シングル P チャンネル MOSFET ELM321504A-S ■概要 ■特長 ELM321504A-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低 ・ Vds=-40V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=-45A ・ Rds(on) < 15mΩ (Vgs=-10V) ・ Rds(on) < 29mΩ (Vgs=-4.5V) ■絶対最大定格値 項目 特に指定なき場合、Ta=25℃ 規格値 単位 備考 記号 ドレイン - ソース電圧 Vds Vgs ゲート - ソース電圧 Ta=25℃ 連続ドレイン電流 Id Ta=70℃ パルス ・ ドレイン電流 アバランシェ電流 アバランシェエネルギー 最大許容損失 L=0.1mH Tc=25℃ Tc=70℃ 接合温度範囲及び保存温度範囲 -40 ±20 -45 V V A -36 Idm Ias -150 -45 A A 3 Eas 102 50 32 mJ 4 -55 ～ 150 ℃ Pd Tj, Tstg W ■熱特性 項目 記号 最大接合部 - ケース 最大接合部 - 周囲温度 Rθjc Rθja ■端子配列図 Typ. Max. 単位 2.5 75.0 ℃/W ℃/W 備考 ■回路 � TO-252-3(TOP VIEW) ��� � � 端子番号 1 2 端子記号 GATE DRAIN 3 SOURCE � 5-1 � � シングル P チャンネル MOSFET ELM321504A-S ■電気的特性 項目 記号 条件 特に指定なき場合、 Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 備考 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 BVdss Id=-250μA, Vgs=0V Idss Rds(on) -1 Vds=-30V, Vgs=0V Ta=55℃ -10 13 19 24 Gfs Vds=-5V, Id=-25A ダイオード順方向電圧 最大寄生ダイオード連続電流 Vsd Is If=Is, Vgs=0V 帰還容量 ゲート抵抗 スイッチング特性 総ゲート電荷 ゲート - ソース電荷 ゲート - ドレイン電荷 ターン ・ オン遅延時間 ターン ・ オン立ち上がり時間 ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 寄生ダイオード逆回復時間 寄生ダイオード逆回復電荷量 Ciss Vgs=0V, Vds=-15V Coss f=1MHz Crss Rg Vgs=-15mV, Vds=0V, f=1MHz Qg Qgs Qgd Vgs=-10V, Vds=-20V Id=-25A td(on) Vgs=-10V, Vds=-20V tr Id=-1A, RL=0.75Ω td(off) Rgen=6Ω tf trr Qrr -1.7 -150 If=-25A, dlf/dt=100A/μs 備考 : 1. パルステスト ： パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2％ 2. 動作温度は独立しています 3. パルス幅は最大接合温度によって制限されています 4. Vdd=-20V, 立ち上がり Tj=25℃ 5-2 μA ±100 nA -2.2 -3.0 V A Vgs=-10V, Id=-25A Vgs=-4.5V, Id=-15A 順方向相互コンダクタンス 動的特性 入力容量 出力容量 V Vds=-32V, Vgs=0V ゲート漏れ電流 Igss Vds=0V, Vgs=±20V ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA オン状態ドレイン電流 Id(on) Vds=-5V, Vgs=-10V ドレイン - ソースオン状態抵抗 -40 -0.7 15 29 -1.3 -25 1 mΩ 1 S 1 V A 1 2700 2950 pF 400 430 pF 230 3.5 250 4.5 pF Ω 40 45 nC 2 10 5 13 8 nC nC 2 2 11 75 89 ns ns ns 2 2 2 35 ns 2 28 26 ns nC シングル P チャンネル MOSFET ELM321504A-S ■標準特性と熱特性曲線 5-3 シングル P チャンネル MOSFET ELM321504A-S � � � � � � � � � � 5-4 シングル P チャンネル MOSFET ELM321504A-S ■テスト回路と波形 5- 5