elm32412la

单 N 沟道 MOSFET
ELM32412LA-S
■概要
■特点
ELM32412LA-S 是 N 沟道低输入电容,低工作电压,
·Vds=40V
低导通电阻的大电流 MOSFET。
·Id=12A
·Rds(on) < 25mΩ (Vgs=10V)
·Rds(on) < 45mΩ (Vgs=4.5V)
■绝对最大额定值
项目
记号
漏极 - 源极电压
栅极 - 源极电压
如没有特别注明时 ,Ta=25℃
规格范围
单位
备注
Vds
Vgs
Ta=25℃
漏极电流(定常)
40
±20
12
Id
Ta=100℃
漏极电流(脉冲)
Tc=25℃
Pd
Tc=100℃
结合部温度及保存温度范围
Tj, Tstg
A
10
Idm
容许功耗
V
V
45
41
A
3
W
32
- 55 ~ 150
℃
■热特性
项目
最大结合部 - 封装热阻
最大结合部 - 环境热阻
稳定状态
记号
Rθjc
稳定状态
Rθja
■引脚配置图
典型值
最大值
3
单位
℃/W
75
℃/W
■电路图
D
TO-252-3(俯视图)
TAB
2
1
3
引脚编号
1
引脚名称
GATE
2
3
DRAIN
SOURCE
4- 1
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G
S
备注
单 N 沟道 MOSFET
ELM32412LA-S
■电特性
项目
记号
条件
如没有特别注明时 ,Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位 备注
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
栅极漏电电流
Igss
40
V
Vds=32V,Vgs=0V
1
Vds=30V,Vgs=0V, Ta=125℃
10
Vds=0V, Vgs=±20V
栅极阈值电压
导通时漏极电流
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Id(on) Vgs=10V, Vds=10V
漏极 - 源极导通电阻
Rds(on)
1
45
Vgs=10V, Id=12A
Vgs=4.5V, Id=10A
Vds=10V, Id=12A
2
21
35
18
μA
±250
nA
3
V
A
1
mΩ
1
S
1
1.2
12
V
A
1
40
A
3
25
45
正向跨导
Gfs
二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流
Vsd
Is
二极管脉冲电流
Ism
动态特性
输入电容
输出电容
Ciss
Coss Vgs=0V, Vds=10V, f=1MHz
760
165
pF
pF
Crss
55
pF
Qg
16.0
nC
2
Vgs=10V, Vds=20V, Id=12A
2.5
2.1
nC
nC
2
2
td(on)
tr
Vgs=10V, Vds=20V , Id=1A
td(off) RL=1Ω, Rgen=6Ω
2.1
7.2
11.6
4.2
14.0
21.0
ns
ns
ns
2
2
2
3.5
14.5
7.2
7.2
ns
ns
nC
2
反馈电容
开关特性
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
导通上升时间
关闭延迟时间
关闭下降时间
寄生二极管反向恢复时间
寄生二极管反向恢复电荷
Qgs
Qgd
tf
trr
Qrr
If=Is, Vgs=0V
If=5A, dIf/dt=100A/μs
备注:
1.脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒,
占空比≤2%。
2. 独立于工作温度。
3. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制。
4. 占空比≤1%。
4- 2
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NIKO-SEM
单 NLogic
沟道Level
MOSFET
N-Channel
Enhancement P2504BDG
Mode Field ELM32412LA-S
Effect Transistor ( Preliminary )
■标准特性和热特性曲线
TO-252 (DPAK)
Lead-Free
Body Diode Forward Voltage Variation with Source Current and Temperature
100
V GS = 0V
T A = 125°C
Is - Reverse Drain Current(A)
10
25°C
1
-55°C
0.1
0.01
0.001
0
0.2
0.6
0.8
1.0
0.4
VSD - Body Diode Forward Voltage(V)
1.2
1.4
4- 3
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3
JAN-17-2005
NIKO-SEM
单 N Logic
沟道 MOSFET
N-Channel
Level Enhancement P2504BDG
Mode Field
Effect Transistor ( Preliminary )
ELM32412LA-S
TO-252 (DPAK)
Lead-Free
4- 4
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JAN-17-2005