シングル P チャンネル MOSFET

シングル P チャンネル MOSFET
ELM33405CA-S
■概要
■特長
ELM33405CA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低
・ Vds=-30V
ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。
・ Id=-2A
・ Rds(on) < 150mΩ (Vgs=-10V)
・ Rds(on) < 250mΩ (Vgs=-4.5V)
■絶対最大定格値
項目
記号
Vds
Vgs
ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧
Ta=25℃
連続ドレイン電流
特に指定なき場合、Ta=25℃
規格値
単位
備考
-30
V
±20
V
-2.0
Id
Ta=70℃
パルス ・ ドレイン電流
Idm
Tc=25℃
Tc=70℃
最大許容損失
Pd
接合温度範囲及び保存温度範囲
Tj, Tstg
A
-1.4
-10
A
1.25
0.80
-55 ~ 150
3
W
℃
■熱特性
項目
最大接合部 - 周囲温度
記号
定常状態
Rθja
■端子配列図
Typ.
Max.
単位
166
℃/W
■回路
�
SOT-23(TOP VIEW)
�
�
備考
�
端子番号
1
端子記号
GATE
2
3
SOURCE
DRAIN
�
�
4-1
シングル P チャンネル MOSFET
ELM33405CA-S
■電気的特性
項目
記号
特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位 備考
条件
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
BVdss Vgs=0V, Id=-250μA
-30
V
Vds=-24V, Vgs=0V
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
Idss
Vds=-20V
Vgs=0V
Ta=125℃
ゲート漏れ電流
Igss Vds=0V, Vgs=±20V
ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
オン状態ドレイン電流
Id(on) Vgs=-10V, Vds=-5V
ドレイン - ソースオン状態抵抗
Rds(on)
Vgs=-10V, Id=-2A
Vgs=-4.5V, Id=-1A
順方向相互コンダクタンス
Gfs
Vds=-5V, Id=-2A
ダイオード順方向電圧
最大寄生ダイオード連続電流
Vsd
Is
Is=-1A, Vgs=0V
ダイオード パルス電流
動的特性
入力容量
Ism
出力容量
帰還容量
スイッチング特性
総ゲート電荷
ゲート - ソース電荷
ゲート - ドレイン電荷
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
Ciss
Vgs=0V, Vds=-15V
Coss
f=1MHz
Crss
Qg
Qgs
Qgd
Vgs=-10V, Vds=-15V
Id=-2A
td(on)
tr
Vgs=-10V, Vds=-15V
td(off) Id=-1A, Rgen=6Ω
tf
備考 : 1. パルステスト : パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2%
2. 動作温度は独立しています
3. パルス幅は最大接合温度によって制限されています
4. デューティーサイクル≦1%
4-2
-1
-10
μA
±100 nA
-1.0 -1.5 -2.5
V
-5
A
100
180
150
mΩ
250
16
1
1
S
1
-1.2
-1.6
V
A
1
-3
A
3
410
pF
220
85
pF
pF
5.80 10.00 nC
2
0.85
1.70
nC
nC
2
2
13
36
42
ns
ns
ns
2
2
2
34
ns
2
NIKO-SEM
シングル P チャンネル MOSFET
P-Channel Logic Level Enhancement
ELM33405CA-S
Mode Field Effect Transistor
■標準特性と熱特性曲線
4-3
PA503EMG
SOT-23
Lead-Free
NIKO-SEM
P-Channel Logic Level Enhancement
シングル P チャンネル MOSFET
Mode Field Effect Transistor
ELM33405CA-S
4-4
4
PA503EMG
SOT-23
Lead-Free
Mar-22-2006