VO3062, VO3063 Datasheet - - Chinese (Simplified)

VO3062, VO3063
Vishay Semiconductors
光敏器件:过零、 1.5 kV/μs 电压变化率、 600 V
Phototriac, Zero Crossing, 1.5 kV/μs dV/dt, 600 V
特性
A 1
6 MT2
C 2
5 NC
NC 3
ZCC*
•
•
•
•
•
•
•
4 MT1
*Zero crossing circuit
i179030_4
V
D E
21842
最小电压变化率:1500 V/μs
600 V 阻断电压
100 mA 通态电流
过零探测器
低输入触发电流
6 引脚 DIP 封装
符合 RoHS 指令 2002/95/EC 和 WEEE 2002/96/EC 规定
应用
•
•
•
•
•
•
说明
VO3062 和 VO3063 TRIAC 驱动器系统配有一个 GaAs 红外
LED,与单片光敏过零 TRIAC 探测器芯片进行光耦合。
600 V 阻断电压允许控制高达 240 VAC 的离线电压,安全系
数不低于 2,足以控制 380 V 的电压。
家用电器
TRIAC 驱动 / 交流电机驱动
电磁阀控制
办公自动化设备 / 机器
温度 (HVAC) / 照明控制
开关电源
机构认证
• UL1577 认证:文件编号 E52744,系统代码 H
• cUL 认证:文件编号 E52744,相当于 CSA 公告 5A
• DIN EN 60747-5-5 (VDE 0884)认证 (选项 1)
订购信息
V
O
3
0
6
#
-
X
0
部件编号
#
包装选项
#
DIP-6
Option 6
7.62 mm
10.16 mm
T
编带和卷
轴
Option 7
> 0.7 mm
机构认证 / 封装
触发电流 IFT (mA)
UL, cUL, BSI
DIP-6
5
10
VO3063
VO3062
DIP-6, 400 毫米 , 选项 6
VO3063-X006
VO3062-X006
SMD-6, 选项 7
VO3063-X007T
VO3062-X007T
VDE, UL, cUL, BSI
5
10
DIP-6, 400 毫米 , 选项 6
-
VO3062-X016
VO3063-X017T
VO3062-X017T
SMD-6, 选项 7
最大绝对额定值 (1) (Tamb = 25 °C, 除非另外说明 )
参数
测试条件
部件
符号
数值
单位
输入
反向电压
VR
6
V
正向电流—连续
IF
60
mA
Pdiss
100
mW
功率耗散
Document Number: 82379
Rev. 1.9, 20-Oct-10
For technical questions, contact: [email protected]
www.vishay.com
1
VO3062, VO3063
Vishay Semiconductors
光敏器件:过零、 1.5 kV/μs 电压变化率、 600 V
Phototriac, Zero Crossing, 1.5 kV/μs dV/dt,600 V
最大绝对额定值 (1) (Tamb = 25 °C, 除非另外说明 )
参数
输出
测试条件
断态输出端子电压
重复峰值浪涌电流
部件
符号
数值
VO3062, VO3063
VDRM
600
V
ITSM
1
A
PW = 100 μs, 120 pps
功率耗散
单位
Pdiss
200
mW
IT(RMS)
100
mA
VISO
5300
VRMS
总功率耗散
Ptot
300
mW
工作温度范围
Tamb
- 40 to + 100
°C
存放温度范围
焊接温度 (2)
Tstg
- 55 to + 150
°C
Tsld
260
°C
通态 RMS 电流
耦合器
隔离测试电压
t=1s
maximum ≤ 10 s
注
(1)
应力超过最大绝对额定值会引起器件的永久性损伤。这些器件在这些条件或其他任何超过本文档操作部分给定值的条件下,都无法正常运行。
过长时间处于最大绝对额定值会对器件的可靠性造成不利影响。
参考表面贴装器件 (SMD)的焊接条件的回流焊温度曲线。参考通孔器件 (DIP)焊接条件的波峰焊温度曲线。
(2)
热特性
参数
参数
参数
参数
最大的 LED 结温
Tjmax.
125
°C
最大输出晶粒结温
Tjmax.
125
°C
结发射极至电路板的热阻
θJEB
150
°C/W
TA
θCA
Package
TC
θJEC
结发射极至外壳的热阻
139
θDE
TJD
结探测器至电路板的热阻
θJDB
78
°C/W
结探测器至外壳的热阻
θJDC
103
°C/W
θEC
θDC
°C/W
TJE
θDB
θEB
TB
结发射极至结探测器的热阻
θJED
496
°C/W
壳至环境的热阻
θCA
3563
°C/W
θBA
19996
TA
注
•
右边的热性能图形描绘了该热模型。该模型的每个热阻值可用于计算每个结点在给定工作条件下的温度。电路板至周围环境的热阻取决于PCB
的类型和铜质蚀刻电路的版图和厚度。有关该热模型的详细说明,请参考 Vishay 光电耦合器热特性应用说明。
电气特性 (Tamb = 25 °C, 除非另外说明 )
参数
输入
测试条件
部件
符号
反向电流
VR = 6 V
IR
正向电压
IF = 30 mA
VF
最小值
典型值
最大值
单位
10
μA
1.2
1.5
V
10
500
输出
LED 关断漏电流 (任一方向)
断态电压升高率临界值
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2
VDRM = 600 V
IDRM
VD = 400 V
dV/dt
1500
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2000
nA
V/μs
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VO3062, VO3063
光敏器件:过零、 1.5 kV/μs 电压变化率、 600 V
Phototriac, Zero Crossing, 1.5 kV/μs dV/dt,600 V
Vishay Semiconductors
电气特性 (Tamb = 25 °C, 除非另外说明 )
参数
测试条件
部件
符号
最小值
典型值
最大值
单位
耦合器
LED 触发电流、栓锁输出所需的电流
VO3063
IFT
5
mA
VO3062
IFT
10
mA
3
V
ITM = 100 mA Peak,
IF = Rated IFT
峰值通态电压 (任一方向)
保持电流 (任一方向)
抑制电压 (MT1-MT2 电压、超过该
电压,器件将无法触发)
抑制状态的漏电
IF = 10 mA maximum,
at rated VDRM, off state
VTM
1.7
IH
200
VINH
12
22
V
VDRM2
250
1000
μA
典型值
40/85/21
最大值
单位
μA
注
•
典型值是该器件的特性,也是工程评估的结果。典型值仅供参考,不属于测试要求范围。
安全与隔离额定值
气候类别
参数
测试条件
IEC68 第一部分
污染度
DIN VDE 0109
根据 DIN IEC112/VDE 0303 第一部分 IIIa 组和 DIN VDE 6110
175 399 的相比漏电起痕指数
允许的最高过压
最小值
2
CTI
175
瞬态过压
VIOTM
8000
Vpeak
重复的峰值电压
VIO = 500 V
VIORM
890
Vpeak
RIS
≥ 1012
Ω
VIO = 500 V
RIS
≥ 109
Ω
VIO = 500 V
RIS
≥
Ω
方法 a,
Vpd = VIORM x 1.875
Vpd
1325
Vpeak
安全功率额定值
PSO
400
mW
安全电流额定值
ISI
150
mA
安全温度额定值
TSI
165
°C
最大工作隔离电压
隔离电阻 (25 °C)
隔离电阻 (TS)
隔离电阻 (100 °C)
局部放电测试电压
安全限值 - 故障条件下允许的最大
值
符号
1011
最小的外部空气间隙 (间隙)
从输入端子到输出端
子进行测量:通过空
气的最短距离
≥7
mm
最小的外部起痕 (爬电)
从输入端子到输出端
子进行测量,沿着器
件的最短距离路径
≥7
mm
注
•
根据 IEC60747-5-5, 7.4.3.8.1 规定,该光电耦合器仅适用于在安全额定值范围内的 “安全电气隔离”。应采用各种保护电路确保符合安全额
定值要求。
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3
VO3062, VO3063
Vishay Semiconductors
光敏器件:过零、 1.5 kV/μs 电压变化率、 600 V
Phototriac, Zero Crossing, 1.5 kV/μs dV/dt,600 V
典型特性 (Tamb = 25 °C, 除非另作说明 )
1.4
VF - Forward Voltage (V)
1.4
1.2
1.3
Trigger Current
TA = - 40 °C
1.2
TA = 25 °C
1.1
TA = 85 °C
1.0
0.9
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.8
1
19620
10
- 40
100
IF - Forward Current (mA)
110
图 4 标准化触发电流 VS 温度
100
Turn-on Time (µs)
1000
Ilkg (nA)
100
10
1
- 40 - 20
10
1
0
20
40
60
80
100
Temperature (°C)
5
8
19618
图 2 断态漏电流 VS 温度
11
14
17
20
LED Current (mA)
图 5 通态时间 VS LED 电流
100
2.0
80
1.8
60
Holding Current
On-State Current ITM (mA)
60
Temperature (°C)
图 1 正向电压 VS 正向电流
19619
10
19621
40
20
0
- 20
- 40
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
- 60
0.6
- 80
- 100
- 2 - 1.5 - 1 - 0.5
19605
0
0.5
1
On-State Voltage VTM (V)
图 3 通态电流 VS VTM
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4
1.5
2
0.4
- 40 - 20
19608
0
20
40
60
80
100
Temperature (°C)
图 6 标准化保持电流 VS 温度
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VO3062, VO3063
Vishay Semiconductors
光敏器件:过零、 1.5 kV/μs 电压变化率、 600 V
Phototriac, Zero Crossing, 1.5 kV/μs dV/dt,600 V
5.0
15
4.5
Turn-on Time (µs)
12
4.0
IFT (mA)
9
6
3.5
3.0
3
2.5
2.0
0
- 40
- 20
19602
0
20
40
60
80
20
100
40
19609
Temperature (°C)
60
80
100
Pulse Width (µs)
图 7 通态时间 VS 温度
图 8 触发电流 VS 脉宽
封装尺寸 (单位:毫米)
Option 6
Pin one ID
3
2
10.36
9.96
1
7.8
7.4
6.3
6.5
ISO method A
4
5
6
8.5
8.7
1 min.
20°
0.35
0.25
7.62 typ.
1.22
1.32
10.16
10.92
3.3
3.81
Option 7
4°
typ .
18°
0.84 typ.
0.46
0.51
i178014_1
7.62 typ.
3.3
3.81
3° - 9°
0.2
0.3
0.84 typ.
4.6
4.1
7.62 to 8.81
2.54 typ.
0.7
8 min.
8.4 min.
10.3 max.
封装标识
VO3062
V YWW H 68
21764-36
Document Number: 82379
Rev. 1.9, 20-Oct-10
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5
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材料种类政策
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关于在电气和电子设备 (EEE) 中限制使用有害物质 Directive 2011/65/EU 所制定的各项定义和限制。除非特别注明不符合这两
项规定。
请注意,一些 Vishay 文档可能还参照 RoHS Directive 2002/95/EC。我们确认所有经认定符合 Directive 2002/95/EC 的产品都
符合 Directive 2011/65/EU。
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参照 IEC 61249-2-21 的定义。我们确认所有标注符合 IEC 61249-2-21 的产品均符合 JEDEC JS709A 标准。
Revision: 02-Oct-12
1
Document Number: 99905