シングル N チャンネル MOSFET ELM36400EA-S ■概要 ■特長 ELM36400EA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低 ・ Vds=30V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=7A ・ Rds(on) < 27mΩ (Vgs=10V) ・ Rds(on) < 40mΩ (Vgs=4.5V) ■絶対最大定格値 項目 記号 Vgs ゲート - ソース電圧 Ta=25℃ 連続ドレイン電流 Id Ta=100℃ パルス ・ ドレイン電流 特に指定なき場合、Ta=25℃ 規格値 単位 備考 ±20 V 7 A 5 Idm Tc=25℃ 最大許容損失 Tc=100℃ 接合温度範囲及び保存温度範囲 Pd Tj, Tstg 20 1.6 A 3 W 1.2 - 55 ～ 150 ℃ ■熱特性 項目 最大接合部 - ケース 定常状態 記号 Rθjc 最大接合部 - 周囲温度 定常状態 Rθja ■端子配列図 SOT-26(TOP VIEW) Typ. Max. 30 単位 ℃/W 78 ℃/W 備考 ■回路 端子番号 1 端子記号 DRAIN 2 3 4 DRAIN GATE SOURCE 5 6 DRAIN DRAIN 4-1 � � � シングル N チャンネル MOSFET ELM36400EA-S ■電気的特性 項目 記号 条件 特に指定なき場合、 Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 備考 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 BVdss Id=250μA, Vgs=0V ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 Idss Vds=24V, Vgs=0V Vds=20V, Vgs=0V, Ta=125℃ ゲート漏れ電流 Igss Vds=0V, Vgs=±20V ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA オン状態ドレイン電流 Id(on) Vgs=10V, Vds=5V Vgs=10V, Id=7A ドレイン - ソースオン状態抵抗 Rds(on) Vgs=4.5V, Id=5A 順方向相互コンダクタンス Gfs Vds=5V, Id=7A ダイオード順方向電圧 最大寄生ダイオード連続電流 動的特性 Vsd 30 V 1 10 μA ±100 nA 1.0 20 1.5 3.0 V A 1 mΩ 1 S 1 1.1 V 1 3 A 23 27 32 14.4 40 If=1A, Vgs=0V Is 入力容量 出力容量 帰還容量 Ciss Coss Vgs=0V, Vds=10V, f=1MHz Crss 680 140 70 pF pF pF スイッチング特性 総ゲート電荷 ゲート - ソース電荷 Qg Qgs 10.0 15.0 1.7 nC nC 2 2 ゲート - ドレイン電荷 Qgd 2.1 nC 2 8.0 4.0 ns ns 2 2 22.0 5.0 ns ns 2 2 Vgs=10V, Vds=15V, Id=7A ターン ・ オン遅延時間 ターン ・ オン立ち上がり時間 td(on) tr Vgs=10V, Vds=10V, Id=1A ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 td(off) Rgen=6Ω tf 備考 : 1. パルステスト ： パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2％ 2. 動作温度は独立しています 3. パルス幅は最大接合温度によって制限されています 4. デューティーサイクル≦1％ 4-2 NIKO-SEM P2703BAG N-Channel Logic Level Enhancement Mode シングル N チャンネル MOSFET Field Effect Transistor_Preliminary TSOP-6 Lead-Free ELM36400EA-S I ,DRAIN - SOURCE CURRENT( A ) ■標準特性と熱特性曲線 0 I S,REVERSE DRAIN CURRENT( A ) 100 VGS= 0V 10 4-3 TA = 125°C 1 25°C 0.1 -55°C 0.01 0.001 0.0001 3 BODY DIODE FORWARD VOLTAGE VARIATION WITH SOURCE CURRENT AND TEMPERATURE 0 0.8 0.2 1.0 1.2 0.4 0.6 VSD ,BODY DIODE FORWARD VOLTAGE( V ) 1.4 AUG-12-2005 シングル N チャンネル MOSFET N-Channel Logic Level Enhancement Mode ELM36400EA-S Field Effect Transistor_Preliminary NIKO-SEM TSOP-6 Lead-Free TRANSIENT THERMAL RESPONSE CURVE 1 D=0.5 10 0 0.20 0.10 10 10 10 10 -1 -2 0.05 0.02 0.01 Single pulse P(pk) TRANSIENT THERMAL RESISTANCE r ( t ) ,NORMALIZED EFFECTIVE 10 P2703BAG t1 -3 t2 1.R� JC (t)=r(t)*R 2.R � JC = 156° C/W 3.T j + TC = P * R� JC (t) t1 4.Duty Cycle,D = t2 -4 10 -4 10 -3 10 -2 -1 10 10 t1 , TIME( ms ) 0 10 1 10 4 4- 4 2 10 3 AUG-12-2005