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InAsSb光起電力素子
P12691-201
8 μm帯で高速応答・高感度、
液体窒素不要の電子冷却型赤外線検出素子
当社独自の結晶成長技術と裏面入射構造を採用してレンズを搭載することにより8 μm帯で高感度を実現した赤外線検出素
子です。InAsSb光起電力素子はPN接合を採用しているため、高速応答・高信頼性を実現しています。NO、NO2、SO2、
H2Sなどのガス分析への応用に適しています。また、コンパクトなTO-8パッケージを採用することで液体窒素が不要となり、
使いやすくなっています。
特長
用途
高速応答
ガス分析
高感度
放射温度計
高信頼性
サーマルイメージング
コンパクトなTO-8パッケージの電子冷却型
リモートセンシング
InAsSbを採用しておりRoHS適合
QCLとの組み合わせでモジュール化が可能
FTIR
分光光度計
オプション (別売)
2段電子冷却型用放熱器　A3179-01
温度コントローラ　C1103-04
プリアンプ付赤外検出モジュール (特注品)
構成
項目
窓材
パッケージ
冷却タイプ
受光面サイズ
仕様
ARコート付Ge
TO-8
2段電子冷却
ϕ1.0
単位
mm
定格値
0.2
1
0.1
-40 ～ +60
-55 ～ +60
単位
mW
A
V
°C
°C
絶対最大定格
項目
サーミスタ許容損失
電子冷却素子許容電流
逆電圧
動作温度
保存温度
記号
Pd_th
ITE max.
VR
Topr
Tstg
注) 絶対最大定格を一瞬でも超えると、製品の品質を損なう恐れがあります。必ず絶対最大定格の範囲内で使用してください。
浜松ホトニクス株式会社
1
P12691-201
InAsSb光起電力素子
電気的および光学的特性 (Td=-30 °C)
項目
最大感度波長
カットオフ波長
受光感度
並列抵抗
比検出能力
雑音等価電力
記号
λp
λc
S
Rsh
D*
NEP
上昇時間
tr
条件
λ=λp
VR=10 mV
(λp, 600, 1)
λ=λp
VR=0 V, RL=50 Ω
0～63%
Min.
8.2
0.8
13
4.0 × 109
-
Typ.
6.7
8.3
1.2
40
6.0 × 109
1.5 × 10-11
Max.
2.3 × 10-11
単位
μm
μm
A/W
Ω
cm·Hz1/2/W
W/Hz1/2
-
-
10
ns
分光感度特性 (D*)
並列抵抗－素子温度
(Typ. Td=-30 °C)
10
10
(Typ.)
10000
10
໼Ⴅ೷ࢯ (Ω)
D* (cm · Hz1/2/W)
1000
9
100
8
10
10
7
10
3
4
5
6
7
8
9
10
1
-70 -60 -50 -40 -30 -20 -10 0 10 20 30 40 50 60
ளঊ‫أ‬ഽ (°C)
෨ಿġĩμmĪ
KIRDB0592JA
KIRDB0594JA
2
P12691-201
InAsSb光起電力素子
2段電子冷却素子の仕様 (Ta=25 °C)
項目
電子冷却素子許容電流
電子冷却素子許容電圧
サーミスタ抵抗
サーミスタ許容損失
記号
ITE max.
VTE max.
Rth
Pd_th
Min.
8.1
-
Typ.
9.0
-
電子冷却素子の電流－電圧特性
電子冷却素子の冷却特性
(Typ. Ta=25 °C, ༶෎‫͈ܕ‬෎೷ࢯ=3 °C/W)
1.2
単位
A
V
kΩ
mW
Max.
1.0
0.95
9.9
0.2
(Typ. Ta=25 °C, ༶෎‫͈ܕ‬෎೷ࢯ=3 °C/W)
30
20
1.0
10
ளঊ‫أ‬ഽ (°C)
ഩၠ (A)
0.8
0.6
0.4
0
-10
-20
-30
0.2
-40
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
-50
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
ഩၠ (A)
ഩգ (V)
KIRDB0596JB
KIRDB0464JA
サーミスタの温度特性
(Typ.)
106
5
೷ࢯ౵ (Ω)
10
4
10
103
-40
-20
0
20
ளঊ‫أ‬ഽ (°C)
KIRDB0116JA
3
InAsSb光起電力素子
P12691-201
測定回路例
ΙοΛΩ
600 Hz
࠿੄ளঊ
ΨϋΡΩΑ
έͻσΗ
r.m.s.
ιȜΗ
fo=600 Hz
Δf=60 Hz
2
වৣ΀ΥσΆȜ 245 μW/cm
ࣱఘႷ
800 K
KIRDC0094JA
外形寸法図 (単位: mm)
ϕ15.3 ± 0.2
਋࢕࿂
ϕ14.0 ± 0.2
ϕ0.45
ςȜΡ
12 min. 11.4 ± 0.2
6.4 ± 0.2
0.65 ± 0.15
වৣௗ
ϕ10.0 ± 0.2
10.2 ± 0.2
8
0.
±
0.
8
±
0.
1
5.1 ± 0.2
5.1 ± 0.2
1
0.
45°
࠿੄ளঊ (ͺΦȜΡ)
࠿੄ளঊ (΃ΕȜΡ)
ഩঊ႖‫ݕ‬ளঊ (-)
ഩঊ႖‫ݕ‬ளঊ (+)
΍ȜηΑΗ
KIRDA0242JA
4
InAsSb光起電力素子
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関連情報
www.hamamatsu.com/sp/ssd/doc_ja.html
注意事項
・ 注意事項とお願い
・ 化合物光半導体
受光素子／使用上の注意
技術情報
・ 赤外線検出素子／技術資料
・ 赤外線検出素子／用語の解説
本資料の記載内容は、平成26年8月現在のものです。
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Cat. No. KIRD1127J03 Aug. 2014 DN
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