Rg Cgeによるdv/dtとスイッチング損失特性

技術資料 MT5F14571
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富士 IGBT モジュール
U シリーズ
スイッチング損失 dv/dt と CGE、RG
6MBI450U-120
逆回復 dv/dt
スイッチング損失 Eon
測定サンプル: 6MBI450U-120 #38001-11 Y 相始動
Tj=125℃、Vcc=600V、Ic=450A
Tj=25℃、Vcc=800V、Ic=22.5A (定格値の 5%)
VGE=±15V、Ls=75nH、Snubber C=0
VGE=±15V、Ls=45nH、Snubber C=0
RG[Ω]
RG[Ω]
スイッチング損失 Eoff
スイッチング損失 Err
Tj=125℃、Vcc=600V、Ic=450A
Tj=125℃、Vcc=600V、Ic=450A
VGE=±15V、Ls=75nH、Snubber C=0
VGE=±15V、Ls=75nH、Snubber C=0
RG[Ω]
RG[Ω]
・逆回復時の dv/dt や振動を低減させるには、CGE を大きくし、RG を小さくすることが効果的です。
・同一のスイッチング損失を保持するには、(Cies と同じ CGE)+(0.7×RG)あるいは(Cies の倍の
CGE)+(0.5×RG)とするようにお奨めいたします。また、U シリーズ 1200V の他タイプの IGBT の
場合も同様です。
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6MBI450U-120
逆回復 dv/dt
測定サンプル: 6MBI450U-120 #38001-11
Y 相始動
Tj=25℃、Vcc=800V、Ic=22.5A、VGE=±15V、Ls=45nH、Snubber C=0
RG[Ω]
CGE=0nF
2
6MBI450U-120
Eon(最新のサンプル)
測定サンプル: 6MBI450U-120 #38001-11
Y 相始動
Tj=125℃、Vcc=600V、Ic=450A、VGE=±15V、Ls=75nH、Snubber C=0
RG[Ω]
CGE=0nF
3
6MBI450U-120
Eoff(最新のサンプル)
測定サンプル: 6MBI450U-120 #38001-11
Y 相始動
Tj=125℃、Vcc=600V、Ic=450A、VGE=±15V、Ls=75nH、Snubber C=0
RG[Ω]
CGE=0nF
4
6MBI450U-120
Err(最新のサンプル)
測定サンプル: 6MBI450U-120 #38001-11 Y 相始動
Tj=125℃、Vcc=600V、Ic=450A、VGE=±15V、Ls=75nH、Snubber C=0
RG[Ω]
CGE=0nF
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