elm35601ka

コンプリメンタリーパワー MOSFET
ELM35601KA-S
■概要
■特長
ELM35601KA-S は低入力容量、
N チャンネル
P チャンネル
低電圧駆動、 低オン抵抗という特
・ Vds=40V
性を備えた大電流 MOSFET です。
・ Id=7A
Id=-5.5A
・ Rds(on) < 28mΩ(Vgs=10V) Rds(on) < 48mΩ(Vgs=-10V)
Vds=-40V
・ Rds(on) < 49mΩ(Vgs=5V)
■絶対最大定格値
項目
ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧
連続ドレイン電流
記号
Vds
Vgs
Ta=25℃
N-ch (Max.)
40
±20
-5.5
6.0
50
-4.5
-50
3.0
2.1
-55 ～ 150
3.0
2.1
-55 ～ 150
Idm
パルス ・ ドレイン電流
Tc=25℃
Tc=70℃
接合温度範囲及び保存温度範囲
最大許容損失
Pd
Tj,Tstg
特に指定なき場合、 Ta=25℃
P-ch (Max.)
単位 備考
-40
V
±20
V
7.0
Id
Ta=70℃
Rds(on) < 85mΩ(Vgs=-5V)
A
A
3
W
℃
■熱特性
項目
最大接合部 - 周囲温度
記号
Rθja
Device
N-ch
最大接合部 - ケース
最大接合部 - 周囲温度
Rθjc
Rθja
最大接合部 - ケース
Rθjc
Max.
42
単位
℃/W
N-ch
P-ch
6
42
℃/W
℃/W
P-ch
6
℃/W
■端子配列図
Typ.
備考
■回路
TO-252-4(TOP VIEW)
・ N－ch
端子番号
1
2
端子記号
SOURCE1
GATE1
3
4
TAB
SOURCE2
GATE2
DRAIN1/DRAIN2
7- 1
・ P－ch
D2
D1
G2
G1
S1
S2
コンプリメンタリーパワー MOSFET
ELM35601KA-S
■電気特性 (N-ch)
項目
記号
条件
特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位 備考
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
40
Vds=32V, Vgs=0V
1
10
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
Idss
Vds=30V, Vgs=0V
Ta=55℃
ゲート漏れ電流
Igss
Vds=0V, Vgs=±20V
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
1.2
オン状態ドレイン電流
Id(on) Vgs=10V, Vds=5V
Vgs=10V, Id=7A
Rds(on)
Vgs=5V, Id=6A
Gfs Vds=10V, Id=7A
Vsd If=7A, Vgs=0V
50
順方向相互コンダクタンス
ダイオード順方向電圧
動的特性
入力容量
出力容量
Ciss
Coss
帰還容量
Crss
スイッチング特性
総ゲート電荷
ゲート - ソース電荷
ゲート - ドレント電荷
Qg
Qgs
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
寄生ダイオード逆回復時間
寄生ダイオード逆回復電荷量
Vgs=0V, Vds=10V
f=1MHz
μA
±100 nA
ゲート ・ スレッシュホールド電圧
ドレイン - ソースオン状態抵抗
V
2.0
3.0
V
A
1
mΩ
1
1.2
S
V
1
1
530
118
662
165
pF
pF
44
66
pF
24
28
38
19
49
12.8
2.0
nC
nC
2
2
Qgd
td(on)
tr
Vgs=10V, Vds=20V
1.7
1.8
6.0
nC
ns
ns
2
2
2
td(off) Id=1A, Rgen=6Ω
tf
trr
If=8A, dlf/dt=100A/μs
8.2
3.0
42
ns
ns
ns
2
2
Vgs=10V, Vds=20V
Id=7A
Qrr
30
備考 :　1. パルステスト ： パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2％
2. 動作温度は独立しています
3. パルス幅は最大接合温度によって制限されています
4. デューティーサイクル≦1％
7- 2
3.5
12.0
15.1
5.9
nC
NIKO-SEM
N- & P-Channel Enhancement Mode
コンプリメンタリーパワー
Field Effect TransistorMOSFET
ELM35601KA-S
P2804ND5G
TO-252-5
Lead-Free
■標準特性曲線 (N-ch)
Body Diode Forward Voltage Variation with Source Current and Temperature
100
V GS = 0V
T A = 125°C
Is - Reverse Drain Current(A)
10
-55°C
0.1
0.01
0.001
7 - 34
25°C
1
0
0.2
0.6
0.8
1.0
0.4
VSD - Body Diode Forward Voltage(V)
1.2
1.4
SEP-16-2005
NIKO-SEM
コンプリメンタリーパワー MOSFET
N- & P-Channel
Enhancement Mode
ELM35601KA-S
Field Effect Transistor
7- 4
5
P2804ND5G
TO-252-5
Lead-Free
SEP-16-2005
コンプリメンタリーパワー MOSFET
ELM35601KA-S
■電気特性 (P-ch)
項目
記号
条件
特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位 備考
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
BVdss Id=-250μA, Vgs=0V
-40
Vds=-32V, Vgs=0V
-1
-10
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
Idss
Vds=-30V, Vgs=0V
Ta=55℃
ゲート漏れ電流
Igss
Vds=0V, Vgs=±20V
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
-1.2
オン状態ドレイン電流
Id(on) Vgs=-10V, Vds=-5V
Vgs=-10V, Id=-5.5A
Rds(on)
Vgs=-5V, Id=-4.5A
Gfs Vds=-10V, Id=-5.5A
Vsd If=-5.5A, Vgs=0V
-50
順方向相互コンダクタンス
ダイオード順方向電圧
動的特性
入力容量
出力容量
Ciss
Coss
帰還容量
Crss
スイッチング特性
総ゲート電荷
ゲート - ソース電荷
ゲート - ドレント電荷
Qg
Qgs
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
寄生ダイオード逆回復時間
寄生ダイオード逆回復電荷量
Vgs=0V, Vds=-10V
f=1MHz
Vgs=-10V, Vds=-20V
Id=-5.5A
Qgd
td(on)
tr
Vgs=-10V, Vds=-20V
td(off) Id=-1A, Rgen=6Ω
tf
trr
If=-7A, dlf/dt=100A/μs
Qrr
-2.0
1. パルステスト ： パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2％
2. 動作温度は独立しています
3. パルス幅は最大接合温度によって制限されています
7- 5
-3.0
V
A
1
mΩ
1
-1.2
S
V
1
1
690
310
863
430
pF
pF
75
113
pF
37
48
56
11
85
14.0
2.2
nC
nC
2
2
1.9
6.7
9.7
13.4
19.4
nC
ns
ns
2
2
2
19.8 35.6
12.3 22.2
55
ns
ns
ns
2
2
52
備考 :　μA
±100 nA
ゲート ・ スレッシュホールド電圧
ドレイン - ソースオン状態抵抗
V
nC
NIKO-SEM
N- & P-Channel Enhancement Mode
コンプリメンタリーパワー
MOSFET
Field Effect Transistor
ELM35601KA-S
P2804ND5G
TO-252-5
Lead-Free
■標準特性曲線 (P-ch)
-Is - Reverse Drain Current(A)
100
V GS = 0V
10
1
0.1
T A = 125° C
25° C -55° C
0.01
0.001
0
0.2
0.6
0.8
1.0
1.2
0.4
-VSD - Body Diode Forward Voltage(V)
1.4
7- 6
6
SEP-16-2005
NIKO-SEM
コンプリメンタリーパワー MOSFET
N- & P-Channel Enhancement Mode
ELM35601KA-S
Field
Effect Transistor
7- 7
7
P2804ND5G
TO-252-5
Lead-Free
SEP-16-2005