デュアルパワー P チャンネル MOSFET ELM18801BA-S ■概要 ■特長 ELM18801BA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低 オン抵抗という特性を備えた大電流デュアルパワー ・ Vds=-20V ・ Id=-4.7A (Vgs=-4.5V) MOSFET です。 また、 保護回路によって ESD 耐性が あります。 ・ Rds(on) < 42mΩ (Vgs=-4.5V) ・ Rds(on) < 53mΩ (Vgs=-2.5V) ・ Rds(on) < 70mΩ (Vgs=-1.8V) ・ ESD Rating : 3000V HBM ■絶対最大定格値 項目 記号 Vds ドレイン - ソース電圧 ゲート - ソース電圧 連続ドレイン電流 Ta=25℃ Ta=70℃ パルス ・ ドレイン電流 最大許容損失 特に指定なき場合、 Ta=25℃ 規格値 単位 備考 -20 V Vgs ±8 V Id -4.7 -3.7 A 1 A 2 W 1 Idm Tc=25℃ Tc=70℃ 接続温度範囲及び保存温度範囲 -30 1.4 0.9 Pd Tj, Tstg -55 ～ 150 ℃ ■熱特性 項目 最大接合部 - 周囲温度 最大接合部 - 周囲温度 最大接合部 - リード 記号 t≦10s 定常状態 定常状態 Rθja Rθjl ■端子配列図 TSSOP-8 (TOP VIEW) Typ. 73 Max. 90 単位 ℃/W 96 63 125 75 ℃/W ℃/W 備考 1 3 ■回路 端子番号 1 2 端子記号 DRAIN1 SOURCE1 3 4 5 SOURCE1 GATE1 GATE2 6 7 8 SOURCE2 SOURCE2 DRAIN2 4-1 �� �� �� �� �� �� デュアルパワー P チャンネル MOSFET ELM18801BA-S ■電気的特性 項目 記号 特に指定なき場合、 Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 条件 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 BVdss Id=-250μA, Vgs=0V ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 Idss ゲート漏れ電流 Igss Vds=-16V Vgs=0V Ta=55℃ Vds=0V, Vgs=±8V オン状態ドレイン電流 Id(on) Vgs=-4.5V, Vds=-5V 順方向相互コンダクタンス Gfs ダイオード順方向電圧 最大寄生ダイオード連続電流 Vsd Is 動的特性 入力容量 出力容量 Ciss Coss 帰還容量 ゲート抵抗 Crss Rg -5 Vds=0V, Vgs=±4.5V Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA Rds(on) V -1 ゲート ・ スレッシュホールド電圧 ドレイン - ソースオン状態抵抗 -20 Vgs=-4.5V Id=-4.7A Vgs=-2.5V, Id=-4A Vgs=-1.8V, Id=-2A Vds=-5V, Id=-4.7A Is=-1A, Vgs=0V Vgs=0V, Vds=-10V, f=1MHz Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz ±1 μA ±10 μA -0.30 -0.55 -1.00 -25 Ta=125℃ 8 μA V A 35 47 42 57 44 54 16 53 70 mΩ S -0.78 -1.00 -2.2 V A 1450 205 pF pF 160 6.5 pF Ω 17.2 1.3 4.5 nC nC nC 9.5 17.0 94.0 ns ns ns ns ns nC スイッチング特性 総ゲート電荷 ゲート - ソース電荷 ゲート - ドレイン電荷 ターン ・ オン遅延時間 ターン ・ オン立ち上がり時間 ターン ・ オフ遅延時間 Qg Qgs Qgd Vgs=-4.5V, Vds=-10V Id=-4A td(on) tr Vgs=-4.5V, Vds=-10V td(off) RL=2.5Ω, Rgen=3Ω ターン ・ オフ立ち下がり時間 寄生ダイオード逆回復時間 tf trr If=-4A, dlf/dt=100A/μs 35.0 31.0 寄生ダイオード逆回復電荷量 Qrr If=-4A, dlf/dt=100A/μs 13.8 備考 : 1. Rθja の値は Ta=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 またアプリケー ションに付与される値は使用者のボードデザインに依存し、 電流定格は t≦10sの熱抵抗定格に基づいています。 2. 接合部温度は反復定格及びパルス幅を制限します。 3. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。 4. 標準特性図 1 ～ 6 は 80μsパルス・デューティー比最大0.5％条件下で得られます。 5. これらの値はTa=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 SOA のグラ フはパルス定格を規定しています。 4-2 デュアルパワー P チャンネル MOSFET ELM18801BA-S ■標準特性と熱特性曲線 25 10 -4.5V -8V Vds=-5V -3.0V 20 8 -2.5V -Id (A) -Id (A) -2.0V 15 10 6 125°C 4 Vgs=-1.5V 5 2 0 25°C 0 0 1 2 3 4 5 0 0.5 -Vds (Volts) Fig 1: On-Region Characteristics 2 1.6 Normalized On-Resistance Vgs=-1.8V Rds(on) (m� ) 1.5 -Vgs (Volts) Figure 2: Transfer Characteristics 80 60 Vgs=-2.5V 40 Vgs=-4.5V 20 Id=-4.7A, Vgs=-2.5V 1.4 Id=-2A, Vgs=-1.8V 1.2 Id=-4.7A, Vgs=-4.5V 1.0 0.8 0 2 4 6 8 10 0 25 -Id (A) Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage 1E+01 90 1E+00 Id=-4.7A 75 100 125 150 175 125°C 1E-01 -Is (A) 70 60 125°C 50 50 Temperature (°C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature 100 80 Rds(on) (m� ) 1 25°C 1E-02 1E-03 1E-04 40 25°C 1E-05 30 1E-06 20 0 2 4 6 8 -Vgs (Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage 4-3 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 -Vsd (Volts) Figure 6: Body-Diode Characteristics 1.2 デュアルパワー P チャンネル MOSFET ELM18801BA-S 2400 5 Vds=-10V Id=-4.7A 2000 Capacitance (pF) -Vgs (Volts) 4 3 2 Ciss 1600 1200 1 800 Coss 400 0 0 5 10 15 Crss 0 20 0 -Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge Characteristics Tj(max)=150°C Ta=25°C 40 10�s 100�s 1ms 10ms 1s 10s 1 Z� ja Normalized Transient Thermal Resistance Tj(max)=150°C Ta=25°C 20 10 -Vds (Volts) 10 0 0.001 100 D=Ton/(Ton+T) Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja R�ja=90°C/W 0.01 0.1 1 10 100 1000 Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5) Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note 5) 10 20 0.1s DC 0.1 0.1 15 30 Rds(on) 10.0 limited 1.0 10 -Vds (Volts) Figure 8: Capacitance Characteristics Power (W) -Id (Amps) 100.0 5 In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse 1 Pd 0.1 0.01 0.00001 Ton Single Pulse 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 T 10 Pulse Width (s) Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance 4-4 100 1000