g11193 series kird1111j

InGaAs PINフォトダイオード
G11193シリーズ
小型パッケージ、表面実装型
特長
用途
小型SMDパッケージ
光量モニタ
低ノイズ、低暗電流
計測/分析機器
低価格
構成
G11193-02R
項目
パッケージ
受光面サイズ
受光窓
G11193-03R
表面実装型セラミック
φ0.2
φ0.3
樹脂
単位
mm
-
絶対最大定格
項目
逆電圧
動作温度
保存温度
記号
VR max
Topr
Tstg
G11193-02R
条件
G11193-03R
10
-25 ~ +85
-40 ~ +100
結露なきこと
結露なきこと
単位
V
°C
°C
注) 絶対最大定格を一瞬でも超えると、製品の品質を損なう恐れがあります。必ず絶対最大定格の範囲内で使用してください。
電気的および光学的特性 (Ta=25 °C)
項目
記号
条件
感度波長範囲
最大感度波長
λ
λp
ピーク時の10%以上
受光感度
S
暗電流
遮断周波数
端子間容量
並列抵抗
比検出能力
ID
fc
Ct
Rsh
D*
λ=1.3 μm
λ=1.55 μm
VR=5 V
VR=5 V, RL=50 Ω
VR=5 V, f=1 MHz
VR=10 mV
λ=λp
Min.
0.75
0.77
-
G11193-02R
Typ.
Max.
0.9 ~ 1.7
1.55
0.85
1.0
40
800
1
3
1000
5 × 1012
Min.
0.75
0.77
-
G11193-03R
Typ.
Max.
0.9 ~ 1.7
1.55
0.85
1.0
100
1200
0.5
5
700
5 × 1012
-
単位
μm
μm
A/W
pA
GHz
pF
MΩ
cmăHz1/2/W
G11193シリーズは、静電気によって破壊または劣化する危険性があります。使用に際しては注意してください。
浜松ホトニクス株式会社
1
G11193シリーズ
InGaAs PIN フォトダイオード
分光感度特性
感度の温度特性
(Typ. Ta=25 °C)
1.2
1.0
1.5
ۜഽ͈‫أ‬ഽ߸ତ (%/°C)
਋࢕ۜഽġĩA/WĪ
(Typ. Ta=25 °C)
2
0.8
0.6
0.4
0.2
1
0.5
0
-0.5
0
0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6 1.7 1.8 1.9
-1
0.2
0.4
0.6
෨ಿ (µm)
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
෨ಿ (µm)
KIRDB0445JA
KIRDB0409JA
暗電流ー逆電圧
端子間容量ー逆電圧
(Typ. Ta=25 °C)
10 nA
(Typ. Ta=25 °C, f=1 MHz)
1 nA
1 nA
100 pF
G11193-03R
౤ঊ‫ۼ‬ယၾ
ճഩၠ
G11193-03R
100 pA
10 pA
10 pF
G11193-02R
1 pA
100 fA
0.01
G11193-02R
1 pF
0.1
1
10
100
‫ݙ‬ഩգ (V)
100 fF
0.01
0.1
1
10
100
‫ݙ‬ഩգ (V)
KIRDB0446JA
KIRDB0447JA
2
G11193シリーズ
InGaAs PIN フォトダイオード
暗電流ー周囲温度
(Typ. V R=5 V)
100 nA
ճഩၠ
10 nA
1 nA
G11193-03R
100 pA
G11193-02R
10 pA
1 pA
-40 -30 -20 -10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
ਔս‫أ‬ഽ (°C)
KIRDB0448JA
3
G11193シリーズ
InGaAs PIN フォトダイオード
外形寸法図 (単位: mm)
਋࢕໐
5.0 ± 0.2
1.2 ± 0.2
1.8
0.6 ± 0.2
1.8
1.0 ± 0.1
4.0 ± 0.2
਋࢕࿂
(2 ×)R 0.4 ± 0.1
1.5
1.0
0.6
(2 ×) (R 0.2)
΃ΕȜΡ
ͺΦȜΡ
0.7
3.0
0.7
ᆺྡ
ཷග㠃ࢧ࢖ࢬ
0.2
G11193-02R
0.3
G11193-03R
KIRDA0210JA
関連情報
www.hamamatsu.com/sp/ssd/doc_ja.html
注意事項
・ 製品に関する注意事項とお願い
・ 安全上の注意
・ 表面実装型製品/使用上の注意
技術情報
・ 赤外線検出素子/技術資料
・ 赤外線検出素子/用語の説明
本資料の記載内容は、平成27年7月現在のものです。
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Cat. No. KIRD1111J02 Jul. 2015 DN
4