单 N 沟道 MOSFET ELM32430LA-S ■概要 ■特点 ELM32430LA-S 是 N 沟道低输入电容,低工作电压, ·Vds=25V 低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Id=45A ·Rds(on) < 28mΩ (Vgs=10V) ·Rds(on) < 30mΩ (Vgs=7V) ■绝对最大额定值 项目 如没有特别注明时, Ta=25℃ 规格范围 单位 备注 ±20 V 记号 Vgs 栅极 - 源极电压 Ta=25℃ Ta=100℃ Id 45 28 A 漏极电流(脉冲) Idm 140 A 崩溃电流 崩溃能量 Iar Eas 20 140 A mJ Ear 5.6 55 33 mJ - 55 ~ 150 ℃ 漏极电流(定常) L=0.1mH 持续崩溃能量 L=0.05mH Tc=25℃ Tc=100℃ 容许功耗 Pd 结合部温度及保存温度范围 Tj, Tstg 3 4 W ■热特性 项目 最大结合部 - 封装热阻 记号 稳定状态 稳定状态 最大结合部 - 环境热阻 热阻 ( 封装 - 散热器 ) Rθjc Rθja Rθcs ■引脚配置图 典型值 最大值 单位 3.0 70.0 ℃/W ℃/W ℃/W 0.7 ■电路图 D TO-252-3(俯视图) TAB 2 1 3 引脚编号 1 引脚名称 GATE 2 3 DRAIN SOURCE 4-1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 G S 备注 单 N 沟道 MOSFET ELM32430LA-S ■电特性 项目 记号 条件 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 备注 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=250μA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss 栅极漏电电流 Igss 25 V Vds=20V,Vgs=0V 25 Vds=20V,Vgs=0V, Ta=125℃ 250 Vds=0V, Vgs=±20V 栅极阈值电压 导通时漏极电流 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA Id(on) Vgs=10V, Vds=10V 漏极 - 源极导通电阻 Rds(on) 0.8 45 Vgs=10V, Id=20A Vgs=7V, Id=18A Vds=15V, Id=30A 1.2 15 20 16 μA ±250 nA 2.5 V A 1 mΩ 1 S 1 1.3 45 V A 1 150 A 3 28 30 正向跨导 Gfs 二极管正向压降 寄生二极管最大连续电流 Vsd Is 二极管脉冲电流 Ism 动态特性 输入电容 输出电容 Ciss Coss Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz 600 290 pF pF Crss 100 pF Qg 25.0 nC 2 2.9 7.0 nC nC 2 2 7 7 24 ns ns ns 2 2 2 6 37 200 ns ns A 2 0.043 μC 反馈电容 开关特性 总栅极电荷 栅极 - 源极电荷 栅极 - 漏极电荷 导通延迟时间 导通上升时间 关闭延迟时间 Qgs Qgd If=Is, Vgs=0V Vgs=10V, Vds=12.5V, Id=20A td(on) tr Vgs=10V, Vds=15V, Id=30A td(off) RL=1Ω, Rgen=2.5Ω 关闭下降时间 tf 寄生二极管反向恢复时间 trr 寄生二极管反向恢复峰值电流 Irm(rec) If=Is, dIf/dt=100A/μs 寄生二极管反向恢复电荷 Qrr 备注: 1.脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒, 占空比≤2%。 2. 独立于工作温度。 3. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制。 4. 占空比≤1%。 4-2 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 NIKO-SEM N-Channel Logic Level Enhancement 单Field N 沟道 Mode EffectMOSFET Transistor ELM32430LA-S P45N02LDG TO-252 (DPAK) Lead-Free ■标准特性和热特性曲线 TYPICAL CHARACTERISTICS 4-3 如需确认语言的准确性 , 请参考3 ELM 的英文版或日文版。 Sep-02-2004 NIKO-SEM 单 N 沟道 MOSFET N-Channel Logic Level Enhancement ELM32430LA-S Mode Field Effect Transistor 4 4-4 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 P45N02LDG TO-252 (DPAK) Lead-Free Sep-02-2004