デュアルパワー N チャンネル MOSFET ELM14828AA-N ■概要 ■特長 ELM14828AA-N は低入力容量、 低電圧駆動、 低 ・ Vds=60V オン抵抗という特性を備えた大電流デュアルパワー ・ Id=4.5A (Vgs=10V) MOSFET です。 ・ Rds(on) < 56mΩ (Vgs=10V) ・ Rds(on) < 77mΩ (Vgs=4.5V) ■絶対最大定格値 項目 記号 Vds Vgs ドレイン - ソース電圧 ゲート - ソース電圧 Ta=25℃ 連続ドレイン電流 特に指定なき場合、 Ta=25℃ 規格値 単位 備考 60 V ±20 V 4.5 Id Ta=70℃ パルス ・ ドレイン電流 3.6 20 Idm Tc=25℃ Tc=70℃ 最大許容損失 Pd 接続温度範囲及び保存温度範囲 Tj, Tstg 2.00 1.28 -55 ～ 150 A 1 A 2 W ℃ ■熱特性 項目 最大接合部 - 周囲温度 記号 t≦10s 最大接合部 - 周囲温度 最大接合部 - リード Rθja 定常状態 定常状態 Rθjl ■端子配列図 Typ. 48.0 Max. 62.5 単位 ℃/W 74.0 35.0 110.0 60.0 ℃/W ℃/W 備考 1 3 ■回路 SOP-8(TOP VIEW) � � � � � � � � 端子番号 端子記号 1 2 3 SOURCE2 GATE2 SOURCE1 4 5 6 GATE1 DRAIN1 DRAIN1 7 8 DRAIN2 DRAIN2 4-1 �� �� �� �� �� �� デュアルパワー N チャンネル MOSFET ELM14828AA-N ■電気的特性 項目 記号 特に指定なき場合、 Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 備考 条件 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 BVdss Id=250μA, Vgs=0V ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 Idss ゲート漏れ電流 Igss 60 1 Vds=60V Vgs=0V Ta=55℃ Vds=0V, Vgs=±20V 5 100 ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA 1.0 オン状態ドレイン電流 20 ドレイン - ソースオン状態抵抗 Id(on) Vgs=10V, Vds=5V Vgs=10V Rds(on) Id=4.5A 順方向相互コンダクタンス ダイオード順方向電圧 Gfs Vsd 最大寄生ダイオード連続電流 ダイオード パルス電流 動的特性 Is Ism 入力容量 Ciss 出力容量 帰還容量 Coss Crss ゲート抵抗 Rg スイッチング特性 総ゲート電荷 (10V) 総ゲート電荷 (4.5V) Qg Qg ゲート - ソース電荷 ゲート - ドレイン電荷 Qgs Qgd ターン ・ オン遅延時間 ターン ・ オン立ち上がり時間 ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 寄生ダイオード逆回復時間 寄生ダイオード逆回復電荷量 Ta=125℃ 2.1 46 80 64 Vds=5V, Id=4.5A Is=1A, Vgs=0V 11 0.74 Vgs=0V, Vds=30V f=1MHz Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz 1.30 Vgs=10V, Vds=30V Id=4.5A If=4.5A, dlf/dt=100A/μs If=4.5A, dlf/dt=100A/μs 3.0 μA nA V A Vgs=4.5V, Id=3A td(on) tr Vgs=10V, Vds=30V td(off) RL=6.7Ω, Rgen=3Ω tf trr Qrr V 450 56 100 mΩ 77 1.00 S V 3 20 A A 540 pF 60 25 2 pF pF 1.65 2.00 Ω 8.5 4.3 10.5 5.5 nC nC 1.6 2.2 nC nC 4.7 2.3 15.7 ns ns ns 1.9 27.5 32.0 ns ns nC 35.0 備考 : 1. Rθja の値は Ta＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 ま たアプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存し、 電流定格は t≦10sの熱抵抗定格に基 づいています。 2. 接合部温度は反復定格及びパルス幅を制限します。 3. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。 4. 標準特性図 1 ～ 6 は 80μsパルス・デューティー比最大0.5％条件下で得られます。 5. これらの値はTa＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 SOA のグラフはパルス定格を規定しています。 4-2 デュアルパワー N チャンネル MOSFET AO4828.AO4828L ELM14828AA-N ■標準特性と熱特性曲線 TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS 20 15 10.0 5.0V Vds=5V 10 4.5V 125°C Id (A) Id (A) 15 10 4.0V 5 5 25°C Vgs=3.5V 0 0 1 2 3 4 0 5 2 Vds (Volts) Fig 1: On-Region Characteristics 3.5 4 4.5 5 2 80 Normalized On-Resistance 90 Rds(on) (m�) 3 Vgs (Volts) Figure 2: Transfer Characteristics 100 Vgs=4.5V 70 60 50 Vgs=10V 40 30 20 0 5 10 15 Vgs=10V 1.8 Id=4.5A 1.6 Vgs=4.5V Id=3.0A 1.4 1.2 1 0.8 20 0 Id (A) Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage 25 50 75 100 125 150 175 Temperature (°C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature 160 1.0E+01 Id=4.5A 140 1.0E+00 125°C 1.0E-01 120 Is (A) Rds(on) (m�) 2.5 125°C 100 1.0E-02 25°C 1.0E-03 80 25°C 60 1.0E-04 1.0E-05 40 2 4 6 8 0.0 10 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 Vsd (Volts) Figure 6: Body-Diode Characteristics Vgs (Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage Alpha & Omega Semiconductor, Ltd. www.aosmd.com 4-3 AO4828.AO4828L デュアルパワー N チャンネル MOSFET ELM14828AA-N TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS 10 Capacitance (pF) 8 Vgs (Volts) 800 Vds=30V Id= 4.5A 6 4 2 600 Ciss 400 Coss 200 Crss 0 0 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 0 10 Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge Characteristics 40 Rds(on) limited 10�s 100�s 10.0 1ms 10ms 1s 1.0 10s Tj(max.)=150°C Ta=25°C 0.1s 10 Z�ja Normalized Transient Thermal Resistance 20 0.1 1 10 100 1000 Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5) 100 Vds (Volts) D=Ton/T Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja R�ja=62.5°C/W 60 Tj(max.)=150°C Ta=25°C 0 0.001 Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note 5) 10 50 10 DC 1 40 30 0.1 0.1 30 Vds (Volts) Figure 8: Capacitance Characteristics Power (W) Id (Amps) 100.0 20 0.01 In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse 1 Pd 0.1 Ton Single Pulse 0.01 0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 T 10 100 1000 Pulse Width (s) Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance Alpha & Omega Semiconductor, Ltd. www.aosmd.com 4-4