1 ASO 温度ディレーティング係数曲線参照 最大スイッチング電流とは、IC に内蔵している MOSFET のゲート－ソース間しきい電圧 VGS(th)と、IC 内部で設定して いるゲートドライブ電圧によって制限されるドレイン電流です。TA = −20 ~ 125 °C (3) STR-A61×× : V1-3 = 0.86 V, STR-A61××M/E : V1-3 = 1.28 V (4) 図 3-2 アバランシェエネルギ耐量ディレーレィング曲線参照 (5) Single pulse, VDD = 99 V, L = 20 mH (6) 3.3 Ta-PD1 曲線参照 (7) 3.4 Ta-PD2 曲線参照 (2) STR-A6100 - DS Rev.2.0 Dec. 25, 2013 SANKEN ELECTRIC CO.,LTD. 3 STR-A6100 Series 2. 電気的特性 電流値の極性は、IC を基準としてシンクが“+”、ソースが“－”と規定します 特記がない場合の条件 TA = 25 °C、VCC = 20 V、7 pin = 8 pin 項目 記 号 測定条件 端子 Min. Typ. Max. 単位 VCC(ON) 2−3 16 17.5 19.2 V VCC(OFF) 2−3 9 10 11 V ICC(ON) 2−3 − − 4 mA 2−3 − − 50 µA 備考 電源起動動作 動作開始電源電圧 動作停止電源電圧 (1) 動作時回路電流 非動作時回路電流 ICC(OFF) VCC = 14 V (1) (2) VCC(BIAS) 2−3 9.6 10.6 11.6 V A61×× (2) − − 0.2 − − V A61×× 2−3 − 1230 − 790 − 340 µA ISTART(leak) 5−3 − − 30 µA 8−3 7.3 8 8.7 tOFF(MAX) VBURST 4−3 tBW − OCP しきい電圧 VOCP(TH) 1−3 OLP しきい電圧 VOLP 4−3 OLP 動作時 FB/OLP 端 子流出電流 IOLP 4−3 FB/OLP 端子最大流出電 流 IFB(MAX) 4−3 VCC 端子 OVP しきい電 圧 VCC(OVP) オートバイアスしきい電圧 VCC(BIAS)－VCC(OFF) 起動電流 起動回路漏れ電流 ISTARTUP VCC = 15 V PRC 動作 最大 OFF 時間 10.5 11.5 12.5 0.70 0.79 0.88 A61×× µs A61××M A6153E スタンバイ動作 バーストしきい電圧 0.66 0.75 0.84 200 320 480 0.69 0.77 0.86 A61×× V A61××M A6153E 保護動作 リーディング･エッジ･ブラ ンキング時間 0.96 1.13 1.28 6.5 7.2 7.9 −35 −26 −18 −34.1 −26 −18.2 −388 −300 −227 ns A61×× V V A61×× µA −300 −220 2−3 28.7 31.2 34.1 V ICC(H) 2−3 − − 200 μA ラッチ解除電圧 VCC(La.OFF) 2−3 6.6 7.3 8.0 V 熱保護動作温度 Tj(TSD) − 135 − − °C (1) (2) A61××M A6153E A61×× µA −390 ラッチ回路保持電流 A61××M A6153E A61××M A6153E 個々の製品においては、VCC(BIAS) > VCC(OFF)の関係が成り立つ STR-A61××M、STR-A6153E は、オートバイアス機能を搭載していないため、しきい値はありません。 STR-A6100 - DS Rev.2.0 Dec. 25, 2013 SANKEN ELECTRIC CO.,LTD. 4 STR-A6100 Series 項 目 記 号 測定条件 端子 単位 備考 Min. Typ. Max. 500 − − 650 − − 800 − − − − 300 − − 1.9 A6153E − − 2.62 A6132 − − 3.95 − − 6 − − 19.2 8–1 − − 250 ns − − − 52 °C/W MOSFET 部 ドレイン・ソース間電圧 ID = 300 μA VDSS ドレイン漏れ電流 IDSS ON 抵抗 VD = VDSS RDS(ON) スイッチング・タイム tf ID = 0.4 A VD = 10V 8–1 8–1 8–1 V A6131/31M A6132 A6151/51M A6159/59M A6153E A6169 μA Ω A6131/31M A6151/51M A6159/59M A6169 熱特性 (3) 熱抵抗 (3) θch-F MOSFET のチャネルと、フレーム間の熱抵抗。フレーム温度 TF は 3 番端子根元の温度で規定 3. 代表特性 3.1 ディレーティング曲線 100 EAS温度ディレーティング係数 (%) ASO温度ディレーティング係数 (%) 100 80 60 40 20 0 0 25 50 75 100 125 150 80 60 40 20 0 25 チャネル温度 Tch (°C) 図 3-1 ASO 温度ディレーティング 係数曲線 STR-A6100 - DS Rev.2.0 Dec. 25, 2013 50 75 100 125 150 チャネル温度 Tch (°C) 図 3-2 アバランシェエネルギ耐量 ディレーレィング曲線 SANKEN ELECTRIC CO.,LTD. 5 STR-A6100 Series 3.2 MOSFET ASO 曲線 IC を使用する際は、図 3-1 より温度ディレーティング係数を求め、ASO 曲線のディレーティングを行い ます 破線は、オン抵抗による制限曲線です 特記がない場合の条件 TA = 25 °C、Single pulse STR-A6131 / 31M STR-A6132 10 10 0.1ms ドレイン電流 ID (A) ドレイン電流 ID (A) 0.1ms 1 1ms 0.1 1 1ms 0.1 0.01 0.01 1 10 100 1 1000 10 100 1000 ドレイン・ソース間電圧 (V) ドレイン・ソース間電圧 (V) STR-A6151 / 51M STR-A6159 / 59M 10 10 0.1ms ドレイン電流 ID (A) ドレイン電流 ID (A) 0.1ms 1 1ms 0.1 1 1ms 0.1 0.01 0.01 1 10 100 1 1000 ドレイン・ソース間電圧 (V) 10 100 1000 ドレイン・ソース間電圧 (V) STR-A6169 STR-A6153E 10 10 0.1ms ドレイン電流 ID (A) ドレイン電流 ID (A) 0.1ms 1 1ms 0.1 0.01 1 1ms 0.1 0.01 1 10 100 1000 1 ドレイン・ソース間電圧 (V) STR-A6100 - DS Rev.2.0 Dec. 25, 2013 SANKEN ELECTRIC CO.,LTD. 10 100 1000 ドレイン・ソース間電圧 (V) 6 STR-A6100 Series 3.3 TA-PD1 曲線 1.6 1.4 許容損失PD1 (W) 1.2 1 0.8 0.6 0.4 0.2 0 0 25 50 75 100 125 150 周囲温度 TA (°C ) 3.4 TA-PD2 曲線 STR-A61×× STR-A61××M STR-A6153E 0.50 0.16 0.45 PD2 = 0.15 W PD2 = 0.46 W 0.40 0.12 許容損失 PD2 (W) 許容損失 PD2 (W) 0.14 0.10 0.08 0.06 0.04 0.02 0.35 0.30 0.25 0.20 0.15 0.10 0.05 0.00 0.00 0 20 40 60 80 100 120 140 内部フレーム温度 TF (°C) STR-A6100 - DS Rev.2.0 Dec. 25, 2013 0 SANKEN ELECTRIC CO.,LTD. 25 50 75 100 125 150 内部フレーム温度 TF (°C) 7 STR-A6100 Series 3.5 過渡熱抵抗曲線 STR-A6131 / 31M 過渡熱抵抗 θch-c (°C/W) 100 10 1 0.1 0.01 1µ 10µ 100µ 1m Time (s) 10m 100m 1 10 STR-A6132 過渡熱抵抗 θch-c (°C/W) 10 1 0.1 0.01 1µ 10µ 100µ 1m 10m 100m Time (s) STR-A6151 / 51M 過渡熱抵抗 θch-c (°C/W) 100 10 1 0.1 0.01 1µ 10µ 100µ 1m 10m 100m 1 10 Time (s) STR-A6159 / 59M 過渡熱抵抗 θch-c (°C/W) 10 1 0.1 0.01 1µ 10µ 100µ 1m 10m 100m Time (s) STR-A6100 - DS Rev.2.0 Dec. 25, 2013 SANKEN ELECTRIC CO.,LTD. 8 STR-A6100 Series STR-A6169 過渡熱抵抗 θch-c (°C/W) 10 1 0.1 0.01 1µ 10µ 100µ 1m 10m 100m 1m 10m 100m Time (s) STR-A6153E 過渡熱抵抗 θch-c (°C/W) 10 1 0.1 0.01 0.001 1µ 10µ 100µ Time (s) STR-A6100 - DS Rev.2.0 Dec. 25, 2013 SANKEN ELECTRIC CO.,LTD. 9 STR-A6100 Series 4. ブロックダイアグラム STR-A61×× 2 VCC ST 5 OVP UVLO ＋ － Internal Bias ＋ － Latch Delay TSD Power MOS FET OFF Timer 7,8 D Drive PWM Latch ＋ S Q － OLP Bias R ＋ － － ＋ Burst Blanking ＋ － Discharge － FB OCP 1 S/OCP ＋ － ＋ Buffer 3 GND FB/OLP 4 STR-A61××M 2 ST 5 OVP UVLO ＋ － VCC ＋ － Internal Bias Latch Delay TSD Power MOS FET OFF Timer 7,8 D Drive PWM Latch ＋ － OLP S Q ＋ － R Burst Blanking ＋ － Discharge － FB OCP 1 S/OCP ＋ － ＋ Buffer FB/OLP 3 GND 4 STR-A6100 - DS Rev.2.0 Dec. 25, 2013 SANKEN ELECTRIC CO.,LTD. 10 STR-A6100 Series STR-A6153E 2 ST 5 OVP UVLO ＋ － VCC ＋ － Internal Bias Latch Delay TSD Power MOS FET OFF Timer 7,8 D Drive PWM Latch ＋ － OLP S Q ＋ － R Burst Blanking ＋ － Discharge － FB OCP 1 S/OCP ＋ － ＋ Buffer 3 GND FB/OLP 4 5. 各端子機能 S/OCP 1 8 D VCC 2 7 D GND 3 6 FB/OLP 4 5 ST 端子番号 記号 1 S/OCP 2 VCC 制御回路電源入力／過電圧検出信号入力 3 GND グランド 4 FB /OLP 5 ST 6 − （抜きピン） D パワーMOSFET ドレイン 7 8 STR-A6100 - DS Rev.2.0 Dec. 25, 2013 機能 MOSFET ソース／過電流検出信号入力 定電圧制御信号入力／過負荷保護信号入力 起動電流入力 SANKEN ELECTRIC CO.,LTD. 11 STR-A6100 Series 6. 応用回路例 放熱効果を上げるため、D 端子（7、8 番ピン）のパターンは極力広くします D 端子のサージ電圧が大きくなる電源仕様の場合は、P 巻線間に CRD クランプスナバ回路や、D 端子と S/OCP 端子間に C または RC ダンパースナバ回路を追加します STR-A6153E は ST 端子のダイオードが削除できます（図 6-2） CRDクランプスナバ BR1 C1 R54 R51 PC1 P DST D2 C5 R52 S C52 R53 U51 ST NC C53 R2 5 D D R55 C51 D1 7 VOUT R1 C6 8 L1 D51 T1 VAC C2 U1 R56 D STR-A61×× STR-A61××M GND S/OCP VCC GND FB/OLP C（RC） ダンパースナバ 1 2 3 4 CY DZ1 ROCP PC1 C3 C4 図 6-1 応用回路例(STR-A61××/ STR-A61××M) CRDクランプスナバ BR1 VAC L1 D51 T1 VOUT R54 R51 R1 C6 C1 PC1 P R55 C51 D1 D2 8 C5 C52 D U51 ST NC C2 U1 C53 R53 R2 5 7 D S R52 R56 D GND STR-A6153E S/OCP VCC GND FB/OLP C（RC） ダンパースナバ 1 2 3 4 CY DZ1 ROCP C3 PC1 C4 図 6-2 応用回路例(STR-A6153E) STR-A6100 - DS Rev.2.0 Dec. 25, 2013 SANKEN ELECTRIC CO.,LTD. 12 STR-A6100 Series 7. 外形図 DIP8 (Type A) NOTES: 3) 単位：mm 4) Pb フリー品(RoHS 対応)です DIP8 (Type B) NOTES: 1) 単位：mm 2) Pb フリー品(RoHS 対応)です 8. 捺印仕様 STR-A6131/32/51/59/69/31M/59M/51E 8 STR-A6151M 8 Part Number SKYMD A6151 Part Number (A61×× / A6153E A6131M / A6159M) SKYMDM Lot Number 1 Y = Last Digit of Year (0-9) M = Month (1-9,O,N or D) D =Period of days (1 to 3) 1 : 1st to 10th 2 : 11th to 20th 3 : 21st to 31st Lot Number 1 Sanken Control Number STR-A6100 - DS Rev.2.0 Dec. 25, 2013 SANKEN ELECTRIC CO.,LTD. Y = Last Digit of Year (0-9) M = Month (1-9,O,N or D) D =Period of days (1 to 3) 1 : 1st to 10th 2 : 11th to 20th 3 : 21st to 31st Sanken Control Number 13 STR-A6100 Series 9. 動作説明 特記なき場合の特性数値は、STR-A6151 の仕様に 準じ、Typ.値を表記します 電流値の極性は、IC を基準として、シンクを“+”、ソー スを“−”と規定します になります。 電源起動後、起動回路は自動的に IC 内部で遮断す るため、起動回路による電力消費はなくなります。補助 巻線 D の巻数は、電源仕様の入出力変動範囲内で、 VCC 端子電圧が次式(1)の範囲になるように、調整しま す。補助巻線電圧の目安は 15～20 V 程度です。 VCC( BIAS) (max .) VCC VCC(OVP ) (min .) 9.1 起動動作 VCC 端子周辺回路を図 9-1、電源起動時の VCC 端 子電圧波形例を図 9-2 に示します。 BR1 T1 ⇒ 11.6(V) VCC 28.7(V) IC の起動時間は、C2 のコンデンサ容量で決まり、起 動時間の概算値は次式(2)で算出します。 VAC t START C2 × C1 P DST 5 ST U1 VCC GND 2 D2 R2 C2 VD IC動作開始 (2) I STRATUP 9.2 低入力時動作禁止回路 （UVLO：Undervoltage Lockout） 図 9-1 VCC 端子周辺回路 VCC端子電圧 VCC( ON )－VCC( INT ) ここで、 tSTART ：IC の起動時間 (s) VCC(INT) ：VCC 端子の初期電圧 (V) D 3 (1) 起動成功 設定電圧 VCC(ON) 出力電圧の 立ち上がりによる上昇 VCC 端子電圧と回路電流 ICC の関係を図 9-3 に示し ま す 。 VCC 端 子 電 圧 が 動 作 開 始 電 源 電 圧 VCC(ON) = 17.5 V に達すると、制御回路が動作を開始し、 回路電流が増加します。制御回路動作後、VCC 端子 電圧が動作停止電源電圧 VCC(OFF) = 10 V に低下する と、低入力時動作禁止（UVLO：Undervoltage Lockout） 回路により、制御回路は動作を停止し、再び起動前の 状態に戻ります。 VCC(OFF) 回路電流 ICC 起動不良時 ICC（ON） 図 9-2 起動時の VCC 端子電圧 本 IC は起動回路を内蔵し､起動回路は ST 端子に接 続しています。 電源電圧が印加すると、IC 内部で定電流化した起 動電流 ISTARTUP = 790 µA が、VCC 端子に接続した電 解コンデンサ C2 を充電し ます。VCC 端子電圧が VCC(ON) = 17.5 V に達すると、IC が動作開始して IC の 回路電流が増加するため、VCC 端子電圧が低下しま す。しかし動作停止電圧を VCC(OFF) = 10 V と低く設定し ているため、VCC 端子電圧が VCC(OFF)まで下がる前に、 補助巻線 D の電圧が設定値に達し、制御回路は動作 を継続します。IC が動作すると、VCC 端子への印加電 圧は、図 9-1 の補助巻線電圧 VD を整流平滑した電圧 STR-A6100 - DS Rev.2.0 Dec. 25, 2013 VCC（OFF） 起動 停止 時間 VCC VCC（ON） 端子電圧 図 9-3 VCC 端子電圧と回路電流 ICC 9.3 定電圧制御回路動作 図 9-4 に FB/OLP 端子周辺回路、図 9-5 に定常時 の ID 波形と FB コンパレータの入力波形を示します。 SANKEN ELECTRIC CO.,LTD. 14 STR-A6100 Series パワーMOSFET のターンオフ OCP コンパレータ、または FB コンパレータが、PRC ラ D ッチ回路をリセットすると、PRC ラッチ回路の Q が“H” にラッチします。これにより、ターンオフ信号をゲート 制御回路へ出力し、パワーMOSFET がターンオフし ます。 Timer reset OFF signal output OFF Timer Circuit 7,8 Drive S Gate control Q R ON/OFF PRC latch circuit 本 IC は､電流検出抵抗 ROCP の両端電圧（VROCP ）を 増幅した VOCPM と目標電圧（VSC ）を内部の FB コンパ レータで比較し、VROCP のピーク値が VSC に近づくよう に制御します。 VSC -V + OCPM FB Comp. Buffer S/OCP + OCP Comp. 1 VOCP(TH) ID U1 3 4 GND FB/OLP VROCP IFB ROCP DZ1 C4 C3 PC1 図 9-4 FB/OLP 端子周辺回路 ＜軽負荷の場合＞ 負荷が軽くなると、出力電圧の上昇に伴い 2 次側エ ラーアンプのフィードバック電流が増加します。この 電流がフォトカプラを介して流れる IFB を FB/OLP 端 子から引き抜くことにより、FB/OLP 端子電圧は低下 します。これにより、目標電圧 VSC が下がるため、 VOCPM のピーク値が低下するように制御を行います。 その結果、ドレイン電流のピーク値が減尐し、出力電 圧の上昇を抑えます。 ＜重負荷の場合＞ 負荷が重くなると、軽負荷時の逆の動作になり、FB コンパレータの目標電圧 VSC が高くなるため、ドレ イン電流のピーク値が増加し出力電圧の低下を抑え ます。 FBコンパレータ - VSC + VOCPM 9.4 リーディング・エッジ・ブランキング機能 ドレイン電流 ID 図 9-5 定常時の ID 波形と FB コンパレータの入力波形 本 IC は、オフ時間を固定し、オン時間を制御する PRC(Pulse Ratio Control)方式により、出力を定電圧に 制御します。定電圧制御には、過渡応答および安定 性に優れたピーク電流モード制御を使用していま す。 IC 内部のオフタイマー回路で内部固定のオフ時間 tOFF を設定し、パワーMOSFET のターンオンのタイミン グを決定します。 パワーMOSFET のターンオン tOFF 後、オフ信号出力が“H”になり、PRC ラッチ回路 の Q が“L”にラッチします。これにより、ターンオン信 号をゲート制御回路へ出力し、パワーMOSFET が ターンオンします。 STR-A6100 - DS Rev.2.0 Dec. 25, 2013 本 IC は出力電圧の定電圧制御にピーク電流モード 制御方式を使用しています。ピーク電流モード制御方 式の場合、パワーMOSFET がターンオンしたときに発 生する急峻なサージ電流により、FB コンパレータや過 電流保護回路(OCP)が応答し、パワーMOSFET がオフ する可能性があります。 この現象を防ぐため、パワーMOSFET がターンオン した瞬間からブランキング時間 tBW = 320 ns を設け、 ターンオン時のドレイン電流サージに応答しないように しています。 9.5 オートスタンバイ機能 オートスタンバイ機能とは、スタンバイ負荷時のドレ イン電流 ID が、最大ドレイン電流（過電流状態）の約 25 %以下に減尐すると、自動的にスタンバイモードに 切り替わり、バースト動作を行う機能です（図 9-6）。 こ れ は 、 FB/OLP 端 子 の バ ー ス ト し き い 値 VBURST = 0.79 V （STR-A61××M、 STR-A6153E は 0.75 V） に相当します。 バースト動作は、スイッチング動作を停止する期間が あるため、スイッチング損失を低減し、軽負荷時の効率 SANKEN ELECTRIC CO.,LTD. 15 STR-A6100 Series 出力電流 IOUT バースト動作 数kHz以下 ドレイン 電流 ID 通常負荷 スタンバイ負荷 電流のピークは高くなり、検出電圧は VOCP(TH)よりも高く なります。そのため、OCP 動作時の出力電流は、図 9-7 のように電源の入力電圧に依存します。 出力電圧 VOUT（V） 改善ができます。一般的に、軽負荷時の効率をより改 善するため、バースト間隔は数 kHz 以下になります。本 IC は、バースト動作時のドレイン電流ピークを低く抑え、 トランスの音鳴りを抑制します。 図 9-7 出力負荷特性 図 9-6 オートスタンバイ動作のタイミング波形 STR-A61××には、オートバイアス機能を搭載してい ます。オートバイアス機能は、バースト発振動作期間中 に有効になります。バースト発振動作期間中に VCC 端 子電圧がオートバイアスしきい電圧 VCC(BIAS) = 10.6 V ま で低下すると、強制的に PRC 動作に移行し、VCC 端子 電圧が下がらないように制御します。これにより、安定し たスタンバイ動作が行えます。 なお、定常動作時（バースト動作を含む）にバイアス アシスト機能が動作すると、消費電力が増加するため、 VCC 端子電圧は常に VCC(BIAS)より高くする必要があり、 トランスの巻数比や図 10-2 の R2 を小さくするなどの調 整が必要です。（R2 の詳細は”10.1 外付け部品”参照） 9.7 過電流保護機能（OCP） 過電流保護機能(OCP)は、パワーMOSFET のドレ インピーク電流値が、OCP しきい電圧 VOCP(TH) = 0.77 V （STR-A61××M、 STR-A6153E は 1.13 V）に達すると、パ ワーMOSFET をターンオフして電力を制限します（パル ス・バイ・パルス方式）。 図 9-7 に出力負荷特性を示します。OCP 動作になる と、出力電圧が低下します。このとき、補助巻線電圧 VD も出力電圧に比例して低下します。VCC 端子の電圧が VCC(OFF) = 10 V まで低下すると、UVLO 回路により、制 御回路は動作を停止し、再び起動前の状態に戻ります。 その後 VCC 端子の電圧は、起動電流 ISTARTUP により上 昇し、VCC(ON) = 17.5 V に達すると、制御回路が再び動 作します。このように、過電流状態のときは UVLO によ る間欠発振動作を繰り返します。 一般的な制御 IC は、制御系を含めた回路に伝播遅 延時間があります。そのため、電源の入力電圧が高く、 ドレイン電流傾斜が急峻なほど、実際に流れるドレイン STR-A6100 - DS Rev.2.0 Dec. 25, 2013 入力電圧が 低いとき 出力電流 IOUT（A） 通常負荷 9.6 オートバイアス機能（STR-A61××） 入力電圧が 高いとき なお、多出力巻線のトランスなどは結合が悪くなるた め、OCP 動作時に出力電圧が低下しても、補助巻線電 圧 VD は低下せず、間欠動作にならない場合があります。 このような場合は、過負荷保護機能(OLP)が動作します （9.8 項参照）。 9.8 過負荷保護機能（OLP） 図 9-8 に FB/OLP 端子の周辺回路、図 9-9 に OLP 動作時の波形を示します。 過負荷状態（過電流動作によりドレインピーク電流値 を制限している状態）になると、出力電圧が低下し、2 次 側のエラーアンプがカットオフします。そのため、フィー ドバック電流 IFB は FB/OLP 端子に接続している C3 を 充電し、FB/OLP 端子電圧が上昇します。FB/OLP 端子 電圧が、OLP しきい電圧 VOLP = 7.2 V を超えている状 態を次式(3)で求められる OLP 遅延時間 tDLY 継続する と、過負荷保護回路が動作してスイッチング動作を停 止します。 t DLY C3 × (VOLP － VZ －VF ) (3) I OLP ここで、 tDLY ：OLP 遅延時間 VZ ：ツェナーダイオード DZ1 のツェナー電圧 VF ：D3 の順方向電圧 IOLP ：OLP 動作時 FB/OLP 端子流出電流 − 26 µA スイッチング動作を停止すると、VCC 端子電圧は動 作停止しきい値 VCC(OFF) = 10 V まで低下し、過電流保 護機能（OCP）同様、UVLO による間欠発振動作を繰り 返します。 この間欠発振動作により、パワーMOSFET や 2 次側 整流ダイオードなどの部品ストレスを低減します。さらに、 SANKEN ELECTRIC CO.,LTD. 16 STR-A6100 Series スイッチング期間は、発振停止期間より短いため、間欠 動作中の消費電力を小さくできます。過負荷の要因を 取り除くと、通常の動作に自動復帰します。 tDLY は、IC が起動しスイッチング動作を開始してから、 出力電圧が一定になるまでの時間 tSTART より長くなるよ うに設定する必要があります（図 9-9 参照）。tDLY を tSTART より短く設定すると、定電圧制御をする前に OLP が動作し、電源が起動できなくなる場合があります。 異常な上昇を防止します。ラッチ状態の解除は、電源 電圧をオフし、VCC 端子電圧を VCC(La.OFF) = 7.3 V 以下 に下げることで行います。 ラッチ状態 VCC端子電圧 VCC（OVP）=31.2V VCC（ON）=17.5V U1 S/OCP VCC（OFF）=10V GND FB/OLP 1 3 4 DZ1 VROCP PC1 ROCP ドレイン電流, ID IFB C4 C3 図 9-10 OVP 動作波形 図 9-8 FB/OLP 端子周辺回路 tSTART tSTART VCC端子電圧 VCC(ON) VCC(OFF) FB/OLP端子電圧 tDLY tDLY VOLP 発振停止期間 ドレイン電流 ID VOUT(OVP) VOUT ( NORMAL ) VCC( NORMAL ) × 31.2 (4) ここで、 VOUT(NORMAL) ：定常動作時の出力電圧 VCC(NORMAL) ：定常動作時の VCC 端子電圧 9.10 過熱保護機能(TSD) 図 9-9 OLP 動作波形 9.9 過電圧保護機能（OVP） 図 9-10 に過電圧保護機能（OVP）動作時の波形を 示します。 VCC 端 子 と GND 端 子 間 に 、 OVP し き い 値 VCC(OVP) = 31.2 V 以上の電圧を印加すると、過電圧保 護機能(OVP)が動作し、ラッチ状態でスイッチング動作 を停止します。ラッチ回路が動作すると、IC の回路電流 により VCC 端子電圧が下降します。VCC 端子電圧が VCC(OFF) = 10 V 以下になると、起動回路が動作して VCC 端子電圧は上昇を始めます。その後、VCC 端子 電圧が VCC(ON) = 17.5 V に達すると、IC の回路電流が 増加して VCC 端子電圧が低下します。このように、ラッ チ回路動作時は、VCC 端子電圧波形が VCC(OFF) と VCC(ON) の間を上下する動作になり、VCC 端子電圧の STR-A6100 - DS Rev.2.0 Dec. 25, 2013 出力電圧検出回路がオープンになると、2 次側の出 力電圧が上昇します。VCC 端子電圧をトランスの補助 巻線から供給する場合は、VCC 端子電圧が出力電圧 に比例するため、2 次側の過電圧を検出できます。この 場合、過電圧保護動作時の 2 次側出力電圧 VOUT(OVP) は、次式(4)で概略計算できます。 IC の 制 御 回 路 部 の 温 度 が 、 熱 保 護 動 作 温 度 Tj(TSD) = 135 °C (min.)以上に達すると、過熱保護機能 (TSD)が動作し、9.9 過電圧保護機能同様、ラッチ状態 でスイッチング動作を停止します。ラッチ状態の解除は、 電源電圧をオフし、VCC 端子電圧を VCC(La.OFF) = 7.3 V 以下に下げることで行います。 SANKEN ELECTRIC CO.,LTD. 17 STR-A6100 Series 10.設計上の注意点 VCC端子電圧 R2がない場合 10.1 外付け部品 各部品は使用条件に適合したものを使用します。 出力電流IOUT CRDクランプスナバ BR1 T1 VAC ( C6 RST 8 D C5 P D1 D2 5 7 D 図 10-2 R2 による出力電流 IOUT－VCC 端子電圧 R1 DST ) C1 R2がある場合 R2 ST NC U1 C2 STRA6100 D S/OCP VCC GND FB/OLP C（RC） ダンパースナバ 1 2 3 4 DZ1 C3 ROCP PC1 C4 図 10-1 IC 周辺回路 電解コンデンサ 電解コンデンサは、リップル電流・電圧・温度上昇に 対し、適宜設計マージンを設けます。 また、リップル電圧を低減するため、スイッチング電 源設計に適した、低 ESR タイプを推奨します。 S/OCP 端子周辺回路 図 10-1 に示す ROCP は、電流検出用抵抗です。高周 波スイッチング電流が流れるので、内部インダクタン スが小さく、かつ許容損失を満足するものを使用しま す。 VCC 端子周辺回路 一般的な電源仕様の場合、図 10-1 に示す C2 の容 量は 10 μF～47 μF 程度を接続します（C2 は起動時 間に影響するので、“9.1 起動動作”を参照）。 また、実際の電源回路は、図 10-2 のように 2 次側出 力電流 IOUT により VCC 端子電圧が増加し、過電圧 保護動作（OVP）になる場合があります。これは、パ ワーMOSFET がターンオフした瞬間に発生するサー ジ電圧が補助巻線にも誘起し、C2 をピーク充電する ためです。これを防止するには、図 10-1 のように、 整流用ダイオード D2 と直列に、抵抗 R2（数 Ω～数十 Ω）の追加が有効です。ただし、出力電流に対する VCC 端子電圧の変化は、使用するトランスの構造に より異なるため、実際に使用するトランスに合わせて R2 の最適値を調整する必要があります。 STR-A6100 - DS Rev.2.0 Dec. 25, 2013 FB/OLP 端子周辺回路 図 10-1 に示す FB/OLP 端子と GND 端子間のコン デンサ C3 は、高周波ノイズ除去、位相補償用です。 C3 の容量は 2200 pF～0.01 μF 程度が目安で、 FB/OLP 端子と GND 端子近くに接続します。 DZ1、C4 は、C3 の容量を小さくし、負荷の応答性を 上げるために接続します。 DZ1 は、定常動作時に C4 の充電を防止します。 DZ1 のツェナー電圧 VZ は、定常動作時にブレークし ない電圧を選定します。通常、4.7 V～5.6 V が目安 になります。 C4 は、OLP 遅延時間 tDLY 設定用です。C4 が小さす ぎると、起動時に OLP が動作し、起動できなくなる場 合があります（9.8 項参照）。C4 の値は 4.7 μF～22 μF 程度が目安です。C3、C4、DZ1 は最終的に実機で 動作を確認し、定数を調整します。 ST 端子周辺回路 STR-A61××、STR-A61××M は、図 10-1 のように ST 端子に負電圧防止用のダイオード DST、または抵抗 RST を接続します。起動時に ST 端子が−0.3 V 以下に なると、電源が起動できない場合があります。RST と DST は最終的に実機で全入力範囲の起動動作を確 認し、定数を調整します。 RST 推奨値：33kΩ DST 推奨仕様： 項目 推奨範囲 > 35 V 尖頭逆電圧 VRM > 1.5 mA 順電流 IF < 27 μs 逆回復時間 trr < 100 μA 逆電流 IR スナバ回路 VDS サージ電圧が大きくなる電源仕様の場合は以下 のような回路を追加します(図 10-1)。 ・ P 巻線間に CRD クランプスナバ回路を追加する ・ D 端子と S/OCP 端子間に C、または CR ダンパー スナバ回路を追加する。 ダンパースナバ回路を追加する場合は、D/ST 端 子と S/OCP 端子の直近に接続します。 SANKEN ELECTRIC CO.,LTD. 18 STR-A6100 Series 2 次側エラーアンプ周辺回路 一般的なシャントレギュレータ（U51）を使用した 2 次 側エラーアンプ周辺部の回路構成を図 10-3 に示し ます。 C52、R53 は位相補正用のコンデンサと抵抗です。 C52 の容量および抵抗 R53 の抵抗値は、それぞれ 0.047 μF～0.47 μF、4.7 kΩ～470 kΩ 程度が目安で す。 C52、R53 は、最終的に実機で動作を確認し、定数を 調整します。 L51 T1 VCC 端子のサージ電圧の影響を低減するため、補 助巻線 D の巻き位置を考慮したトランス参考例を図 10-4 に示します。 ＜巻線構造例①＞ ・ 補助巻線 D を 1 次側巻線 P1 と P2 から離す構造 ・ P1、P2 は 1 次側巻線を 2 分割した巻線 ＜巻線構造例②＞ ・ 2 次側安定化出力巻線 S1 と補助巻線 D の結合を 良くする構造 ・ 2 出力巻線 S1、S2 中、S1 は安定化出力巻線（定 電圧制御をしている出力ラインの巻線） VOUT D51 Margin tape R55 C51 S Bobbin PC1 R54 R51 R52 P1 S1 P2 S2 D P1、P2： 1次側主巻線 D ： 1次側補助巻線 S1 ： 2次側安定化 出力巻線 S2 ： 2次側出力巻線 Margin tape C53 巻線構造例① C52 R53 U51 R56 GND Bobbin Margin tape P1 S1 D S2 S1 P2 Margin tape 図 10-3 2 次側シャントレギュレータ（U51）の周辺回路 トランス トランスは、銅損・鉄損による温度上昇に対し、適宜 設計マージンを設けます。スイッチング電流は高周 波成分を含むため、表皮効果が影響する場合があり ます。このためトランスに使用する巻線の線径は、動 作電流の実効値を考慮し、電流密度が 3～4 A/mm2 前後を目安に選定します。表皮効果の影響などで、 さらに温度対策が必要な場合は、巻線表面積を増加 させるため、次を検討します。 ・ 巻線の本数を増やす ・ リッツ線を使用する ・ 線径を太くする 次の場合、出力電流 IOUT に対する VCC 端子電圧の 変化率が悪化するため、トランス設計時は補助巻線 D の巻き位置に注意が必要です。 ・ トランスの 1 次と 2 次間の結合が悪く、サージ電圧 が高くなる場合（低出力電圧、大電流負荷仕様な ど） ・ 補助巻線 D と 2 次側安定化出力巻線（定電圧制 御をしている出力ラインの巻線）の結合が悪く、 サージ電圧の変動を受けやすい場合 STR-A6100 - DS Rev.2.0 Dec. 25, 2013 巻線構造例② 図 10-4 巻線構造例 10.2 パターン設計 スイッチング電源は、高周波かつ高電圧の電流経路 が存在し、基板のパターンや部品の実装条件が、動作、 ノイズ、損失などに大きく影響します。そのため、高周波 電流ループは極力小さくし、パターンを太くして、ライン インピーダンスを低くする必要があります。 また、GND ラインは輻射ノイズに大きな影響を与える ため、極力太く、短く配線します。 さらに、以下に示す内容を配慮したパターン設計が 必要です。 図 10-5 に IC 周辺回路の接続例を示します。 (1) 主回路パターン（S/OCP 端子～ROCP ～C1～T1（P 巻線）～D 端子） スイッチング電流が流れる主回路パターンです。こ のパターンは極力太く、電流ループを小さく配線し ます。IC と入力電解コンデンサ C1 の距離が離れて いる場合は、高周波電流ループのインピーダンスを 下げるため、トランスもしくは IC の近くに、電解コン デンサやフィルムコンデンサ（0.1μF 程度）を追加し SANKEN ELECTRIC CO.,LTD. 19 STR-A6100 Series ます。 (5) FB/OLP 端子周り FB/OLP 端子の接続部品は IC の近くに配置し、最 短で FB/OLP 端子に接続します。 (2) 制御系 GND パターン 制御系 GND パターンに主回路の大電流が流れる と、IC の動作に影響を与える可能性があります。制 御系の GND は専用パターンにし、ROCP のできるだ け近くに配線します（図 10-5 の A 点）。 (6) 2 次側整流平滑回路 （T1（S 巻線）～D51～C51） このパターンは、スイッチング電流が流れる 2 次側 主回路パターンです。このパターンは極力太く、電 流ループを小さく配線します。 このパターンのインピーダンスを下げると、パワー MOSFET がターンオフする際に発生するサージ電 圧を減らすことができます。これにより、パワー MOSFET の耐圧マージンを増やし、クランプスナバ 回路のストレスや損失を低減できます。 (3) VCC 端子周り（GND 端子～C2（－側）～T1（D 巻線） ～R2～D2～C2（+側）～VCC 端子） このパターンは、IC の電源供給用パターンのため、 極力電流ループを小さく配線します。 IC と電解コンデンサ C2 の距離が離れている場合は、 VCC 端子と GND 端子の近くにフィルムコンデンサ Cf（0.1μF～1.0μF 程度）などを追加します。 (7) 温度に関する注意事項 パワーMOSFET の ON 抵抗 RDS(ON) は、正の温度 係数のため、熱設計に注意が必要です。IC の下の パターンや、D 端子のパターンは、放熱板として機 能するため、極力広く設計します。 (4) 電流検出用抵抗 ROCP 周り ROCP は、S/OCP 端子の近くに配置します。主回路 系と制御系のグランドは ROCP 近傍で接続します（図 10-5 の A 点）。 (1) 主回路パターン 太く、ループを小さく配線 (6) 2次側主回路パターン 太く、ループを小さく配線 D51 T1 R1 C6 C1 P DST (7)D端子 放熱のためパターンを広くする 8 C5 S 5 7 D C51 D1 D D2 NC R2 ST U1 STR-A6100 C2 D S/OCP VCC GND FB/OLP 1 2 ROCP 3 4 (3) 電源供給パターンは ループを小さく配線 DZ1 C4 PC1 C3 (5)FB端子の周辺部品は ICの近くに配置し、最 短で端子に接続 A (4)ROCPは、S/OCP端子の近くに配置。 CY (2)制御系GND 専用パターンで、ROCPの近くに一点で配線 図 10-5 電源 IC 周辺回路の接続例 STR-A6100 - DS Rev.2.0 Dec. 25, 2013 SANKEN ELECTRIC CO.,LTD. 20 STR-A6100 Series 11.パターンレイアウト例 以下に、STR5A100D シリーズを使用したパターンレイアウト例と、その回路図を示します。 Top view Bottom view 図 11-1 パターンレイアウト例 J1 F1 L1 D1 R1 ZNR1 R2 C1 J2 R11 C91 C2 L2 D11 T1 R13 R91 R92 R93 D4 D91 PC1 R12 C11 P R14 S D2 8 C12 C13 R16 5 7 D R9 D C14 ST NC C4 U1 D IC2 R15 STR-A61×× STR-A61××M S/OCP VCC GND FB/OLP 1 2 3 4 C99 D3 C3 C8 PC1 C5 R3 R4 R5 R6 図 11-2 パターンレイアウト回路図 回路記号は図 11-1 のパターンレイアウト例に対応しています。 STR-A6100 - DS Rev.2.0 Dec. 25, 2013 SANKEN ELECTRIC CO.,LTD. 21 STR-A6100 Series 12.電源回路例 電源回路例として、電源仕様と、その回路図および部品表、トランス仕様を以下に示します。 電源仕様 使用 IC STR-A6159 入力電圧 AC 85 V～AC 265 V 最大出力電力 5W 出力 5V/1A 回路図 図 11-2 参照 部品表 記号 部品名 F1 定格(1) 弊社 推奨部品 部品名 定格(1) General, chip 10 Ω, 1/4 W 記号 Fuse AC 250 V, 500 mA R6 L1 (2) CM inductor 16.5 mH R9 General, chip 0 Ω, 1/4 W ZNR1 (2) Varistor Open R91 Metal oxide, chip 270 kΩ, 1/4 W R92 Metal oxide, chip 270 kΩ, 1/4 W (2) D1 General 600 V, 1 A AM01A (Axial) D2 Fast recovery 200 V, 1 A AL01Z R93 Metal oxide, chip 270 kΩ, 1/4 W D3 Zener, chip 5.1 V PC1 Photo-coupler PC123 相当 D4 General, chip 200 V, 1 A IC1 IC － Transformer トランス仕様参 照 Inductor 2.2 μF D91 Fast recovery 1000 V, 0.2 A Film 0.15 μF, 270 V L2 C2 Electrolytic 22 μF, 450 V D11 Schottky, chip 60 V, 2 A C3 Ceramic, chip 4700 pF, 50 V C11 Electrolytic 680 μF, 10 V C4 Electrolytic 22 μF, 50 V C12 Electrolytic 220 μF, 10 V Electrolytic 2.2 μF, 50 V C13 Ceramic, chip 0.1 μF, 50 V Ceramic, chip 0.33 μF, 50 V C14 Ceramic, chip Open C1 (2) C5 C8 (2) EG01C T1 (2) (2) Ceramic, chip 1000 pF, 630 V R11 General, chip 220 Ω, 1/8 W C99 (2) Ceramic, Y1 2200 μF, AC 250 V R12 General, chip 1.5 kΩ, 1/8 W R1 (2) General, chip Open R13 General, chip, 1% 0 Ω, 1/8 W R2 (2) General, chip Open R14 General, chip, 1% 10 kΩ, 1/8 W R3 General, chip 10 Ω, 1/4 W R15 General, chip, 1% 10 kΩ, 1/8 W R4 General, chip 10 Ω, 1/4 W R16 General, chip 47kΩ, 1/8 W R5 General, chip 10 Ω, 1/4 W IC2 Shunt regulator VREF = 2.5 V (TL431 相当) C91 (2) 弊社 推奨部品 STR-A6159 SJPB-H6 (1) 特記のない部品の定格は、コンデンサ：50 V 以下、抵抗：1/8 W 以下 実機評価で調整が必要な部品 (3) 高圧の DC 電圧が印加する高抵抗のため、電源要求仕様に応じて、電食を考慮した抵抗を選択したり、直列に抵抗を追 加して、個々の印加電圧を下げたりするなどの配慮をします (2) STR-A6100 - DS Rev.2.0 Dec. 25, 2013 SANKEN ELECTRIC CO.,LTD. 22 STR-A6100 Series トランス仕様 ▫ 1 次側インダクタンス LP ▫ コアサイズ ▫ Al-value ▫ 巻線仕様 巻線名称 1 次巻線 1 次巻線 VCC 用補助巻線 出力巻線 ：3.1 mH ：EI-16 ：114 nH/N2 （センターギャップ 0.188 mm） 記号 P1 P2 D S1 巻数（T） 66 99 29 11 線形（mm） φ 0.18 UEW φ 0.18 UEW φ 0.18 UEW φ 0.4 × 3 TIW 5V VOUT(+) VDC P1 P2 D S1 P1 Bobbin 形式 1 層密巻 1 層密巻 密巻 密巻 S1 P2 VOUT(-) D VCC D GND トランス断面図 STR-A6100 - DS Rev.2.0 Dec. 25, 2013 ●印：巻き始め SANKEN ELECTRIC CO.,LTD. 23 STR-A6100 Series 使用上の注意 弊社の製品を使用、またはこれを使用した各種装置を設計する場合、定格値に対するディレーティングをどの程度 行うかにより、信頼性に大きく影響します。ディレーティングとは信頼性を確保または向上するため、各定格値から負 荷を軽減した動作範囲を設定したり、サージやノイズなどについて考慮したりすることです。ディレーティングを行う要 素には、一般的に電圧、電流、電力などの電気的ストレス、周囲温度、湿度などの環境ストレス、半導体製品の自己 発熱による熱ストレスがあります。これらのストレスは、瞬間的数値、あるいは最大値、最小値についても考慮する必要 があります。 なお、パワーデバイスやパワーデバイス内蔵 IC は、自己発熱が大きく接合部温度のディレーティングの程度が、信 頼性を大きく変える要素となるので十分に配慮してください。 保管環境、特性検査上の取り扱い方法によっては信頼度を損なう要因となるので、注意事項に留意してください。 保管上の注意事項 保管環境は、常温（5～35°C）、常湿（40～75%）中が望ましく、高温多湿の場所、温度や湿度の変化が大きな場 所を避けてください 腐食性ガスなどの有毒ガスが発生しない、塵埃の尐ない場所で、直射日光を避けて保管してください 長期保管したものは、使用前にはんだ付け性やリードの錆などについて再点検してください 特性検査、取り扱い上の注意事項 受入検査などで特性検査を行う場合は、測定器からのサージ電圧の印加、端子間ショートや誤接続などに十分注 意してください。また定格以上の測定は避けてください 放熱用シリコーングリースを使用する場合の注意事項 本製品を放熱板に取り付け、シリコーングリースを使用する場合は、均一に薄く塗布してください。必要以上に塗 布すると、無理な応力を加えます 揮発性の放熱用シリコーングリースは、長時間経過するとシリコーングリースにヒビ割れが生じ、放熱効果が悪化 します。ちょう度の小さい（固い）放熱用シリコーングリースは、ビス止め時にモールド樹脂クラックの原因となりま す 弊社では、寿命に影響を与えない下記の放熱用シリコーングリースを推奨しております 品名 G746 YG6260 SC102 メーカー名 信越化学工業（株） モメンティブ･パフォーマンス･マテリアルズ･ジャパン合同会社 東レ･ダウコーニング（株） はんだ付け方法 はんだ付けをする場合は、下記条件以内で、できるだけ短時間で作業してください • 260 ± 5 °C 10 ± 1 s （フロー、2 回） • 380 ± 10 °C 3.5 ± 0.5 s （はんだごて、1 回） はんだ付けは製品本体より 1.5 mm のところまでとします 静電気破壊防止のための取扱注意 製品を取り扱う場合は、人体アースを取ってください。人体アースはリストストラップなどを用い、感電防止のため、 1MΩ の抵抗を人体に近い所へ入れてください 製品を取り扱う作業台は、導電性のテーブルマットやフロアマットなどを敷き、アースを取ってください カーブトレーサーなどの測定器を使う場合、測定器もアースを取ってください はんだ付けをする場合、はんだごてやディップ槽のリーク電圧が、製品に印加するのを防ぐため、はんだごての 先やディップ槽のアースを取ってください 製品を入れる容器は、弊社出荷時の容器を用いるか、導電性容器やアルミ箔などで、静電対策をしてください STR-A6100 - DS Rev.2.0 Dec. 25, 2013 SANKEN ELECTRIC CO.,LTD. 24 STR-A6100 Series 注意書き 本書に記載している内容は、改良などにより予告なく変更することがあります。 ご使用の際には、最新の情報であることを確認してください。 本書に記載している動作例および回路例は、使用上の参考として示したもので、これらに起因する弊社もしく は第三者の工業所有権、知的所有権、その他の権利の侵害問題について弊社は一切責任を負いません。弊 社の合意がない限り、弊社は、本書に含まれる本製品（商品適性および特定目的または特別環境に対する適 合性を含む）ならびに情報（正確性、有用性、信頼性を含む）について、明示的か黙示的かを問わず、いかな る保証もしておりません。 弊社は品質、信頼性の向上に努めていますが、半導体製品では、ある確率での欠陥、故障の発生は避けられ ません。製品の故障により結果として、人身事故、火災事故、社会的な損害などが発生しないよう、使用者の 責任において、装置やシステム上で十分な安全設計および確認を行ってください。 本書に記載している製品は、一般電子機器（家電製品、事務機器、通信端末機器、計測機器など）に使用す ることを意図しております。 高い信頼性を要求する装置（輸送機器とその制御装置、交通信号制御装置、防災・防火装置、各種安全装置 など）への使用を検討、および一般電子機器であっても長寿命を要求する場合は、必ず弊社販売窓口へ相談 してください。 極めて高い信頼性を要求する装置（航空宇宙機器、原子力制御、生命維持のための医療機器など）には、弊 社の文書による合意がない限り使用しないでください。 本書に記載している製品の使用にあたり、本書に記載している製品に他の製品・部材を組み合わせる場合、 あるいはこれらの製品に物理的、化学的、その他何らかの加工・処理を施す場合には、使用者の責任におい てそのリスクを検討の上行ってください。 本書に記載している製品は耐放射線設計をしておりません。 弊社物流網以外での輸送、製品落下などによるトラブルについて、弊社は一切責任を負いません。 本書に記載している内容を、文書による弊社の承諾なしに転記・複製することを禁じます。 STR-A6100 - DS Rev.2.0 Dec. 25, 2013 SANKEN ELECTRIC CO.,LTD. 25