双 N 沟道 MOSFET ELM16800EA-S ■概要 ■特点 ELM16800EA-S 是 N 沟道低输入电容、低工作电压、 ·Vds=30V 低导通电阻的大电流 MOSFET，内藏有两个 MOSFET。 ·Id=3.4A (Vgs=10V) ·Rds(on) < 60mΩ (Vgs=10V) ·Rds(on) < 75mΩ (Vgs=4.5V) ·Rds(on) < 115mΩ (Vgs=2.5V) ■绝对最大额定值 项目 如没有特别注明时, Ta=25℃ 规格范围 单位 备注 记号 漏极 - 源极电压 Vds Vgs 栅极 - 源极电压 Ta=25℃ 漏极电流（定常） 30 ±12 3.4 Id Ta=70℃ 漏极电流（脉冲） 2.7 20 Idm Tc=25℃ 容许功耗 1.15 Pd Tc=70℃ 结合部温度及保存温度范围 V V 1 A 2 W 0.73 -55 ~ 150 Tj, Tstg A ℃ ■热特性 项目 最大结合部 - 环境热阻 记号 最大结合部 - 环境热阻 最大结合部 - 引脚架热阻 t≦10s 稳定状态 Rθja 稳定状态 Rθjl ■引脚配置图 1 5 2 最大值 110 150 单位 ℃/W ℃/W 备注 64 80 ℃/W 3 1 ■电路图 SOT-26(俯视图) 6 典型值 78 106 4 3 引脚编号 引脚名称 1 2 3 GATE1 SOURCE2 GATE2 4 5 6 DRAIN2 SOURCE1 DRAIN1 D2 D1 G2 G1 4-1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 S1 S2 双 N 沟道 MOSFET ELM16800EA-S ■电特性 项目 记号 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 条件 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=250μA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss Vds=24V，Vgs=0V 栅极漏电电流 Igss Vds=0V, Vgs=±12V 栅极阈值电压 导通时漏极电流 1 Ta=55℃ 1.4 V A Vgs=4.5V, Id=3A 50 66 60 60 80 75 88 7.8 115 0.8 1.0 V 1.5 A 正向跨导 Gfs 二极管正向压降 Vsd Is=1A, Vgs=0V Ciss 输出电容 反馈电容 栅极电阻 Coss Crss Rg μA 1.0 Vgs=2.5V, Id=2A Vds=5V, Id=3A 寄生二极管最大连续电流 动态特性 输入电容 5 nA Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V Rds(on) V 100 Vgs=10V，Id=3.4A 漏极 - 源极导通电阻 30 0.6 20 Ta=125℃ Is mΩ S 390.0 pF 54.5 41.0 3 pF pF Ω 4.96 nC 栅极 - 漏极电荷 导通延迟时间 Qgs Vgs=4.5V, Vds=15V, Id=3.4A Qgd td(on) 0.80 1.72 6.8 nC nC ns 导通上升时间 关闭延迟时间 关闭下降时间 tr Vgs=10V, Vds=15V td(off) RL=4.7Ω, Rgen=6Ω tf 3.6 35.2 13.7 ns ns ns 开关特性 总栅极电荷 栅极 - 源极电荷 Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz Qg 寄生二极管反向恢复时间 trr If=3.4A, dlf/dt=100A/μs 11.4 ns 寄生二极管反向恢复电荷 Qrr If=3.4A, dlf/dt=100A/μs 6.0 nC 备注： 1．Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外，实际阻值还受到 电路板设计的影响，并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。 2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。 3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻和结合部 - 环境热阻的和。 4. 标准特性图 1 ～ 6 是在脉冲为 80μs，最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。 5. 参数是在 Ta=25℃，将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。 4-2 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 双 N 沟道 MOSFET ELM16800EA-S ■标准特性和热特性曲线 15 10 10V 3V Vds=5V 8 4.5V 25°C 9 Id (A) Id (A) 12 2.5V 6 3 125°C 6 4 2 Vgs=2V 0 0 0 1 2 3 4 5 0 0.5 Vds (Volts) Fig 1: On-Region Characteristics 1.5 2 2.5 3 3.5 Vgs (Volts) Figure 2: Transfer Characteristics 150 Normalized On-Resistance 1.8 125 Rds(on) (m� ) 1 Vgs=2.5V 100 Vgs=4.5V 75 50 Vgs=10V 25 0 1.6 Vgs=4.5V Vgs=10V 1.4 1.2 Vgs=2.5V 1 0.8 0 2 4 6 8 10 0 25 Id (A) Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage 50 75 100 125 150 175 Temperature (°C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature 1.0E+01 200 1.0E+00 Id=2A 1.0E-01 100 Is (A) Rds(on) (m� ) 150 125°C 125°C 1.0E-02 1.0E-03 50 25°C 25°C 1.0E-04 1.0E-05 0 0 2 4 6 8 10 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 Vsd (Volts) Figure 6: Body-Diode Characteristics Vgs (Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage 4-3 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 1.2 双 N 沟道 MOSFET ELM16800EA-S 5 500 Capacitance (pF) 4 Vgs (Volts) 600 Vds=15V Id=3.4A 3 2 1 Ciss 400 300 200 0 0 1 2 3 4 5 0 6 0 Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge Characteristics Rds(on) limited 100�s 1ms 10s DC 0.1 1 Z� ja Normalized Transient Thermal Resistance 25 30 Tj(max)=150°C Ta=25°C 10 Vds (Volts) 10 0 0.001 100 D=Ton/T Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja R�ja=110°C/W 0.01 0.1 1 10 100 1000 Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5) Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note 5) 10 20 5 1s 0.1 15 15 10�s 0.1s 10ms 1.0 10 20 Tj(max)=150°C Ta=25°C 10.0 5 Vds (Volts) Figure 8: Capacitance Characteristics Power (W) Id (Amps) 100.0 Crss Coss 100 In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse 1 Pd 0.1 0.01 0.00001 Ton T Single Pulse 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 Pulse Width (s) Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance 4-4 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 100 1000