单 N 沟道 MOSFET ELM32424LA-S ■概要 ■特点 ELM32424LA-S 是 N 沟道低输入电容，低工作电压， ·Vds=25V 低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Id=50A ·Rds(on) < 9.5mΩ (Vgs=10V) ·Rds(on) < 16mΩ (Vgs=4.5V) ■绝对最大额定值 项目 如没有特别注明时 ,Ta=25℃ 规格范围 单位 备注 ±20 V 记号 Vgs 栅极 - 源极电压 Ta=25℃ Ta=100℃ Id 50 35 A 漏极电流（脉冲） Idm 200 A 崩溃电流 崩溃能量 Iar Eas 40 250 A mJ Ear 8.6 50 30 mJ - 55 ~ 150 ℃ 漏极电流（定常） L=0.1mH 持续崩溃能量 L=0.05mH Tc=25℃ Tc=100℃ 容许功耗 Pd 结合部温度及保存温度范围 Tj, Tstg 3 4 W ■热特性 项目 最大结合部 - 封装热阻 记号 稳定状态 稳定状态 最大结合部 - 环境热阻 热阻 ( 封装 - 散热器 ) Rθjc Rθja Rθcs ■引脚配置图 典型值 最大值 单位 2.5 62.5 ℃/W ℃/W ℃/W 0.6 ■电路图 D TO-252-3(俯视图) TAB 2 1 3 引脚编号 1 引脚名称 GATE 2 3 DRAIN SOURCE 4-1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 G S 备注 单 N 沟道 MOSFET ELM32424LA-S ■电特性 项目 记号 条件 如没有特别注明时 ,Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 备注 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=250μA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss 栅极漏电电流 Igss 25 V Vds=20V,Vgs=0V 25 Vds=20V,Vgs=0V, Ta=125℃ 250 Vds=0V, Vgs=±20V 栅极阈值电压 导通时漏极电流 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA Id(on) Vgs=10V, Vds=10V 漏极 - 源极导通电阻 Rds(on) 1.0 50 1.6 μA ±250 nA 3.0 V A 1 mΩ 1 S 1 Vgs=10V, Id=25A Vgs=4.5V, Id=20A Vds=10V, Id=25A 7.5 11.0 32 9.5 16.0 Is=25A, Vgs=0V 0.9 1.3 50 V A 1 150 A 3 正向跨导 Gfs 二极管正向压降 寄生二极管最大连续电流 Vsd Is 二极管脉冲电流 Ism 动态特性 输入电容 输出电容 Ciss Coss Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz 1200 600 1800 1000 pF pF Crss 350 500 pF Qg 25 50 nC 2 nC nC 2 2 反馈电容 开关特性 总栅极电荷 栅极 - 源极电荷 栅极 - 漏极电荷 导通延迟时间 导通上升时间 关闭延迟时间 Qgs Qgd Vgs=10V, Vds=10V, Id=25A 15 10 td(on) tr Vgs=10V, Vds=15V, Id=50A td(off) RL=1Ω, Rgen=24Ω 6 120 40 16 250 90 ns ns ns 2 2 2 105 70 200 200 ns ns A 2 关闭下降时间 tf 寄生二极管反向恢复时间 trr 寄生二极管反向恢复峰值电流 Irm(rec) If=Is, dIf/dt=100A/μs 寄生二极管反向恢复电荷 Qrr 0.043 备注： 1．脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒， 占空比≤2%。 2. 独立于工作温度。 3. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制。 4. 占空比≤1%。 4-2 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 μC NIKO-SEM N-Channel Logic Level Enhancement 单 N 沟道 MOSFET Mode Field Effect Transistor ELM32424LA-S P0903BDG TO-252 (DPAK) Lead-Free ■标准特性和热特性曲线 TYPICAL CHARACTERISTICS 3 4-3 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 SEP-24-2004 NIKO-SEM N-Channel Logic Level Enhancement 单 N Field 沟道Effect MOSFET Mode Transistor ELM32424LA-S 4 4-4 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 P0903BDG TO-252 (DPAK) Lead-Free SEP-24-2004