g13176 series kird1131j

InGaAs PINフォトダイオード
G13176シリーズ
表面実装型COB (chip on board)パッケージ
G13176 シリーズは、表面実装型 COB パッケージの小型・近赤外線検出素子です。従来品のメタルパッケージタイプ
(G12180-003A/-010A)に比べて、大幅に小型化を実現しました。感度波長範囲は0.9~1.7 μmで (最大感度波長 1.55 μm)、
高感度・低ノイズを実現しています。光通信に加え、分析・計測などに利用することができます。小型パッケージのた
め、ハンディタイプの装置やモバイル機器への搭載に適しています。樹脂を変更することにより従来品 (G11777-003P)に
比べてリフロー耐性が向上しています。
特長
用途
低ノイズ
計測
高感度
分析
高速応答
光量モニタ
受光面サイズ: ϕ0.3 mm, ϕ1.0 mm
表面実装型
小型COBパッケージ
低価格
鉛フリーはんだリフロー対応品
構成
項目
窓材
パッケージ
受光面サイズ
記号
-
G13176-003P
G13176-010P
シリコーン樹脂
ガラスエポキシ
ϕ0.3
ϕ1.0
単位
mm
絶対最大定格
項目
逆電圧
動作温度
保存温度
記号
VR
Topr
Tstg
条件
結露なきこと*1
結露なきこと*1
定格値
10
-25 ~ +105
-40 ~ +105
単位
V
°C
°C
注) ピンセットや手袋でG13176シリーズを取り扱い、直接手で触れないでください。G13176シリーズの樹脂部分は柔らかいため、鋭
利なもの・硬いものとの接触や、外力を加えることを避けてください。
絶対最大定格を一瞬でも超えると、製品の品質を損なう恐れがあります。必ず絶対最大定格の範囲内で使用してください。
*1: 高湿環境においては、製品とその周囲で温度差があると製品表面が結露しやすく、特性や信頼性に影響が及ぶことがあります。
G13176シリーズは静電気によって破壊または劣化する危険性があります。使用に際して注意してください。
浜松ホトニクス株式会社
1
G13176シリーズ
InGaAs PINフォトダイオード
電気的および光学的特性 (Ta=25 °C)
項目
記号
感度波長範囲
最大感度波長
λ
λp
受光感度
S
暗電流
遮断周波数
端子間容量
並列抵抗
比検出能力
雑音等価電力
条件
ピーク時の10%
ID
fc
Ct
Rsh
D*
NEP
λ=1.3 μm
λ=λp
VR=5 V
VR=5 V, RL=50 Ω
VR=5 V, f=1 MHz
VR=10 mV
λ=λp
λ=λp
G13176-003P
G13176-010P
単位
Min.
Typ.
Max.
Min.
Typ.
Max.
0.9 ~ 1.7
0.9 ~ 1.7
μm
1.55
1.55
μm
0.75
0.85
0.75
0.85
A/W
0.85
1
0.85
1
0.1
0.8
0.8
4
nA
300
600
25
60
MHz
5
8
55
120
pF
MΩ
100
700
25
125
1.5 × 1012 5 × 1012
1.5 × 1012 5 × 1012
cm·Hz1/2/W
-15
-14
-14
-14
2 × 10
1.4 × 10 4 × 10
W/Hz1/2
5 × 10
分光感度特性
1.2
感度の温度特性
(Typ. Ta=25 °C, VR=0 V)
(Typ. Ta=25 °C, VR=0 V)
2
ۜഽ͈‫أ‬ഽ߸ତ (%/°C)
਋࢕ۜഽ (A/W)
1.0
0.8
0.6
0.4
1
0
0.2
0
0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6 1.7 1.8
෨ಿ (μm)
-1
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
෨ಿġĩμmĪ
KIRDB0617JA
KIRDB0618JA
2
G13176シリーズ
InGaAs PINフォトダイオード
暗電流-逆電圧
端子間容量-逆電圧
(Typ. Ta=25 °C)
10 nA
(Typ. Ta=25 °C, f=1 MHz)
1 nF
G13176-010P
G13176-010P
1 nA
౤ঊ‫ۼ‬ယၾ
ճഩၠ
100 pF
100 pA
G13176-003P
10 pF
10 pA
G13176-003P
1 pA
0.01
0.1
1
10
1 pF
0.01
100
0.1
1
‫ݙ‬ഩգ (V)
10
100
‫ݙ‬ഩգ (V)
KIRDB0619JA
KIRDB0620JA
直線性
暗電流-周囲温度
(Typ. Ta=25 °C, λ=1.55 μm, RL=2 Ω, VR=1 V)
102
1 μA
100
ΑεΛΠ࢕΍ͼΒ: ϕ200 μm
100 nA
98
G13176-010P
10 nA
96
ΑεΛΠ࢕΍ͼΒ: ϕ50 μm
ճഩၠ
௖చۜഽ (%)
(Typ. VR=5 V)
10 μA
1 nA
100 pA
94
G13176-003P
10 pA
92
90
1 pA
0
2
4
6
8
10
12
14
16
100 fA
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100 120
ਔս‫أ‬ഽ (°C)
වৣ࢕ၾ (mW)
KIRDB0475JA
KIRDB0621JA
3
G13176シリーズ
InGaAs PINフォトダイオード
推奨はんだリフロー条件
άȜ·‫أ‬ഽ - 5 °C: 30 s max.
άȜ·‫أ‬ഽ: 260 °C
3 °C/s max.
217 °C
-6 °C/s max.
‫أ‬ഽ (°C)
150ȡ200 °C
ထ๵‫ح‬෎
60ȡ120 s
ུ‫ح‬෎
60ȡ150 s
25 °C̥ͣάȜ·‫أ‬ഽ́͘: 8໦ max.
শ‫ۼ‬
Ȇ‫ٳ‬इࢃȂུΟΨͼΑͬ‫أ‬ഽġ5ȡ30 °CȂ৔ഽġ60ɓո‫́ئޏ۪͈ئ‬༗‫ۯ‬
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ͼΑ͈૞ှ଻̦అ̞̭̈́ͩͦ̈́͂ͬ‫̞̯̺̩̱̀෇ږ‬ȃ
KIRDB0622JA
外形寸法図 (単位: mm)
G13176-003P
1.6
0.7
0.5
0.8
਋࢕໐ ϕ0.3
਋࢕࿂
ਏড
0.55
0.5
0.21
0.55
0.1
ͺΦȜΡ
΃ΕȜΡ
0.7
0.4
0.75
ঐা̧̈́࢖ओ: ±0.1
αȜΑಎ૤ͅచ̳ͥ਋࢕໐ಎ૤͈պ౾ୈഽ
-0.25ɅXɅ+0.05
-0.15ɅYɅ+0.15
0.7
ଔ੻ρϋΡΩΗȜϋ
KIRDA0251JA
4
G13176シリーズ
InGaAs PINフォトダイオード
G13176-010P
3.1
0.285
ͺΦȜΡ
0.6
0.6
΃ΕȜΡ
1.8
਋࢕࿂
਋࢕໐ ϕ1.0
0.8 ± 0.2
0.8
1.55
0.8
ঐা̧̈́࢖ओ: ±0.1
αȜΑಎ૤ͅచ̳ͥ਋࢕໐ಎ૤͈պ౾ୈഽ
-0.2ɅXɅ+0.2
-0.2ɅYɅ+0.2
2.0
ਏড
ଔ੻ρϋΡΩΗȜϋ
KIRDA0252JB
関連情報
www.hamamatsu.com/sp/ssd/doc_ja.html
注意事項
・ 製品に関する注意事項とお願い
・ 表面実装型製品/使用上の注意
技術情報
・ 赤外線検出素子/技術資料
・ 赤外線検出素子/用語の解説
本資料の記載内容は、平成28年3月現在のものです。
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Cat. No. KIRD1131J02 Mar. 2016 DN
5