单 P 沟道 MOSFET ELM17401FA-S ■概要 ■特点 ELM17401FA-S 是 P 沟道低输入电容，低工作电 ·Vds=-30V 压，低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Id=-1.2A (Vgs=-10V) ·Rds(on) ＜ 150mΩ (Vgs=-10V) ·Rds(on) ＜ 200mΩ (Vgs=-4.5V) ·Rds(on) ＜ 280mΩ (Vgs=-2.5V) ■绝对最大额定值 项目 如没有特别注明时, Ta=25℃ 规格范围 单位 备注 记号 漏极 - 源极电压 Vds Vgs 栅极 - 源极电压 Ta=25℃ 漏极电流（定常） -30 ±12 -1.2 Id Ta=70℃ 漏极电流（脉冲） -1.0 -10 Idm Tc=25℃ 容许功耗 Pd Tc=70℃ 结合部温度及保存温度范围 Tj, Tstg V V 0.35 0.22 - 55 ~ 150 A 1 A 2 W 1 ℃ ■热特性 项目 最大结合部 - 环境热阻 记号 最大结合部 - 环境热阻 最大结合部 - 引脚架热阻 t≦10s 稳定状态 Rθja 稳定状态 Rθjl 典型值 300 350 最大值 360 425 单位 ℃/W ℃/W 备注 280 320 ℃/W 3 ■引脚配置图 ■电路图 D SC-70(俯视图) 3 1 1 2 引脚编号 1 引脚名称 GATE 2 3 SOURCE DRAIN G S 4-1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 单 P 沟道 MOSFET ELM17401FA-S ■电特性 项目 记号 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 条件 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=-250μA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss Vds=-24V Vgs=0V 栅极漏电电流 Igss Vds=0V, Vgs=±12V 栅极阈值电压 导通时漏极电流 漏极 - 源极导通电阻 -1 Ta=55℃ -1.4 V A Vgs=-10V Id=-1.2A Ta=125℃ Vgs=-4.5V, Id=-1.2A 122 173 147 150 220 200 207 4.5 280 Gfs 二极管正向压降 Vsd Is=-1A, Vgs=0V Ciss 输出电容 反馈电容 栅极电阻 Coss Crss Rg -0.6 -10 3.0 Vgs=0V, Vds=-15V, f=1MHz Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz Vgs=-4.5V, Vds=-15V mΩ S -0.85 -1.00 V -0.5 A Is Qg μA -1.0 正向跨导 寄生二极管最大连续电流 动态特性 输入电容 -5 nA Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA Id(on) Vgs=-4.5V, Vds=-5V Rds(on) V ±100 Vgs=-2.5V, Id=-1A Vds=-5V, Id=-1.2A 开关特性 总栅极电荷 栅极 - 源极电荷 -30 409 pF 55 42 12 pF pF Ω 5.06 nC 0.72 1.58 6.2 nC nC ns 栅极 - 漏极电荷 导通延迟时间 Qgs Qgd td(on) 导通上升时间 关闭延迟时间 关闭下降时间 tr td(off) tf Vgs=-10V, Vds=-15V RL=15Ω, Rgen=3Ω 3.2 41.2 14.5 ns ns ns 寄生二极管反向恢复时间 trr If=-1A, dlf/dt=100A/μs 13.2 ns 寄生二极管反向恢复电荷 Qrr If=-1A, dlf/dt=100A/μs 5.4 nC Id=-1A 备注： 1．Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外，实际阻值还受到 电路板设计的影响，并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。 2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。 3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻与结合部 - 环境热阻的和。 4. 标准特性图 1 ～ 6 是在脉冲为 80μs、最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。 5. 参数是在 Ta=25℃，将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。 4-2 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 单 P 沟道 MOSFET ELM17401FA-S ■标准特性和热特性曲线 10 10 -5V -4V Vgs=-3.5V -10V 8 25°C Vds=-5V 8 6 -Id (A) -Id (A) -3V -2.5V 4 2 6 125°C 4 2 -2.0V 0 0 0 1 2 3 4 5 0 0.5 1.5 2 2.5 3 3.5 4 1.8 250 Normalized On-Resistance Rds(on) (m� ) 300 Vgs=-2.5V 200 Vgs=-4.5V 150 Vgs=-10V 100 0 1 2 3 4 1.6 Vgs=-10V Vgs=-4.5V 1.4 Vgs=-2.5V 1.2 1 Id=-1A 0.8 5 6 0 25 -Id (A) Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage 50 75 100 125 150 175 Temperature (°C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature 350 1.0E+01 Id=-1A 300 1.0E+00 1.0E-01 250 125°C -Is (A) Rds(on) (m� ) 1 -Vgs (Volts) Figure 2: Transfer Characteristics -Vds (Volts) Fig 1: On-Region Characteristics 200 150 125°C 1.0E-02 1.0E-03 25°C 1.0E-04 25°C 100 1.0E-05 1.0E-06 50 0 2 4 6 8 0.0 10 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 -Vsd (Volts) Figure 6: Body-Diode Characteristics -Vgs (Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage 4-3 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 1.4 单 P 沟道 MOSFET ELM17401FA-S 5 500 Capacitance (pF) 4 -Vgs (Volts) 600 Vds=-15V Id=-1A 3 2 1 Ciss 400 300 200 Coss 0 0 1 2 3 4 0 5 0 -Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge Characteristics 100.00 100�s Power (W) 10ms 25 30 Tj(max)=150°C Ta=25°C 8 6 4 1s 10s 2 DC 0 0.001 0.01 1 10 100 -Vds (Volts) D=Ton/T Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja R�ja=360°C/W 0.01 0.1 1 10 100 1000 Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5) Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note 5) Z�ja Normalized Transient Thermal Resistance 20 10 10�s 1ms 0.1s 10 15 12 1.00 0.1 10 14 Rds(on) limited 0.10 5 -Vds (Volts) Figure 8: Capacitance Characteristics Tj(max)=150°C Ta=25°C 10.00 -Id (Amps) Crss 100 In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse 1 Pd 0.1 Ton Single Pulse 0.01 0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 T 10 Pulse Width (s) Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance 4-4 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 100 1000