elm13416ca

シングル N チャンネル MOSFET
ELM13416CA-S
■概要
■特長
ELM13416CA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低
・ Vds=20V
ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。
・ Id=6.5A (Vgs=4.5V)
また、 保護回路によって ESD 耐性があります。
・ Rds(on) < 22mΩ (Vgs=4.5V)
・ Rds(on) < 26mΩ (Vgs=2.5V)
・ Rds(on) < 34mΩ (Vgs=1.8V)
・ ESD 保護
■絶対最大定格値
項目
記号
Vds
ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧
Ta=25℃
Ta=70℃
連続ドレイン電流
パルス ・ ドレイン電流
特に指定なき場合、Ta=25℃
規格値
単位
備考
20
V
Vgs
±8
V
Id
6.5
5.2
A
Idm
Tc=25℃
Tc=70℃
最大許容損失
接合温度範囲及び保存温度範囲
30
1.4
0.9
Pd
Tj, Tstg
- 55 ～ 150
A
3
W
2
℃
■熱特性
項目
最大接合部 - 周囲温度
最大接合部 - 周囲温度
最大接合部 - リード
記号
t ≦10s
定常状態
定常状態
Rθja
Rθjl
■端子配列図
Typ.
70
Max.
90
単位
℃/W
備考
1
100
63
125
80
℃/W
℃/W
1, 4
■回路
�
SOT-23(TOP VIEW)
�
�
�
端子番号
1
2
端子記号
GATE
SOURCE
3
DRAIN
�
�
5-1
シングル N チャンネル MOSFET
ELM13416CA-S
■電気的特性
項目
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
ゲート漏れ電流
ゲート ・ スレッシュホールド電圧
オン状態ドレイン電流
記号
特に指定なき場合、Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位
条件
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
Idss
Vds=20V, Vgs=0V
20
Ta=55℃
Igss Vds=0V, Vgs=±8V
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V
ドレイン - ソースオン状態抵抗
Rds(on)
順方向相互コンダクタンス
ダイオード順方向電圧
最大寄生ダイオード連続電流
動的特性
入力容量
出力容量
帰還容量
ゲート抵抗
スイッチング特性
総ゲート電荷
ゲート - ソース電荷
ゲート - ドレイン電荷
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
寄生ダイオード逆回復時間
寄生ダイオード逆回復電荷量
Gfs
Vsd
Is
Ciss
Coss
Crss
Rg
Qg
Qgs
Qgd
td(on)
tr
td(off)
tf
trr
Qrr
Vgs=4.5V
Id=6.5A
V
Ta=125℃
Vgs=2.5V, Id=5.5A
Vgs=1.8V, Id=5A
Vds=5V, Id=6.5A
Is=1A, Vgs=0V
Vgs=0V, Vds=10V, f=1MHz
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
Vgs=4.5V, Vds=10V
Id=6.5A
Vgs=4.5V, Vds=10V
RL=1.54Ω, Rgen=3Ω
If=6.5A, dlf/dt=100A/μs
If=6.5A, dlf/dt=100A/μs
0.4
30
0.7
16
22
18
21
50
0.62
1
5
±10
1.1
22
30
26
34
1.00
2
μA
μA
V
A
mΩ
S
V
A
1295 1650 pF
160
pF
87
pF
1.8
kΩ
10.0
4.2
2.6
280.0
328.0
3.76
2.24
31
6.8
41
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
備考 :
1. Rθja の値は Ta＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 ま
たアプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存します。
2. 電力損失 Pd は、 Tj(最大)=150℃、 10 秒接合部 - 周囲間熱抵抗を使用するのに基づいています。
3. 反復定格及びパルス幅は、 接合部温度 Tj(最大)=150℃で制限します。 定格値は低周波数とデューティサイク
ルに基づいて初期 Tj=25℃を維持します。
4. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。
5. 標準特性図 1 ～ 6 は <300μsパルス・デューティー比最大0.5％条件下で得られます。
6. これらの曲線は、 Tj(最大)=150℃、 2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されて
います。 SOA のグラフはパルス定格を規定しています。
5-2
シングル N チャンネル MOSFET
AO3416
ELM13416CA-S
■標準特性と熱特性曲線
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
30
25
2.5V
25
20
20
4.5V
15
ID(A)
ID (A)
1.8V
3.1V
15
VGS=1.5V
10
10
�C
25�C
0
0
0
1
2
3
4
0
5
0.5
1
1.5
2
2.5
VGS(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics (Note 5)
VDS (Volts)
(Note )
Fig 1: On-Region Characteristics (Note5
30
Normalized On-Resistance
1.6
25
RDS(ON) (mΩ
Ω)
125�C
5
5
VGS=1.8V
20
VGS=2.5V
15
VGS=4.5V
VGS=2.5V
ID=5.5A
1.4
VGS=1.8V
ID=5A
1.2
17
5
2
VGS=4.5V10
1
ID=6.5A
0.8
10
0
2
0
4
6
8
10
ID (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate
Voltage (Note 5)
25
50
75
100
125
150
175
0
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
18Temperature
(Note 5)
1.0E+01
60
ID=6.5A
1.0E+00
50
40
1.0E-01
40
125�C
30
IS (A)
RDS(ON) (mΩ
Ω)
VDS=5V
1.0E-02
125�C
25�C
1.0E-03
20
1.0E-04
25�C
1.0E-05
10
0
0.0
2
4
6
8
VGS (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
(Note 5)
0.2
0.4
0.6
0.8
VSD (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics (Note 5)
5-3
1.0
AO3416
シングル N チャンネル MOSFET
ELM13416CA-S
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
5
1800
VDS=10V
ID=6.5A
1600
1400
Capacitance (pF)
VGS (Volts)
4
3
2
Ciss
1200
1000
800
600
400
1
Coss
200
0
0
2
4
6
8
10
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
12
0
10µs
RDS(ON)
limited
10
15
VDS (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
20
1ms
1.0
10ms
0.1
100ms
TJ(Max)=150�C
TA=25�C
0.1
VDS
1
(Volts)
10
1
0.00001
100
1
0.001
0.1
10
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note )6)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 6)
10
100
10
10s
DC
0.0
0.01
TJ(Max)=150�C
TA=25�C
1000
100µs
Power (W)
10.0
ID (Amps)
5
10000
100.0
Zθ JA Normalized Transient
Thermal Resistance
Crss
0
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
D=Ton/T
TJ,PK=TA+PDM.ZθJA.RθJA
RθJA=125�C/W
0.1
PD
0.01
Single Pulse
Ton
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance (Note 6)
5-4
100
1000
シングル N チャンネル MOSFET
AO3416
ELM13416CA-S
■測定回路と波形
Gate Charge Test Circuit & Waveform
Vgs
Qg
10V
+
VDC
+ Vds
-
VDC
DUT
Qgs
Qgd
-
Vgs
Ig
Charge
R e s istiv e S w itch in g T e st C ircu it & W a ve fo rm s
RL
V ds
Vds
DUT
Vgs
Rg
90 %
+
VDC
Vdd
-
1 0%
Vgs
V gs
t d (o n )
tr
t d (o ff)
to n
tf
t o ff
D io d e R eco very T est C ircu it & W a vefo rm s
Q rr = -
V ds +
V ds -
DUT
Isd
V gs
Ig
Idt
V gs
L
Isd
+
VD C
-
IF
t rr
dI/dt
I RM
V dd
V ds
5-5
V dd