elm32412la

シングル N チャンネル MOSFET
ELM32412LA-S
■概要
■特長
ELM32412LA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低
・ Vds=40V
ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。
・ Id=12A
・ Rds(on) < 25mΩ (Vgs=10V)
・ Rds(on) < 45mΩ (Vgs=4.5V)
■絶対最大定格値
項目
記号
Vds
Vgs
ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧
Ta=25℃
連続ドレイン電流
Ta=100℃
パルス ・ ドレイン電流
特に指定なき場合、Ta=25℃
規格値
単位
備考
40
V
±20
V
12
Id
Idm
Tc=25℃
Tc=100℃
最大許容損失
接合温度範囲及び保存温度範囲
Pd
Tj, Tstg
A
10
45
A
41
32
- 55 ～ 150
3
W
℃
■熱特性
項目
最大接合部 - ケース
定常状態
記号
Rθjc
最大接合部 - 周囲温度
定常状態
Rθja
■端子配列図
Typ.
Max.
3
単位
℃/W
75
℃/W
備考
■回路
�
TO-252-3(TOP VIEW)
���
端子番号
1
2
端子記号
GATE
DRAIN
3
SOURCE
�
�
�
4-1
�
�
シングル N チャンネル MOSFET
ELM32412LA-S
■電気的特性
項目
記号
条件
特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位 備考
静的特性
ドレインーソース降伏電圧
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
Idss
Vds=32V, Vgs=0V
Vds=30V, Vgs=0V, Ta=125℃
ゲート漏れ電流
Igss
Vds=0V, Vgs=±20V
ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
オン状態ドレイン電流
Id(on) Vgs=10V, Vds=10V
Vgs=10V, Id=12A
ドレインーソースオン状態抵抗 Rds(on)
Vgs=4.5V, Id=10A
順方向相互コンダクタンス
Gfs Vds=10V, Id=12A
ダイオード順方向電圧
Vsd
最大寄生ダイオード連続電流
ダイオード　パルス電流
Is
Ism
動的特性
入力容量
出力容量
40
V
1
10
±250 nA
1
45
2
3
V
A
1
mΩ
1
S
1
1.2
V
1
12
40
A
A
3
21
25
35
18
45
If=Is, Vgs=0V
Ciss
Coss Vgs=0V, Vds=10V, f=1MHz
μA
760
165
pF
pF
帰還容量
スイッチング特性
総ゲート電荷
Crss
55
pF
Qg
16.0
nC
2
ゲートーソース電荷
Qgs
2.5
nC
2
2.1
2.1
nC
ns
2
2
7.2 14.0
11.6 21.0
3.5 7.2
ns
ns
ns
2
2
2
14.5
ns
7.2
nC
Vgs=10V, Vds=20V, Id=12A
ゲートードレイン電荷
ターン ・ オン遅延時間
Qgd
td(on)
ターン ・ オン立ち上がり時間
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
tr
Vgs=10V, Vds=20V, Id=1A
td(off) RL=1Ω, Rgen=6Ω
tf
寄生ダイオード逆回復時間
trr
寄生ダイオード逆回復電荷量
Qrr
If=5A, dIf/dt=100A/μs
備考 :　1. パルステスト ： パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2％
2. 動作温度は独立しています
3. パルス幅は最大接合温度によって制限されています
4. デューティーサイクル≦1％
4-2
4.2
NIKO-SEM
シングル N
チャンネル
MOSFET
N-Channel
Logic
Level Enhancement
P2504BDG
Mode FieldELM32412LA-S
Effect Transistor ( Preliminary )
■標準特性と熱特性曲線
TO-252 (DPAK)
Lead-Free
Body Diode Forward Voltage Variation with Source Current and Temperature
100
V GS = 0V
T A = 125°C
Is - Reverse Drain Current(A)
10
25°C
1
-55°C
0.1
0.01
0.001
0
0.2
0.6
0.8
1.0
0.4
VSD - Body Diode Forward Voltage(V)
1.2
1.4
4-3
3
JAN-17-2005
NIKO-SEM
N-Channel
Level MOSFET
Enhancement P2504BDG
シングル
NLogic
チャンネル
Mode Field
Effect Transistor ( Preliminary )
ELM32412LA-S
TO-252 (DPAK)
Lead-Free
4-4
4
JAN-17-2005