s7033-0907 etc kmpd1029j

CCDエリアイメージセンサ
S7033/S7034シリーズ
裏面入射型FFT-CCD
S7033/S7034シリーズは、微弱光検出用に開発された計測用FFT-CCDエリアイメージセンサです。S7033/S7034シリーズの
水平CCDレジスタは大飽和電荷量を特長としています。ビニング動作を行うことにより、受光面の高さ方向に長いリニアイ
メージセンサとして使用できるため、分光光度計の検出器に適しています。ビニング動作は、外部回路で信号をデジタル的
に加算する従来の方法と比べると、S/Nや信号処理速度において非常に優れています。
S7033/S7034シリーズの有効画素サイズは24 × 24 μmで、受光面サイズは12.288 (H) × 2.928 (V) mm2 (S7033-0907, S70340907S)と 24.576 (H) × 2.928 (V) mm2 (S7033-1007, S7034-1007S)を用意しています。
1段または2段電子冷却器を同一パッケージに内蔵したタイプも用意しています。室温で使用した場合、1段冷却型は-10 °C
まで、2段冷却型は-30 °Cまで、ほかの補助冷却手段を使用することなくCCDを冷却することができます。CCDチップと電
子冷却素子は気密封止されており、乾燥エアなどは不要なため、取り扱いが容易です。
特長
用途
ライン/ピクセルビニングが可能
量子効率: ピーク時90 %以上
蛍光分光測光、ICP
工業製品の検査
広い分光感度特性
半導体検査
広いダイナミックレンジ
DNAシーケンサ
微弱光検出
MPP動作
電子冷却素子内蔵 (S7034/S7035シリーズ)
セレクションガイド
型名
冷却
全画素数
S7033-0907
532 × 128
非冷却
S7033-1007
1044 × 128
S7034-0907S
532 × 128
1段電子冷却
S7034-1007S
1044 × 128
注) 2段電子冷却型のS7035シリーズも用意しています。
有効画素数
512 × 122
1024 × 122
512 × 122
1024 × 122
適合マルチチャンネル
受光面サイズ
検出器ヘッド
[mm (H) × mm (V)]
12.288 × 2.928
C7043
24.576 × 2.928
12.288 × 2.928
C7044
24.576 × 2.928
一般定格
項目
S7033シリーズ
S7034シリーズ
画素サイズ
24 (H) × 24 (V) μm
垂直クロック
2相
水平クロック
2相
出力回路
1段MOSFETソースフォロワ
パッケージ
24ピン セラミックDIP (外形寸法図を参照)
内蔵電子冷却素子
1段
石英ガラス
反射防止コーティングサファイア
窓材 *1
*1: 仮付け窓タイプ (例: S7033-0907N)も対応が可能です。
浜松ホトニクス株式会社
1
S7033/S7034シリーズ
CCDエリアイメージセンサ
絶対最大定格 (Ta=25 °C)
項目
記号
Topr
Tstg
VOD
VRD
VISV
VISH
VIG1V, VIG2V
VIG1H, VIG2H
VSG
VOG
VRG
VTG
VP1V, VP2V
VP1H, VP2H
動作温度 *2
保存温度
OD電圧
RD 電圧
ISV電圧
ISH電圧
IGV電圧
IGH電圧
SG 電圧
OG電圧
RG電圧
TG 電圧
垂直クロック電圧
水平クロック電圧
Min.
-50
-50
-0.5
-0.5
-0.5
-0.5
-10
-10
-10
-10
-10
-10
-10
-10
Typ.
-
Max.
+50
+70
+25
+18
+18
+18
+15
+15
+15
+15
+15
+15
+15
+15
単位
°C
°C
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
*2: チップ温度
注) 絶対最大定格を一瞬でも超えると、製品の品質を損なう恐れがあります。必ず絶対最大定格の範囲内で使用してください。
動作条件 (MPP モード , Ta=25 °C)
項目
出力トランジスタドレイン電圧
リセットドレイン電圧
出力ゲート電圧
基板電圧
テストポイント (垂直入力ソース)
テストポイント (水平入力ソース)
テストポイント (垂直入力ゲート)
テストポイント (水平入力ゲート)
垂直シフトレジスタクロック電圧
水平シフトレジスタクロック電圧
サミングゲート電圧
リセットゲート電圧
トランスファーゲート電圧
High
Low
High
Low
High
Low
High
Low
High
Low
外部負荷抵抗
記号
VOD
VRD
VOG
VSS
VISV
VISH
VIG1V, VIG2V
VIG1H, VIG2H
VP1VH, VP2VH
VP1VL, VP2VL
VP1HH, VP2HH
VP1HL, VP2HL
VSGH
VSGL
VRGH
VRGL
VTGH
VTGL
RL
Min.
18
11.5
1
-9
-9
4
-9
4
-9
4
-9
4
-9
4
-9
20
Typ.
20
12
3
0
VRD
VRD
-8
-8
6
-8
6
-8
6
-8
6
-8
6
-8
22
Max.
22
12.5
5
0
0
8
-7
8
-7
8
-7
8
-7
8
-7
24
記号
Min.
0.99995
12
-
Typ.
0.25
1500
3000
260
300
30
30
60
80
0.99999
15
2
13
Max.
1
18
3
14
単位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
kΩ
電気的特性 (Ta=25 °C)
項目
fc
信号出力周波数
垂直シフトレジスタ容量
水平シフトレジスタ容量
S703*-0907(S)
S703*-1007(S)
S703*-0907(S)
S703*-1007(S)
サミングゲート容量
リセットゲート容量
トランスファーゲート容量
電荷転送効率 *3
DC出力レベル*4
出力インピーダンス *4
消費電力 *4 *5
CP1V, CP2V
CP1V, CP2V
CSG
CRG
S703*-0907(S)
S703*-1007(S)
CTG
CTE
Vout
Zo
P
単位
MHz
pF
pF
pF
pF
pF
V
kΩ
mW
*3: 飽和出力の半分のときに測定した、1画素当たりの転送効率。
*4: 負荷抵抗により変わります (VOD=20 V, 負荷抵抗=22 kΩ)。
*5: オンチップアンプと負荷抵抗を合わせた消費電力
2
S7033/S7034シリーズ
CCDエリアイメージセンサ
電気的および光学的特性 ( 指定のない場合は Ta=25 °C)
項目
記号
Vsat
飽和出力電圧
垂直
水平 *6
飽和電荷量
Fw
CCD変換効率
Sv
25 °C
0 °C
暗電流 *7
DS
読み出しノイズ *8
Nr
ラインビニング
エリアスキャン
ダイナミックレンジ *9
DR
感度不均一性 *10
感度波長範囲
PRNU
λ
ポイント欠陥 *11
キズ
白キズ
黒キズ
-
クラスタ欠陥 *12
コラム欠陥 *13
Min.
240
2700
0.5
90000
8000
-
Typ.
Fw × Sv
320
3400
0.6
100
10
30
113300
10700
±3
200 ~ 1100
-
Max.
1000
100
45
±10
0
10
3
0
単位
V
keμV/ee-/pixel/s
e- rms
%
nm
-
*6: 直線性= ±1.5 %
*7: 暗電流は温度が5~7 °C上昇すると約2倍になります。
*8: 動作周波数=150 kHz
*9: ダイナミックレンジ = 飽和電荷量 / 読み出しノイズ
*10: 飽和出力の半分のときに測定。
ۜഽξΣέ΁ηΞͻ =
ࡥ೰ΩΗȜϋΦͼΒ (peak to peak)
૞࣢
× 100 [%]
*11: 白キズ=冷却温度0 °Cで1秒間蓄積したときに、暗電流が1 ke-を超える画素
黒キズ=平均出力画素に比べて感度が半分以下の画素 (測定条件: 飽和電荷量の1/2の出力になる均一光)
*12: 2~9個の連続した画像欠陥
*13: 10個以上の連続した画像欠陥
分光感度特性 (窓なし時) *14
(Typ. Ta=25 °C)
100
90
ၔ࿂වৣ߿CCD
80
ၾঊ࢘ၚ (%)
70
60
50
40
30
20
ນ࿂වৣ߿CCD
(UV΋ȜΠ)
ນ࿂වৣ߿CCD
10
0
200
400
600
800
1000
1200
෨ಿ (nm)
KMPDB0058JB
*14: 石英ガラスまたはサファイアの透過率特性により分光
感度は低下します。
3
S7033/S7034シリーズ
CCDエリアイメージセンサ
窓材の分光透過特性
(Typ. Ta=25 °C)
100
90
80
୞‫΄ם‬ρΑ
70
฽ৣཡগ΋ȜΞͻϋΈ΍έ͹ͼͺ
൫ًၚ (%)
60
50
40
30
20
10
0
100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 1100 1200
෨ ಿ (nm)
KMPDB0101JA
窓材
S7033シリーズ
S7034シリーズ
S7035シリーズ
(2段電子冷却型)
*15: 樹脂封止
*16: 気密封止
窓材
石英ガラス *15
(オプション: 窓なし)
反射防止コーティングサファイア *16
(オプション: 窓なし)
反射防止コーティングサファイア *16
(オプション: 窓なし)
(Typ.)
1000
100
ճഩၠ (e-/pixel/s)
型名
暗電流-温度
10
1
0.1
0.01
-50
-40
-30
-20
-10
0
10
20
30
‫ أ‬ഽ (°C)
KMPDB0256JA
4
S7033/S7034シリーズ
CCDエリアイメージセンサ
デバイス構造 (外形寸法図において上面からみたCCDチップ概念図)
ခْ࢘ள
Thinning
ခْ࢘ள
23
21
15
20
13
14
2-bevel
22
24
૞࣢੄ႁ
1
n
H
2
5
4
3
2
12345
4-bevel
Thinning
V
12
କ໹ΏέΠ
τΐΑΗ
2
3
4
5
ήρϋ· (4ْள)
8
2
n
11
V=122
H=512, 1024
10
9
ήρϋ· (4ْள)
૞࣢੄ႁ
କ໹ΏέΠτΐΑΗ
6-bevel
6-bevel
ಕ) ࢕වৣ༷̥࢜ͣࡉ̹ાࣣȂକ໹ΏέΠτΐΑΗ͉Si͈࢚̞໐໦ (ະۜ໐໦)́
ໞ̞̳̦ͩͦ̀͘Ȃಿ෨ಿ͈࢕͉ະۜ໐໦͈Siͬ൫ً̱Ȃକ໹ΏέΠτΐΑΉ
਋࢕̯ͦͥ‫خ‬ෝ଻̦̜̳ͤ͘ȃຈါͅ؊̲̀৭࢕͈̈́̓చॐ࣐̩̺̯̞ͬ̽̀ȃ
KMPDC0076JB
5
S7033/S7034シリーズ
CCDエリアイメージセンサ
タイミングチャート
ラインビニング
ಇୟ‫ۼܢ‬
(ΏλΛΗ‫)ٳ‬
଒ೄΫΣϋΈ‫ۼܢ‬
(ΏλΛΗ໾)
Tpwv
1
P1V
2
3..126
127
උ͙੄̱‫( ۼܢ‬ΏλΛΗ໾)
128← 122 + 6 (bevel)
Tovr
P2V, TG
4..530 531
4..1042 1043
Tpwh, Tpws
P1H
1
2
3
532 : S703*-0907
1044: S703*-1007
P2H, SG
Tpwr
RG
OS
D1....D10
S1..S512
S1..S1024
D11....D20: S703*-0907
: S703*-1007
KMPDC0128JA
17
P1V, P2V, TG *
P1H, P2H *17
SG
RG
TG–P1H
項目
パルス幅
上昇/下降時間
パルス幅
上昇/下降時間
デューティ比
パルス幅
上昇/下降時間
デューティ比
パルス幅
上昇/下降時間
オーバーラップ時間
記号
Tpwv
Tprv, Tpfv
Tpwh
Tprh, Tpfh
Tpws
Tprs, Tpfs
Tpwr
Tprr, Tpfr
Tovr
Min.
6 *18
10
500
10
500
10
100
5
3
Typ.
8
2000
50
2000
50
-
Max.
-
単位
μs
ns
ns
ns
%
ns
ns
%
ns
ns
μs
*17: 最大パルス振幅の50 %のところに対称クロックパルスをオーバーラップさせてください。
*18: S7033-1007、S7034-1007Sの場合
6
S7033/S7034シリーズ
CCDエリアイメージセンサ
エリアスキャン (大飽和電荷量モード)
ಇୟ‫ۼܢ‬
(ΏλΛΗ‫)ٳ‬
උ͙੄̱‫( ۼܢ‬ΏλΛΗ໾)
Tpwv
1
P1V
2
3
4..127 128←122 + 6 (bevel)
P2V, TG
P1H
P2H, SG
RG
OS
Tovr
P2V, TG
‫ڐ‬ఱ଎
Tpwh, Tpws
P1H
P2H, SG
Tpwr
RG
OS
D1
D2
D3
S1..S512
D4
D18
D5..D10, S1..S1024, D11..D17
D19
D20: S703*-0907
: S703*-1007
KMPDC0130JA
P1V, P2V, TG *
P1H, P2H *19
SG
RG
TG-P1H
19
項目
パルス幅
上昇/下降時間
パルス幅
上昇/下降時間
デューティ比
パルス幅
上昇/下降時間
デューティ比
パルス幅
上昇/下降時間
オーバーラップ時間
記号
Tpwv
Tprv, Tpfv
Tpwh
Tprh, Tpfh
Tpws
Tprs, Tpfs
Tpwr
Tprr, Tpfr
Tovr
Min.
6 *20
10
500
10
500
10
100
5
3
Typ.
8
2000
50
2000
50
-
Max.
-
単位
μs
ns
ns
ns
%
ns
ns
%
ns
ns
μs
*19: 最大パルス振幅の50 %のところに相補的クロックパルスをオーバーラップさせてください。
*20: S7033-1007、S7034-1007Sの場合
7
S7033/S7034シリーズ
CCDエリアイメージセンサ
外形寸法図 (単位: mm)
22.4 ± 0.3
22.9 ± 0.3
2.54 ± 0.13
2.54 ± 0.13
44.0 ± 0.34
34.0 ± 0.34
ͼϋΟΛ·ΑζȜ·
άϋNo. 1
ͼϋΟΛ·ΑζȜ·
άϋNo. 1
3.8 ± 0.44
8.2 *
2.928
਋࢕໐ 24.576
22.9 ± 0.3
වৣௗ 28.6 *
਋࢕໐
12.288
22.4 ± 0.3
වৣௗ 16.3 *
2.4 ± 0.15
S7033-1007
2.928
਋࢕࿂
(24 ×) 0.5 ± 0.05
4.8 ± 0.49
4.8 ± 0.49
4.4 ± 0.44
3.8 ± 0.44
(24 ×) 0.5 ± 0.05
2.4 ± 0.15
3.0
3.0
਋࢕࿂
4.4 ± 0.44
8.2 *
S7033-0907
*ȶௗऺ͈໦࢕൫ًඅ଻ȷ͈Έρέ͈൫ًၚͬ༗બ̳ͥ΀ςͺ
*ȶௗऺ͈໦࢕൫ًඅ଻ȷ͈Έρέ͈൫ًၚͬ༗બ̳ͥ΀ςͺ
KMPDA0081JC
KMPDA0080JC
S7034-0907S
S7034-1007S
වৣௗ 28.6 *
වৣௗ 16.3 *
22.9 ± 0.3
19.0
4.0
8.2 *
2.928
22.9 ± 0.3
19.0
22.4 ± 0.3
4.0
44.0 ± 0.44
34.0 ± 0.34
52.0
42.0
60.0 ± 0.3
50.0 ± 0.3
ͼϋΟΛ·ΑζȜ·
άϋNo. 1
਋࢕࿂
7.7 ± 0.68
7.3 ± 0.63
6.7 ± 0.63
3.0
7.7 ± 0.68
7.3 ± 0.63
6.7 ± 0.63
4.8 ± 0.15
3.0
1.0
(24 ×) 0.5 ± 0.05
4.8 ± 0.15
ഩঊ႖‫ݕ‬ளঊ
ഩঊ႖‫ݕ‬ளঊ
(24 ×) 0.5 ± 0.05
਋࢕࿂
1.0
8.2 *
2.928
2.54
2.54
ͼϋΟΛ·ΑζȜ·
άϋNo. 1
22.4 ± 0.3
਋࢕໐ 24.576
਋࢕໐
12.288
*ȶௗऺ͈໦࢕൫ًඅ଻ȷ͈Έρέ͈൫ًၚͬ༗બ̳ͥ΀ςͺ
*ȶௗऺ͈໦࢕൫ًඅ଻ȷ͈Έρέ͈൫ًၚͬ༗બ̳ͥ΀ςͺ
KMPDA0082JD
KMPDA0083JD
8
S7033/S7034シリーズ
CCDエリアイメージセンサ
ピン接続
ピン
記号
No.
1
RD
2
OS
3
OD
4
OG
5
SG
6
7
8
P2H
9
P1H
10
IG2H
11
IG1H
12
ISH
13 TG *21
14
P2V
15
P1V
16
17
18
19
20
SS
21
ISV
22
IG2V
23
IG1V
24
RG
S7033シリーズ
機能
リセットドレイン
出力トランジスタソース
出力トランジスタドレイン
出力ゲート
サミングゲート
CCD水平レジスタ クロック-2
CCD水平レジスタ クロック-1
テストポイント (水平入力ゲート-2)
テストポイント (水平入力ゲート-1)
テストポイント (水平入力ソース)
トランスファーゲート
CCD垂直レジスタ クロック-2
CCD垂直レジスタ クロック-1
基板 (GND)
テストポイント (垂直入力ソース)
テストポイント (垂直入力ゲート-2)
テストポイント (垂直入力ゲート-1)
リセットゲート
記号
RD
OS
OD
OG
SG
P2H
P1H
IG2H
IG1H
ISH
TG *21
P2V
P1V
Th1
Th2
PP+
SS
ISV
IG2V
IG1V
RG
S7034シリーズ
機能
リセットドレイン
出力トランジスタソース
出力トランジスタドレイン
出力ゲート
サミングゲート
備考
(標準動作)
+12 V
RL=22 kΩ
+20 V
+3 V
P2Hと同タイミング
CCD水平レジスタ クロック-2
CCD水平レジスタ クロック-1
テストポイント (水平入力ゲート-2)
テストポイント (水平入力ゲート-1)
テストポイント (水平入力ソース)
トランスファーゲート
CCD垂直レジスタ クロック-2
CCD垂直レジスタ クロック-1
サーミスタ
サーミスタ
電子冷却素子 (-)
電子冷却素子 (+)
基板 (GND)
テストポイント (垂直入力ソース)
テストポイント (垂直入力ゲート-2)
テストポイント (垂直入力ゲート-1)
リセットゲート
-8 V
-8 V
RDに接続
P2Vと同タイミング
GND
RDに接続
-8 V
-8 V
*21: 垂直レジスタと水平レジスタ間の分離ゲート。標準動作ではTGにP2Vと同じパルスを入力してください。
内蔵電子冷却素子の仕様 (Typ.)
項目
内部抵抗
最大電流 *22
最大電圧
最大熱吸収 *25
放熱側の最大温度
記号
条件
Rint Ta=25 °C
Imax Tc *23=Th *24=25 °C
Vmax Tc *23=Th *24=25 °C
Qmax
-
S7034-0907S
2.5
1.5
3.8
3.4
70
S7034-1007S
1.2
3.0
3.6
5.1
70
単位
Ω
A
V
W
°C
*22: 電流値がImax以上になると、ジュール熱によって熱吸収率が低下し始めます。この最大電流 Imaxは冷却器を損なわないための閾
値ではありませんので注意してください。電子冷却素子を保護し、安定した動作を維持するために、供給電流をこの最大電流の
60 %以下に設定してください。
*23: 電子冷却素子の冷却側の温度
*24: 電子冷却素子の放熱側の温度
*25: 最大電流をセンサに供給したときに、電子冷却素子に生じる温度差を補正する理論的な熱吸収レベルです。
9
S7033/S7034シリーズ
CCDエリアイメージセンサ
S7034-0907S
(Typ. Ta=25 °C)
ഩգȽഩၠ
CCD ‫أ‬ഽȽഩၠ
ഩ գ (V)
6
30
20
5
10
4
0
3
-10
2
-20
1
-30
0
0
1.0
0.5
1.5
CCD ‫أ‬ഽ (°C)
7
-40
2.0
ഩ ၠ (A)
KMPDB0178JA
S7034-1007S
(Typ. Ta=25 °C)
ഩգȽഩၠ
CCD ‫أ‬ഽȽഩၠ
ഩգ (V)
6
30
20
5
10
4
0
3
-10
2
-20
1
-30
0
0
1
2
3
4
CCD‫أ‬ഽ (°C)
7
-40
ഩၠ (A)
KMPDB0179JA
10
CCDエリアイメージセンサ
S7033/S7034シリーズ
内蔵温度センサの仕様
CCDチップと同じパッケージにサーミスタチップが内蔵されており、動作中のCCDチップ温度をモニタします。
このサーミスタの抵抗値と絶対温度の関係は次式で表されます。
(Typ. Ta=25 °C)
1 MΩ
RT1 = RT2 × exp BT1/T2 (1/T1 - 1/T2)
使用しているサーミスタの特性は以下のとおりです。
R298=10 kΩ
B298/323=3450 K
೷ࢯ
RT1: 絶対温度 T1 [K]のときの抵抗値
RT2: 絶対温度 T2 [K]のときの抵抗値
BT1/T2: B定数 [K]
100 kΩ
10 kΩ
220
230
240
250
260
270
280
290
300
‫أ‬ഽ (K)
KMPDB0111JA
使用上の注意 (静電対策)
● センサは、素手あるいは綿の手袋を付けて扱ってください。摩擦で生じる静電気によるダメージを避けるため、静電防止服やアー
ス付きリストバンドを身に着けてセンサを取り扱ってください。
● 静電気を帯びる可能性のある作業台やフロアの上にセンサを直接置かないでください。
● 作業台や作業フロアには、静電気を放電させるためのアース線を接続してください。
● センサを取り扱うピンセットやはんだごてなどの道具にもアースを取るようにしてください。
上記の静電対策は必ずしもすべて行う必要はありません。発生する障害の程度に応じて対策を施してください。
素子の冷却・昇温時の温度勾配速度
素子の冷却・昇温時の温度勾配速度は、5 K/min以下になるように設定してください。
11
CCDエリアイメージセンサ
S7033/S7034シリーズ
マルチチャンネル 検出ヘッドC7043, C7044
特長
C7043: S7033シリーズ用
C7044: S7034シリーズ用
エリアスキャンまたはラインビニング動作
読み出し周波数: 250 kHz
読み出しノイズ: 60 e- rms
ΔT=50 °C (ΔTは冷却方法により異なる)
入力
マスタースタート
記号
VD1
VA1+
VA1VA2
VD2
Vp
VF
φms
マスタークロック
φmc
印加電圧
定格値
+5 Vdc, 200 mA
+15 Vdc, +100 mA
-15 Vdc, -100 mA
+24 Vdc, 30 mA
+5 Vdc, 30 mA (C7044)
+5 Vdc, 2.5 A (C7044)
+12 Vdc, 100 mA (C7044)
HCMOSロジックコンパチブル
HCMOSロジックコンパチブル
1 MHz
本資料の記載内容は、平成26年2月現在のものです。
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Cat. No. KPIN1029J11 Feb. 2014 DN
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