シングル P チャンネル MOSFET ELM323506A-S ■概要 ■特長 ELM323506A-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低 ・ Vds=-60V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=-26A ・ Rds(on) < 35mΩ (Vgs=-10V) ・ Rds(on) < 55mΩ (Vgs=-7V) ■絶対最大定格値 項目 特に指定なき場合、Ta=25℃ 規格値 単位 備考 記号 ドレイン - ソース電圧 Vds Vgs ゲート - ソース電圧 Ta=25℃ 連続ドレイン電流 Id Ta=100℃ パルス ・ ドレイン電流 アバランシェ電流 アバランシェエネルギー L=0.1mH Tc=25℃ Tc=100℃ 最大許容損失 接合温度範囲及び保存温度範囲 -60 ±20 -26 V V A -16 Idm Ias -100 -39 A A 3 Eas 77 42 17 mJ 5 -55 ～ 150 ℃ Pd Tj, Tstg W ■熱特性 項目 記号 最大接合部 - ケース 最大接合部 - 周囲温度 Rθjc Rθja ■端子配列図 Typ. Max. 単位 3 50 ℃/W ℃/W 備考 ■回路 � TO-252-3(TOP VIEW) ��� � � � 端子番号 1 端子記号 GATE 2 3 DRAIN SOURCE 4-1 � � シングル P チャンネル MOSFET ELM323506A-S ■電気的特性 項目 記号 条件 特に指定なき場合、 Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 備考 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 BVdss Id=-250μA, Vgs=0V Idss -60 V Vds=-48V, Vgs=0V -1 Vds=-40V, Vgs=0V Ta=55℃ -10 ゲート漏れ電流 Igss Vds=0V, Vgs=±20V ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA オン状態ドレイン電流 Id(on) Vds=-5V, Vgs=-10V -2.0 -100 ±100 nA -2.7 -4.0 V A Rds(on) Vgs=-10V, Id=-25A Vgs=-7V, Id=-20A 29 32 順方向相互コンダクタンス Gfs Vds=-5V, Id=-25A 15 ダイオード順方向電圧 最大寄生ダイオード連続電流 Vsd Is If=-25A, Vgs=0V ドレイン - ソースオン状態抵抗 動的特性 入力容量 出力容量 帰還容量 ゲート抵抗 スイッチング特性 総ゲート電荷 ゲート - ソース電荷 ゲート - ドレイン電荷 ターン ・ オン遅延時間 ターン ・ オン立ち上がり時間 ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 寄生ダイオード逆回復時間 寄生ダイオード逆回復電荷量 Ciss Vgs=0V, Vds=-30V Coss f=1MHz Crss Rg Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz Qg Qgs Qgd Vgs=-10V, Vds=-30V Id=-25A td(on) Vgs=-10V, Vds=-30V tr Id=-20A, RL=1Ω td(off) Rgen=6Ω tf trr Qrr If=-25A, dlf/dt=100A/μs 備考 : 1. パルステスト ： パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2％ 2. 動作温度は独立しています 3. パルス幅は最大接合温度によって制限されています 4. デューティーサイクル≦1％ 5. Vdd=-30V, 立ち上がり Tj=25℃ 4-2 μA 35 55 -1.3 -26 1 mΩ 1 S 1 V A 1 2550 241 pF pF 140 4.85 pF Ω 39 nC 2 13 8 nC nC 2 2 30 90 70 ns ns ns 2 2 2 15 ns 2 30 100 ns nC シングル P チャンネル MOSFET ELM323506A-S ■標準特性と熱特性曲線 � � � � � � � � � 4-3 シングル P チャンネル MOSFET ELM323506A-S � � �� �� �� �� �� � � � � � � � � � 4-4