赛普拉斯路线图： Flash存储器 2015年第三季度 002-02523 版本** 负责人：WIOB （ANSI、ANST、TRAZ、HIIN、RHOE、DCN、GHR、DSG） 商务经理：RHOE Flash存储器路线图 1 NOR Flash存储器系列的解码器 S 29 G L 128 S 工艺技术： J = 110 nm浮栅 K = 90 nm浮栅 L = 65 nm浮栅 M = 45 nm浮栅 N = 110 nm MirrorBit 1 = 63 nm DRAM P = 90 nm MirrorBit R、S = 65 nm MirrorBit T = 45 nm MirrorBit 容量： 001 = 1 Mb 002 = 2 Mb 004 = 4 Mb 008 = 8 Mb 电压： D = 2.5 V，L = 3.0 V，S = 1.8 V 016 = 16 Mb 032 = 32 Mb 064 = 64 Mb 128 = 128 Mb 256 = 256 Mb 512 = 512 Mb 01G = 1 Gb 02G = 2 Gb 04G = 4 Gb 08G = 8 Gb 0AG = 16 Gb 0BG = 32 Gb 0CG = 64 Gb 产品系列： A = 标准ADP（地址-数据并行） C = 突发模式ADP（地址-数据并行） F = Quad SPI G = 页模式 J = 同时读取/写入ADP（地址数据并行） K = HyperBus N = 在突发模式下同时读取/写入ADM（地址-数据复用） P = 在页模式下同时读取/写入ADP（地址-数据并行） V = 在突发模式下同时读取/写入ADM（地址-数据复用） W = 在突发模式下同时读取/写入ADP（地址-数据并行） X = 在突发模式下同时读取/写入AADM（地址-地址-数据复用） 002-02523 版本** 负责人：WIOB 商务经理：RHOE 系列： 25 = SPI，26 = HyperFlash，27 = HyperRAM 29 = NOR，70 = 堆栈芯片，79 = 双路Quad SPI 前缀： S Flash存储器路线图 产品选型指南 2 并行NOR Flash存储器产品系列 S29AS-J 110 nm，1.8 V S29AL-J 110 nm，3.0 V S29JL-J1 110 nm，3.0 V S29PL-J1, 2 110 nm，3.0 V S29GL-N2 110 nm，3.0 V S29GL-P2 90 nm, 3.0 V S29GL-S2 65 nm，3.0 V S29GL-T2 45 nm，3.0 V 2 Gb3 110 ns / 25 ns *I 2 Gb3 110 ns / 20 ns * I、A、V、B 2 Gb1 Q116 110 ns / 20 ns * I、A、V、B、N、M 1 Gb 110 ns / 25 ns *I 1 Gb 100 ns / 15 ns * I、A、V、B Q315 1 Gb 100 ns / 15 ns * I、A、V、B、N、M 512 Mb 100 ns / 25 ns *I 512 Mb 100 ns / 15 ns * I、A、V、B 512 Mb 100 ns / 15 ns * I、A、V、B、N、M 256 Mb 90 ns / 25 ns *I 256 Mb 90 ns / 15 ns * I、A、V、B 128 Mb 90 ns / 25 ns *I 128 Mb 90 ns / 15 ns * I、A、V、B 64 - 128 Mb ≥ 256 Mb 容量 初始/页面访问 *温度范围 ≤ 32 Mb 128 Mb 60 ns / 20 ns * I、A 16 Mb 70 ns / -* I、A 16 Mb 55 ns / -* I、A、N、M 8 Mb 70 ns / -* I、A 8 Mb 55 ns / -* I、A、N、M * I = 工业级：-40ºC至+85ºC A = 工业级，符合AEC-Q100：-40ºC至+85ºC V = 扩展的工业级：−40ºC至+105ºC B = 扩展的工业级，符合AEC-Q100：−40ºC至+105ºC 002-02523 版本** 负责人：WIOB 商务经理：RHOE 64 Mb 55 ns / -* I、A 64 Mb 55 ns / 20 ns * I、A 64 Mb 90 ns / 25 ns * I、A 32 Mb 60 ns / -* I、A 32 Mb 55 ns / 20 ns * I、A 32 Mb 90 ns / 25 ns * I、A N = 扩展的温度范围：-40ºC至+125ºC M = 扩展的温度范围，符合AEC-Q100：-40ºC至+125ºC 1 支持同时进行读取和写入操作 2 支持页模式 3 S70系列（堆栈芯片） Flash存储器路线图 64 Mb 70 ns / 15 ns * I、A、V、B、N、M 状态 供货 EOL（最后一次发货） 量产 样片 QQYY QQYY 开发 概念 QQYY 3 突发NOR Flash存储器产品系列 S29WS-P1 90 nm，1.8 V S29NS-P2 90 nm，1.8 V S29VS-R2 65 nm，1.8 V S29XS-R3 65 nm，1.8 V 256 Mb 80 ns / 104 MHz *W 256 Mb 80 ns / 108 MHz * W、I 256 Mb 80 ns / 108 MHz * W、I 128 Mb 80 ns / 104 MHz *W 128 Mb 80 ns / 108 MHz * W、I 128 Mb 80 ns / 108 MHz * W、I 64 Mb 80 ns / 108 MHz * W、I 64 Mb 80 ns / 108 MHz * W、I S29CD-J1 110 nm，2.5 V S29CL-J1 110 nm，3.0 V 32 Mb 54 ns / 75 MHz * I、A、N、M、H、T 32 Mb 54 ns / 75 MHz * I、A、N、M、H、T 16 Mb 54 ns / 66 MHz * I、A、N、M、H、T 16 Mb 54 ns / 66 MHz * I、A、N、M、H、T 512 Mb 80 ns / 104 MHz *W 512 Mb 80 ns / 83 MHz *W ≤ 32 Mb 64 - 128 Mb ≥ 256 Mb 容量 初始访问/ SDR时钟 *温度范围 * W = 无线：-25ºC至+85ºC I = 工业级：-40ºC至+85ºC A = 工业级，符合AEC-Q100：-40ºC至+85ºC N = 扩展的温度范围：-40ºC至+125ºC M = 扩展的温度范围，符合AEC-Q100：-40ºC至+125ºC 002-02523 版本** 负责人：WIOB 商务经理：RHOE H = 热：-40ºC至+145ºC T = 热，符合AEC-Q100：-40ºC至+145ºC 1 ADP（地址数据并行）突发 2 ADM（地址数据复用）突发 3 AADM（高位地址、低位地址、数据复用）突发 Flash存储器路线图 状态 供货 EOL（最后一次发货） 量产 样片 QQYY QQYY 开发 概念 QQYY 4 SPI NOR Flash存储器产品系列 ≤ 32 Mb S25FL1-K 90 nm、3.0 V 4 KB2 S25FL-L 65 nm、3.0 V 4 KB2 S25FL-P 90 nm、3.0 V > 4 KB2 容量 SDR时钟/ DDR时钟 *温度范围 64 - 128 Mb ≥ 256 Mb S25FL2-K1 90 nm、3.0 V 4 KB2 S25FL-S 65 nm、3.0 V > 4 KB2 S79FL-S3 65 nm、3.0 V > 4 KB2 S25FS-S 65 nm，1.8 V > 4 KB2 1 Gb4 133 MHz / 80MHz * I、A、V、B 1 Gb 133 MHz / 80 MHz * I、A、V、B 1 Gb4 Q315 133 MHz / 80 MHz * I、A、V、B 512 Mb 133 MHz / 80 MHz * I、A、V、B 512 Mb Q315 133 MHz / 80 MHz * I、A、V、B 512 Mb 133 MHz / 80 MHz * I、A、V、B 256 Mb Q315 133 MHz / 80 MHz * I、A、V、B 256 Mb 133 MHz / 80 MHz * I、A、V、B 256 Mb Q116 133 MHz / 66 MHz * I、A、V、B、N、M 256 Mb4 104 MHz / -* I、A 256 Mb 133 MHz / 80 MHz * I、A、V、B、N、M 128 Mb Q116 133 MHz / 66 MHz * I、A、V、B、N、M 128 Mb5 104 MHz / -* I、A、V、B 128 Mb7 133 MHz / 80 MHz * I、A、V、B、N、M 128 Mb6 104 MHz / -* I、A、V、B 128 Mb8 108 MHz / -* I、A、V、B 64 Mb 108 MHz / -* I、A、V、B、N、M 64 Mb 108 MHz / -联系销售人员 64 Mb 104 MHz / -* I、A、V、B 16 Mb Q116 65 MHz / -*I 32 Mb 108 MHz / -* I、A、V、B、N、M 32 Mb 108 MHz / -联系销售人员 32 Mb 104 MHz / -* I、A、V、B 8 Mb 76 MHz / -*I 16 Mb 108 MHz / -* I、A、V、B、N、M 128 Mb 133 MHz / 80 MHz * I、A、V、B 64 Mb Q116 133 MHz / 100 MHz * I、A、V、B、N、M 4 Mb 85 MHz / -*I * I = 工业级：-40ºC至+85ºC A = 工业级，符合AEC-Q100：-40ºC至+85ºC V = 扩展的工业级：−40ºC至+105ºC B = 扩展的工业级，符合AEC-Q100：−40ºC至+105ºC N = 扩展的温度范围：-40ºC至+125ºC M = 扩展的温度范围，符合AEC-Q100：-40ºC至+125ºC 002-02523 版本** 负责人：WIOB 商务经理：RHOE 1 7 2 8 S25FL2-K双SPI 逻辑扇区容量 3 S79系列、双Quad SPI（堆栈芯片） 4 S70系列（堆栈芯片） 5 S25FL129P Quad SPI 6 S25FL128P双SPI S25FL128S 133 MHz SDR / 80 MHz DDR S25FL127S 108 MHz SDR Flash存储器路线图 状态 供货 EOL（最后一次发货） 量产 样片 QQYY QQYY 开发 概念 QQYY 5 HyperFlash和HyperRAM的产品系列 HyperFlash S26KS-S1 65 nm，1.8 V HyperFlash S26KL-S1 65 nm，3.0 V HyperRAM™ S27KS-12 65 nm，1.8 V HyperRAM™ S27KL-12 65 nm，3.0 V 64-128 Mb ≥256 Mb 容量 初始访问/ DDR时钟 *温度范围 1 Gb3 96 ns / 166 MHz * I、A、V、B、N、M 1 Gb3 96 ns / 100 MHz * I、A、V、B、N、M 512 Mb Q315 96 ns / 166 MHz * I、A、V、B、N4、M4 512 Mb Q315 96 ns / 100 MHz * I、A、V、B、N4、M4 512 Mb3 联系销售人员 512 Mb3 联系销售人员 256 Mb Q415 96 ns / 166 MHz * I、A、V、B、N4、M4 256 Mb Q315 96 ns / 100 MHz * I、A、V、B、N4、M4 256 Mb3 联系销售人员 256 Mb3 联系销售人员 128 Mb Q415 96 ns / 166 MHz * I、A、V、B、N4、M4 128 Mb Q315 96 ns / 100 MHz * I、A、V、B、N4、M4 128 Mb 联系销售人员 128 Mb 联系销售人员 Q415 64 Mb 36 ns / 166 MHz * I、A、V、B *C = 商业级：-0ºC至+70ºC I = 工业级：-40ºC至+85ºC A = 工业级，符合AEC-Q100：-40ºC至+85ºC V = 扩展的工业级：−40ºC至+105ºC B = 扩展的工业级，符合AEC-Q100：−40ºC至+105ºC 002-02523 版本** 负责人：WIOB 商务经理：RHOE N = 扩展的温度范围：-40ºC至+125ºC M = 扩展的温度范围，符合AEC-Q100：-40ºC至+125ºC 1 S26 = HyperFlash 2 S27 = HyperRAM 3 S70系列（堆栈芯片） 4 联系销售人员 Flash存储器路线图 状态 供货 EOL（最后一次发货） Q315 64 Mb 36 ns / 100 MHz * I、A、V、B 量产 样片 QQYY QQYY 开发 概念 QQYY 6 NAND和e.MMC系列的解码器 NAND S 34 M L 08G 2 工艺技术：1 = 4x nm、2 = 32 nm 容量： 01G = 1 Gb 02G = 2 Gb 电压： L = 3.0 V，S = 1.8 V 04G = 4 Gb 08G = 8 Gb 0AG = 16 Gb 0BG = 32 Gb 产品系列：M = NAND（地址-数据复用） 系列： 34 = NAND 前缀： S e.MMC S 40 41 016 1 B1 控制器： B1 = e.MMC 4.51，B2 = e.MMC 5.1 版本： 1 = NAND MLC1 1x nm，2 = NAND MLC1 1y nm 容量： 004 = 4 GB 008 = 8 GB 016 = 16 GB 032 = 32 GB 064 = 064 GB 128 = 128 GB 控制器架构： 41 = e.MMC 系列： 40 = 托管存储器 前缀： S 1 多层单元 002-02523 版本** 负责人：WIOB 商务经理：RHOE Flash存储器路线图 产品选型指南 7 SLC NAND和e.MMC产品系列 S34MS-11 4x nm，1.8 V SLC，ONFI 1.04 S34ML-22 32 nm，3.0 V SLC，ONFI 1.04 S34MS-22 32 nm，1.8 V SLC，ONFI 1.04 32 GB-64 GB 容量；总线宽度 接口带宽 *温度范围 16 Gb；x8 40 MBps *I Q217 8 Gb；x8 40 MBps * I、A、V、B Q217 4 Gb；x8/16 40 MBps * I、A、V、B Q217 Q217 2 Gb；x8/16 40 MBps * I、A、V、B Q217 1 Gb；x8 40 MBps * I、A、V、B 8 Gb；x8 40 MBps * I、A、V、B 8 Gb；x8 40 MBps * I、A、V、B 4 Gb；x8 40 MBps * I、A、V、B 4 Gb；x8 40 MBps * I、A、V、B 4 Gb；x8/16 40 MBps * I、A、V、B 4 Gb；x8 40 MBps * I、V Q415 Q217 2 Gb；x8/16 40 MBps * I、A、V、B 2 Gb；x8/16 40 MBps *I 2 Gb；x8/16 40 MBps *I 2 Gb；x8 40 MBps * I、V Q415 Q217 1 Gb；x8/16 40 MBps * I、A、V、B 1 Gb；x8/16 40 MBps * I、A、V、B 1 Gb；x8/16 40 MBps * I、A、V、B 1 Gb；x8 40 MBps * I、V Q415 * W = 嵌入式：-25ºC至+85ºC I = 工业级：-40ºC至+85ºC A = 工业级，符合AEC-Q100：-40ºC至+85ºC V = 扩展的工业级：−40ºC至+105ºC B = 扩展的工业级，符合AEC-Q100：−40ºC至+105ºC 002-02523 版本** 负责人：WIOB 商务经理：RHOE S4041-1B1 1x nm，3.0 V MLC，e.MMC 4.515 S34SL-22、3 32 nm，3.0 V SLC，ONFI 1.04 8 GB-16 GB 1Gb-4Gb 8Gb-16Gb S34ML-11 4x nm，3.0 V SLC，ONFI 1.04 S4041-2B2 1y nm，3.0 V MLC，e.MMC 5.15 64 GB；x8 400 MBps * W、I、A 32 GB；x8 400 MBps * W、I、A 16 GB；x8 200 MBps * W、I Q315 16 GB；x8 400 MBps * W、I、A 8 GB；x8 200 MBps * W、I Q315 8 GB；x8 400 MBps * W、I、A 1 1位ECC 4位ECC 3 安全NAND 4 ONFI = 开放式NAND Flash接口 5 e.MMC = 嵌入式多媒体卡 2 Flash存储器路线图 状态 供货 EOL（最后一次发货） 量产 样片 QQYY QQYY 开发 概念 QQYY 8 并行NOR Flash存储器封装 48球FBGA 48球 FBGA 56球 BGA 64球 BGA 64球加固BGA 系列 容量 器件 AS-J 8 Mb S29AS008J 16 Mb S29AS016J 8 Mb S29AL008J 16 Mb S29AL016J 32 Mb S29JL032J 64 Mb S29JL064J 32 Mb S29PL032J 64 Mb S29PL064J 128 Mb S29PL127J 32 Mb S29GL032N 64 Mb S29GL064N 128 Mb S29GL128P 256 Mb S29GL256P 512 Mb 1 Gb AL-J JL-J PL-J GL-N GL-P GL-S GL-T 48引脚 TSOP 56引脚 TSOP KGD S29GL512P S29GL01GP 2 Gb S70GL02GP 64 Mb S29GL064S 128 Mb S29GL128S 256 Mb S29GL256S 512 Mb S29GL512S 1 Gb S29GL01GS 2 Gb S70GL02GS 512 Mb S29GL512T 1 Gb S29GL01GT 2 Gb 002-02523 版本** （间距为0.8 mm） （间距为0.5 mm） （间距为0.8 mm） （间距为0.8 mm） （间距为1.0 mm） S70GL02GT 负责人：WIOB 商务经理：RHOE Flash存储器路线图 9 突发NOR Flash存储器封装 80球FBGA （间距为1.0 mm） 80引脚 PQFP KGD S29CD016J 32 Mb S29CD032J 16 Mb S29CL016J 32 Mb S29CL032J 44球FBGA 64球BGA （间距为0.5 mm） （间距为0.5 mm） 84球加固BGA （间距为0.8 mm） 系列 容量 器件 WS-P 128 Mb S29WS128P 256 Mb S29WS256P 512 Mb S29WS512P NS-P 512 Mb S29NS512P VS-R 64 Mb S29VS064R 128 Mb S29VS128R 256 Mb S29VS256R 64 Mb S29XS064R 128 Mb S29XS128R 256 Mb S29XS256R 16 Mb XS-R CD-J CL-J 002-02523 版本** 负责人：WIOB 商务经理：RHOE Flash存储器路线图 10 SPI NOR Flash存储器封装 系列 容量 器件 FL2-K 2 Mb 4 Mb 8 Mb 16 Mb 32 Mb 64 Mb 32 Mb 64 Mb 128 Mb 256 Mb 32 Mb 64 Mb 128 Mb 128 Mb 256 Mb 128 Mb 128 Mb 256 Mb 512 Mb 1 Gb 256 Mb 512 Mb 1 Gb 64 Mb 128 Mb 256 Mb 512 Mb 1 Gb S25FL204K S25FL208K S25FL216K S25FL116K S25FL132K S25FL164K S25FL032L S25FL064L S25FL128L S25FL256L S25FL032P S25FL064P S25FL128P S25FL129P S70FL256P S25FL127S S25FL128S S25FL256S S25FL512S S70FL01GS S79FL256S S79FL512S S79FL01GS S25FS064S S25FS128S S25FS256S S25FS512S S70FS01GS FL1-K FL-L FL-P FL-S FL-S 双路 Quad FS-S CF = 联系厂家 UD = 正在开发 002-02523 版本** 负责人：WIOB 商务经理：RHOE SOIC 150 mil SOIC 208 mil BGA24 BGA24 SOIC WSON WSON USON WSON WSON WSON VSOP8 8 x 6 mm 8 x 6 mm 300 mil 2 x 3 mm 3 x 3 mm 4 x 3 mm 4 x 4 mm 6 x 5 mm 8 x 6 mm 208 mil 5 x 5球 4 x 6球 CF CF CF CF CF CF LGA (CF) CF Flash存储器路线图 KGD 11 HyperFlash和HyperRAM封装 BGA24 8 x 6mm 5 x 5球 KGD S26KS128S CF 256 Mb S26KS256S CF 512 Mb S26KS512S CF 1 Gb S70KS01GS 128 Mb S26KL128S CF 256 Mb S26KL256S CF 512 Mb S26KL512S CF 1 Gb S70KL01GS 64 Mb S26KS0641 CF 128 Mb S26KS1281 CF 256 Mb S70KS2561 512 Mb S70KS5121 64 Mb S26KL0641 CF 128 Mb S26KL1281 CF 256 Mb S70KL2561 512 Mb S70KL5121 系列 容量 器件 KS-S 128 Mb KL-S KS-1 KL-1 CF = 联系厂家 002-02523 版本** 负责人：WIOB 商务经理：RHOE Flash存储器路线图 12 SLC NAND和e.MMC封装 63球 BGA （间距为0.8 mm） 67球 BGA （间距为0.8 mm） 153球 FBGA 100球 LBGA （间距为0.5 mm） （间距为1.0 mm） 48引脚 TSOP 系列 容量 器件 ML-1 1 Gb S34ML01G1 2 Gb S34ML02G1 4 Gb S34ML04G1 8 Gb S34ML08G1 1 Gb S34ML01G2 2 Gb S34ML02G2 4 Gb S34ML04G2 8 Gb S34ML08G2 16 Gb S34ML16G2 1 Gb S34MS01G1 2 Gb S34MS02G1 4 Gb S34MS04G1 1 Gb S34MS01G2 2 Gb S34MS02G2 4 Gb S34MS04G2 8 Gb S34MS08G2 8 GB S40410081B1 16 GB S40410161B1 8 GB S40410082B2 16 GB S40410162B2 32 GB S40410322B2 64 GB S40410642B2 ML-2 MS-1 MS-2 41-1B1 41-2B2 002-02523 版本** 负责人：WIOB 商务经理：RHOE Flash存储器路线图 13 赛普拉斯的64 Mb并行页模式NOR Flash 存储器 应用 框图 高级驾驶辅助系统（ADAS） 汽车组合仪表 汽车娱乐信息系统 通信设备 工业自动化 64 Mb并行页模式NOR Flash存储器 D0 – D15 16 A0 – A21 22 特性 阵列 CE# Y解码器 OE# I/O 控制逻辑 22 WE# 数据路径 WP#6 RY/BY#7 16 BYTE#8 供货 资料 样片： 量产： S29GL064S 1 NOR 5 2 在进行编程前，先要通过该操作来擦除NOR 6 Flash存储器单元的状态从“1”值改为“0”值 Flash中一个扇区内的所有字节 3 老化前，可以对NOR Flash扇区进行编程/擦除的次数 4 加固BGA支持1 mm的球型焊盘间距 002-02523 版本** X解码器 RESET# 工作电压范围：2.7 V至3.6 V 100,000个编程1/扇区擦除2耐久性周期3 +55°C的温度下，数据保持时间长达20年 初始访问时间：70 ns 页访问时间：15 ns 编程1时间（256 B）：0.4 ms （典型值） 扇区擦除2时间（64 KB）：300 ms （典型值） 工业级温度范围（可选是否符合AEC-Q100标准）： -40°C至+85°C 扩展的工业级温度范围（可选是否符合AEC-Q100标准）： -40°C至+105°C 扩展的温度范围（可选是否符合AEC-Q100标准）： -40°C至+125°C 封装：48-TSOP 12 mm x 20 mm，56-TSOP 14 mm x 20 mm， 64球加固4 BGA 9 mm x 9 mm，64球加固4 BGA 13 mm x 11 mm，48球BGA5 8.15 mm x 6.15 mm 数据手册： 嵌入式电压 控制 负责人：WIOB 商务经理：RHOE 即时 即时 BGA支持0.8 mm的球形焊盘间距 写保护输入 7 就绪/忙碌输出 8 该输入用于选择8位或16位的数据总线宽度 Flash存储器路线图 14 赛普拉斯的128 Mb并行页模式NOR Flash存储器 应用 框图 高级驾驶辅助系统（ADAS） 汽车组合仪表 汽车娱乐信息系统 通信设备 工业自动化 128 Mb并行页模式NOR Flash存储器 D0 – D15 16 A0 – A22 23 X解码器 特性 CE# OE# Y解码器 I/O 控制逻辑 23 WE# 数据路径 WP#6 RY/BY#7 资料 16 供货 样片： 量产： S29GL128S 4 2 在进行编程前，先要通过该操作来擦除NOR 5 Flash存储器单元的状态从“1”值改为“0”值 Flash中一个扇区内的所有字节 3 老化前，可以对NOR Flash扇区进行编程/擦除的次数 负责人：WIOB 商务经理：RHOE 即时 即时 加固BGA支持1 mm的球型焊盘间距 BGA支持0.8 mm的球形焊盘间距 6 写保护输入 7 就绪/忙碌输出 1 NOR 002-02523 版本** 阵列 RESET# 工作电压范围：2.7 V至3.6 V 100,000个编程1/扇区擦除2耐久性周期3 +55°C的温度下，数据保持时间长达20年 初始访问时间：90 ns 页访问时间：15 ns 编程1时间（512 B）：0.34 ms （典型值） 扇区擦除2时间（128 KB）：275 ms （典型值） 工业级温度范围（可选是否符合AEC-Q100标准）： -40°C至+85°C 扩展的工业级温度范围（可选是否符合AEC-Q100标准）： -40°C至+105°C 封装：56-TSOP 14 mm x 20 mm，64球加固4 BGA 9 mm x 9 mm，64球加固4BGA 13 mm x 11 mm，56球BGA5 9 mm x 7 mm 数据手册： 嵌入式电压 控制 Flash存储器路线图 15 赛普拉斯的256 Mb并行页模式NOR Flash存储器 应用 框图 高级驾驶辅助系统（ADAS） 汽车组合仪表 汽车娱乐信息系统 通信设备 工业自动化 256 Mb并行页模式NOR Flash存储器 D0 – D15 16 A0 – A23 24 特性 RY/BY#7 资料 供货 阵列 CE# OE# 样片： 量产： 24 数据路径 16 即时 即时 加固BGA支持1 mm的球型焊盘间距 BGA支持0.8 mm的球形焊盘间距 6 写保护输入 7 就绪/忙碌输出 4 2 在进行编程前，先要通过该操作来擦除NOR 5 负责人：WIOB 商务经理：RHOE 控制逻辑 WP#6 S29GL256S Flash存储器单元的状态从“1”值改为“0”值 Flash中一个扇区内的所有字节 3 老化前，可以对NOR Flash扇区进行编程/擦除的次数 Y解码器 I/O WE# 1 NOR 002-02523 版本** X解码器 RESET# 工作电压范围：2.7 V至3.6 V 100,000个编程1/扇区擦除2耐久性周期3 +55°C的温度下，数据保持时间长达20年 初始访问时间：90 ns 页访问时间：15 ns 编程1时间（512 B）：0.34 ms （典型值） 扇区擦除2时间（128 KB）：275 ms （典型值） 工业级温度范围（可选是否符合AEC-Q100标准）： -40°C至+85°C 扩展的工业级温度范围（可选是否符合AEC-Q100标准）： -40°C至+105°C 封装：56引脚TSOP 14 mm x 20 mm，64球加固4 BGA 9 mm x 9 mm，64球加固4BGA 13 mm x 11 mm，56球BGA5 9 mm x 7 mm 数据手册： 嵌入式电压 控制 Flash存储器路线图 16 赛普拉斯的512 Mb并行页模式NOR Flash存储器 应用 框图 高级驾驶辅助系统（ADAS） 汽车组合仪表 汽车娱乐信息系统 通信设备 工业自动化 512 Mb并行页模式NOR Flash存储器 D0 – D15 16 A0 – A24 25 特性 RY/BY#7 资料 供货 阵列 CE# OE# 样片： 量产： 25 数据路径 16 即时 即时 加固BGA支持1 mm的球型焊盘间距 BGA支持0.8 mm的球形焊盘间距 6 写保护输入 7 就绪/忙碌输出 4 2 在进行编程前，先要通过该操作来擦除NOR 5 负责人：WIOB 商务经理：RHOE 控制逻辑 WP#6 S29GL512S Flash存储器单元的状态从“1”值改为“0”值 Flash中一个扇区内的所有字节 3 老化前，可以对NOR Flash扇区进行编程/擦除的次数 Y解码器 I/O WE# 1 NOR 002-02523 版本** X解码器 RESET# 工作电压范围：2.7 V至3.6 V 100,000个编程1/扇区擦除2耐久性周期3 +55°C的温度下，数据保持时间长达20年 初始访问时间：100 ns 页访问时间：15 ns 编程1时间（512 B）：0.34 ms （典型值） 扇区擦除2时间（128 KB）：275 ms （典型值） 工业级温度范围（可选是否符合AEC-Q100标准）： -40°C至+85°C 扩展的工业级温度范围（可选是否符合AEC-Q100标准）： -40°C至+105°C 封装：56引脚TSOP 14 mm x 20 mm，64球加固4 BGA 9 mm x 9 mm，64球加固4BGA 13 mm x 11 mm，56球BGA5 9 mm x 7 mm 数据手册： 嵌入式电压 控制 Flash存储器路线图 17 赛普拉斯的1 Gb并行页模式NOR Flash 应用 框图 高级驾驶辅助系统（ADAS） 汽车组合仪表 汽车娱乐信息系统 通信设备 工业自动化 1 Gb并行页模式NOR Flash存储器 D0 – D15 16 A0 – A25 26 特性 RY/BY#6 资料 供货 阵列 CE# OE# 样片： 量产： 4 加固BGA支持1 2 在进行编程前，先要通过该操作来擦除NOR 5 负责人：WIOB 商务经理：RHOE 控制逻辑 26 数据路径 WP#5 S29GL01GS Flash存储器单元的状态从“1”值改为“0”值 Flash中一个扇区内的所有字节 3 老化前，可以对NOR Flash扇区进行编程/擦除的次数 Y解码器 I/O WE# 1 NOR 002-02523 版本** X解码器 RESET# 工作电压范围：2.7 V至3.6 V 100,000个编程1/扇区擦除2耐久性周期3 +55°C的温度下，数据保持时间长达20年 初始访问时间：100 ns 页访问时间：15 ns 编程1时间（512 B）：0.34 ms （典型值） 扇区擦除2时间（128 KB）：275 ms （典型值） 工业级温度范围（可选是否符合AEC-Q100标准）： -40°C至+85°C 扩展的工业级温度范围（可选是否符合AEC-Q100标准）： -40°C至+105°C 封装：TSOP 14 mm x 20 mm，64球加固4 BGA 9 mm x 9 mm， 64球加固4 BGA 13 mm x 11 mm 数据手册： 嵌入式电压 控制 16 即时 即时 mm球形焊盘间距 写保护输入 6 就绪/忙碌输出 Flash存储器路线图 18 赛普拉斯的2 Gb并行页模式NOR Flash 应用 框图 高级驾驶辅助系统（ADAS） 汽车组合仪表 汽车娱乐信息系统 通信设备 工业自动化 2 Gb并行页模式NOR Flash存储器 D0 – D15 16 A0 – A26 27 阵列 CE# 工作电压范围：2.7 V至3.6 V 100,000个编程1/扇区擦除2耐久性周期3 +55°C的温度下，数据保持时间长达20年 初始访问时间：100 ns 页访问时间：15 ns 编程1时间（512 B）：0.34 ms （典型值） 扇区擦除2时间（128 KB）：275 ms （典型值） 工业级温度范围（可选是否符合AEC-Q100标准）： -40°C至+85°C 扩展的工业级温度范围（可选是否符合AEC-Q100标准）： -40°C至+105°C 封装：64球加固4 BGA 13 mm x 11 mm OE# Y解码器 I/O 控制逻辑 27 WE# 数据路径 WP#5 RY/BY#6 资料 16 供货 样片： 量产： S70GL02GS 1 NOR 4 加固BGA支持1 2 在进行编程前，先要通过该操作来擦除NOR 5 Flash存储器单元的状态从“1”值改为“0”值 Flash中一个扇区内的所有字节 3 老化前，可以对NOR Flash扇区进行编程/擦除的次数 002-02523 版本** X解码器 RESET# 特性 数据手册： 嵌入式电压 控制 负责人：WIOB 商务经理：RHOE 即时 即时 mm球形焊盘间距 写保护输入 6 就绪/忙碌输出 Flash存储器路线图 19 赛普拉斯128 Mb（FL127S）Quad SPI NOR Flash存储器 应用 框图 打印机 网络器件 机顶盒 128 Mb（FL127S）Quad SPI NOR Flash存储器 CS#7 SRAM SCK7 特性 IO07 工作电压范围：2.7 V至3.6 V 100,000个编程1/扇区擦除2耐久性周期3 +55°C的温度下，数据保持时间长达20年 SDR4时钟频率：108 MHz QIO5 编程1时间（256 B）：0.395 ms（典型值） 扇区擦除2时间（64 KB）：130 ms（典型值） 工业级温度范围（可选是否符合AEC-Q100标准）： -40°C至+85°C 扩展的工业级温度范围（可选是否符合AEC-Q100标准）： -40°C至+105°C 封装：8-SOIC 208 mil、16-SOIC 300 mil、 8-WSON6 6 mm x 5 mm、24球型焊盘BGA 6 mm x 8 mm 左侧 阵列 IO17 I/O 控制逻辑 IO27 IO37 RD9 供货 数据手册： S25FL127S 下载应用笔记：赛普拉斯FL-S SPI NOR Flash存储器 样片： 量产： 即时 即时 1 NOR 5 Quad输入/输出（QIO）：同时使用四个I/O传输地址或数据的接口 2 在进行编程前，先要通过该操作来擦除NOR 6 002-02523 版本** 负责人：WIOB 商务经理：RHOE 数据路径 RESET#8 资料 Flash存储器单元的状态从“1”值改为“0”值 Flash中一个扇区内的所有字节 3 老化前，可以对NOR Flash扇区进行编程/擦除的次数 4 单倍数据速率：一种数据传输模式，在该模式下，每个时钟周期传输一次数据 右侧 阵列 X/Y 解码器 超薄小外形无铅半导体封装 用于标准Quad（x4）SPI接口的信号。请参考S25FL127S数据手册，了解在x1和x2模式下的信号定义。 8 RESET#是在16-SOIC和BGA封装上可用的可选信号。 9 读取数据缓冲器 7 Flash存储器路线图 20 赛普拉斯128 Mb（FL128S）Quad SPI NOR Flash 应用 框图 高级驾驶辅助系统（ADAS） 汽车组合仪表 汽车娱乐信息系统 白色家电 机顶盒 128 Mb（FL128S）Quad SPI NOR Flash存储器 CS#8 SRAM SCK8 特性 IO08 工作电压范围：2.7 V至3.6 V 100,000个编程1/扇区擦除2耐久性周期3 +55°C的温度下，数据保持时间长达20年 SDR4时钟频率：104 MHz QIO5 DDR6时钟频率：80 MHz QIO5 编程1时间（256 B）：0.250 ms（典型值） 扇区擦除2时间（64 KB）：130 ms（典型值） 工业级温度范围（可选是否符合AEC-Q100标准）： -40°C至+85°C 扩展的工业级温度范围（可选是否符合AEC-Q100标准）： -40°C至+105°C 扩展的温度范围（可选是否符合AEC-Q100标准）： -40°C至+125°C 封装：16-SOIC 300 mil、8-WSON7 6 mm x 8 mm、 24球BGA 6 mm x 8 mm 右侧 阵列 X/Y 解码器 IO18 I/O 控制逻辑 IO28 IO38 RD10 数据路径 RESET#9 资料 供货 数据手册： S25FL128S 下载应用笔记：赛普拉斯FL-S SPI NOR Flash存储器 样片： 量产： 6 2 在进行编程前，先要通过该操作来擦除NOR 7 Flash存储器单元的状态从“1”值改为“0”值 Flash中一个扇区内的所有字节 3 老化前，可以对NOR Flash扇区进行编程/擦除的次数 4 单倍数据速率：一种数据传输模式，在该模式下，每个时钟周期传输一次数据 5 Quad输入/输出（QIO）：同时使用四个I/O传输地址或数据的接口 负责人：WIOB 商务经理：RHOE 即时 即时 双倍数据速率：一种数据传输模式，在该模式下，每个时钟周期传输两次数据 超薄小外形无铅半导体封装 8 用于标准Quad（x4）SPI接口的信号。请参考S25FL128S数据手册，了解在x1和x2模式下的信号定义。 9 RESET#是在16-SOIC和BGA封装上可用的可选信号。 10 读取数据缓存器 1 NOR 002-02523 版本** 左侧 阵列 Flash存储器路线图 21 赛普拉斯256 Mb（FL256S）Quad SPI NOR Flash存储器 应用 框图 高级驾驶辅助系统（ADAS） 汽车组合仪表 汽车娱乐信息系统 网络器件 机顶盒 256 Mb Quad SPI NOR Flash存储器 CS#8 SRAM SCK8 特性 IO08 工作电压范围：2.7 V至3.6 V 100,000个编程1/扇区擦除2耐久性周期3 +55°C的温度下，数据保持时间长达20年 SDR4时钟频率：104 MHz QIO5 DDR6时钟频率：80 MHz QIO5 编程1时间（256 B）：0.25 ms（典型值） 扇区擦除2时间（64 KB）：130 ms（典型值） 工业级温度范围（可选是否符合AEC-Q100标准）： -40°C至+85°C 扩展的工业级温度范围（可选是否符合AEC-Q100标准）： -40°C至+105°C 扩展的温度范围（可选是否符合AEC-Q100标准）： -40°C至+125°C 封装：16-SOIC 300 mil、8-WSON7 6 mm x 8 mm、 24球BGA 6 mm x 8 mm 左侧 阵列 IO18 I/O 控制逻辑 IO28 IO38 RD10 供货 数据手册： S25FL256S 下载应用笔记：赛普拉斯FL-S SPI NOR Flash存储器 样片： 量产： 即时 即时 1 NOR 6 双倍数据速率：一种数据传输模式。在该模式下，每个时钟周期传输两次数据 2 在进行编程前，先要通过该操作来擦除NOR 7 超薄小外形无铅半导体封装 002-02523 版本** 负责人：WIOB 商务经理：RHOE 数据路径 RESET#9 资料 Flash存储器单元的状态从“1”值改为“0”值 Flash中一个扇区内的所有字节 3 老化前，可以对NOR Flash扇区进行编程/擦除的次数 4 单倍数据速率：一种数据传输模式，在该模式下，每个时钟周期传输一次数据 5 Quad输入/输出（QIO）：该接口同时使用了四个I/O传输地址和数据 右侧 阵列 X/Y 解码器 8 用于标准Quad（x4）SPI接口的信号；请参考S25FL256S数据手册以了解x1和x2模式中信号的定义 9 RESET#是在16-SOIC和BGA封装上可用的可选信号。 10 读取数据缓存器 Flash存储器路线图 22 赛普拉斯512 Mb（FL512S）Quad SPI NOR Flash存储器 应用 框图 高级驾驶辅助系统（ADAS） 汽车组合仪表 汽车娱乐信息系统 基站 机顶盒 512Mb Quad SPI NOR Flash存储器 CS#7 SRAM SCK7 IO07 特性 工作电压范围：2.7 V至3.6 V 100,000个编程1/扇区擦除2耐久性周期3 +55°C的温度下，数据保持时间长达20年 SDR4时钟频率：104 MHz QIO5 DDR6时钟频率：80 MHz QIO5 编程1时间（512 B）：0.340 ms（典型值） 扇区擦除2时间（256 KB）：520 ms（典型值） 工业级温度范围（可选是否符合AEC-Q100标准）： -40°C至+85°C 扩展的工业级温度范围（可选是否符合AEC-Q100标准）： -40°C至+105°C 封装：16-SOIC 300 mil、24球BGA 6 mm x 8 mm 左侧 阵列 IO17 I/O 控制逻辑 IO27 IO37 RD9 供货 数据手册： S25FL512S 下载应用笔记：赛普拉斯FL-S SPI NOR Flash存储器 样片： 量产： 即时 即时 1 NOR 5 Quad输入/输出（QIO）：同时使用四个I/O传输地址或数据的接口 2 在进行编程前，先要通过该操作来擦除NOR 6 002-02523 版本** 负责人：WIOB 商务经理：RHOE 数据路径 RESET#8 资料 Flash存储器单元的状态从“1”值改为“0”值 Flash中一个扇区内的所有字节 3 老化前，可以对NOR Flash扇区进行编程/擦除的次数 4 单倍数据速率：一种数据传输模式，在该模式下，每个时钟周期传输一次数据 右侧 阵列 X/Y 解码器 双倍数据速率：一种数据传输模式，在该模式下，每个时钟周期传输两次数据 用于标准Quad（x4）SPI接口的信号。请参考S25FL512S 数据手册，了解在x1和x2模式下的信号定义。 8 RESET#是在16-SOIC和BGA封装上可用的可选信号。 9 读取数据缓冲器 7 Flash存储器路线图 23 赛普拉斯1 Gb（FL01GS）Quad SPI NOR Flash存储器 应用 框图 高级驾驶辅助系统（ADAS） 汽车组合仪表 汽车娱乐信息系统 基站 工业级控制器 1 Gb Quad SPI NOR Flash存储器 CS1#7 SRAM CS2#7 SCK7 特性 左侧 阵列 IO07 工作电压范围：2.7 V至3.6 V 100,000个编程1/扇区擦除2耐久性周期3 +55°C的温度下，数据保持时间长达20年 SDR4时钟频率：104 MHz QIO5 DDR6时钟频率：80 MHz QIO5 编程1时间（512 B）：0.340 ms（典型值） 扇区擦除2时间（256 KB）：520 ms（典型值） 工业级温度范围（可选是否符合AEC-Q100标准）： -40°C至+85°C 扩展的工业级温度范围（可选是否符合AEC-Q100标准）： -40°C至+105°C 封装：16-SOIC 300 mil、24球BGA 6 mm x 8 mm IO17 I/O 控制逻辑 IO27 RD9 IO37 数据路径 RESET#8 资料 供货 数据手册： S70FL01GS 下载应用笔记：赛普拉斯FL-S SPI NOR Flash存储器 样片： 量产： 即时 即时 1 NOR 5 Quad输入/输出（QIO）：同时使用四个I/O传输地址或数据的接口 2 在进行编程前，先要通过该操作来擦除NOR 6 Flash存储器单元的状态从“1”值改为“0”值 Flash中一个扇区内的所有字节 3 老化前，可以对NOR Flash扇区进行编程/擦除的次数 4 单倍数据速率：一种数据传输模式，在该模式下，每个时钟周期传输一次数据 002-02523 版本** 右侧 阵列 X/Y 解码器 负责人：WIOB 商务经理：RHOE 双倍数据速率：一种数据传输模式，在该模式下，每个时钟周期传输两次数据 用于标准Quad（x4）SPI接口的信号。请参考S70FL01GS 数据手册，了解在x1和x2模式下的信号定义。 8 RESET#是在16-SOIC和BGA封装上可用的可选信号。 9 读取数据缓冲器 7 Flash存储器路线图 24