電子線検出用 Siフォトダイオード S11141-10 S11142-10 低エネルギー (1 keV以上)の電子線を高感度に 直接検出 特長 用途 低エネルギー (1 keV以上)の電子線を高感度に直接検出 走査電子顕微鏡 (SEM)の反射電子検出器 高ゲイン: 300倍, 高検出効率: 72 % (入射電子エネルギー: 1.5 keV)を実現 大受光面サイズ S11141-10: 10 × 10 mm S11142-10: 14 × 14 mm (6.925 × 6.925 mm/1 ch) 受光部中心にϕ2.0 mmの貫通穴を形成 電子顕微鏡用の反射電子検出器に適した構造を採用して います。 S11142-10: 4分割フォトダイオード 反射電子線の位置 (角度)を検出可能 薄型セラミックパッケージ SEM中において、試料と電子銃との距離を短く配置する ことが可能です。 磁性の弱い基板材料を採用 電子線の軌道が影響を受けにくくなります。 構成 項目 受光面サイズ 素子数 パッケージ 窓材 S11141-10 10 × 10 1 S11142-10 14 × 14 4 セラミック なし 単位 mm - 絶対最大定格 項目 逆電圧 動作温度*1 保存温度*1 はんだ付け条件 記号 条件 VR max. Ta=25 °C Topr Tstg Tsol 定格値 20 -20 ～ +60 -20 ～ +80 260 °C以下、5秒以内 単位 V °C °C - *1: 結露なきこと 注) 絶対最大定格を一瞬でも超えると、製品の品質を損なう恐れがあります。必ず絶対最大定格の範囲内で使用してください。 浜松ホトニクス株式会社 1 S11141-10, S11142-10 Siフォトダイオード 電気的および光学的特性 (Ta=25 °C) 項目 記号 入射電子エネルギー範囲 - 出力電流 Isc 暗電流 ID 端子間容量 Ct 遮断周波数 fc 電子増倍率 S11141-10 Min. Typ. Max. 1 30 条件 電子エネルギー 1.5 keV Ip=100 pA*3 VR=10 mV VR=5 V VR=0 V, f=10 kHz VR=5 V, f=10 kHz VR=0 V, RL=50 Ω λ=400 nm, -3 dB VR=5 V, RL=50 Ω λ=400 nm, -3 dB 電子エネルギー 1.5 keV Ip=100 pA*3 - S11142-10*2 Min. Typ. Max. 1 30 - 30 - - 30 - - 0.5 5 1700 450 3 60 2500 680 - 0.2 3 800 200 1.2 60 1200 300 - 0.4 - - 0.8 - - 2.5 - - 5 - - 300 - - 300 - 単位 keV nA nA pF MHz - *2: 1素子当たり *3: 注入電流 (プローブ電流) 増倍率－電子エネルギー 検出効率－電子エネルギー (Typ. Ta=25 °C, Ip=100 pA) 10000 (Typ. Ta=25 °C, Ip=100 pA) 100 90 ࢘ၚ (%) ௩ၚ 80 1000 70 60 50 40 30 20 100 0 10 20 30 ഩঊΥσΆȜ (keV) 10 0 10 20 30 ഩঊΥσΆȜ (keV) KSPDB0344JA ௩ၚ = Isc/Ip ࢘ၚ = (௩ၚ/GTH) × 100 GTH = ഩঊΥσΆȜ/3.62 KSPDB0347JA 2 S11141-10, S11142-10 Siフォトダイオード 電子増倍の原理 ႁഩၠ Ώςϋ SiέΠΘͼȜΡ ૯ߗಎ ഩঊ ະۜ ڐఱ ഩঊȽୃࢢచ଼͈ (ഩঊ௩) ഩঊ̦Ώςϋً̧̳ͬͥ͂ͅȂΏςϋಎ́ͼϋ̳̭̦ͤܳ͘اȃ ̭͈ͼϋͤ͢ͅاȂఉତ͈ഩঊȽୃࢢచ̦อ̱Ȃഩঊ̦௩̯̳ͦ͘ȃ ഩঊ௩ͤ͢ͅȂවৣഩঊΥσΆȜ̦1.5 keV̧͈͉͂Ȃ300͈ႁ ഩၠ̦ං̳ͣͦ͘ (“௩ၚȽഩঊΥσΆȜ”४ચ)ȃ KSPDC0089JA 暗電流－逆電圧 (代表例) 端子間容量－逆電圧 (Ta=25 °C) 1 μA 100 nF 100 nA 10 nF S11141-10 ঊۼယၾ ճഩၠ 10 nA 1 nA S11142-10 100 pA 100 pF 10 pF 1 pA 1 pF 1 10 100 S11141-10 1 nF 10 pA 100 fA 0.1 (Typ. Ta=25 °C) 1 μF 100 fF 0.1 S11142-10 1 10 100 ݙഩգ (V) ݙഩգ (V) KSPDB0345JA KSPDB0346JA 3 S11141-10, S11142-10 Siフォトダイオード 外形寸法図 (単位: mm, 指示なき公差: ±0.2) S11141-10 25.0 10.0 (2 ×) 3.0 (2 ×) 0.2 5.08 ৭ͺση 10.0 5.5 ± 0.2 χͼμ༗ࢌਏড ໐ 0.5 ± 0.1 (0.25) ɸ2.0 ΙΛίࠪ 1.0 max. +0.2 11.0-0 ΓρηΛ· ɸ2.3 (2 ×) 1.5 (0.5) ɸ7.0 ΓρηΛ·ࠪ KSPDA0187JA 4 S11141-10, S11142-10 Siフォトダイオード S11142-10 35.0 7.5 ± 0.2 ɸ2.3 1.8 0.3 14.0 χͼμ༗ࢌਏড P2.54 × 4 = 10.16 ໐ 1.0 max. 0.15 2.54 (4 ×) 6.925 14.0 0.15 (0.25) ɸ2.0 ΙΛίࠪ ͺΦȜΡވ 0.5 ± 0.1 +0.2 15.0-0 ΓρηΛ· 1.2 ৭ͺση ɸ7.0 ΓρηΛ·ࠪ KSPDA0188JA 5 Siフォトダイオード S11141-10, S11142-10 推奨はんだ条件 ・はんだ温度: 260 °C以下 ・はんだ付け時間: 5秒以内 関連情報 www.hamamatsu.com/sp/ssd/doc_ja.html 注意事項 ・ 注意事項とお願い ・ 未封止製品／使用上の注意 技術情報 ・ Siフォトダイオード／技術資料 ・ Siフォトダイオード／用語の説明 ・ Siフォトダイオード／信頼性 ・ Siフォトダイオード／応用回路例 本資料の記載内容は、平成26年11月現在のものです。 ୋ͈ॽအ͉Ȃ٨ၻ͈̹̈́̓͛ထ̩࣬̈́་ࢵ̳̭̦̜̳ͥ͂ͤ͘ȃུၳ͉ୃ̹̳͛ͥܢͬږਹͅै଼̯̹͈̳̦ͦ́͜Ȃͦ͘ͅࢋܱ̈́̓ͥ͢ͅࢋ̦ͤ ̜ͥાࣣ̦̜̳ͤ͘ȃུୋͬঀဥ̳ͥष͉ͅȂຈ̴ොවॽအ̮ͬဥྵ͈ષȂड૧͈ॽအ̮̞̯̺̩ͬږȃ ུୋ͈༗બ͉ȂොවࢃIJාոඤ̦ͅอࡉ̯ͦḀ̑̾২̯̹ͦͅાࣣȂུୋ͈ਘၑ̹͉͘య͈ොවͬࡠഽ̱̳͂͘ȃ̹̺̱Ȃ༗બۼܢඤ̜́̽̀͜Ȃ ഛब̤͍͢ະഐ୨̈́ঀဥ֦̳ܳͥͅఅ͉̞̀̾ͅٺȂ২̷͉͈ୣ̵̞ͬͭ͘ȃ ུၳ͈ܱशඤယ̞̾̀ͅȂ২͈ݺౄ̱̈́ͅഢश̹͉͘ໝୋ̳̭̲̳ͥ͂ͬ͘ȃ ŸŸŸįũŢŮŢŮŢŵŴŶįŤŰŮ ୵రުאਫ਼ ಆ෨ުאਫ਼ ުאނਫ਼ ಎ໐ުאਫ਼ ఱिުאਫ਼ ୌུުאਫ਼ ɧĺĹıĮııIJIJ ɧĴıĶĮıĹIJĸ ɧIJıĶĮıııIJ ɧĵĴıĮĹĶĹĸ ɧĶĵIJĮııĶij ɧĹIJijĮııIJĴ ୵రঌဩߊષIJĮķĮIJIJġĩུྵ୵ర࢙൚రΫσijٴĪ ֟ઽࡇ̩̾͊ঌࡄڠݪĶĮIJijĮIJıġĩࡄڠݪΑ·;ͿͺΫσĸٴĪ ނസࢽߊࡵΦĴĮĹĮijIJġĩࡵΦĴĴ૩ΫσĶٴĪ ຩઐঌಎߊग५ĴijĶĮķġĩུྵຩઐפஜΫσĵٴĪ ఱिঌಎ؇ߊհാijĮĴĮIJĴġĩఱि࣭षΫσIJıٴĪ ؖঌฎఉߊฎఉפIJĮIJĴĮķġĩಅ५ฎఉΫσĶٴĪ ŕņōġĩıijijĪġijķĸĮıIJijIJġġŇłřġĩıijijĪġijķĸĮıIJĴĶ ŕņōġĩıijĺĪġĹĵĹĮĶıĹıġġŇłřġĩıijĺĪġĹĶĶĮIJIJĴĶ ŕņōġĩıĴĪġĴĵĴķĮıĵĺIJġġŇłřġĩıĴĪġĴĵĴĴĮķĺĺĸ ŕņōġĩıĶĴĪġĵĶĺĮIJIJIJijġġŇłřġĩıĶĴĪġĵĶĺĮIJIJIJĵ ŕņōġĩıķĪġķijĸIJĮıĵĵIJġġŇłřġĩıķĪġķijĸIJĮıĵĶı ŕņōġĩıĺijĪġĵĹijĮıĴĺıġġŇłřġĩıĺijĪġĵĹijĮıĶĶı ࡥఘުאଔૺ໐ȁɧĵĴĶĮĹĶĶĹȁຩઐঌߊঌIJIJijķĮIJȁŕņōġĩıĶĴĪġĵĴĵĮĴĴIJIJȁŇłřġĩıĶĴĪġĵĴĵĮĶIJĹĵ Cat. No.KSPD1083J01 Nov. 2014 DN 6