双 N 沟道 MOSFET ELM14826AA-N ■概要 ■特点 ELM14826AA-N 是 N 沟道低输入电容、低工作电压、 ·Vds=60V 低导通电阻的大电流 MOSFET，内藏有两个 MOSFET。 ·Id=6.3A (Vgs=10V) ·Rds(on) < 25mΩ (Vgs=10V) ·Rds(on) < 30mΩ (Vgs=4.5V) ■绝对最大额定值 项目 记号 漏极 - 源极电压 如没有特别注明时, Ta=25℃ 规格范围 单位 备注 Vds Vgs 栅极 - 源极电压 Ta=25℃ Ta=70℃ 漏极电流（定常） 60 ±20 6.3 5.0 40 Id 漏极电流（脉冲） Idm Tc=25℃ Tc=70℃ 容许功耗 结合部温度及保存温度范围 V V A 1 A 2 Pd 2.00 1.28 W Tj, Tstg -55 ~ 150 ℃ ■热特性 项目 最大结合部 - 环境热阻 最大结合部 - 环境热阻 最大结合部 - 引脚架热阻 记号 t≦10s 稳定状态 稳定状态 Rθja Rθjl ■引脚配置图 典型值 最大值 单位 50.0 62.5 ℃/W 73.0 31.0 110.0 40.0 ℃/W ℃/W 备注 1 3 ■电路图 SOP-8(俯视图) 1 8 2 7 3 6 4 5 引脚编号 引脚名称 1 2 3 SOURCE2 GATE2 SOURCE1 4 5 GATE1 DRAIN1 6 7 8 DRAIN1 DRAIN2 DRAIN2 D2 D1 G2 G1 4-1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 S1 S2 双 N 沟道 MOSFET ELM14826AA-N ■电特性 项目 记号 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 条件 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=250μA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss Vds=48V，Vgs=0V 栅极漏电电流 Igss Vds=0V, Vgs=±20V 栅极阈值电压 导通时漏极电流 漏极 - 源极导通电阻 60 1 Ta=55℃ Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA Id(on) Vgs=10V, Vds=5V Rds(on) Vgs=10V，Id=6.3A 5 1.0 40 Ta=125℃ Vgs=4.5V, Id=5.7A 正向跨导 二极管正向压降 寄生二极管最大连续电流 动态特性 输入电容 输出电容 反馈电容 栅极电阻 开关特性 总栅极电荷 (10V) 总栅极电荷 (4.5V) 栅极 - 源极电荷 Gfs Vsd V Vds=5V, Id=6.3A Is=1A, Vgs=0V 100 nA 2.1 3.0 V A 20 34 22 25 42 30 27 0.74 Is Ciss Coss Crss Rg Qg Qg μA mΩ 1.00 S V 3 A 2300 pF pF Vgs=0V, Vds=30V, f=1MHz 1920 155 Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz 116 0.65 0.80 pF Ω 47.6 24.2 58.0 30.0 nC nC Vgs=10V, Vds=30V, Id=6.3A 栅极 - 漏极电荷 导通延迟时间 Qgs Qgd td(on) 导通上升时间 关闭延迟时间 关闭下降时间 tr Vgs=10V, Vds=30V td(off) RL=4.7Ω, Rgen=3Ω tf 6.0 14.4 7.6 nC nC ns 5.0 28.9 5.5 ns ns ns 寄生二极管反向恢复时间 trr If=6.3A, dlf/dt=100A/μs 33.2 寄生二极管反向恢复电荷 Qrr If=6.3A, dlf/dt=100A/μs 43.0 40.0 ns nC 备注： 1．Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外，实际阻值还受到 电路板设计的影响，并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。 2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。 3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻和结合部 - 环境热阻的和。 4. 标准特性图 1 ～ 6 是在脉冲为 80μs，最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。 5. 参数是在 Ta=25℃，将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。 4-2 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 双 N 沟道 MOSFET ELM14826AA-N ■标准特性和热特性曲线 40 30 10V 4V 25 4.5V 20 3.5V 125°C 15 10 10 25°C 5 Vgs=3V 0 0 1 2 3 4 0 5 1.5 Vds (Volts) Fig 1: On-Region Characteristics 2.5 3 3.5 4 22 Normalized On-Resistance 2.2 Vgs=4.5V 20 Vgs=10V 18 16 Vgs=10V 2 Id=6.3A 1.8 Vgs=4.5V 1.6 Id=5.7A 1.4 1.2 1 0.8 0 5 10 15 20 0 Id (A) Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage 25 50 75 100 125 150 175 Temperature (°C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature 1.0E+01 50 Id=6.3A 1.0E+00 40 125°C 125°C 1.0E-01 Is (A) Rds(on) (m� ) 2 Vgs (Volts) Figure 2: Transfer Characteristics 24 Rds(on) (m� ) Vds=5V 20 Id (A) Id (A) 30 30 25°C 1.0E-02 25°C 1.0E-03 20 1.0E-04 1.0E-05 10 2 4 6 8 0.0 10 0.2 0.4 0.6 0.8 Vsd (Volts) Figure 6: Body-Diode Characteristics Vgs (Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage 4-3 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 1.0 双 N 沟道 MOSFET ELM14826AA-N 10 3000 Capacitance (pF) 8 Vgs (Volts) 3500 Vds=15V Id=6.3A 6 4 2 Ciss 2500 2000 1500 Coss 1000 Crss 500 0 0 10 20 30 40 0 50 0 5 15 20 25 Vds (Volts) Figure 8: Capacitance Characteristics Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge Characteristics 40 Rds(on) limited 10�s 100�s 1ms 10.0 10ms 1s 1.0 0.1s 10s Tj(max)=150°C Ta=25°C 0 0.001 10 100 Vds (Volts) D=Ton/T Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja R�ja=62.5°C/W 0.01 0.1 1 10 100 1000 Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5) Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note 5) Z� ja Normalized Transient Thermal Resistance 20 10 1 10 Tj(max)=150°C Ta=25°C DC 0.1 0.1 30 30 Power (W) Id (Amps) 100.0 10 In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse 1 Pd 0.1 Ton Single Pulse 0.01 0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 T 10 Pulse Width (s) Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance 4-4 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 100 1000