シングル N チャンネル MOSFET ELM33408CA-S ■概要 ■特長 ELM33408CA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低 ・ Vds=20V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=3A ・ Rds(on) < 50.8mΩ (Vgs=4.5V) ・ Rds(on) < 100mΩ (Vgs=2.5V) ■絶対最大定格値 項目 記号 Vgs ゲート - ソース電圧 Ta=25℃ 連続ドレイン電流 Ta=100℃ パルス ・ ドレイン電流 特に指定なき場合、Ta=25℃ 規格値 単位 備考 ±16 V 3 Id Idm Tc=25℃ 最大許容損失 Tc=100℃ 接合温度範囲及び保存温度範囲 Pd Tj, Tstg A 2 20 0.6 A 3 W 0.5 - 55 ～ 150 ℃ ■熱特性 項目 最大接合部 - ケース 定常状態 記号 Rθjc 最大接合部 - 周囲温度 定常状態 Rθja ■端子配列図 Typ. Max. 65 単位 ℃/W 230 ℃/W ■回路 � SOT-23(TOP VIEW) � � 備考 � 端子番号 1 端子記号 GATE 2 SOURCE 3 DRAIN � � 4-1 シングル N チャンネル MOSFET ELM33408CA-S ■電気的特性 項目 記号 条件 特に指定なき場合、Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 備考 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 BVdss Id=250μA, Vgs=0V ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 Idss Vds=16V, Vgs=0V Vds=16V, Vgs=0V, Ta=125℃ ゲート漏れ電流 Igss Vds=0V, Vgs=±16V ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA オン状態ドレイン電流 Id(on) Vgs=4.5V, Vds=10V Vgs=4.5V, Id=3A ドレイン - ソースオン状態抵抗 Rds(on) Vgs=2.5V, Id=1.5A ダイオード順方向電圧 Vsd If=Is, Vgs=0V 最大寄生ダイオード連続電流 ダイオード パルス電流 動的特性 20 V 1 10 μA ±100 nA 0.45 0.75 1.20 6 42.0 50.8 60 100 1.3 V A 1 mΩ 1 V 1 Is 2.3 A Ism 4.6 A 3 入力容量 出力容量 帰還容量 Ciss Coss Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz Crss 450 100 60 pF pF pF スイッチング特性 総ゲート電荷 ゲート - ソース電荷 Qg Qgs 12.0 25.0 3.0 nC nC 2 2 ゲート - ドレイン電荷 Qgd nC 2 Vgs=4.5V, Vds=10V, Id=3A 4.5 ターン ・ オン遅延時間 ターン ・ オン立ち上がり時間 td(on) tr Vgs=4.5V, Vds=10V, Id=1A ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 td(off) RL=1Ω, Rgen=0.2Ω tf 備考 : 1. パルステスト ： パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2％ 2. 動作温度は独立しています 3. パルス幅は最大接合温度によって制限されています 4. デューティーサイクル≦1％ 4-2 6 5 12 10 ns ns 2 2 16 5 40 20 ns ns 2 2 NIKO-SEM P5002CMG N-Channel Logic Level Enhancement Mode シングル N チャンネル MOSFET Field Effect Transistor SOT-23 Lead-Free ELM33408CA-S ■標準特性と熱特性曲線 Body Diode Forward Voltage Variation with Source Current and Temperature 100 VGS= 0V Is - Reverse Drain Current(A) 10 4-3 25° C 0.1 -55° C 0.01 0.001 0.0001 3 T = 125° C 1 0 0.6 0.2 0.4 0.8 VSD - Body Diode Forward Voltage(V) 1.0 1.2 Mar-22-2006 NIKO-SEM N-Channel Logic Level Enhancement Mode シングルField N チャンネル MOSFET Effect Transistor ELM33408CA-S 4 4-4 P5002CMG SOT-23 Lead-Free Mar-22-2006