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SSC2001S アプリケーションノート
Rev.1.2
SSC2001S
アプリケーションノート
Rev.1.2
サンケン電気株式会社
SANKEN ELECTRIC CO., LTD.
http://www.sanken-ele.co.jp
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目次
概要------------------------------------------------------------------------------------------------ 3
1. 電気的特性 ---------------------------------------------------------------------------------- 4
1.1 絶対最大定格 ------------------------------------------------------------------------- 4
1.2 制御部電気的特性 ------------------------------------------------------------------- 5
1.3 パッケージ部電気的特性 ------------------------------------------------------------ 6
2. ブロックダイアグラム ------------------------------------------------------------------------ 7
3. 各端子機能 ---------------------------------------------------------------------------------- 7
4. 応用回路例 ---------------------------------------------------------------------------------- 8
5. 外形図 ---------------------------------------------------------------------------------------- 9
6. 捺印仕様 ------------------------------------------------------------------------------------- 9
7. 電流連続型(CCM)の動作説明 -------------------------------------------------------10
8. 動作説明 ------------------------------------------------------------------------------------11
8.1 起動動作 ------------------------------------------------------------------------------11
8.2 ソフトスタート機能 --------------------------------------------------------------------11
8.3
8.4
8.5
8.6
8.7
8.8
8.9
8.10
8.11
ブラウンイン・ブラウンアウト機能 --------------------------------------------------12
電流制御(力率改善制御)動作 ---------------------------------------------------12
電圧制御(出力定電圧制御)動作 ------------------------------------------------13
高速負荷応答機能(HSR) ----------------------------------------------------------13
周波数変調機能 ---------------------------------------------------------------------13
ゲートドライブ -------------------------------------------------------------------------14
過電流保護(OCP) ------------------------------------------------------------------14
出力過電圧保護(OVP) ------------------------------------------------------------15
出力オープンループ保護(OLD) ------------------------------------------------15
9. インダクタパラメーターの設計 -----------------------------------------------------------16
10. 設計上の注意点 ---------------------------------------------------------------------------18
10.1 外付け部品 ----------------------------------------------------------------------------18
10.2 パターン設計 -------------------------------------------------------------------------18
注意書き -----------------------------------------------------------------------------------------20
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概要
パッケージ
SSC2001S は、電流連続型(Continuous Conduction
Mode)力率改善用制御 IC です。
平均電流制御方式により外付け部品が尐ない、高
出力、高効率向けの電流連続型(CCM)ハイパワー
PFC システムが実現できます。
SOP8
特長
アプリケーション
 電流連続型(CCM)方式 (電流ピークが低く、
ハイパワー向け用途に適します)
 平均電流制御方式 (乗算器レス、入力電圧検
出の不要により、尐ない外付け部品、シンプル
な回路構成が可能)
 PWM+ 周 波 数 変 調機 能 ( PWM 動 作 周 波 数
65kHz(TYP)固定に、Duty 値により可変する周
波数を重畳)
 最大 ON Duty= 94.0%(TYP)
 エラーアンプ基準電圧= 3.5V(TYP)
 高速負荷応答機能内蔵
 ブラウンイン・アウト保護機能(低入力電圧時に
電源を保護)
 保護機能
▫出力過電圧保護(OVP)
パルスバイパルスでGATE 出力をOFF、自動復帰
▫過電流保護(OCP)
2 種類の保護動作、自動復帰
・VIS(OCPL): 検出後の次周期より Duty を絞り電力制限
・VIS(OCPH): パルスバイパルスで GATE 出力を OFF
▫出力オープンループ検出(OLD)
発振停止し、スタンバイモードに移る、要因
解除後、自動復帰
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中~高出力電力用途の力率改善回路
▫ AC/DC 電源
▫ デジタル家電: 大画面 LCDTV、PDPTV など
▫ OA 機器: コンピュータ、サーバー、モニターなど
▫ 通信機器
などの各種電子機器用力率改善回路
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1. 電気的特性
 詳細内容は、製品の仕様書を参照願います
 電流値の極性は、IC を基準としてシンクが“+”、ソースが“-”と規定します
1.1 絶対最大定格
特記なき場合の条件 Ta= 25°C
項
目
端 子
記号
規 格 値
単位
VCC 端子電圧
7−1
VCC
−0.3~+30
V
VINS 端子電圧
4−1
VINS
−0.3~+5.5
V
ICOMP 端子電圧
2−1
VICOMP
−0.3~+5.5
V
IS 端子電圧
3−1
VIS
−5.5~+0.3
V
IS 端子電流
3−1
IIS
−1~+1
mA
VFB 端子電圧
6−1
VFB
−0.3~+5.5
V
VFB 端子電流
6−1
IFB
−1 ~+1
mA
VCOMP 端子電圧
5−1
VVCOMP
−0.3~+5.5
V
GATE 端子電圧
8−1
VGATE
−0.3~+30
V
動作時フレーム温度
―
TFOP
−4 0 ~+1 1 0
°C
保存温度
―
Tstg
−4 0 ~+1 2 5
°C
接合温度
―
Tj
−4 0 ~+1 5 0
°C
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1.2 制御部電気的特性
特記なき場合の条件 Ta= 25°C、VCC= 15V
項目
端子
規 格 値
記号
単位
MIN
TYP
MAX
備考
電源起動動作
VCC 端子動作開始電源電圧
7−1
VCC(ON)
10.5
11.3
12.1
V
VCC 端子動作停止電源電圧
7−1
VCC(OFF)
9.5
10.3
11.1
V
VCC 端子電圧ヒステリシス
7−1
VCC(HYS)
0.7
0.9
1.1
V
VCC 端子起動前回路電流
7−1
ICC(OFF)
30
100
200
μA
VCC 端子動作時回路電流
7−1
ICC(ON)
6.0
9.0
12.0
mA
VCC 端子スタンバイ時回路電流
7−1
ICC(STANDBY)
2.0
4.0
6.0
mA
発振周波数
8−1
fOSC
57
65
70
kHz
最大オンデューティ
8−1
DMAX
90
94
99.3
%
最小オンデューティ
8−1
DMIN
―
―
0
%
最小オフ時間
8−1
tOFFMIN
150
250
350
ns
VFB 端子出力オープンループ電圧
6−1
VFB(OLD)
0.51
0.55
0.59
V
VFB 端子出力過電圧保護電圧
6−1
VFB(OVP)
3.57
3.745
3.85
V
IS 端子過電流保護(High)電圧
3−1
VIS(OCPH)
−0.81
−0.75
−0.69
V
IS 端子過電流保護(Low)電圧
3−1
VIS(OCPL)
−0.54
−0.5
−0.46
V
VINS 端子入力低電圧保護(Low)電圧
4−1
VINS(L)
0.51
0.55
0.59
V
VINS 端子入力低電圧保護(High)電圧
4−1
VINS(H)
0.94
1.0
1.08
V
VINS 端子入力低電圧保護バイアス電流
4−1
IVINS(BIAS)
−1.0
―
0
μA
電流アンプゲイン
―
gmCA
1.1
1.4
1.7
mS
電流アンプ出力ソース電流
―
ICA(SO)
―
−50
―
μA
電流アンプ出力シンク電流
―
ICA(SK)
―
50
―
μA
出力オープンループ時ICOMP端子電圧
2−1
VICOMP(OLD)
3.6
4.0
4.3
V
VFB=0.5V
エラーアンプ基準電圧
6−1
VFB(REF)
3.4
3.5
3.6
V
IVCOMP=0µA
エラーアンプゲイン
―
gmEA
45
60
75
μS
エラーアンプ最大ソース電流
5−1
IVCOMP(SO)
−38
−30
−21
μA
エラーアンプ最大シンク電流
5−1
IVCOMP(SK)
21
30
38
μA
VFB 端子高速負荷応答動作可能電圧
6−1
VFB(HSR)ENABLE
―
3.4
―
V
VFB 端子高速負荷応答動作開始電圧
6−1
VFB(HSR)ACTIVE
3.24
3.325
3.41
V
VCOMP 端子高速負荷応答ソース電流
5−1
IVCOMP(SOHSR)
−127
−100
−72
μA
VFB 端子入力バイアス電流
6−1
IFB(BIAS)
―
―
1
μA
VCOMP 端子出力オープンループ電圧
5−1
VVCOMP(OLD)
0.60
1.03
1.40
V
VCC=10V
VFB=0.5V
発振動作
VIS=0V,
VVCOMP=4V
VIS=0V,
VVCOMP=4V
VIS=0.5V,
VVCOMP=0V
(Not tested)
保護動作
VVINS=0V
電流ル-プ
(Not tested)
電圧ループ
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(Not tested)
VFB=0.5V
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項
目
端子
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規 格 値
記号
単位
MIN
TYP
MAX
備考
ドライブ回路
GATE 端子電圧(Low)
8−1
VGATE(L)
―
―
0.4
V
IGATE=−20mA
GATE 端子電圧(High)
8−1
VGATE(H)
―
10.5
―
V
VCC=11V
GATE 端子立ち上がり時間
8−1
tr
―
100
―
ns
GATE 端子立ち下がり時間
8−1
tf
―
50
―
ns
GATE 端子ピークソース電流
8−1
IGATE(SO)
―
−0.5
―
A
GATE 端子ピークシンク電流
8−1
IGATE(SK)
―
1.0
―
A
(Not tested)
1.3 パッケージ部電気的特性
特記なき場合の条件 Ta= 25°C
項
熱
※
抵
抗
目
規格値
記号
※
MIN
TYP
MAX
―
65
85
θj-F
フレーム温度 TF は 1 番(GND)端子根元の温度にて規定
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単位
測定条件
°C/W
ジャンクションとフレーム間
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2. ブロックダイアグラム
VCC
7
Reg
Oscillator
UVLO
OLD
Gate
Driver
PWM
Logic
Protection
Input Low
Voltage Detection
IS 3
OCP(H)
OCP(L)
ICOMP 2
8 GATE
OCP(H)
OVP
PWM
Logic
Protection
Ramp
Generator
Input Low
Voltage Detection
Protection
OLD
PWM
Logic
OVP
4 VINS
6 VFB
Error AMP
Current AMP
HSR
GND
1
5
GND
VCOMP
3. 各端子機能
GND
1
8
GATE
ICOMP
2
7
VCC
IS
3
6
VFB
VINS
4
5
VCOMP
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端子番号
記号
1
GND
2
ICOMP
3
IS
4
VINS
入力低電圧検出信号入力
(ブラウンイン・アウト保護機能)
5
VCOMP
エラーアンプ出力/位相補償
6
VFB
出力定電圧制御信号/出力過電圧信号/
出力オープンループ検出信号入力
7
VCC
制御回路電源入力
8
GATE
ゲートドライブ出力
Page.7
機
能
グランド
電流アンプ出力
過電流検出信号入力
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4. 応用回路例
D2
VAC
Input
filter
E IN
D1
L1
V OUT
C1
R8
C2
Q1
R9
R1
GND
U1
R2
R6
1 GND
8 GATE
External power
supply
2 ICOMP 7 VCC
R3
3 IS
6 VFB
4 VINS 5 VCOMP
R4
C4
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R5
C8
DZ1
C3
Page.8
SSC2001S
C5
C6
C7
R7
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5. 外形図
SOP8 パッケージ
NOTES:
1) 単位:mm
2) Pb フリー品(RoHS 対応)
6. 捺印仕様
8
S C 2 0 0 1
S K Y M D
1
Part Number
Lot Number
Y = Last digit of year(0-9)
M= Month (1-9,O,N or D)
D = Period of days:
1 ― 1st to 10th
2 ― 11th to 20th
3 ― 21st to 31st
Sanken control number
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7. 電流連続型(CCM)の動作説明
電流連続型(Continuous Conduction Mode)は、PFC 回路のインダクタ電流が連続状態で動作するため、同じ出
力電力の電流不連続型(Discontinuous Conduction Mode)に比べて、インダクタ電流ピークが低くなり、昇圧用パ
ワーMOSFET の電流定格の低減と RDS(ON)の損失低減が行え、高出力電力向けに適します。
インダクタ電流の連続性は、インダクタンス値の大きさに依存し、軽負荷時は、電流不連続型(DCM)になります
が、高調波電流規格 IEC1000-3-2 のクラス D に適合します。
交流入力電圧
インダクタ電流
パワーMOSFET
ドレイン電流
インダクタ平均電流
ID
不連続モード
連続モード
インダクタ直流重畳電流
インダクタ電流
IL
図 7-1
GATE出力
連続モードと不連続モードの電流波形
図 7-2
連続モードのインダクタ電流
本 IC の平均電流制御による電流連続型(CCM)動作は、入力電流波形を入力電圧波形と相似な正弦波形にする
乗算器やこのための入力電圧検出部品が削減できるなど、尐ない外付け部品、シンプルな回路構成が可能です。
昇圧方式の OFF Duty は、入力電圧 VIN と出力電圧 VOUT に、DOFF= VIN / VOUT の関係があり、OFF 時間は、VIN
に比例します。
本 IC は、電流制御と電圧制御の 2 系統が結びついた Duty 制御により、入力電流の正弦波と出力電圧の定電圧
の制御を行います。
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8. 動作説明
電流値の極性は、IC を基準として、シンクを“+”、ソースを“-”と規定します。
8.1 起動動作
図 8-1 に VCC 端子周辺回路を示します
VCC 端子は、制御回路電源入力端子で、外部電源より電圧を供給します。図 8-2 のように、VCC 端子電圧が、動
作開始電源電圧 VCC(ON)= 11.3V(TYP)まで上昇すると、制御回路が動作を開始します。制御回路動作後、動作停
止電源電圧 VCC(OFF)= 10.3V(TYP)に低下すると、低入力時動作禁止 UVLO (Undervoltage Lockout)回路により制
御回路は動作を停止し、再び起動前の状態に戻ります。
VCC 端子の制御電圧範囲は、VCC(OFF)= 11.1V(MAX) ~ 最大定格 30V(MAX)と広く、外部電源電圧の許容値
を広く設定できます。
IC と図 8-1 の電解コンデンサ C8 との距離が離れている場合は、VCC 端子と GND 端子の近くにフィルムコンデン
サ Cf (0.1μF 程度)を追加します。
D2
EIN
VAC
L1
R8
C1
D1
VOUT
R9
R1
ICC
C2
Q1
GND
ICC(ON)
9mA(TYP)
C4
R4
2 ICOMP
7 VCC
3 IS
6 VFB
外部電源
C7
4 VINS 5 VCOMP
停止
R3
8 GATE
起動
R6
1 GND
R7
ICC(OFF)
100μA(TYP)
C f C8
U1
VCC
10.3V(TYP)
VCC(OFF)
図 8-1
VCC 端子周辺回路
図 8-2
11.3V(TYP)
VCC(ON)
VCC 端子電圧と回路電流 ICC
電源起動時の入力電圧が、以下の条件を満たし、VCC 端子電圧が VCC(ON)に達した後は、“8.2 ソフトスタート機
能”項で述べるソフトスタート動作を開始します。
 VINS 端子電圧 > 入力低電圧保護(High)VINS(H)= 1.0V(TYP)
“8.3 ブラウンイン・ブラウンアウト機能”項を参照。
 VFB 端子電圧 > 出力オープンループ電圧 VFB(OLD)= 0.55V(TYP)
VFB(OLD)= 0.55V(TYP)は、エラーアンプ基準電圧 VFB(REF)= 3.5V(TYP)より、出力電圧 VOUT 設定の 16%に相
当します。“8.11 出力オープンループ保護(OLD)”項を参照。
8.2 ソフトスタート機能
入力電圧が電源起動条件(“8.1 起動動作”項参照)を満たし、VCC 端子が VCC(ON)電圧に達すると、ソフトスタート
動作で起動を開始します。
ソフトスタートは、VFB 端子電圧が約 3V、すなわち出力電圧 VOUT 設定の約 85%、になるまで VCOMP 端子を、
エラーアンプ最大ソース電流 IVCOMP(SO)= −30μA(TYP)で充電し、起動時は徐々に電力が増加して、部品ストレスを
軽減します。
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8.3 ブラウンイン・ブラウンアウト機能
ブラウンイン・ブラウンアウト機能は、低入力電圧状態のスイッチング動作を禁止し、過入力電流や過熱の防止、
電源の保護を行います。
図 8-1 のように、VINS 端子電圧は、入力電圧 VIN を R3、R4 で分圧した値になり、
 VINS 端子電圧が、入力低電圧保護電圧(High) VINS(H)= 1.0V(TYP)以上で制御回路が動作し、
 VINS 端子電圧が、入力低電圧保護電圧(Low) VINS(L)= 0.55V(TYP)以下で、発振停止し、スタンバイモード
になります。
R3 は数 MΩ が目安になり、高電圧印加と高抵抗のため、電食を考慮した抵抗、またはそのための組み合わせを
使用します。
C4 は検出電圧のリップル低減と遅延時間の役割があり、0.047μF~1μF 程度が目安になります。
PFC 部のリモート ON/OFF を行う場合は、外付け回路で VINS 端子電圧を VINS(L)以下にする、とリモート OFF が
行えます。なお、VCC 端子スタンバイ時回路電流 ICC(STANDBY)= 4mA(TYP)による消費電力が生じます。
消費電力を最も尐なくする場合は、外部電源を ON/OFF、または外付け回路で VCC 端子のラインを ON/OFF します。
8.4 電流制御(力率改善制御)動作
図 8-3 に IC 周辺回路を示します。インダクタ電流 IL は、検出抵抗 R1 で検出、IS 端子へ入力して、IC 内部の電
流アンプ(Current Amp)を介して ICOMP 端子のコンデンサ C3 で平均にし、インダクタ平均電流に比例した ICOMP
端子電圧を作ります。これと、図 8-4 に示す IC 内部のランプ発生回路(Ramp Generator)内のランプ波形とを比較し、
入力電流を正弦波形に制御します。
スタンバイモードや保護回路動作時は、ICOMP 端子を、IC 内部で 4V(TYP)にクランプします。
C3 値は、スイッチング周波数とインダクタ電流 IL のリップル電圧に対しフィルタ効果があり、商用周波数に追従す
る時定数に設定します。C3 は、1nF~22nF の範囲内を目安として、実働状態で負荷を可変し、AC 入力部の電流が
正弦波形になるように調整します。
D2
VAC
L1
EIN
VOUT
D1
C1
C2
R8 Q1
インダクタ電流
VCOMP電圧により傾斜変化
ICOMP電圧
R9
IL
GND
R1
R2
R6
8 GATE
1 GND
外部電源
2 ICOMP 7 VCC
R3
4 VINS 5 VCOMP
C3
PWM
OFF
ON
U1
R5 C7 R7
C8
C5
OFF
ON
t OFFMIN
250ns(TYP)
6 VFB
3 IS
R4
C4
ランプ波形
ランプ波形リセット
C6
fsw
fsw
DZ1
図 8-3
IC 周辺回路
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図 8-4
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ランプ波形
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8.5 電圧制御(出力定電圧制御)動作
出力電圧 VOUT を図 8-3 の R6、R7 で検出した VFB 端子を、IC 内部のエラーアンプ(Error Amp)で基準電圧
VFB(REF)= 3.5V(TYP)と比較し、この結果を VCOMP 端子に出力します。C5、C6、R5 による位相補償が加わった
VCOMP 端子電圧が、図 8-4 に示すランプ波形の傾斜を調整し、出力電圧 VOUT を定電圧制御します。
負荷の増加などで VOUT が低下すると、VCOMP 端子電圧が増加して、ランプ波形の傾斜を大きくし、ON 幅を広
げて出力電力を増加させ、出力電圧の低下を抑えます。
商用周波数の正弦波入力電圧を昇圧させるため、電圧制御は、一般に 20Hz 以下の低周波数に応答する系に
なります。
R6 は数百 k~数 MΩ が目安になり、高電圧印加と高抵抗のため、電食を考慮した抵抗、またはそのための組み
合わせを使用します。
C7 は、高周波ノイズ除去向けに、0.047μF~0.1μF 程度が目安になります。
C5、C6、R5 は、C5 が 0.047µF~0.47µF、C6 が 0.47μF~10μF、R5 が 10kΩ~47kΩ 程度を目安として、実働状態
で、出力電圧 VOUT 波形のリップルが低減するように調整します。
8.6 高速負荷応答機能(HSR)
昇圧方式の PFC は商用周波数の正弦波入力電圧のため、電圧制御は低周波数に応答する系になります。この
ため、ダイナミック負荷応答が遅く、出力電圧 VOUT の低下が生じやすくなります。
本 IC は、ダイナミック負荷時などで生じる VOUT の変動を抑えるため、高速負荷応答機能(HSR)を内蔵しています。
高速負荷応答機能(HSR)は、図 8-5 のように、VFB 端子電圧が高速負荷応答動作可能電圧 VFB(HSR)ENABLE=
3.4V(TYP)を超えると動作可能(ENABLE)になります。その後、ダイナミック負荷応答などで VOUT が低下して、高速
負荷応答動作開始電圧 VFB(HSR)ACTIVE= 3.325V(TYP)以下になると、HSR が動作(ACTIVE)して、3.325V(TYP)にな
るまで VCOMP 端子を高速負荷応答ソース電流 IVCOMP(SOHSR)= −100μA(TYP)で充電して、出力電力を増加させ、
VOUT の低下を抑えます。VFB(HSR)ACTIVE= 3.325V(TYP)は、エラーアンプ基準電圧 VFB(REF)= 3.5V(TYP)より、出力電
圧 VOUT 設定の 95%に相当します。
GATE出力OFF
VFB端子電圧
HSR ENABLE
3.5V
3.4V
HSR ACTIVE
HSR OFF
3.745V
3.325V
約3V
SS: ソフトスタート期間
CV: 定常動作期間
LC: ダイナミック負荷変動期間
HSR:高速負荷応答動作期間
OV: 過電圧動作期間
HSR
時間
SS
CV
LC
CV OV CV
図 8-5
VFB 端子電圧
8.7 周波数変調機能
固定発振周波数 fOSC= 65kHz(TYP)に、Duty 値により可変する周波数を重畳した周波数変調機能を内蔵してい
ます。この変調周波数は、Duty が大きい(入力電圧が低い)ときに低く、Duty が小さい(入力電圧が高い)ときに高く
なります。変調後の第 2 次発振周波数は、EMI 規格の 150kHz 以下で常時変化します。
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8.8 ゲートドライブ
L1
GATE 端子のピークソース電流/ピークシンク電流は、−0.5A(TYP)/
1.0A(TYP)、Low 電圧/High 電圧は、0.4V(MAX)/10.5V(TYP)に設定
してあり、パワーMOSFET を直接駆動できます。
図 8-6 の周辺定数は、基板パターン、パワーMOSFET 容量と関係があ
るため、実働状態で調整します。
R8 は、GATE 電圧のリンギング低減や EMI ノイズ低減により調整し、
数 Ω~数十 Ω 程度が目安になります。
R9 は、パワーMOSFET のターンオフ時の急峻な dv/dt による誤動作防
止用抵抗で、GATE と SOURCE 端子近くに接続し、10kΩ~100kΩ 程度が
目安になります。
D1
Q1
R8
R9
1 GND
8 GATE
2 ICOMP 7 VCC
3 IS
6 VFB
4 VINS 5 VCOMP
U1
図 8-6
GATE 端子周辺回路
8.9 過電流保護(OCP)
インダクタ電流 IL は、図 8-7 のように、検出抵抗 R1 で検出し、IS 端子を介して、IC 内部の電流アンプ(Current
Amp)へ入力します。
VAC
EIN
L1
VOUT
D1
C1
R8 Q1
インダクタ電流
R9
IL
C2
GND
R1
R2
1 GND
8 GATE
2 ICOMP 7 VCC
3 IS
DZ1
6 VFB
4 VINS 5 VCOMP
C3
U1
図 8-7
IS 端子周辺回路
過電流保護動作(OCP)は、以下の 2 段階があります。
a) IS 端子過電流保護(Low) VIS(OCPL)
最初に働く過電流保護です。IS 端子電圧が、過電流保護(Low)電圧 VIS(OCPL)= −0.5V(TYP)以下になると、
次の周期で ON Duty を絞り、入力電力を制限します。
検出抵抗 R1 の定数は、入力電圧下限、ピーク負荷時に、IS 端子が VIS(OCPL)にかからないように、実働状
態で調整します。
R2 は、突入電流などの過大電流時に IS 端子電流を±1mA 以下にする制限抵抗で、220Ω になります。
DZ1 は、過大電圧印加時の保護として、4.7V ツェナーダイオードを接続します。
b) IS 端子過電流保護(High) VIS(OCPH)
2 番目に働く過電流保護です。IS 端子電圧が、過電流保護(High)電圧 VIS(OCPH)= −0.75V(TYP)以下にな
ると、パルスバイパルスで GATE 出力をオフします。要因を取り除くと、自動復帰します。
ノイズによる誤動作を防止するため、300ns のリーディングエッジブランキング期間を設けています。
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8.10 出力過電圧保護(OVP)
VFB 端子電圧が、出力過電圧保護電圧 VFB(OVP)= 3.745V(TYP)を超えると、パルスバイパルスで Gate 出力をオ
フします。要因を取り除くと、自動復帰します。
VFB(OVP)= 3.745V(TYP)は、エラーアンプ基準電圧 VFB(REF)= 3.5V(TYP)より、出力電圧 VOUT 設定の 107%に相
当します。
8.11 出力オープンループ保護(OLD)
出力電圧がオープンした場合の保護として、VFB 端子電圧が、出力オープンループ電圧 VFB(OLD)= 0.55V(TYP)
以下になると、発振停止し、スタンバイモードになります。
VFB(OLD)= 0.55V(TYP)は、エラーアンプ基準電圧 VFB(REF)= 3.5V(TYP)より、出力電圧 VOUT 設定の 16%に相当し
ます。要因を取り除くと、自動復帰します。
本保護が動作すると、VCOMP 端子を、IC 内部で 1.03V(TYP)にクランプします。
VOUT
D1
C2
GND
U1
1 GND
R6
8 GATE
2 ICOMP 7 VCC
3 IS
6 VFB
4 VINS 5 VCOMP
R5 C7 R7
C5 C6
図 8-8
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VFB 端子周辺回路
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9. インダクタパラメーターの設計
D2
VAC
D1
L1
Input
filter
R8
Q1
インダクタ電流IL
VOUT
R6
C2
R9
R7
R1
GND
R2
GND端子
(1番ピン)
IS端子(3番ピン) GATE端子(8番ピン)
VFB端子(6番ピン)
図 9-1 昇圧コンバーター回路
本説明では、下記の略号を使用します。
PIN: PFC 入力電力(W)、PO: PFC 出力電力(W)、η: PFC 部の効率(参考値 0.92)、
VINRMS: 入力電圧実効値(V)、VOUT: 出力電圧(V)、 IINRMS: 入力電流実効値(A)、
IOUT: 出力電流(A)= PO / VOUT、
DON: ON Duty  (VOUT- 2  VINRMS) / VOUT 、DOFF: OFF Duty  2  VINRMS / VOUT 、
fSW: スイッチング周波数 65kHz(TYP)、fAC:商用周波数(Hz)、
r: 最大入力電流ピークに対するリップル電流の割合= ILRIPPLE / IINPEAK(MAX)
(1) 昇圧コンバーターの出力電圧 VOUT 設定
昇圧動作は、入力電圧<出力電圧の関係により、VOUT の設定電圧は、AC 入力電圧の波高値より、一般に、
昇圧電圧 10V 程度高く設定します。
VOUT 
2 VINRMS(MAX )  10 (V)
(2) インダクタ電流
インダクタ L1 の電流は、図 9-2 のように、入力電流 IIN に、
インダクタのリップル電流が重畳します。
インダクタ最大ピーク電流 ILPEAK(MAX)は、以下の手順
で求めます。
 最大入力電流実効値 IINRMS(MAX)は、
IINRMS(MAX ) 
ILPEAK(MAX)
IINPEAK(MAX)
ILRIPPLE
POUT (MAX )
(A)
η  VINRMS(MIN )
IIN
ILRIPPLE/2
 最大入力電流ピーク IINPEAK(MAX)は、
IINPEAK(MAX ) 
2  IINRMS(MAX ) (A)
 インダクタ最大ピーク電流 ILPEAK(MAX)は、
r
ILPEAK(MAX )  IINPEAK(MAX )  (1  ) (A)
2
ここで、リップル割合 r の目安は、インダクタ電流の直
流重畳度合となり、インダクタサイズを考慮して、一般
的に 15~40%になります。
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図 9-2 インダクタ電流
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(3) インダクタンス L 値
L
(VINRMS(MIN )) 2  (VOUT- 2  VINRMS(MIN ))
( H)
r  fSW  PIN  VOUT
(4) 過電流検出抵抗 R1
R1 は、1 番目に過電流動作する IS 端子過電流保護(Low)しきい値 VIS(OCPL)と、インダクタ最大ピーク電流
ILPEAK(MAX)より、次式になります。
R1 
VIS( OCPL )
(Ω)
ILPEAK(MAX )
(5) 過電流動作時の電流制限値 ILOCP(MAX)
2 番目に過電流動作する IS 端子過電流保護(High)しきい値 VIS(OCPH) と前記 R1 により、ILOCP(MAX)が求まり
ます。
ILOCP (MAX ) 
VIS( OCPH )
(A)
R1
IS 端子過電流保護(High)が動作すると、パルスバイパルスで GATE 出力をオフします。
この過電流時に電源動作を満足するインダクタの設計をします。
(6) 出力コンデンサ C2 容量 CO
C2 の容量 CO は、以下の a)、b)項の内、大きい容量を選択します。
a) リップル電圧
C2 のリップル電圧を VOUTRIPPLE (VPP)(例 10VPP など)とすると、次式になります。
CO 
IOUT
(F)
2π fAC  VOUTRIPPLE
なお、C2 の電圧は VOUT  VOUT RIPPLE/ 2 になるので、この電圧が、出力過電圧保護検出電圧(VOUT ×
1.07)に達したり、入力電圧波高値以下になったりすると、昇圧動作は停止し、入力電流波形が歪む場合が
あります。歪みが大きい場合は、CO を大きくする、または出力電圧設定値(昇圧電圧値)を変更するなどが必
要です。
b) 出力保持時間
出力保持時間を tHOLD(sec)、出力保持時の C2 の最低印加電圧を VOUT (MIN)(V)とすると、次式になります。
CO 
V
OUT
2  POUT  tHOLD
 -VOUT (MIN )2   η
2
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(F)
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10. 設計上の注意点
10.1 外付け部品
各部品は使用条件に適合したものを使用します。回路記号は、図 10-2 を参照。
 出力平滑用電解コンデンサ C2
リップル電流・電圧・温度上昇に対し、適宜マージンを設けます。
スイッチング電源用の許容リップル電流が高い、低インピーダンスタイプを使用します。
 インダクタ L1
銅損・鉄損による温度上昇に対し、適宜マージンを設けます。
 電流検出用抵抗 R1
高周波スイッチング電流が流れるので、内部インダクタンスの大きなものを使用すると、誤動作の原因になり
ます。内部インダクタンスが小さく、かつサージ耐量の大きいタイプを使用します。
 高電圧が印加する高抵抗 R3、R6
電食を考慮した抵抗、またはそのための組み合わせを使用します。
 バイパスダイオード D2
突入電流などの過大電流に対し、D1 を保護するバイパス用ダイオードです。サージ電流耐量の高いダイ
オードを推奨します。
 整流ダイオード D1
ノイズ、損失低減のため、逆回復時間 trr の短い超高速ダイオードを推奨します。
 PFC 向けバイパス用、整流用ダイオードの弊社ラインナップについては弊社営業へお問合せください。
10.2 パターン設計
パターン配線および実装条件によって、誤動作や、
ノイズ、損失などに大きな影響が現れます。このため
配線の引き回し、部品配置には十分な注意が必要で
す。
図 10-1 のように高周波電流がループを作る部分は、
ラインパターンを“太く”、部品間の配線を“短く”、
ループ内面積が極力“小さく”なるようにして、ライン
インピーダンスを下げたパターン設計を行います。
アースラインは輻射ノイズに大きな影響を与えるた
め、極力“太く”、“短く”配線します。
スイッチング電源は、高周波かつ高電圧の電流経
路が存在するため、安全規格面を考慮した部品配置
およびパターン距離が必要です。
パワーMOSFET の ON 抵抗 RDS(ON)は、正の温度係
数のため、熱設計に注意します。
D2
L1
VAC
Q1
C1
VOUT
D1
C2
GND
R1
図 10-1
高周波電流ループ
(斜線部分)
IC 周辺回路および整流平滑回路の接続例を図 10-2 に示します。
 信号系パターンは、クロストークノイズを拾わないように、できるだけ主回路パターンに対し平行配線を避けます。
 信号系グランドパターンと主回路グランドパターンの共通インピーダンスを極力低減するため、GND 端子(1 番
ピン)パターンは、R1 の根元から、できるだけ短い専用パターンで配線し、R2 パターンも同様に R1 の根元から
専用パターンで配線します。
 IC の周辺部品は、できるだけ短いパターンで IC に接続します。
 VCC 端子と電解コンデンサ C8 との距離が離れている場合は、VCC 端子と GND 端子間にフィルムコンデンサ
Cf (0.1μF~1.0μF 程度)などを追加します。
 R9 は、Q1 の GATE 端子と SOURCE 端子の近くに接続します。
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D2
VAC
L1
C1
D1
VOUT
Q1
R8
C2
R9
GND
R1
主回路パターン
制御系 GND パターン
U1
R6
R2
1 GND
8 GATE
外部電源
2 ICOMP 7 VCC
R3
DZ1
3 IS
6 VFB
4 VINS 5 VCOMP
R4 C4
C3
Cf
C5
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図 10-2
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周辺部品の接続例
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R5
C6
C7 R7
C8
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注意書き
 本資料に記載している内容は、改良などにより予告なく変更することがあります。
ご使用の際には、最新の情報であることを確認してください。
 本書に記載している動作例および回路例は、使用上の参考として示したもので、これらに起因する弊
社もしくは第三者の工業所有権、知的所有権、その他の権利の侵害問題について弊社は一切責任を
負いません。
 弊社は品質、信頼性の向上に努めていますが、半導体製品では、ある確率での欠陥、故障の発生は
避けられません。製品の故障により結果として、人身事故、火災事故、社会的な損害などが発生しない
よう、使用者の責任において、装置やシステム上で十分な安全設計および確認を行ってください。
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使用することを意図しております。
高い信頼性を要求する装置(輸送機器とその制御装置、交通信号制御装置、防災・防火装置、各種
安全装置など)への使用を検討、および一般電子機器であっても長寿命を要求する場合は、必ず弊
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極めて高い信頼性を要求する装置(航空宇宙機器、原子力制御、生命維持のための医療機器など)
には、弊社の文書による合意がない限り使用しないでください。
 弊社の製品を使用、またはこれを使用した各種装置を設計する場合、定格値に対するディレーティン
グをどの程度行うかにより、信頼性に大きく影響します。
ディレーティングとは信頼性を確保または向上するため、各定格値から負荷を軽減した動作範囲を設
定したり、サージやノイズなどについて考慮したりすることです。ディレーティングを行う要素には、一般
的に電圧、電流、電力などの電気的ストレス、周囲温度、湿度などの環境ストレス、半導体製品の自己
発熱による熱ストレスがあります。これらのストレスは、瞬間的数値、あるいは最大値、最小値について
も考慮する必要があります。
なおパワーデバイスやパワーデバイス内蔵 IC は、自己発熱が大きく接合部温度のディレーティングの
程度が、信頼性を大きく変える要素となるので十分に配慮してください。
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るいはこれらの製品に物理的、化学的、その他何らかの加工・処理を施す場合には、使用者の責任に
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