概要 MCP（マイクロチャンネルプレート）は、真空中において電子・イオン・真空紫外線・Ｘ線・γ線などを、2次元的に増倍し 検出するセンサです。円形と矩形のMCPがあり、それらに電極リード等をマウントして手軽にお使いいただけるMCPアッセン ブリも提供しております。「質量分析」・「半導体検査装置」・「表面分析」をはじめ各種分析装置に幅広く使用されています。 MCPアッセンブリには、用途に応じた3種類の出力読み出し系があります。シングルアノード（有効領域内の入力を電流として 出力）・マルチアノード（信号の入射位置ごとに電流を出力）・蛍光面（可視光として出力）から最適なものをお選びください。 また、MCPは1∼3段までお選びいただけます。必要に応じたゲインが得られ、アナログモード（直流電流として計測）・カウ ンティングモード（微弱信号をパルス計測）での使用が可能です。 動作原理 右下に示すように、MCPの入力側・出力側2つの電極間に電圧VＤを供給すると、チャンネル方向に電位勾配が生まれます。ここ で入射電子が入力側の内壁に当たると、複数の二次電子が放出されます。これらの二次電子は電位勾配によって出力側に加速 されるため、初速度によって決まる放物線軌道を描きます。そして反対側の内壁に衝突して再び二次電子を放出します。このよ うにして電子はチャンネルの内壁に何回も衝突しながら出力側へ進んでいき、結果として指数関数的に増倍された電子が取り 出されます。 ■厚さ 構造模式図 MCPの厚さをチャンネルの長さとみなし、このチャンネル長Lと チャンネル径dの比をα (=L/d)と呼び、αと材料固有の二次電子 チャンネル径: d 放出係数がMCPのゲインを決定します。αは通常40∼60で製作 されますが、必要なチャンネル径とこのαの設計値により厚さが 決まります。 長さ: L ■開口率 (Open Area Ratio: OAR) 有効面積に対するチャンネル開口部面積の比率です。 ■バイアス角 プレートの入射面に対する垂直軸を基準としたチャンネルの軸の 傾きです。このバイアス角は検出効率や入力信号がチャンネル壁 に衝突せず突き抜けてしまうことの防止、解像度などを考慮して チャンネル内壁 入射電子 出射電子 通常5° ∼15° の適切な値が選ばれます。 入力側電極 出力側電極 ストリップ電流 VD TMCPC0002JF 1 高開口率 (OAR): ファネルタイプ（オプション） 開口率 (OAR)は通常60 %に設定されますが、多くの信号をチャンネルに導くため、開口率を最大90 %まで向上させた「ファネ ル」タイプもご用意できます。ご希望の場合はお問い合わせください。 標準品 OAR 60 % イオン イオン ファネルMCP OAR 90 % ネル チャン ネル チャン 12 µm 12 µm 断面構造図 断面構造図 ▲チャンネル入口形状（SEM画像） ▲チャンネル入口形状（SEM画像） 特性 ■MCPゲイン特性 ■パルス波高分布: PHD TMCPB0005JB TMCPB0034JD 108 MCP3段 MCP2段 カウント数 (s-1) 107 ゲイン 106 MCP3段 MCP2段 105 104 MCP1段 パルス波高 (チャンネル数) 103 0 1.0 2.0 3.0 供給電圧 (kV) ■MCP飽和特性（出力直線性） アナログモード 150 カウンティングモード TMCPB0072JA TMCPB0042JE 108 107 100 カウント数 (s-1) 相対ゲイン (%) ワイドダイナミックレンジ MCP F6584 抵抗: 7.5 MΩ 有効径: 20 mm 標準 MCP 抵抗: 200 MΩ 有効径: 20 mm 50 106 標準 MCP 抵抗: 400 MΩ / MCP2段 ゲイン: 5×106 有効径: 20 mm 105 0 10-8 ワイドダイナミックレンジ MCP F6584 抵抗: 22.4 MΩ / MCP2段 ゲイン: 8×106 , 有効径: 20 mm 104 10-7 10-6 出力電流 (A) 10-5 10-4 10-8 10-7 10-6 10-5 10-4 出力電流 (A) 2 MCP単体 仕様と外形寸法図 円形 MCPF0006 入力側 D C A θ B 入力側表示 1 出力側 TMCPA0056JA F1552 F1217 F1551 F1094 型名 F1208-01 F1942-04 F2395-04 単位 項目 -015 -06 -011 -074 -015 -011 -074 -015 -011 -074 -015 -011 外 形 寸 法 A φ17.9 φ32.8 φ86.7 φ113.9 mm φ49.9 φ24.8 φ38.4 電極エリア B φ17 φ31.8 φ84.7 φ112 mm φ49 φ23.9 φ36.5 有効エリア C φ14.5 φ27 φ77 φ105 mm φ42 φ20 φ32 厚 さ D mm 0.48 0.48 0.3 0.3 0.48 1 0.48 0.48 0.2 0.48 0.3 チャンネル径 µm 12 12 12 6 6 25 4 12 6 12 12 チャンネルピッチ µm 15 15 15 7.5 7.5 31 5 15 7.5 15 15 バイアス角度 θ 度 8 8 8 12 8 8 12 12 8 12 開口率 % 55 60 60 電極材料 — インコネル ゲイン (Min.) 3 — 104 104 5×103 5×103 104 5×103 104 3 抵抗 100∼700 10∼100 20∼100 20∼200 50∼500 10∼50 10∼100 15∼200 6.7∼33.3 6.7∼66 20∼100 10∼200 4∼20 10∼100 5∼50 MΩ 0.5 暗電流 (Max.) 3 pA·cm-2 3 2 ストリップ電流 の7 %まで 最大直線性出力 — 供給電圧 4 1.0 kV -50∼+70 °C 動作周囲温度 4 NOTE: 1MCP入力側を示します。形は製品により異なります。 2ストリップ電流とは、MCP IN-OUT間に電圧をかけたときにチャンネル壁にそって流れる電流のことであり、電圧÷MCP抵抗で与え られます。 3供給電圧1.0 kV、真空度1.3 × 10-4 Pa、動作周囲温度+25 °C 4真空度1.3 × 10-4 Pa 5F1551-01, F1094-01, F1552-01, F1208-01, F1217-01は、センターホール (φ6 mm)タイプもございます。 3 矩形 C’ A’ θ B’ MCPF0011 C D B 入力側表示 1 A 入力側 出力側 TMCPA0057JA 型名 項目 外 形 寸 法 A×A' 電極エリア B×B' 有効エリア C×C' 厚 さ D チャンネル径 チャンネルピッチ バイアス角度 θ 開口率 電極材料 ゲイン (Min.) 3 抵抗 3 暗電流 (Max.) 3 最大直線性出力 3 供給電圧 4 動作周囲温度 4 F2370-01 F4772-01 F2806-01 F1943-02 F2805-03 F2396-04 単位 15.9×9.4 15×8.5 13×6.5 61.9×13.9 61×13 55×8 0.48 12 15 49.9×39.9 49×39 45×35 87.9×37.9 87×37 81×31 0.60 15 19 59.9×59.9 58×58 53×53 0.80 20 25 96.9×78.9 95.6×77.3 90×72 1.00 25 31 20∼120 10∼50 mm mm mm mm µm µm 度 % — — MΩ pA·cm-2 — kV °C 100∼500 8 60 インコネル 104 20∼200 0.5 ストリップ電流 2の7 %まで 1.0 -50∼+70 4 MCPアッセンブリ目的別セレクションガイド 検出対象 電子 +/-イオン 真空紫外線 X線 TOF検出 信号量測定 （Time of Flight） 到達時間 の差を測定 信号量 を測定 MCPF0081 MCPF0088 デマンタブル 信号読み出しリード 捕えるX線∼電子の強弱に応じMCPを3段まで組込むこ とが可能です。ネジ止めによるマウント方式であるため MCPを交換することができます。 スタンダード MCP フランジ部 センターホール（穴開き） 円形・矩形タイプがあります。 円形タイプには、さらに小型化したタイプも あります。 イオン・X線、etc. 高速応答 出力波形 サンプル 中央部に穴の開いた構造となっており、そこか らイオン・X線などをサンプルに照射し、サン プルからの信号を高効率で検出できます。 ページ 5 高速信号の読み出し用に設計されたアノード です。 “リンギング”と呼ばれる波形のうねりを無 くし、きれいで高速な信号出力が得られます。 円形 矩形 小型 スタンダード 高速応答 アノードグラウンド フローティング 小型 小型・4 µm MCP P.9 P.10 P.11 P.12 P.12 P.13 P.13 P.14 P.14 MCP 信号読み出し系 1: シングルアノード 2: マルチアノード 3: 蛍光面 位置検出 画像読出 信号量 と位置分布 を測定 信号分布 を画像として 捕らえる MCPF0077 薄型 ハトメ マルチアノード MCPF0082 蛍光面出力 イオン・X線、etc. MCP 蛍光面 MCP (15.1) マルチ アノード イオン・電子 (5.6) 電子 TMCPC0104JA 信号 狭いスペースに設置可能です。 配線接続が2ヶ所で済むためメ ンテナンスが簡単です デマンタブルタイ プのようにMCPの 交換はできません が、小型・安価で す。 特長 •1次元（1×n）、2次元（a×n）に任意の 読み出しパターンが可能 •同時計数（並列読み出し）が可能 •高い計数率 •アノードピッチ: 3 mm以上 MCPからの出力電荷を、蛍光体の塗布さ れたガラス面板で可視光像に変換します。 M C P 1 段で4 0 µ m ∼ 5 0 µ m 、2 段で 80 µm∼100 µmの解像度を有しています。 蛍光体はP43, P46, P47の3種類からお 選びください。 （詳しい仕様は9ページをご 覧ください。） 高速応答 ハトメ ハトメ 円形 矩形 円形 矩形 真空フランジ付 P.15 P.8 P.8 P.9 P.10 P.9 P.10 P.16 6 MCPアッセンブリ用途別セレクションガイド MCP アッセンブリは主に「質量分析」 ・「半導体検査装置」・「表面分析」に使用されています。 その代表的用途に最適なタイプをお選びいただくためのセレクションガイドです。 該当する用途例がない場合、弊社までお気軽にお問い合わせください。 ◎：最適 ○：使用可能 分 野 質量分析 用途 検 出 方 法 MCPアッセンブリ 飛 行 時 間 質 量 分 析 Ｔ Ｏ Ｆ ︲ Ｍ Ｓ Ｍ Ａ Ｌ Ｄ Ｉ Ｌ Ｃ ︲ Ｍ Ｓ 半導体検査装置 四 重 極 質 量 分 析 二 重 集 束 型 質 量 分 析 ガ ス ク ロ ／ 液 ク ロ 質 量 分 析 誘 導 結 合 形 高 周 波 プ ラ ズ マ 質 量 分 析 二 次 イ オ ン 質 量 分 析 Ｑ ︲ Ｍ Ｓ セ ク タ ー Ｍ Ｓ Ｇ Ｃ ／ Ｌ Ｃ ︲ Ｍ Ｓ Ｉ Ｃ Ｐ ︲ Ｍ Ｓ Ｓ Ｓ Ｓ Ｅ Ｉ Ｅ Ｉ Ｂ Ｍ Ｍ Ｍ Ｍ Ｓ Ｓ 走 査 電 子 顕 微 鏡 走 査 イ オ ン 顕 微 鏡 線 幅 測 長 器 円形MCPデマンタブルタイプ（シングルアノード） ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ 総 量 測 定 ・ Ｔ Ｏ Ｆ 検 出 位 置 検 出 画 像 読 出 7 電 子 、 イ オ ン ビ ー ム 露 光 装 置 マ ス ク ア ラ イ ナ ー 表面分析 Ｆ Ｉ Ｂ シ ス テ ム オ ー ジ ェ 電 子 分 光 イ オ ン 散 乱 分 光 Ｘ 線 光 電 子 分 光 Ａ Ｉ Ｅ Ｒ Ｅ Ｓ Ｓ Ｂ Ｓ Ｓ Ｃ Ｓ Ａ ○ ○ 円形MCPハトメタイプ（シングルアノード） ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ F2223-21SH ○ ○ 軟 Ｘ 線 分 光 中 速 反 射 電 子 線 解 析 低 速 電 子 線 解 析 電 界 イ オ ン 顕 微 鏡 透 過 電 子 顕 微 鏡 軟 Ｘ 線 顕 微 鏡 ポ ジ ト ロ ン 検 出 Ｖ Ｓ Ｒ Ｌ Ｆ Ｔ Ｓ Ｕ Ｘ Ｍ Ｅ Ｉ Ｅ Ｘ Ｖ Ｓ Ｅ Ｅ Ｍ Ｍ Ｍ Ｅ Ｄ Ｓ Ｄ F4294-09 ◎ ◎ ○ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ F4655/-14 真 空 紫 外 線 分 光 ○ ○ ○ ○ 矩形MCPデマンタブルタイプ（シングルアノード） ○ ○ ○ ○ ◎ ◎ ラ ザ ー フ ォ ー ド 後 方 散 乱 分 光 ◎ ◎ ◎ ○ ○ F4655-10/-11 ○ ○ ◎ ○ ○ ◎ ○ ○ ○ F4655-13 ◎ ◎ ○ ○ ○ ○ ○ F9890-31/-32, F9892-31/-32 ○ ◎ ◎ ○ ◎ ◎ ○ ○ ○ F9890-13/-14, F9892-13/-14 ◎ ○ ◎ ○ ○ ○ ○ ○ ○ F12334-11, F12395-11, F12396-11 ◎ ○ ◎ ○ ○ ○ ○ ○ ○ 円形MCPデマンタブルタイプ（マルチアノード） ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ◎ ○ ○ 矩形MCPデマンタブルタイプ（マルチアノード） ○ ○ ○ ○ ◎ ○ ○ 円形MCPハトメタイプ（マルチアノード） ○ ○ ◎ ○ ○ 円形MCPデマンタブルタイプ（蛍光面） ○ ○ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ○ ○ ○ 矩形MCPデマンタブルタイプ（蛍光面） ◎ ◎ ○ ○ ◎ ○ ○ ○ F2225-21PGF ◎ ◎ ○ ○ ◎ ○ ○ ○ F6959 ◎ ◎ ○ ○ ○ ○ ○ ○ MCPアッセンブリ 仕様と外形寸法図（単位 （単位:: mm） mm 1 型名 F1551 F1094 F1552 F1208 F1217 チャンネル径 MCP段数 (µm) (段) 12 1∼3 ゲイン (Min.) パルス波高 分解能 (Max.) (%) MCP1段: 1 × 104 MCP2段: 1 × 106 MCP3段: 1 × 107 MCP2段: 120 MCP3段: 80 1 1 2 2 ダークカウント (Max.) (s-1·cm-2) MCP 供給電圧 (kV) MCP-OUT−アノード間 供給電圧 (kV) 3 （MCP2段および3段） MCP1段: 1.0 MCP2段: 2.0 MCP3段: 3.0 シングルアノード: 0.5 マルチアノード: 0.5 NOTE: 1供給電圧1.0 kV/MCP, 真空度1.3 × 10-4 Pa, 周囲温度+25 °C 2真空度1.3 × 10-4 Pa 円形（ハトメ） MCP アノード リード線 8 × 0.5 SUS 真空ベーキングは、装置を1.3×10-4 Pa以下の高真空に保ちながら、150 ℃以下の温度範囲で行ってください。 ° 30 30° 1 ハトメ2本 2 ハトメ1本 1 D B 有効エリア A 3 1 ハトメ1本 3 1MCP-IN リード （4本） 2MCP-OUT リード（2本） 3アノードリード （2本） 2 C ハトメ1本 30 MIN. 1 TMCPA0027JF アノード種類 MCP段数 読み出し系無し シングルアノード 1∼3段 記号 説明 A 外形寸法 B MCP有効エリア マルチアノード 蛍光面タイプはありません。 C 高さ MCP D リード線ピッチ径 F1551 F1094 F1552 F1208 F1217 単位 27 34 42 49 62 mm 14.5 20 27 32 42 mm 1段 4.5 2段 5.7 3段 5.7 22.5 29.5 37.5 mm 44 56 mm マルチアノードタイプは寸法が異なります。 アノードなしのタイプも対応可能です。 円形（ハトメ）の型名ガイド 円形 MCP アッセンブリ（ハトメタイプ）にのみ対応です。その他 MCP 単体 / アッセンブリのご注文につきましては、型名を そのままご指定ください。* お客様ご自身で読み出し系をご用意される場合、読み出し系無しでのご提供となります。 F 1 55 1-21S 読み出し系 サフィックス無し: 読み出し系無し * S: シングルアノード チャンネル径 型名: アッセンブリタイプ 1: 12 mm MCP段数 1: 1段 2: 2段 3: 3段 8 （単位:: mm） mm MCPアッセンブリ 仕様と外形寸法図（単位 1 型名 チャンネル径 MCP段数 (µm) (段) F2221 F2222 F2223 F2224 F2225 F2226 12 パルス波高 分解能 (Max.) (%) ゲイン (Min.) 下記 MCP1段: 1 × 104 「アノード種類」 MCP2段: 1 × 106 参照 MCP3段: 1 × 107 1 MCP2段: 120 MCP3段: 80 1 2 2 ダークカウント (Max.) (s-1·cm-2) MCP 供給電圧 (kV) MCP-OUT−アノード間 供給電圧 (kV) 3 （MCP2段および3段） MCP1段: 1.0 MCP2段: 2.0 MCP3段: 3.0 シングルアノード: 0.5 マルチアノード: 0.5 蛍光面: 3.0 ∼ 4.0 25 NOTE: 1供給電圧1.0 kV/MCP, 真空度1.3 × 10-4 Pa, 周囲温度+25 °C 2真空度1.3 × 10-4 Pa 円形（デマンタブル） 真空ベーキングは、装置を1.3×10-4 Pa以下の高真空に保ちながら、150 ℃以下の温度範囲で行ってください。 アノード種類 F 3 MCP-INリード 電極リード 45° シングルアノード 3 インシュレータ 記号 読み出し系 1∼2段 説明 F2221 F2222 F2223 F2224 F2225 F2226 単位 A 外形寸法 54 61 69 75 86 123 mm B 固定用ネジ穴ピッチ径 46 53 61 67 78 115 mm 34 41 49 55 66 103 mm 14.5 20 27 32 42 C インシュレータ外径 E D C B A H 1.0 蛍光面 ガス抜き用 間隙 チャンネル バイアス方向 1∼3段 マルチアノード 基板 ナットM2 MCP-OUT リード MCP D MCP有効エリア 77 mm E 読み出し系有効エリア 10 17 24 30 40 75 mm F 最大高 15 15 15 15 15 17 mm 20 基板底から 1段 10.9 12.9 G インシュレータ MCP 2段 4 × 3.5 4 × 4.5 アノードまたは 蛍光面リード MCP段数 読み出し系無し G 11.9 14.4 mm 表面までの距離 3段 11.9 15.9 MCP入力面から 1段 2.8 3.8 MCP 2段 3.3 4.3 3段 2.9 4.8 H インシュレータ 表面までの距離 TMCPA0026JH mm 型名によって形状が異なることがあります。 蛍光面 残光時間は読み出し方法・用途に合わせ、発光波長は読み出しデバイスの受光感度に合わせてお選びください。 種類 最高発光波長 (nm) 発光色 相対エネルギー効率 1 10 %残光時間 備考 P43 545 黄緑 1 1 ms 標準タイプ P46 510 黄緑 0.3 0.2 µs ∼ 0.4 µs 2 残光時間が短い P47 430 青紫 0.3 0.11 µs 残光時間が非常に短い NOTE: 1供給電圧: 6 kV。P43を1としたときの相対値です。 2入射パルス幅により変わります。 ■発光分布特性 100 ■残光特性 TMCPB0090JA 102 TMCPB0091JA P43DC3 P47 視感度 P43 80 101 相対出力 (%) 相対出力 (%) P46 60 40 P46 100 P47 10-1 20 1 ms 0 350 400 450 500 550 波長 (nm) 9 1 ms 100 ns 600 650 700 100 ns 入射光パルス幅 蛍光面最大電流 8 nA/cm2 10-2 10-8 10-7 10-6 10-5 10-4 残光時間 (s) 10-3 10-2 3連続入射光がなくなった場合 の残光特性 1 型名 チャンネル径 MCP段数 (µm) (段) F2813 15 F2814 20 F3490 12 パルス波高 分解能 (Max.) (%) ゲイン (Min.) 下記 MCP1段: 1 × 104 「アノード種類」 MCP2段: 1 × 106 MCP3段: 1 × 107 参照 MCP2段: 120 MCP3段: 80 1 1 2 2 ダークカウント (Max.) (s-1·cm-2) MCP 供給電圧 (kV) MCP-OUT−アノード間 供給電圧 (kV) 3 （MCP2段および3段） MCP1段: 1.0 MCP2段: 2.0 MCP3段: 3.0 シングルアノード: 0.5 マルチアノード: 0.5 蛍光面: 3.0 ∼ 4.0 NOTE: 1供給電圧1.0 kV/MCP, 真空度1.3 × 10-4 Pa, 周囲温度+25 °C 2真空度1.3 × 10-4 Pa 矩形（デマンタブル） 真空ベーキングは、装置を1.3×10-4 Pa以下の高真空に保ちながら、150 ℃以下の温度範囲で行ってください。 MCP-OUTリード 3 アノード種類 チャンネルバイアス方向 MCP段数 読み出し系無し シングルアノード 20 MCP-INリード 1∼3段 マルチアノード 蛍光面 E’ A’ B’ D’ 記号 4 × 3.5 アノードまたは 蛍光面リード D C A×A' F2813 F2814 128×54 96×76 固定用ネジ穴ピッチ 120×46 86×68 104×54 76×76 D×D' MCP有効エリア 81×31 53×53 55×8 mm E×E' 読み出し系有効エリア 80×30 50×50 52×7 mm 1段 10.9 10.9 MCP 2段 11.9 11.9 11.9 mm 3段 11.9 12.9 F 電極リード インシュレータ 表面までの距離 MCP入力面から ナベネジM2 3 E インシュレータ 72×18 1段 2.7 2.5 3.8 MCP 2段 3.1 2.7 3.3 3段 2.5 2.9 2.9 表面までの距離 mm 66×29.5 mm mm 型名によって形状が異なることがあります。 F G G インシュレータ 単位 インシュレータ外形 基板底から MCP F3490 78×29.5 mm B×B' A ガス抜き用間隙 説明 外形寸法 C×A' B 基板 1∼2段 読み出し系 TMCPA0029JG 円形 / 矩形（デマンタブル）の型名ガイド 円形 / 矩形 MCP アッセンブリ（デマンタブルタイプ）にのみ対応です。その他 MCP 単体 / アッセンブリのご注文につきまして は、型名をそのままご指定ください。* お客様ご自身で読み出し系をご用意される場合、読み出し系無しでのご提供となります。 読み出し系に蛍光面をご使用の場合、変更すべき点がございますので、あらかじめ弊社までお問い合わせください。 F 2 22 4-21P 読み出し系 サフィックス無し: 読み出し系無し * S: シングルアノード M: マルチアノード P: 蛍光面（P43、P46、P47から選択。9ページ参照） チャンネル径 型名: アッセンブリタイプ 1: 12 µm 2: 15 µm（矩形タイプのみ） 3: 20 µm（矩形タイプのみ） 4: 25 µm（円形タイプのみ） MCP段数 1: 1段 2: 2段 3: 3段 10 MCPアッセンブリ 仕様と外形寸法図（単位 （単位:: mm） mm 1 型名 チャンネル径 MCP段数 (µm) (段) 12 2 F4655 F4655-14 ゲイン (Min.) パルス波高 分解能 (Max.) (%) 5 × 107 50 1 1 2 2 ダークカウント (Max.) (s-1·cm-2) MCP 供給電圧 (kV) MCP-OUT−アノード間 供給電圧 (kV) 3 2.5 0.5 NOTE: 1供給電圧1.0 kV/MCP, 真空度1.3 × 10-4 Pa, 周囲温度+25 °C 2真空度1.3 × 10-4 Pa F4655 真空ベーキングは、装置を1.3×10-4 Pa以下の高真空に保ちながら、150 ℃以下の温度範囲で行ってください。 3 MCP-OUTリード 8.5 0.5t SUS 7.5 ° 0° 6 60 3 × 2.2 P.C.D.* 25.6 * P.C.D. (Pitch Circle Diameter) 14.5 有効エリア 18 12 MCP (2段) 2 基板 アノード 3.5 MCP-OUTリード 3.5 アノードリード シールド板 （基板と同電位） TMCPA0001JJ F4655-14 真空ベーキングは、装置を1.3×10-4 Pa以下の高真空に保ちながら、150 ℃以下の温度範囲で行ってください。 3 MCP-INリード (8) 0.5t SUS 7.5 (4.5) 6 ° 12 0° 60 3 × 2.2 P.C.D.* 25.6 * P.C.D. (Pitch Circle Diameter) 14.5 有効エリア 18 固定用 (M1.6) 2 MCP (2段) 基板 MCP-OUTリード 3.5 3 × M1.6 長さ12 P.C.D.* 21.5 アノードリード 3.5 アノード シールド板 （基板と同電位） TMCPA0086JB 11 型名 チャンネル径 MCP段数 (µm) (段) 12 2 F2223-21SH F4294-09 1 MCP センター 不感部分 (mm) 8 12 ゲイン (Min.) パルス波高 分解能 (Max.) (%) 1 × 106 — 1 1 2 2 ダークカウント (Max.) (s-1·cm-2) MCP 供給電圧 (kV) MCP-OUT−アノード間 供給電圧 (kV) 3 2.0 0.5 NOTE: 1供給電圧1.0 kV/MCP, 真空度1.3 × 10-4 Pa, 周囲温度+25 °C 2真空度1.3 × 10-4 Pa F2223-21SH * P.C.D. (Pitch Circle Diameter) 8.6 メッシュ MCP（2段） 41 10 27 有効エリア 8 不感部 4 × 2.6 P.C.D.* 50.8 56.5 45° MCPセンターホール 6 センターパイプ（外径: 5） センターパイプ（内径: 4） 真空ベーキングは、装置を1.3×10-4 Pa以下の高真空に保ちながら、150 ℃以下の温度範囲で行ってください。 4× 1 6 1 234 3 基板 1.6 1メッシュリード 2MCP-IN リード 3MCP-OUT リード 4アノードリード TMCPA0002JH F4294-09 MCP-IN リード 4 × 3.5 P.C.D.* 61 17 (8.5) 14.6 5.3 3 アノード 基板 MCP（2段） 69 49 27 有効エリア 12 不感部 45 ° 20 3 MCP-OUT リード MCPセンターホール 10 センターパイプ（外径: 8） センターパイプ（内径: 6） * P.C.D. (Pitch Circle Diameter) 9.5 インシュレータ SMA コネクタ TMCPA0042JF 12 MCPアッセンブリ 仕様と外形寸法図（単位 （単位:: mm） mm 1 型名 チャンネル径 MCP段数 (µm) 12 6 12 6 12 6 12 6 (段) F9890-13 F9890-14 F9890-31 F9890-32 F9892-13 F9892-14 F9892-31 F9892-32 パルス幅 (FWHM) (ps) ゲイン (Min.) パルス波高 分解能 (Max.) (%) 1 × 106 150 1 1 2 2 ダークカウント (Max.) (s-1·cm-2) MCP 供給電圧 (kV) MCP-OUT−アノード間 供給電圧 (kV) 3 2.0 0.5 900 450 2 1200 700 NOTE: 1供給電圧1.0 kV/MCP, 真空度1.3 × 10-4 Pa, 周囲温度+25 °C 2真空度1.3 × 10-4 Pa F9890-13/-14, F9892-13/-14 D 21.3 E 3 結線例 4 × 4.5 1.65 4 5° アッセンブリ MCP-INリード 基板 MCP（2段） 150 pF × 4 (3 kV) アンプ IN F G 24 信号出力 (BNC) B C A 有効エリア MCP-OUT リード 信号 BNC1 -500 V -2 kV Max. Max. フローティング （500 V動作を推奨） 動作可能な 電源 IN 1SMAコネクタタイプも対応可能 A B C D E F G 50 Ω 入力 OUT デバイダ回路 を用いた場合 F9890-13 F9890-14 F9892-13 F9892-14 42 27 92 81 75 63 11.6 11.6 12 12 9.6 9.6 10 10 84 72 64 52 OUT 2 MΩ 0.5 MΩ (3 W) (1 W) -2.5 kV Max. TMCPA0075JC F9890-31/-32, F9892-31/-32 44.5 35 結線例 4 × 4.5 F 1.65 D E 3 アッセンブリ 45° MCP-INリード MCP（2段） MCP-OUT リード 信号出力 (SMA) IN H I G B C A 有効エリア 1 MΩ アノードリード A B C D E F G H I 13 F9890-31 F9890-32 F9892-31 F9892-32 27 42 92 81 63 75 20.2 19.9 20.2 19.9 18.2 17.9 18.2 17.9 MCP-INリード 13.5 13.9 13.5 13.9 15.2 15.2 MCP-OUTリード 19.4 19.4 アノードリード 35 40 72 84 52 64 アンプ 140 pF(40 kV) メッシュ 信号 SMA 基板 150 pF × 4 (15 kV) 50 Ω 入力 アノード OUT 500 V （500 V動作を推奨） 2 kV Max. Max. フローティング フローティング 動作可能な 動作可能な 電源 電源 -10 kV ∼ +10 kV IN デバイダ回路 を用いた場合 アノード OUT 2 MΩ 0.5 MΩ (3 W) (1 W) 2.5 kV フローティング動作 可能な電源 Max. -10 kV ∼ +10 kV TMCPA0082JD 1 型名 チャンネル径 MCP段数 (µm) (段) パルス幅 (FWHM) (ps) 2 600 F4655-10 F4655-11 F4655-13 12 4 ゲイン (Min.) パルス波高 分解能 (Max.) (%) 5 × 107 1× 106 1 1 2 ダークカウント (Max.) (s-1·cm-2) MCP 供給電圧 (kV) 50 3 2.5 120 5 2.0 2 MCP-OUT−アノード間 供給電圧 (kV) 0.5 NOTE: 1供給電圧1.0 kV/MCP, 真空度1.3 × 10-4 Pa, 周囲温度+25 °C 2真空度1.3 × 10-4 Pa F4655-10/-13 * P.C.D. (Pitch Circle Diameter) (31.9) 18.1 10.3 2 × 2.2 P.C.D.* 25.6 3 基板 3 0.5 MCP (2段) アノード BNC-R 38 A 3.5 30° 14.5 有効エリア 18 30° 6 MCP-INリード MCP-OUTリード 3 × 3.5 P.C.D.* 32 シールド板 (基板と同電位) A F4655-10 F4655-13 2 3 TMCPA0021JG F4655-11 MCP-INリード 7.5 (35.6) BNC-R-S 70 MCP (2段) 33 14.5 有効エリア 12 0° MCP-OUTリード アノード 2-SHV-R 40 ° 真空フランジ (ICF 70) TMCPA0085JB 14 MCPアッセンブリ 仕様と外形寸法図（単位 （単位:: mm） mm 1 型名 F12334-11 F12395-11 F12396-11 ゲイン (Min.) (段) パルス幅 (FWHM) (ns) 2 1.5 1 × 106 チャンネル径 MCP段数 (µm) 12 パルス波高 1 分解能 (Max.) (%) 1 2 2 ダークカウント (Max.) (s-1·cm-2) MCP 供給電圧 (kV) MCP-OUT−アノード間 供給電圧 (kV) 33 —3 0.5 — NOTE: 1供給電圧1.0 kV/MCP, 真空度1.3 × 10-4 Pa, 周囲温度+25 °C 2真空度1.3 × 10-4 Pa 3ブリーダー抵抗内蔵によりHV電極に最大-2.1 kV F12334-11, F12395-11, F12396-11 D C (15.1) B 4 × 3.5 有効エリア A (5.6) 信号出力 (SMA) 2 2 × M3 R1 C1 C1 G F E MCP（2段） R2 C1 R2 基板 HV 結線例 A B C D E F G F12334-11 F12395-11 F12396-11 42 27 20 51 40 36 62 51 46 72 61 54 40 30 30 51 40 36 52 41 38 アッセンブリ MCP（2段） HV R1 -2.1 kV Max. 基板 3 × C1 信号出力 (SMA) アノード 50 Ω 入力 R2 R1 : 20 MΩ R2 : 1 MΩ C1 : 150 pF (3 kV) TMCPA0084JC 15 1 型名 F2225-21PGF F6959 チャンネル径 MCP段数 (µm) (段) 12 2 ゲイン (Min.) パルス波高 分解能 (Max.) (%) 1 × 106 — 1 1 2 ダークカウント (Max.) (s-1·cm-2) MCP 供給電圧 (kV) 3 2.0 2 MCP-OUT−アノード間 供給電圧 (kV) 4.0 3.0 NOTE: 1供給電圧1.0 kV/MCP, 真空度1.3 × 10-4 Pa, 周囲温度+25 °C 2真空度1.3 × 10-4 Pa F2225-21PGF 真空ベーキングは、装置を1.3×10-4 Pa以下の高真空に保ちながら、150 ℃以下の温度範囲で行ってください。 蛍光面については9ページ参照。 (60) (14) MCP-IN端子 (SHV) 真空フランジ (ICF152) (46) 20 19 (21) 10.9 ビューイングポート (ICF114) (21) 蛍光面端子 (SHV) 114 42 66 150 40 有効エリア MCP（2段） MCP-OUT端子 (SHV) TMCPA0081JD F6959 * P.C.D. (Pitch Circle Diameter) 蛍光面については9ページ参照。 (7) (30) MCP-IN端子 (SHV) (36.1) 19.8 9.3 3-SHV 真空フランジ (ICF152) O-リング 28 55 102 150 2.8 FOP 28 有効エリア MCP (2段) MCP-OUT端子 (SHV) (30) 4 × M3 深さ 5 P.C.D.* 90 蛍光面端子 (SHV) TMCPA0038JF 16 MCPアッセンブリ 結線例 信号検出 イメージ検出 ●+イオン検出（アノードグラウンド） アッセンブリ ●+イオン検出（MCP-OUT: GND） アッセンブリ MCP（2段） MCP（2段） 基板 基板 蛍光面 アンプ アノード IN IN OUT -0.5 kV Max. OUT PHOS -2 kV Max. -2.0 kV Max. 4 kV Max. フローティング 動作可能な電源 デバイダ回路 を用いた場合 2 MΩ 0.5 MΩ (3 W) (1 W) ●電子または–イオン検出（MCP-IN: GND） アッセンブリ MCP（2段） 基板 蛍光面 -2.5 kV Max. ●電子または–イオン検出（アノードフローティング (MCP-IN: GND)） IN OUT MCP（2段） アッセンブリ 4 kV Max. 基板 カップリング回路 アンプ 150 pF/3 kV 2 kV Max. フローティング 動作可能な電源 2 MΩ 4 MΩ (3 W) (5 W) 信号出力 アノード PHOS 1 MΩ IN デバイダ回路 を用いた場合 アノード OUT +0.5 kV Max. +2.0 kV フローティング Max. 動作可能な電源 デバイダ回路 を用いた場合 6 kV Max. ●+イオン検出（蛍光面: GND） 2 MΩ 0.5 MΩ (3 W) (1 W) アッセンブリ MCP（2段） 基板 蛍光面 +2.5 kV Max. ●+イオン検出（アノードフローティング (MCP-OUT: GND)） IN MCP（2段） アッセンブリ 基板 カップリング回路 アンプ 150 pF/1 kV アノード 信号出力 OUT PHOS -2 kV Max. フローティング 動作可能な電源 -4 kV Max. 1 MΩ IN OUT -2.0 kV Max. デバイダ回路 を用いた場合 アノード 0.5 kV Max. 2 MΩ 4 MΩ (3 W) (5 W) -6 kV Max. TMCPC0005JH TMCPC0007JE 複数の高圧電源を使用する場合はMCPのゲインを独立して調整できるメリットがあります。 1台の高圧電源でデバイダ回路を用いる場合は安価に構成できますが、電源電圧を変えると連動してMCPのゲインも変わる デメリットがあります。 17 特注品について ●標準品以外のMCP単体/アッセンブリについても製作いたします。外形、有効寸法、厚さ等をご相談ください。 ●標準品以外のセンターホール付MCP（反射電子顕微鏡用）、Csl蒸着（VUV∼X線における量子効率の向上）、アルミフィル ムコーティング（イオン、放射線等のバリア）、MgOコーティング（高ゲイン）、Au電極及びその他特殊タイプのMCPにつ いてもご相談ください。 ●マルチアノードについては、ご希望のアノードパターンをご相談ください。 ●固体撮像素子（CCD、MOSリニアイメージセンサ）等とファイバ結合できるよう、ファイバオプティクプレート（FOP）上に 蛍光面を施したアッセンブリも製作いたします。 ●特注の真空フランジやプリント基板にMCP、読み出し系、導入端子等をマウントしたアッセンブリも製作いたします。 ●開口率90 %のファネルタイプMCPについては、ご相談ください。 18 取扱い方法について １．保管方法 真空包装または乾燥窒素ガスを封入した状態で納入いたしますが、輸送用包装ですので長期の保管には適しません。 保管する場合、梱包容器から取り出し、清浄な容器内にて次の a）, b）どちらかの方法で保管してください。 a）真空度13 Pa以下で、オイル拡散を極力避けた清浄な容器内。 b）0.45 μｍ以下のフィルターにより濾過された乾燥窒素が常に流れている清浄な容器内。 （湿度20 %以下） ２．取扱い 絶対に素手で直接触れないでください。油脂や塩分等の付着により、暗電流の増大、ゲイン低下、放電等の原因になるこ とがあります。 取扱う場合には、清浄なビニールやポリエチレン手袋を着用してください。手袋を使用した場合でも有効部には絶対に触 れないでください。 ３．取扱い環境 MCP表面は電子的に活性になっており、アッセンブリに使用の部品類も高真空用に処理されています。極力油気や湿気及 び塵の少ない防塵室に準じた環境にてお取扱いください。 尚、塵等が付着した場合、乾燥した清浄な空気や窒素ガスを吹き付け、除去してください。吹き付けに際しては、環境及 び吹き付け圧力に注意してください。また、呼気の吹き付けは絶対に行わないでください。 ４．使用前の真空排気 初めて使用する場合や、保管後再度使用する場合は、ガス吸着が起こっているため、使用（電圧供給）前に1.3×10-4 Pa以 下の高真空で24時間以上排気してください。 ５．真空ベーキング 超高真空にて使用する場合は、真空ベーキングが効果的です。 装置を1.3×10-4 Pa以下の高真空に保ちながら、150 ℃以下の温度範囲で行ってください。 MCPアッセンブリについては、真空ベーキングできない製品がありますので、詳細は弊社までお問い合わせください。 ６．電圧供給 使用中も1.3×10-4 Pa以下の高真空を必ず保ってください。 MCP及びMCPアッセンブリ、出力信号読み出し素子（アノード、蛍光面）への電圧供給は、100 Vステップ（約5秒/100 V） でゆっくりと昇圧してください。 ７．廃棄方法 本製品には鉛及びその化合物が含まれています。本製品を廃棄する場合は廃棄物処理法に則り、自ら適正に処理して頂くか、 もしくは許認可を受けた適正な産業廃棄物処理業者へ委託して処理してくださるようにお願いします。国外で使用し、その 国で廃棄する場合は、それぞれの国、州の廃棄物処理に関する法令に従って適正に処理をしてくださるようお願いします。 保証期間とその範囲 弊社出荷後１年以内に製造上の原因と認められる不具合が発生した場合は、無償修理または交換をいたします。保証の範囲は、 製品の代替納入を限度とさせていただきます。 また、保証期間内でも天災、製品の寿命及び使用上の不注意による損傷については保証対象外とさせていただきます。 ●本資料の記載内容は平成28年1月現在のものです。製品の仕様は、改良等のため予告なく変更することがあります。 WEB SITE www.hamamatsu.com □仙台営業所 〒980-0011 仙台市青葉区上杉1-6-11（日本生命仙台勾当台ビル2階） TEL (022)267-0121 （2016年3月より、「〒980-0021 仙台市青葉区中央3-2-1 青葉通プラザ11階」に移転します。） □筑波営業所 〒305-0817 つくば市研究学園5-12-10（研究学園スクウェアビル7階） TEL (029)848-5080 □東京営業所 〒105-0001 東京都港区虎ノ門3-8-21（虎ノ門33森ビル5階） TEL (03)3436-0491 □中部営業所 〒430-8587 浜松市中区砂山町325-6（日本生命浜松駅前ビル4階） TEL (053)459-1112 □大阪営業所 〒541-0052 大阪市中央区安土町2-3-13（大阪国際ビル10階） TEL (06)6271-0441 □西日本営業所 〒812-0013 福岡市博多区博多駅東1-13-6（竹山博多ビル5階） TEL (092)482-0390 □電子管営業推進部 〒438-0193 静岡県磐田市下神増314-5 TEL (0539)62-5245 FAX (0539)62-2205 FAX (022)267-0135 FAX (029)855-1135 FAX (03)3433-6997 FAX (053)459-1114 FAX (06)6271-0450 FAX (092)482-0550 TMCP0002J04 JAN. 2016 IP