p10090-01 etc kird1099j

InAs光起電力素子
P10090シリーズ
P7163
低ノイズ・高信頼性の3 μm帯用／赤外線検出素子
InAs光起電力素子は、PbS光導電素子と同様に3 μm付近に感度をもっており、低ノイズ・高速・高信頼性を特長にしています。
P10090シリーズは、当社従来品 (P8079シリーズ)に比べて、さらに低ノイズを実現したInAs光起電力素子です。
常温型、電子冷却型 (P10090シリーズ)、高性能な液体窒素冷却型 (P7163)も用意しています。
特長
用途
低ノイズ
ガス分析
高信頼性
レーザ検知
高い比検出能力 (D*)
赤外分光器
アレイ化が可能 (特注品)
放射計測
アクセサリ (別売)
1段／2段電子冷却型用放熱器 A3179-01
温度コントローラ C1103-04
プリアンプ付赤外検出モジュール C12492-210
InAs光起電力素子用アンプ
(P10090シリーズ: C4159-06、P7163: C4159-05)
構成／絶対最大定格
絶対最大定格
窒素
受光面
保持
最大
電子冷却素 サーミスタ 逆電圧 動作温度 保存温度
型名
冷却
サイズ
時間
入射光量
Tstg
子許容電流 許容損失
VR
Topr
(h)
(W)
(mm)
(°C)
(°C)
(A)
(mW)
(V)
P10090-01 /S
TO-5
非冷却
1.5
P10090-11
1段電子冷却
-40 ～ +80
0.6
TO-8
0.2
-40 ～ +60
0.5
/S
ϕ1
1.0
P10090-21
2段電子冷却
12 *2
P7163
-55 ～ +60
‘/S メタルデュワ 液体窒素
注) 絶対最大定格を一瞬でも超えると、製品の品質を損なう恐れがあります。必ず絶対最大定格の範囲内で使用してください。
*1: S=サファイアガラス
*2: 出荷時
外形
寸法図/ パッケージ
窓材 *1
電気的および光学的特性 (指定のない場合はTyp.)
測定条件
型名
素子温度
Td
(°C)
P10090-01
25
P10090-11
-10
P10090-21
-30
P7163
-196
*3: D* (λp, 1200, 1)
最大
感度
波長
λp
(μm)
3.35
3.30
3.25
3.00
受光感度
長波長側
S
カットオフ
λ=λp
λc
(μm)
3.65
3.55
3.45
3.1
(A/W)
1.0
1.2
1.3
並列抵抗
Rsh
Min.
Typ.
(Ω)
(Ω)
40
70
250
400
1000
1300
1 × 105 1 × 106
比検出能力
D*
(λp, 600, 1)
Min.
(cm · Hz1/2/W)
3.0 × 109
1.0 × 1010
2.0 × 1010
3.5 × 1011 *3
浜松ホトニクス株式会社
Typ.
(cm · Hz1/2/W)
4.5 × 109
1.6 × 1010
3.2 × 1010
6.0 × 1011 *3
雑音等価
電力
NEP
λ=λp
上昇時間
tr
VR=0 V
RL=50 Ω
0～63%
(W/Hz1/2)
1.5 × 10-11
5.3 × 10-12
2.8 × 10-12
1.5 × 10-13
(μs)
0.70
0.45
0.30
0.10
1
P10090シリーズ, P7163
InAs光起電力素子
分光感度特性 (D*)
分光感度特性
(Typ.)
12
10
P7163
(Td=-196 °C)
1.2
P10090-21 (Td=-30 °C)
1.0
਋࢕ۜഽ (A/W)
D* (cm · Hz1/2/W)
1011
(Typ.)
1.4
1010
10
9
P10090-11
(Td=-10 °C)
0.8
Td=-10 °C
0.6
Td=-30 °C
0.4
P10090-01
(Td=25 °C)
8
10
0.2
107
1
2
3
0
1.0
4
Td=25 °C
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
෨ಿ (μm)
෨ಿ (μm)
KIRDB0356JD
KIRDB0381JB
並列抵抗－素子温度 (P10090シリーズ)
暗電流－逆電圧
(Typ.)
1 mA
(Typ.)
100 kΩ
Td=25 °C
10 kΩ
100 μA
໼Ⴅ೷ࢯ
ճഩၠ
Td=-10 °C
Td=-30 °C
1 kΩ
100 Ω
10 μA
10 Ω
1 μA
0.01
0.1
1
‫ݙ‬ഩգ (V)
1Ω
-100
-80
-60
-40
-20
0
20
40
60
ளঊ‫أ‬ഽ (°C)
KIRDB0382JB
KIRDB0383JA
2
P10090シリーズ, P7163
InAs光起電力素子
直線性
感度のユニフォミティ
(Typ. Ta=25 °C, λ=1.3 μm)
1000
(Typ. λ=1.55 μm)
110
Td=-10 °C
100
90
࢕ഩၠ (μA)
௖చۜഽ (%)
100
10
Td=10 °C
80
Td=25 °C
70
60
50
40
30
1
10
1
100
1000
20
-600
10000
වৣ࢕ၾ (μW)
-400
-200
0
200
400
਋࢕࿂ષ͈պ౾ (μm)
KIRDB0384JB
KIRDB0385JB
電子冷却素子の電流－電圧特性
電子冷却素子の冷却特性
(Typ. Ta=25 °C, ༶෎‫͈ܕ‬෎೷ࢯ=3 °C/W)
1.6
(Typ. Ta=25 °C, ༶෎‫͈ܕ‬෎೷ࢯ=3 °C/W)
30
20
1.4
10
1.2
1౲ഩঊ႖‫߿ݕ‬
ளঊ‫أ‬ഽ (°C)
1౲ഩঊ႖‫߿ݕ‬
ഩၠ (A)
1.0
0.8
0.6
2౲ഩঊ႖‫߿ݕ‬
0
-10
-20
0.4
-30
0.2
-40
0
600
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-50
2౲ഩঊ႖‫߿ݕ‬
0
0.4
0.8
1.2
1.6
ഩঊ႖‫ݕ‬ளঊഩၠ (A)
ഩգ (V)
KIRDB0115JB
KIRDB0181JA
3
P10090シリーズ, P7163
InAs光起電力素子
サーミスタの温度特性
(Typ.)
106
೷ࢯ౵ (Ω)
105
104
3
10
-40
-30
-20
-10
0
10
20
30
ளঊ‫أ‬ഽ (°C)
KIRDB0116JA
測定回路
ΙοΛΩ
600 Hz
࠿੄ளঊ
ΨϋΡΩΑ
έͻσΗ
ࣱఘႷ
rms
ιȜΗ
fo=600 Hz
∆f=60 Hz
KIRDC0075JB
4
P10090シリーズ, P7163
InAs光起電力素子
外形寸法図 (単位: mm)
 P10090-01
 P10090-11/-21
ϕ15.3 ± 0.2
ϕ8.1 ± 0.1
වৣௗ
ϕ5.5 ± 0.1
ϕ14 ± 0.2
ϕ0.45
ςȜΡ஌
਋࢕࿂
12 min.
0.4 max.
਋࢕࿂
18 min.
A
10 ± 0.2
වৣௗ
ϕ10 ± 0.2
ijįĴġ±ġıįij
4.2 ± 0.2
ϕ9.1 ± 0.3
ϕ0.45
ςȜΡ஌
ϕ5.1 ± 0.2
10.2 ± 0.2
ϕ1.0 max.
5.1 ± 0.2
࠿੄ளঊ (ͺΦȜΡ)
࠿੄ளঊ (΃ΕȜΡ)
ഩঊ႖‫ݕ‬ளঊ (-)
ഩঊ႖‫ݕ‬ளঊ (+)
΍ȜηΑΗ
P10090-11 P10090-21
ΉȜΑ
5.1 ± 0.2
KIRDA0219JA
A
4.5 ± 0.2
6.9 ± 0.2
KIRDA0191JA
5
P10090シリーズ, P7163
InAs光起電力素子
‘ P7163
44.5 ± 1 46 ± 1
32 ± 1
ϕ51 ± 1
‫ס‬ఘಊளಕව࢛ġϕ12.5 ± 0.5
ϕ63.5 ± 1
ϕ28.5 ± 0.5
172 ± 2
102 ± 1
72 ± 1
95 ± 1
੄ႁάϋ
10 ± 0.5
ϕ66.8 ± 1
10 ± 1
37 ± 1
਋࢕࿂
6.5 ± 0.5
ෳ‫࢛ܨ‬ġϕ9.5
࠿੄ளঊġĩͺΦȜΡĪ
ŏń
࠿੄ளঊġĩ΃ΕȜΡĪ
KIRDA0033JE
関連情報
www.hamamatsu.com/sp/ssd/doc_ja.html
注意事項
・ 注意事項とお願い
・ 化合物光半導体
受光素子／使用上の注意
技術情報
・ 赤外線検出素子／技術資料
・ 赤外線検出素子／用語の解説
本資料の記載内容は、平成26年8月現在のものです。
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̜ͥાࣣ̦̜̳ͤ͘ȃུୋ຦ͬঀဥ̳ͥष͉ͅȂຈ̴ොවॽအ੥̮ͬဥྵ͈ષȂड૧͈ॽအ̮ͬ‫̞̯̺̩෇ږ‬ȃ
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൐‫ުאނ‬ਫ਼
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ɧĴıĶĮıĹIJĸ
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໛‫ؖ‬ঌฎఉߊฎఉ‫פ‬൐IJĮIJĴĮķġĩಅ५ฎఉΫσĶ‫ٴ‬Ī
ŕņōġĩıijijĪġijķĸĮıIJijIJġġŇłřġĩıijijĪġijķĸĮıIJĴĶ
ŕņōġĩıijĺĪġĹĵĹĮĶıĹıġġŇłřġĩıijĺĪġĹĶĶĮIJIJĴĶ
ŕņōġĩıĴĪġĴĵĴķĮıĵĺIJġġŇłřġĩıĴĪġĴĵĴĴĮķĺĺĸ
ŕņōġĩıĶĴĪġĵĶĺĮIJIJIJijġġŇłřġĩıĶĴĪġĵĶĺĮIJIJIJĵ
ŕņōġĩıķĪġķijĸIJĮıĵĵIJġġŇłřġĩıķĪġķijĸIJĮıĵĶı
ŕņōġĩıĺijĪġĵĹijĮıĴĺıġġŇłřġĩıĺijĪġĵĹijĮıĶĶı
ࡥఘ‫ުא‬ଔૺ໐ȁɧĵĴĶĮĹĶĶĹȁຩઐঌ൐ߊঌ࿤಴IJIJijķĮIJȁŕņōġĩıĶĴĪġĵĴĵĮĴĴIJIJȁŇłřġĩıĶĴĪġĵĴĵĮĶIJĹĵ
Cat. No. KIRD1099J08 Aug. 2014 DN
6