シングル N チャンネル MOSFET ショットキーダイオード付き ELM14702AA-N ■概要 ■特長 ELM14702AA-N は低入力容量、 低電 圧駆動、 低 ON 抵抗という特性を備えた ・ Vds=30V ショットキーダイオード ・ Id=11A ・ Vds(V)=30V 大電流 MOS FET です。 ・ Rds(on) < 16mΩ (Vgs=10V) ・ If=3A ・ Rds(on) < 25mΩ (Vgs=4.5V) ・ Vf < 0.5V@1A ■絶対最大定格値 項目 ドレイン - ソース電圧 ゲート - ソース電圧 記号 Vds Vgs Ta=25℃ Ta=70℃ 連続ドレイン電流 パルス ・ ドレイン電流 ショットキー逆耐圧 Id Idm Vka Ta=25℃ Ta=70℃ 連続順方向電流 パルス順方向電流 MOSFET 30 ±20 11.0 9.3 50 If Ifm Tc=25℃ Tc=70℃ 最大許容損失 接合温度範囲及び保存温度範囲 Pd Tj, Tstg 3 2 -55 ～ 150 特に指定なき場合、Ta=25℃ ショットキー 単位 備考 V V 30 4.4 3.2 30 3 2 -55 ～ 150 A 1 A V 2 A 1 A 2 W ℃ ■熱特性 項目 (MOSFET) 最大接合部 - 周囲温度 最大接合部 - 周囲温度 最大接合部 - リード 項目 ( ショットキー ) 最大接合部 - 周囲温度 最大接合部 - 周囲温度 最大接合部 - リード 記号 t≦10s 定常状態 定常状態 t≦10s 定常状態 定常状態 Rθja Rθjl 記号 Rθja Rθjl ■端子配列図 Typ. 31 59 16 Typ. 36 67 25 Max. 40 75 24 Max. 40 75 30 単位 ℃/W ℃/W ℃/W 単位 ℃/W ℃/W ℃/W 備考 1 3 備考 1 3 ■回路 SOP-8(TOP VIEW) � � � � � � � � 端子番号 1 2 3 4 5 6 7 8 端子記号 SOURCE SOURCE SOURCE GATE DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN 4-1 D K S A G シングル N チャンネル MOSFET ショットキーダイオード付き ELM14702AA-N ■電気的特性 項目 記号 条件 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 BVdss Id=250μA, Vgs=0V Vr=30V ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 Idss Vr=30V, Ta=125℃ ( ショットキー漏れ電流 ) Vr=30V, Ta=150℃ ゲート漏れ電流 Igss Vds=0V, Vgs=±20V ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA オン状態ドレイン電流 Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V Vgs=10V ドレイン - ソースオン状態抵抗 Rds(on) Id=11A Ta=125℃ Vgs=4.5V, Id=8A 順方向相互コンダクタンス Gfs Vds=5V, Id=11A ダイオード + ショットキー順方向電圧 Vsd Is=1A, Vgs=0V 最大寄生ダイオード + Is ショットキー連続電流 動的特性 入力容量 Ciss Vgs=0V, Vds=15V 出力容量 (FET+ ショットキー ) Coss f=1MHz 帰還容量 Crss ゲート抵抗 Rg Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz スイッチング特性 総ゲート電荷 (10V) Qg 総ゲート電荷 (4.5V) Qg Vgs=10V, Vds=15V ゲート - ソース電荷 Qgs Id=11A ゲート - ドレイン電荷 Qgd ターン ・ オン遅延時間 td(on) Vgs=10V, Vds=15V ターン ・ オン立ち上がり時間 tr ターン ・ オフ遅延時間 td(off) RL=1.35Ω, Rgen=3Ω ターン ・ オフ立ち下がり時間 tf 寄生ダイオード + trr If=11A, dlf/dt=100A/μs ショットキー逆回復時間 寄生ダイオード + Qrr If=11A, dlf/dt=100A/μs ショットキー逆回復電荷量 特に指定なき場合、Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 30 1.0 40 V 0.007 0.050 3.200 10.000 mA 12.000 20.000 100 nA 1.8 3.0 V A 13.4 16.0 16.8 21.0 mΩ 20.0 25.0 25 S 0.45 0.50 V 5 A 1040 1250 212 121 0.70 0.85 pF pF pF Ω 19.8 9.8 2.5 3.5 4.5 3.9 17.4 3.2 24.0 12.0 7.0 7.0 30.0 5.7 nC nC nC nC ns ns ns ns 19 23 ns 9 11 nC 備考 : 1. Rθja の値は Ta＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 ま たアプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存し、 電流定格は t≦10sの熱抵抗定格に基 づいています。 2. 接合部温度は反復定格及びパルス幅を制限します。 3. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。 4. 標準特性図 1 ～ 6 は 80μsパルス・デューティー比最大0.5％条件下で得られます。 5. これらの値はTa＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 SOA のグラフはパルス定格を規定しています。 4-2 シングル N チャンネル MOSFET ショットキーダイオード付き ELM14702AA-N ■標準特性曲線 30 20 4V 10V 25 20 3.5V Id (A) Id (A) Vds=5V 16 4.5V 15 12 125°C 8 10 25°C Vgs=3V 4 5 0 0 0 1 2 3 4 5 1.5 2 Vds (Volts) Fig 1: On-Region Characteristics 3 3.5 4 Vgs (Volts) Figure 2: Transfer Characteristics 24 1.6 Vgs=10V 22 Vgs=4.5V Normalized On-Resistance Rds(on) (m�) 2.5 20 18 16 14 Vgs=10V 12 Id=11A 1.4 1.2 Vgs=4.5V 1 10 0 5 10 15 0.8 20 0 Id (A) Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage 25 50 75 100 125 150 175 Temperature (°C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature 60 1.0E+01 50 1.0E+00 Id=11A 40 Is (A) Rds(on) (m�) 125°C 30 1.0E-02 125°C 20 25° 1.0E-01 FET+SCHOTTKY 1.0E-03 25°C 1.0E-04 10 2 4 6 8 0.0 10 0.2 0.4 0.6 0.8 Vsd (Volts) Figure 6: Body-Diode Characteristics Vgs (Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage 4-3 1.0 シングル N チャンネル MOSFET ショットキーダイオード付き ELM14702AA-N 10 1250 Capacitance (pF) 8 Vgs (Volts) 1500 Vds=15V Id=11A 6 4 2 750 500 0 4 8 12 16 20 0 5 10 15 50 Rds(on) limited 100�s Power (W) 10ms 0.1s 1.0 1s Tj(max)=150°C Ta=25°C DC 1 10 100 Vds (Volts) Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note 5) 10 D=Ton/T Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja R�ja=40°C/W 30 30 20 10 10s 0.1 0.1 25 Tj(max)=150°C Ta=25°C 40 10�s 1ms 20 Vds (Volts) Figure 8: Capacitance Characteristics 100.0 Id (Amps) Crss 0 Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge Characteristics Z�ja Normalized Transient Thermal Resistance Coss FET+SCHOTTKY 250 0 10.0 Ciss 1000 0 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000 Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5) In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse 1 Pd 0.1 0.01 0.00001 Ton Single Pulse 0.0001 T Pulse 0.1 Width (s) 0.001 0.01 1 10 Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance 4-4 100 1000