イメージインテンシファイア

イメージインテンシファイア
(I.I.: Image Intensifier)
イメージインテンシファイア(以下I.I.)は夜間の月明かりあるいは星明かり下での暗視(監視)用として開発された製品です。極微
弱な光(発光や物体からの反射光等)を検知・増倍して、コントラストのついた像を見ることが可能です。主な用途は、夜間監視
用のナイトビュアあるいはICCD (Intensified CCD) カメラとして、科学技術研究に使用されています。ゲート動作が可能なタイプ
は特に高速現象の観察、時間変化の解析に使用されます。ここでは、I.I.の応用分野からいくつかを紹介します。
応 用 例
バイオテクノロジー
蛍光イメージング
産業
エンジン燃焼観察
すす散乱像(I.I.撮像)
直接火炎像(高速度カメラ撮像)
ATDC: After Top Dead Center(上死点後), θ: ATDCを基準としたクランク角
MITO TRACKERを用いて神経系培養細胞NG108-15の細胞内ミトコンド
リアを特異的に蛍光染色しました。
照射したレーザの微弱な散乱光を観察することによってすす生成の
観察が可能です。
エレクトロニクス
PDPの発光時間変化
天文学
天体観察
0.47 µs
0.71 µs
1.09 µs
1.37 µs
極微弱かつ高速なプラズマ発光の時間経過に伴う変化を観察しました。
*プラズマ発光とPDP電極の形を重ねて表示しています。
左上は電圧印加後の時間です。
原始星L1551-IRS5(左上 赤い星)
からの星風が周囲のガスと衝突して黄
緑色に輝いている様子です。 写真提供:国立天文台 殿
協力:日本放送協会(NHK) 殿
その他の応用例
●極微弱光計測 ●マルチチャンネル分光計測 ●高速現象の観察・解析 ●生物・化学発光イメージング
●紫外線観察(コロナ放電等)
特 長
Feature 1 ワイドバリエーション
光電面・入射窓材による感度波長範囲やMCP段数、有効光電面サイズ、ゲート時間など多くの項目において、広いバリエーショ
ンを揃えております。必要な仕様を組み合わせ、用途に最適な製品をお選びください。
■分光感度特性
100
TII B0113JB
赤感度増強型GaAsP
-73
GaAs
-71
量子効率: QE (%)
10
InGaAs
-76
GaAsP
-74
1
サフィックス
光電面
入力窓
GaAs
硼硅酸ガラス
-71
赤感度増強型GaAsP 硼硅酸ガラス
-73
GaAsP
硼硅酸ガラス
-74
InGaAs
硼硅酸ガラス
-76
マルチアルカリ
合成石英
なし
-01
赤感度増強型マルチアルカリ 合成石英
合成石英
-02
バイアルカリ
合成石英
-03
Cs-Te
短波長の感度は入力窓材の分光透過率特
性により変化します。図4(P6)
をご参照くださ
い。
0.1
Cs-Te
-03
バイアルカリ
-02
0.01
100
1
200
300
400
500
600
波長 (nm)
赤感度増強型
マルチアルカリ
-01
マルチアルカリ
サフィックスなし
700
800
900
1000
1100
NOTE:
第2世代においては、
ゲート動作対応タイプは
紫外域で感度が低くなることがあります。
Feature
2 高解像度
チキンワイヤ等のない鮮明な画像が得られます。
Feature
3 コンパクト・軽量
近接型のため、インバータタイプに比べ小型・軽量です。
Feature
4 歪みなし
周辺部でも歪みのない画像が得られます。
Feature
5 高速ゲート動作可能
高速ゲート動作対応タイプも用意しています。高速現象の撮像や時間変化の解析に使用できます。
Feature
6 高感度結晶光電面
高感度・高量子効率を有するGaAsP光電面およびGaAs光電面と膜なしMCP技術を組み合わせ、より高SN比の画像
増強が可能になりました。
■構造
従来の結晶光電面イメージインテンシファイアには、MCP(マイクロチャンネルプレート)の表面にイオンフィードバック防止の薄い膜
が存在しましたが、当社では製造技術の改良により、膜をなくすことに成功しました。これにより電子の透過ロスがなくなり、膜
ありMCPタイプに比べ、SN比が20 %以上向上しています。同時に寿命もさらに長くなりました。
●膜なしMCPタイプ
●膜ありタイプ
入射窓
MCP
光電面
入射光
光電面
出射光
p
p
e
e
e
e
p
p
p
e
e
Vk = 200 V
SN比
20 %向上
出力窓
電子
p
p
p
p
p
p
p
p
p
p
p
p
イオンフィードバック防止膜
(電子の透過率: 70 % ∼ 80 %)
蛍光部
Vk
Vmcp
高解像度
64 Lp/mm (Typ.)
Vs
Vk :カソード電圧
Vmcp:MCP電圧
Vs :スクリーン電圧
カソード電圧
200 V
入射光
p
p
p
p
p
p
p
p
p
p
p
p
Vk = 800 V
電子
出射光
e
p
p
e
e
e
p
e
e
p
Vk
Vmcp
Vs
Vk :カソード電圧
Vmcp:MCP電圧
Vs :スクリーン電圧
長寿命
■低ハロー
輝点の周囲に広がる光が少なくなりました。
●膜なしMCPタイプ
●膜ありタイプ
●撮像システム構成
LED
[緑]
レンズ
I.I.
レンズ
CCDカメラ
ハロー
I.I.出力窓
2
●構造と動作原理
構造
I.I.の構造を図1に示します。セラミック製の真空容器の中に、光を電
子に変換する光電面、電子を増倍するマイクロチャンネルプレート
(以
下MCP)、電子を光に変換する蛍光面を近接させることにより、周辺
部に歪みのない画像を得るように設計されています。
I.I.は、一般的に世代表示で大別される場合があります。MCPを使
用していないタイプが第1世代で、映像増強度は100倍以下程度で
す。第2世代は増倍部にMCPを使用しています。MCPを1段使用し
たタイプの映像増強度は約1万倍です。
光電面にGaAsやGaAsPのような半導体結晶を使用したものが第
3世代です。光電面感度が非常に高いという特長があります。
なお、第1世代および第2世代では電子レンズ系を使ったインバータ
タイプのI.I.もありますが、画像の歪があるため一般的に使用されて
いません。
これに対してゲートOFFの状態では、光電面電位がMCP-in電位よ
り高いため、逆バイアス状態となります。光電面から放出されようとし
た電子は、
この逆電位により光電面に引き戻される状態となりMCP
に到達しません。従ってゲートOFF状態では光が入射しているのに
も関わらず、出力像は全くない状態になります。
実際にはMCP-inを電位的に固定して光電面に負極性の200 V程
度の高速パルスを印加する方法でゲート動作を行います。パルス電
圧のパルス幅(時間)がゲート時間になります。
ゲート機能は、高速現象解析に非常に有効です。高速ゲートイメー
ジインテンシファイアユニットやゲートICCDカメラは、
この動作を行う
ことにより、高速現象の瞬間像のみを捕らえることが可能です。
図3:ゲート動作回路
ゲートON時 (a)点
光電子
電子
光電面
MCP
図1:構造図
0
(a)
入射窓
0V
光
C
パルス
ジェネレータ
R
光電面
(光→電子)
VB
蛍光面 (電子→光)
TII C0047JA
図2のように、光電面上に結像された光は光電面により光電子へ変
換されます。このとき放出される光電子数は入射光量に比例します。
この電子は、光電面とMCP入力面(MCP-in)間の電圧により加速
されMCPの各チャンネルに入射します。MCPの各チャンネル内部は
独立した電子増倍部が形成されています。入射した電子はMCP両
端の電圧勾配により数十回の衝突を繰り返すことにより2次電子が
増加して、MCPの出力端より多数の電子が放出されます。MCPに
よって増倍された電子群は、MCP出力面(MCP-out)
と蛍光面間の
電圧により加速されて蛍光面に衝突します。蛍光面では衝突した電
子量に応じた光が出力されます。入射した光学像に対して約1万倍
(MCP1段の場合)に増強された出力像が得られます。
図2:動作原理
ゲートOFF時 (b)点
光電面
0
(b)
光電子
MCP
+30V
光
蛍光面
0V
C
パルス
ジェネレータ
R
VB
VMCP
VS
TII C0048JA
MCP
(電子増倍:1000∼10000倍)
光電面
(光→電子)
蛍光面
(電子→光)
増
強
さ
れ
た
光
光
微弱光イメージ
増強されたイメージ
出力面窓:
ファイバオプティクプレート
真空
電子
TII C0051JD
ゲート動作
ゲート
(光シャッタ)動作は、光電面とMCP-i
nの電位を変化させるこ
とで行います。図3にゲート動作回路図を示します。
ゲートONの状態では、光電面電位がMCP-i
n電位より低いため、光
電面から放出される電子はこの電位差によりMCPに入射します。こ
の動作状態ではMCPによる増倍、蛍光面からの光出力により増倍
された像が得られます。
3
例 : VB= +30 V
VG= -230 V
VS
VMCP
VMCP ......MCP-in – MCP-out間電圧
VS ......MCP-out –蛍光面間電圧
VB ......バイアス電圧
VG ......ゲートパルス
TII C0046JB
動作原理
入力面窓
蛍光面
VG
出力窓
(ファイバオプティク
プレート)
MCP (電子増倍)
ゲートON -200V
パルス
光
●用語説明
光電面感度
ゲート動作
ルーメン感度:標準タングステン電球(色温度:2856 K)
を用いたと
きに得られる入射光量1ルーメン(lm)当たりの出力電流です。この
感度は、本来可視用の受光器のためのものであり、本カタログでは
感度の目安として用いています。
放射感度: ある波長での入射光量1ワット
(W)に対する出力電流を
示します。
量子効率(QE)
: 光電面から出る光電子数を入射光子数で割った
値で、通常%(パーセント)
で表します。
量子効率と放射感度はある波長λにおいて、以下に示す関係にあり
ます。
S: 放射感度 (A/W)
QE = S × 1240 × 100 (%)
λ
λ : 波長 (nm)
一般にアルカリ光電面は電気抵抗(面抵抗)が高く、光電面単独
ではゲート動作が行えません。
ゲート動作が可能なタイプは、光電面と入射窓の間に低抵抗の光
電面電極(金属薄膜)
を蒸着し、
そこへ高速のパルス電圧を印加す
ることでゲート動作を可能にしています。半導体結晶を採用している
GaAs光電面・GaAsP光電面・InGaAs光電面は結晶自体の抵抗
が低いので、光電面電極の蒸着は必要ありません。
光束発散度
蛍光面から発散される光束の密度で、lm/m2で表されます。
どの方向から見ても、輝度の等しい完全拡散面における光束発散
度(lm/m2)
は、輝度(cd/m2)× πです。
映像増強度
可視光領域では、人間の視感度が基準となります。可視域に感度
のあるI.I.はその増倍度として輝度増強度(ルミナンス・ゲイン)
を用
います。光の強度を電磁波エネルギーでしか表すことのできない不
可視光域や単波長光については光エネルギー増強度(ラジアント・
エミッタンス・ゲイン)や光量子増強度(フォトン・ゲイン)
を用います。
また、出力蛍光面がP47(蛍光面材質: 図5参照)のように相対視
感度と発光波長がずれている場合にも、光エネルギー増強度を用い
ます。
輝度増強度(ルミナンス・ゲイン)
: 出力蛍 光 面の光 束発散度
(lm/m 2 )
と、
その時の光電面上の照度(lx)
との比。
光エネルギー増強度(ラジアント・エミッタンス・ゲイン)
: 入射光の
光エネルギー密度(W/m2)に対する出力蛍光面の光エネルギー密
度(W/m2)。本カタログに記載の値は光電面の最高感度波長の光
を入射条件として選び、出力光は蛍光面(P43)のピーク波長545
nmの光のエネルギーで算出したものです。
光量子強度(フォトン・ゲイン)
: ある波長での入射光の光子数密
度に対する出力蛍光面の光子数密度。
MTF(Modulation Transfer Function)
光電面に正弦波的に明るさの変化する白黒のしま模様を結像させ
たとき、
そのしま模様を細かくしていくと、出力蛍光面上の白黒のコン
トラストが低下していきます。このコントラストとしま模様の細かさ
(ラ
インペア数/mm)の関係がMTFです。
限界解像度
どの程度細かな像まで見えるかを示す値です。白黒のしま模様を光
電面上に結像させた時どこまでしま模様を確認できるかを、光電面上
1 mmに入るしま模様の本数(白黒1対で1ラインペア)
で表します。
測定波長が長くなるほど、高い値となります。
等価背景入力(EBI)
光電面への入射光をゼロとした時の蛍光面の明るさを光電面上の
照度に換算して表示され、I.I.の低照度検出限界の目安となる値です。
シャッタ比
ゲート動作対応タイプのI.I.で、標準動作条件のときの、ゲートON時
とゲートOFF時の蛍光面の輝度の比です。
4
●選択基準(項目説明)
項目
選択肢
φ18 mm
有効面積
A
★読み出し方法(デ (13.5 mm × 10 mm)
φ25 mm
バイス)
を考慮の上、
お選びください。
(16 mm × 16 mm) A
種類
合成石英
ファイバオプティク
入射窓
プレート
(FOP)
★短波長側の感度
波長範囲によりお選
MgF2
びください。
硼硅酸ガラス
種類
マルチアルカリ
赤感度増強型
マルチアルカリ
光電面
★長波長側の感度
波長範囲によりお選
びください。
バイアルカリ
Cs-Te
GaAs
GaAsP
InGaAs
MCP
★必要な映像増強度
によりお選びください。
蛍光面
★ 残 光 時 間は読み
出し方法・用途に合
わせ、発光波長は読
み出しデバイスの受
光感度に合わせてお
選びください。
1段
電子増倍率: 103程度
2段
電子増倍率: 105程度
種類
P24
P43
P46
P47
ファイバオプティク
出力窓
プレート
(FOP)
★読み出し方法によ
って、お選びください。 硼硅酸ガラス
インバータファイバ
オプティクス
ゲート時間
★測定対象の時間
分解に応じて、お選
びください。
内容・値
φ25 mmタイプはリレーレンズあるいはテーパFOP等の縮小光学系を組み合わせる
ことによって、大量の画像情報を読み出しデバイスに伝えることができるため高解像
度の画像を得ることが可能です。
φ18 mm (13.5 mm × 10 mm) タイプは1型(インチ)CCDに対応しています。
透過波長
特徴
160 nm以上
紫外線透過率が高いガラス材料です。標準の入射窓材です。
光学像を高効率で歪みなく伝達する光学素子です。入力光学系の結像面
350 nm以上
はFOPの端面になります。
真空紫外域まで透過するハロゲン化アルカリ結晶の1つです。
115 nm以上
潮解性が低く、実用的な窓材です。
最も一般的なガラス材料です。可視域及び近赤外域用で、紫外線の検出
300 nm以上
は適しません。
特徴
分光感度特性
3種類のアルカリ金属より形成され、紫外域から近赤外域までの波長域で
∼ 900 nm
高感度を有します。
3種類のアルカリ金属より形成され、特殊な光電面活性法により、近赤外
∼ 950 nm
域の波長範囲を950nmまで延長させた光電面です。暗視用に適します。
2種類のアルカリ金属より形成され、紫外域から可視域に感度をもつ光電
∼ 650 nm
面です。低ノイズが特長です。
紫外域のみに感度のある光電面で、
320nm以上の可視域では感度がほ
∼ 320 nm
とんどありません。ソーラー・ブラインド光電面と呼ばれることがあります。
Ⅲ-Ⅴ族結晶を使用しており、可視域から近赤外域にわたり高感度な光電面
∼ 920 nm
です。450 nm ∼ 850 nmにかけて平坦な感度を持っています。
Ⅲ-Ⅴ族結晶を使用しており、可視域において非常に高感度(量子効率: 50
∼ 720 nm
% Typ. [ピーク波長])
な光電面です。
Ⅲ-Ⅴ族結晶を使用しており、1 μm付近に高感度な光電面です。YAGレー
∼ 1100 nm
ザ使用の測距等に適しています。
最高発光波長
相対エネルギー C
10 %残光時間
発光色
NOTE
[nm]
効率
500
0.4
3 µs ∼ 40 µs B
緑
1 ms
545
1
黄緑
標準
0.2 µs ∼ 0.4 µs B
510
0.3
黄緑
残光が短い
0.11 µs
430
0.3
青紫
残光が短い
高効率読出用のFOP窓付CCDとのカップリングに最適です。ただし、動作用電源でGND電位
が蛍光面でない場合には、CCDへの高電圧によるノイズを防ぐために透明導電膜(NESA)が
必要となることもあります。なお、
リレーレンズを使用する場合には、焦点面をFOP端面に合わせ
てください。標準の出力窓材です。
リレーレンズ読出用です。焦点面は、蛍光面に合わせてください。
FOPを180°ねじって像を反転させています。用途はナイトビュアなど出力像を直接目で見るもの
に限られます。接眼レンズの長さを短くすることができ、装置の小型化が可能です。
5 ns
金属薄膜タイプ
10 ns
A: カッコ内は結晶光電面のみです。 B: 入射パルス幅により変わります。 C: 印加電圧:6 kV。P43を1としたときの相対値です。
5
図5:蛍光面 発光分布特性
入力窓材質
100
TII B0078JH
図4:窓材分光透過率特性
100
P47
視感度
TII B0099JA
P43
80
相対出力 (%)
合成
石英
透過率 (%)
硼硅酸
ガラス
MgF2
ファイバ
オプティク
プレート
10
P24
60
40
P46
20
0
350
1
100
120
160
200
240
300
400
400
450
500
550
600
650
700
波長 (nm)
500
図6:蛍光面 残光特性
波長 (nm)
102
TII B0079JH
P43 DC*
光電面
101
光電面は入射光を電子に変換しますが、
その効率は波長により異な
ります。変換効率(光電面放射感度または量子効率)
と波長の関
係を分光感度特性といいます(P1 分光感度特性参照)。
相対出力 (%)
P46
100
P24
P47
10-1
100 ns
100 ns
100 ns 1 ms
1 ms
MCP(マイクロチャンネルプレート)
非常に細いチャンネル(ガラスパイプ)
を多数束ねた構造をしており、
それぞれのチャンネルは独立した2次電子増倍器を形成しています。
MCPに入射した電子は、
チャンネル壁に衝突し2次電子が放出され
ます。放出された2次電子は、MCPの両端に印加された電圧(V MCP)
により加速され、放物線軌道を描き対向する壁に衝突し再び2次電
子が放出されます。この過程がチャンネルに沿って多数回繰り返さ
れる結果、出力側より多数の電子が放出されることになります。
I.I.のダイナミックレンジ(リニアリティ)はMCPに流れるストリップ電
流に依存します。ダイナミックレンジが必要な場合は、
ストリップ電流
を多く流す低抵抗タイプのMCPが適しています。
また、通常品のチャンネル径は6μmです。
1 ms
10-2
入射光パルス幅
10-3
10-8
蛍光面最大電流 8 nA/cm2
10-7
10-6
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
残光時間 (s)
* 連続入射光がなくなった場合の残光特性
出力窓材質
ファイバオプティクプレート(FOP)、硼硅酸ガラス、
インバータファイバ
オプティクスから、読み出し方法によりご選択ください。
MCP構造・原理
ファイバオプティクプレート(FOP)
チャンネル
チャンネル内壁
出力側電極
入射電子
出射電子
入力側電極
ストリップ電流
直径 数 µmの光ファイバを数百∼数千万本束にした次世代光学デ
バイスです。
光ファイバの「光伝達」により端面から端面まで画像を歪みなく伝達
させることができます。
VD
■構造
…これを50,000,000本
(5千万本)
束にすると、
光ファイバ
光
光
TMCPC0002JD
1本1本の光
ファイバが
光を伝達。
画像として
伝達します。
反射
蛍光面材質
蛍光面は、一般に紫外線、電子線あるいはX線などを吸収して、
その
物質特有の波長の光を放出します。I.I.では、MCPで増倍された電
子を光に変換しています。蛍光面の残光時間は選定にあたって重
要な項目です。高速読出CCDあるいはリニアセンサアレイ用には次
のフレームに残像を残さないために残光時間の短いもの、監視用に
はちらつきを少なくするために残光時間が長いものをお勧めします。
図5に発光分布特性、図6に残光特性を示します。
なお、紫外線、電子線、X線の検出用途に蛍光面を単独で供給する
ことも可能です。
光
光は反射をく
り返しながら、
端から端へと
光を伝えます。
直径 数 µm
光
TMCPC0079JA
6
●セレクションガイド(感度波長)
第3世代
A
最高感度
波 長
(nm)
感度波長
サフィックス
範 囲
(nm)
型名
V7090
V9569
V8070
V9501
V8070
V9501
-71
370 ∼ 920 600 ∼ 700
-73
280 ∼ 820 480 ∼ 530
-74
280 ∼ 720 480 ∼ 530
V8071
-76
360 ∼ 1100 700 ∼ 800
入力窓 C
/ 屈折率n D
硼硅酸ガラス
/1.49*3
硼硅酸ガラス
/1.49*3
硼硅酸ガラス
/1.49*3
硼硅酸ガラス
/1.49*3
光電面有効エリア
蛍光面 出力窓 ゲート機能 E
光電面
(標準)(標準) NOTE
型名
MCP 1段
GaAs
P43
FOP
MCP 2段
MCP 1段
赤感度増強型
P43
FOP
GaAsP
MCP 2段
MCP 1段
GaAsP
P43
FOP
MCP 2段
MCP 1段
InGaAs
P43
FOP
MCP 2段
13.5 mm × 10 mm
なし
高QE
近赤外域高感度
V8070
V7090
○
○
○*
○*
○
○
第2世代
B
感度波長
範 囲
最高感度
波 長
(nm)
(nm)
—
160 ∼ 900
430
-01
160 ∼ 950
630
-02
160 ∼ 650
400
-03
160 ∼ 320
230
サフィックス
入力窓 C
/ 屈折率n D
合成石英
/1.46*1
合成石英
/1.46*1
合成石英
/1.46*1
合成石英
/1.51*2
光電面
蛍光面
(標準)
マルチアルカリ
P43
赤感度増強型
マルチアルカリ
P43
バイアルカリ
P43
Cs-Te
P43
18 mm
光電面有効エリア
ゲート機能 E
なし
出力窓
NOTE
—
高解像度
(標準)
MCP 1段 V6886U
—
MCP 2段
—
V4170U
MCP 1段
○
FOP
MCP 2段
○
MCP 1段
○*
FOP
MCP 2段
○*
MCP 1段
○*
FOP
MCP 2段
○*
MCP 1段
○*
FOP
MCP 2段
○*
○…標準品 △…お問い合わせください。 * 受注生産
NOTE: A量子効率での波長です。
B放射感度での波長です。
C入力窓にFOP、MgF2をご希望の場合は、
お問い合わせください。
D屈折率測定波長: *1: 589.6 nm、*2: 254 nm、*3: 588 nm
E最小ゲート時間です。
型名ガイド
第3世代
V○○○○ A–B–CDEF
型名
A: ポッティング方式
B: 光電面
C: ゲート動作
D: MCP枚数
E: 蛍光面
F: 出力窓
A(外形寸法図参照)
サフィックス
ポッティング方式
U
入射窓がケース端面より奥にあるタイプです。
入射窓がケース端面より出ているタイプです。
D
ペルチェ冷却でノイズを減少させる場合に適します。
B
サフィックス 入力窓
-71
硼硅酸ガラス
-74
-76
光電面
GaAs
赤感度増強型
硼硅酸ガラス
GaAsP
硼硅酸ガラス GaAsP
硼硅酸ガラス InGaAs
C
サフィックス
N
G
ゲート
なし
あり
(5 ns)
D
サフィックス
1
2
MCP段数
1
2
-73
電源内蔵タイプ V6833P、V6833P-G、V7090P(入力電圧:+2 V ∼ +3 V)
もご用意しています。
7
E
サフィックス
3
4
6
7
(標準はP43です)
蛍光面材質
P43
P24
P46
P47
F
出力窓
サフィックス
ファイバオプティクプレート
0
ファイバオプティクプレート
1
(透明導電膜付)
硼硅酸ガラス
2
なし
1 µm対応
V8071
13.5 mm × 10 mm
5 ns
高QE
近赤外域高感度 1 µm対応
V8070
V7090
V8071
16 mm × 16 mm
5 ns
なし
サフィックス
高QE
高QE
近赤外域高感度
近赤外域高感度
V9501
○
○
V9501
○*
○*
○*
○*
○*
18 mm
5 ns
—
高解像度
V9569
○*
○*
○*
○*
○
○
○*
V9569
-71
-73
-74
-76
25 mm
なし
高解像度
—
10 ns
高解像度
—
サフィックス
V6887U
—
V7669U
—
V7670U
—
—
V4183U
—
V10308U
—
V10309U
○
○*
○
○*
○
○
○*
○*
○*
○*
○*
○*
○*
○*
○
○*
○*
○*
○*
○*
○*
○*
○*
○*
—
-01
-02
-03
第2世代
シリーズ型名、
サフィックスは、特性を参考の上、
お問い合わせ・ご注文ください。
特注品(入出力窓の変更、蛍光面材質の変更、低抵抗MCP使用、透明導電膜(NESA)付、
ポッティング方式変更等)
の場合には、別途必要な仕様をお申しつけください。
V○○○○U – ○○
シリーズ型名
サフィックス
8
●特性 (すべて標準値です)
第3世代
型名
光電面有効エリア
13.5 mm × 10 mm1
サフィックス
MCP
ゲート
(感度波長範囲)
段数
機能
無/有
GaAs
1500
無/有
GaAs
1100
赤感度増強型
GaAsP
800
GaAsP
700
赤感度増強型
GaAsP
750
GaAsP
650
InGaAs
200
GaAs
1500
光電面材料
ルーメン感度
光電面材料
16 mm × 16 mm1
(µA/lm)
V7090U/D
—
-71 (370 nm ∼ 920 nm)
1
2
—
V9569U/D
-71 (370 nm ∼ 920 nm)
1
-73 (280 nm ∼ 820 nm)
V8070U/D
—
-74 (280 nm ∼ 720 nm)
-73 (280 nm ∼ 820 nm)
—
1
2
1
2
—
V6833P, V7090P(光電面有効エリア: φ17.5 mm)
V6833P-G(光電面有効エリア: φ17.5 mm)
無/有
1
無/有
V9501U/D
V8071U/D
ルーメン感度
-74 (280 nm ∼ 720 nm)
1
-76 (360 nm ∼ 1100 nm)
1
無/有
なし (370 nm ∼ 920 nm)
1
無
有2
サフィックス
MCP
ゲート
(感度波長範囲)
段数
機能
NOTE: 1有効エリア以外は保証対象外です。
2オートゲート機能(過大光が入射した際、光電面の負担を軽減)付です。
第2世代
型名
光電面有効エリア
φ18 mm
φ25 mm
V6886U
V6887U
V4170U
V4183U
V6886U
V6887U
V4170U
V4183U
V6886U
V6887U
V4170U
V4183U
V6886U
V6887U
V4170U
V4183U
V7669U
V7670U
V10308U
V10309U
V7669U
V7670U
V10308U
V10309U
V7669U
V7670U
V10308U
V10309U
V7669U
V7670U
V10308U
V10309U
1
なし (160 nm ∼ 900 nm)
2
1
-01 (160 nm ∼ 950 nm)
2
1
-02 (160 nm ∼ 650 nm)
2
1
-03 (160 nm ∼ 320 nm)
注:蛍光面は、P43を使用した値です。
NOTE: 3放射感度の最高感度波長(-76タイプは1 µm)
での標準値です。 420 °Cでの標準値です。
9
2
無
有
無
有
無
有
無
有
無
有
無
有
無
有
無
有
マルチアルカリ
赤感度増強型
マルチアルカリ
バイアルカリ
Cs-Te
(µA/lm)
280
230
170
150
550
360
360
250
50
40
50
40
—
—
—
—
最高感度波長
放射感度
(mA/W)
(nm)
170
700 ∼ 800
147
700 ∼ 800
ゲイン
中心 動作周囲温度 耐衝撃
ラジアント 等価背景入力 (EBI)4
ルミナンス エミッタンス
量子効率 (QE)
限界解像度 保存周囲温度 特性
ゲイン
ゲイン3
(%)
[(lm/m2)/lx] [(W/m2)/(W/m2)] (lm/cm2) (W/cm2)3 (Lp/mm)
(nm)
(°C)
4.0 × 104 1.2 × 104
64
30
600 ∼ 700
9.6 × 106 2.7 × 106
57
2 × 10-11 4 × 10-14
22
600 ∼ 700 3.3 × 104 9.0 × 103
57
2.5 × 104
5.7 × 106
480 ∼ 530
2.2 × 104
5.0 × 106
1.3 × 104
3.0 × 106
1.4 × 104
3.4 × 106
2.3 × 104
1.2 × 104
57
45
2.0 × 104
1.3 × 104
57
45
192
530 ∼ 580
50
214
40
171
530 ∼ 580
192
3×
10-12
8×
10-15
64
57
64
57
750 ∼ 850
1
700 ∼ 800 7.0 × 103
4.6 × 102
3 × 10-10 9 × 10-12
64
170
700 ∼ 800
30
600 ∼ 700 4.0 × 104
1.2 × 104
2 × 10-11 4 × 10-14
64
等価背景入力 (EBI)4
中心
最高感度波長
(mA/W)
62
53
60
47
45
42
43
40
50
40
50
40
20
15
20
15
(nm)
430
630
400
230
特性
-20 ∼ +40 300 m/s2
10 Hz ∼ 55 Hz
(30G),
0.7 mm (p-p)
-55 ∼ +60 18 ms
480 ∼ 530
8
放射感度
耐振動
量子効率 (QE)
(%)
18
15
17
14
9.3
8.7
8.9
8.3
14
12
14
12
11
8
11
8
(nm)
410
600
380
220
ゲイン
ラジアント
ルミナンス エミッタンス
ゲイン
ゲイン3
[(lm/m2)/lx] [(W/m2)/(W/m2)]
1.2 × 104 8.7 × 103
1.1 × 104 6.8 × 103
5 × 106
4 × 106
4 × 106
3 × 106
2.5 × 104 6.2 × 103
2.1 × 104 5.3 × 103
1 × 107
3 × 106
6
8 × 10
2 × 106
3.1 × 103 7 × 103
2.5 × 103 5.9 × 103
4 × 106
1 × 106
6
1 × 10
3 × 106
—
2.6 × 103
—
2 × 103
—
1 × 106
—
7.5 × 105
動作周囲温度 耐衝撃
限界解像度 保存周囲温度
(lm/cm2) (W/cm2)3 (Lp/mm)
特性
耐振動
特性
(°C)
64
1×
10-11
3×
10-14
57
64
3 × 10-11 2 × 10-14
57
50
-20 ∼ +40 300 m/s2
10 Hz ∼ 55 Hz
(30G),
0.7 mm (p-p)
-55 ∼ +60 18 ms
5 × 10-13 5 × 10-16
45
40
—
1 × 10-15
28
10
●特性図
図7:MTF(中心部)
第3世代
第2世代
100
TII B0100JC
100
90
TII B0077JD
90
80
MCP 1段
80
70
70
60
60
MTF (%)
MTF (%)
MCP 1段
50
MCP 2段
40
40
30
30
20
20
10
10
0
0
10
20
30
40
50
60
MCP 2段
50
0
70
0
10
20
図8:ルミナンスゲイン vs. MCP電圧(V8070シリーズ)
10-9
MCP 2段
70
赤感度増強型
マルチアルカリ
10-11
105
EBI (lm/cm2)
ルミナンスゲイン (lm/m2/lx)
60
TII B0101JD
10-10
106
MCP 1段
GaAs
10-12
104
10-13
103
10-14
102
500
1000
1500
マルチアルカリ
GaAsP
10-15
-30
2000
-20
-10
0
+10
+20
+30
+40
周囲温度 (°C)
MCP電圧 (V)
図10:光電面照度 vs. 蛍光面光束発散度特性
図11:シャッタ比(マルチアルカリ光電面)色温度: 2856K
TII B0075JD
100
TII B0045JB
当
)
103
50
図9:等価背景入力(EBI)vs. 温度特性
TII B0076JD
107
40
空間周波数 (Lp/mm)
空間周波数 (Lp/mm)
108
30
相
10-1
CP
2段
102
(
M
10-2
)
7
当
10
10-3
相
×
CP
相対蛍光面出力
1段
=1
ン
イ
100
10
4
(
M
ゲ
イ
ン
=1
×
10-1
ゲ
蛍光面光束発散度 (lm/m2)
101
10-2
MCP-in – MCP-out=900 V dc
MCP-out – 蛍光面=6000 V dc
10-4
10-5
10-6
10-7
1.3 × 109
シャッタ比
10-3
10-8
10-4
10-5 -9
10
10-9
10-8
10-7
10-6
10-5
10-4
光電面照度 (lx)
11
10-3
10-2
10-1
10-10
-200
-100
0
光電面 – MCP-in 間 印加電圧 (V)
+100
●結線図
推奨動作例
通常動作
図12:通常動作
光電面
VK
V MCP
150 V ∼ 200 V
(青)
(黒)
(紫)
* MCP-in – MCP-out 間の最大印加電圧・推奨印加電圧は
製品添付の試験成績表を参照してください。
蛍光面
MCP(1∼2段)
(緑)
印加電圧(図12参照)
光電面 – MCP-in (Vk) .....................................150 V∼200 V
MCP-in – MCP-out (VMCP) ........... MCP 1段 500 V∼1000 V
MCP 2段 1000 V∼2000 V
...............................5000
V∼6000 V
MCP-out – 蛍光面 (Vs)
VS
MCP 1段 500 V ∼ 1000 V 5000V ∼ 6000 V
MCP 2段 1000 V ∼ 2000 V
TII C0017JF
NOTE: コンパクトな高圧電源モジュールを用意しています(P17参照)。
GND電位はいずれの電極へも接地が可能です。
ゲート動作
図 1 3に示すように2 種 類の基 本 回 路があります。印 加 電 圧
(VMCP, Vs)は通常動作と同じです。光電面−MCP-inに印加され
ているバイアス電圧(VB)
を変化させゲート動作します。
図13:ゲート動作
常時OFFモード
VBは常時逆バイアスで光電面にかけられていますので、蛍光
面上に映像は写し出されません。
光電面にゲートパルス (VG)が印加されたときのみ、映像が写
し出されます。
常時ONモード
VBは常時順バイアスで光電面にかけられていますので、蛍光
面上に映像が写し出されます。
光電面にゲートパルス (VG)が印加されたときのみ、映像が遮
断されます。
光電子
光電子
MCP
光電面
0
光電面
蛍光面
MCP
蛍光面
GATE OFF
PULSE
GATE ON
PULSE
光
光
VG
VG
0
C
C
パルス
ジェネレータ
パルス
ジェネレータ
R
VB
VMCP
R
VB
VS
V MCP
VS
例 VB= -200 V
VG= +230 V
例 VB= +30 V
VG= -230 V
TII C0018JC
TII C0019JF
C, R: パルス幅と繰り返し周波数によって決めてください。
C: 高耐圧タイプをご使用ください。
MgF2入力窓タイプの真空チャンバ固定方式
イメージインテンシファイア
Oリング
入力窓 (MgF2)
18mm, 25mm
出力窓
真空チャンバ
真空フランジ
TII C0062JD
12
●外形寸法図 (単位: mm)
V7090U/Dシリーズ、V8070U/Dシリーズ、V8071U/Dシリーズ(光電面有効エリア: 13.5 mm × 10 mm)
V7090U, V8070U, V8071Uシリーズ
蛍光面
黒
紫
緑
灰*
青
光電面
入力窓
13.5
蛍光面有効エリア
10
21.8
19
10
7 7
+0
45.0 –0.7
光電面有効エリア
リード長
200 MIN.
0.5 ± 0.2
13.5
14.64 ± 0.1
23.0 ± 0.3
入力側
A
1段
1.8 ± 0.6
2段
1.3 ± 0.6
リード線 (カバー: PTFE [Polytetrafluoroethylene])
緑 (光電面)
紫 (MCP-in)
黒 (MCP-out)
青 (蛍光面)
灰 (NESA/GND)* * 透明導電膜 (NESA)付のみです。
出力窓
A
5.5 ± 0.1
MCP
出力側
ケース材質: POM (ポリオキシメチレン)
TII A0043JE
V7090D, V8070D, V8071Dシリーズ
蛍光面
黒
紫
緑
灰*
青
光電面
10
出力窓
入力窓
0.7 ± 0.6
5.5 ± 0.1
13.5
蛍光面有効エリア
21.8
31.1
10
7 7
+0
45.0 –0.3
光電面有効エリア
0.5 ± 0.2
リード長
200 MIN.
13.5
14.64 ± 0.1
A
入力側
出力側
MCP
A
1段
21.2 ± 0.5
2段
21.7 ± 0.5
リード線 (カバー: PTFE [Polytetrafluoroethylene])
緑 (光電面)
紫 (MCP-in)
黒 (MCP-out)
青 (蛍光面)
灰 (NESA/GND)* * 透明導電膜 (NESA)付のみです。
ケース材質: POM (ポリオキシメチレン)
TII A0053JG
V6886U, V6887U, V4170U, V4183Uシリーズ
Suffix: なし,-01,-02,-03
蛍光面
黒
紫
緑
灰*
青
光電面
入力窓
蛍光面有効エリア
0.5 ± 0.2
23.0 ± 0.3
入力側
A
1.7 ± 0.6
V4170U, V4183U
1.3 ± 0.7
リード線 (カバー: PTFE [Polytetrafluoroethylene])
緑 (光電面)
紫 (MCP-in)
黒 (MCP-out)
青 (蛍光面)
* 透明導電膜 (NESA)付のみです。
灰 (NESA/GND)*
出力窓
A
5.5 ± 0.1
TYPE No.
V6886U, V6887U
18
M
IN
.
21.8
19
7 7
18
M
IN
.
+0
45.0 –0.7
光電面有効エリア
リード長
200 MIN.
14.64 ± 0.1
出力側
ケース材質: POM (ポリオキシメチレン)
TII A0033JF
入力窓: FOP、MgF2タイプ
蛍光面
黒
紫
緑
灰*
青
光電面
蛍光面有効エリア
B
5.5 ± 0.1
0.5 ± 0.2
IN
M
18
リード長
200 MIN.
14.64 ± 0.1
入力側
A
A
B
21.3 ± 0.5
0.8 ± 0.6
V4170U, V4183U
21.7 ± 0.6
0.7 ± 0.7
リード線 (カバー: PTFE [Polytetrafluoroethylene])
緑 (光電面)
紫 (MCP-in)
黒 (MCP-out)
青 (蛍光面)
灰 (NESA/GND)* * 透明導電膜 (NESA)付のみです。
出力窓
入力窓
TYPE No.
V6886U, V6887U
.
21.8
31.1
7 7
18
M
IN
.
+0
45.0 –0.3
光電面有効エリア
出力側
ケース材質: POM (ポリオキシメチレン)
TII A0034JG
13
V7669U, V7670U, V10308U, V10309U シリーズ
Suffix: なし,-01,-02,-03
.
IN
M
25
26
53.0 +0
-0.3
.
IN
M
25
蛍光面有効エリア
出力窓
白*
28.5
蛍光面
光電面
入力窓
光電面有効エリア
青
黒
紫
B
A
0.5 ± 0.2 緑
11.7 ± 0.1
21.0 ± 0.3
リード線長 200 MIN.
TYPE No.
A
B
V7669U, V7670U
5.94 ± 0.1
2.2 ± 0.6
V10308U, V10309U 5.53 ± 0.1
2.1 ± 0.7
リード線 (カバー: PTFE [Polytetrafluoroethylene])
緑 (光電面)
紫 (MCP-in)
黒 (MCP-out)
青 (蛍光面)
白 (NESA/GND)* * 透明導電膜 (NESA)付のみです。
ケース材質: POM (ポリオキシメチレン)
入力側
出力側
TII A0018JD
入力窓: FOP、MgF2タイプ
蛍光面
.
蛍光面有効エリア
C
A
B
C
18.8 ± 0.5
5.94 ± 0.1
0.8 ± 0.6
V10308U, V10309U 18.9 ± 0.6
5.53 ± 0.1
0.9 ± 0.7
リード線 (カバー: PTFE [Polytetrafluoroethylene])
緑 (光電面)
紫 (MCP-in)
黒 (MCP-out)
リード線長 200 MIN.
青 (蛍光面)
白 (NESA/GND)* * 透明導電膜 (NESA)付のみです。
白*
青
0.5 ± 0.2
11.7 ± 0.1
光電面
TYPE No.
V7669U, V7670U
25
M
IN
28.5
44
53.0 +0
-0.3
IN
M
25
緑
紫
黒
出力窓
B
入力窓
.
光電面有効エリア
A
ケース材質: POM (ポリオキシメチレン)
入力側
出力側
TII A0046JC
V9501U/Dシリーズ, V9569U/D シリーズ(光電面有効エリア: 16 mm × 16 mm)
V9501U, V9569Uシリーズ
出力窓
蛍光面
16
0.5 ± 0.2
A
入力窓
蛍光面有効エリア
16
28.5
16
26
光電面
+0
53 - 0.3
光電面有効エリア
緑
紫
黒
青
白*
5.94 ± 0.1
リード線長
:200 MIN.
11.7 ± 0.1
入力側
MCP
A
1段
2.2 ± 0.6
2段
1.9 ± 0.6
リード線 (カバー:PTFE [Polytetrafluoroethylenel])
緑 (光電面)
紫 (MCP-in)
黒 (MCP-out)
青 (蛍光面)
白 (NESA/GND)* * 透明導電膜 (NESA)付のみです。
ケース材質: POM (ポリオキシメチレン)
16
出力側
21.0 ± 0.3
TII A0063JB
V9501D, V9569Dシリーズ
出力窓
蛍光面
16
入力窓
蛍光面有効エリア
0.5 ± 0.2
A
11.7 ± 0.1
入力側
16
44
16
緑
紫
黒
青
白*
28.5
5.94 ± 0.1
光電面
+0
53 - 0.3
光電面有効エリア
リード線長
:200 MIN.
16
MCP
A
B
1段
0.8 ± 0.6
18.8 ± 0.5
2段
0.6 ± 0.6
19.1 ± 0.5
リード線 (カバー:PTFE [Polytetrafluoroethylenel])
緑 (光電面)
紫 (MCP-in)
黒 (MCP-out)
青 (蛍光面)
白 (NESA/GND)* * 透明導電膜 (NESA)付のみです。
ケース材質: POM (ポリオキシメチレン)
出力側
B
TII A0064JB
14
●外形寸法図 (単位: mm)
V6833P, V6833P-G(電源内蔵タイプ)
31.0 ± 0.2
5.5 ± 0.1
R40
4.9
5
60 °
26
入力電圧
(+2 V ∼ +3 V)
18.6
+0
36.8 - 0.2
0.35
2.5
蛍光面有効エリア
17.5 MIN.
4±1
1.0 ± 0.1
20
光電面有効エリア
17.5 MIN.
1.5
18.6
出力窓
(インバータファイバオプティクス)
9.5
入力窓(硼硅酸ガラス)
光電面 (GaAs)
ケース材質: POM (ポリオキシメチレン)
GND
入力側
出力側
TII A0031JF
V7090P(電源内蔵タイプ)
光電面有効エリア
光電面有効エリア
1.6 ± 0.15
4.8 ± 0.15
31.3 ± 0.6
R
0.
光電面
8
入力電圧
(+2 V ∼ +3 V)
GND
14.2 ± 0.15
+0.13
1
23 - 0
+0.2
± 0.
.5
21.6 - 0
R18
+
17
.5
17
43.1 ± 0.2
–
出力窓
0.63 ± 0.1
5.5 ± 0.1
3.25 ± 0.2
ケース材質: POM (ポリオキシメチレン)
19.8 ± 0.5
入力側
15
出力側
TII A0048JF
●取扱い上の注意と保証
取扱い上の注意
●イメージインテンシファイア(以下I.I.)は高真空に排気されたイメージ管です。
運搬・保管および実際の使用に際して、強い衝撃や振動を加えないでください。故障の原因になります。運搬と
保管は弊社から送られた状態の正規の梱包を用いてください。
●取扱い時あるいは動作中に、入力窓や出力窓を直接素手で絶対に触れないでください。汚れあるいは感電・故
障の原因となります。
また、入力窓や出力窓に物を接触させないでください。キズが付く場合があります。
●入力窓及び出力窓にゴミなどが付着していますと、映像に黒キズやシミとなって現れますので、使用前に柔らか
い布などで十分拭いてください。指紋や手あかが付着した時は、
アルコ−ルを浸した柔らかい布で拭いてください。
なお、
この作業を動作中は絶対に行わないでください。
●I.I.及び高圧電源モジュールの本体への加工は絶対に行わないでください。
●保管及び使用環境条件の温度や湿度などに注意してください。特に高温や塩分、酸などの雰囲気中に長時
間放置しますと、金属腐食により接触不良を起こしたり、真空を保ち得なくなる場合がありますのでご注意くださ
い。
●I.I.は非常に高感度な光デバイスです。過大光保護回路をご使用にならない場合、MCP電圧は出力蛍光面の
発光の状態を見ながら徐々に印加し、最適な状態にてご使用ください。
●動作中・保管中に関わらず、光電面を太陽などの強い光線にあてないようにしてください。
明るい光(例えば室内光)にあてた状態での動作は、光電面を破損する恐れがあります。
また、動作中の入射光量によって導かれる光電流の総電荷量と寿命には、逆比例の関係があります。入射光
量は、
なるべく少なくした状態にてお使い頂くことをお勧めします。
●最大定格電圧を必ず守ってください。特に他社電源を使用する際には、I.I.を接続する前に各電極に加わる電
圧が正常であることを確認してください。
瞬時でも定格電圧を超える電圧が印加されますと、故障により永久的に使用できなくなる可能性があります。
●I.I.と高圧電源モジュールの接続は、決められた指示に従い正確に行ってください。
誤った結線を行った場合には、I.I.は瞬時に破損する可能性があります。接続は、十分な耐圧を有する高圧用コ
ネクタの使用、
または半田付けを行ってください。半田付けの場合には、接続部を耐電圧10 kV以上の絶縁テ
−プまたは耐電圧20 kV/mm以上の室温硬化型シリコンゴム等にて、十分な絶縁処理を施してください。
保証について
浜松ホトニクスのイメージインテンシファイアの保証期間は原則として納入後1年間、
または実使用1,000時間のど
ちらか早く満了するまでとします。保証の範囲は製品の代替納入を限度とさせていただきます。ただし、保証期間
内でも天災、使用上のミスおよび、定格範囲を越えた使用については保証いたしかねますのでご了承ください。
詳細につきましてはご購入の際にご確認ください。
廃棄方法
本製品を廃棄する場合は、廃棄物処理法に則り、自ら適正に処理していただくか、もしくは許認可を
受けた適正な産業廃棄物処理業者へ委託して処理してくださるようにお願いします。国外で使用し、
その国で廃棄する場合は、それぞれの国、州の廃棄物処理に関する法令に従って適正に処理をしてく
ださるようにお願いします。
16
●専用電源
I.I.の動作に必要な高電圧をすべて供給するセパレート型高圧電源モジュールは、小型・軽量で、低電圧の入力により簡単に動作させることがで
きます。I.I.の映像増強度は、MCPコントロール電圧の調整で変化させることができます。用途に適した製品をお選びください。MCP2段タイプに
適合する専用電源もご用意しています。
DC動作用
入力
出力
光電面–
MCP-in –
MCP-out –
最大 MCP
MCP-out
蛍光面
コントロール MCP-in
電圧
電流 電圧
電圧
許容電流 電圧 許容電流
電圧
(V) (mA)
(V)
(µA) (V)
(µA)
(V)
(V)
1
型名
1
C6706-010 +15±1.5
1
グランド
端子
特徴
1
500 ∼ 1000
20
過大電流(過大光)保護機能付
0.1 ∼ 1
C6706-210 +12±1.2
+5 ∼ +10
-200
6000
MCP-in
ABC機能付 2
C8499-020
+10±0.5 150
V6886U,V7669U
V7090K-7K-N1KK
V8070K-7K-N1KK
V8071K-7K-N1KK
ABC機能付 2
0.25 ∼ 0.75
60
適合I.I.
1000 ∼ 2000 100
V4170U,V10308U
V7090K-7K-N2KK
V8070K-7K-N2KK
0.05 ∼ 5
過大電流(過大光)保護機能付
C8499-220
ゲート動作用(100 ns ∼ DCまで動作可能:繰り返し周波数は最大1 kHz)
入力
1
電圧
型名
(V)
出力
MCP-in –
MCP-out
電圧
許容電流
(µA)
(V)
ゲートパルス電圧入力:ゲート幅設定
MCP
光電面–
コントロール ゲート・オン ゲート・オフ
MCP-in
電圧
電圧
電圧 4
電圧
(V)
(mA Max.)
(V)
(V)
(V)
電流
1
MCP-out –
グランド
蛍光面
端子
電圧
許容電流
(µA)
(V)
特徴
適合I.I.
1
500 ∼ 1000
C6083-010
+10±0.5
200
+5 ∼ +10
2
0
+5
(TTL Low) (TTL High)
-200
50
0.05 ∼ 5 MCP-in ABC機能付
6000
1000 ∼ 2000
C6083-020
V6887U, V7670U
V7090K-7K-G1KK
V8070K-7K-G1KK
V8071K-7K-G1KK
V4183U, V10309U
V7090K-7K-G2KK
V8070K-7K-G2KK
NOTE: 1グランド端子の異なるタイプ、他の入力電圧のタイプも対応できます。お気軽にご相談ください。 2ABC:自動輝度調節
外形寸法図(単位: mm)
C6706-010, -210
C6083-010, -020
ABC調整または過電流保護レベル調整
E5
E6
E7
E8
蛍光面用電圧調整
C8499-020, -220
E5
E6
E7
E8
E1
E2
E3
E4
E1
E2
E3
E4
FEP (18 kV)
ケース:ブラックエポキシ
E1: 光電面
E2: MCP-in
E3: MCP-out
E4: 蛍光面
E5: 入力電圧
E6: GND
E7: コントロール電圧
E8: ゲート信号入力
4-No4-40 UNC深さ5.1
6.35
31.75
37.8
6.35
6.35
76.2
101.6
200 MIN.
3.81
38.1
38.1
50.8
4-M2.5
4-3.05
50.8
6.35
出力リード線
MO: MCP-out
(茶)
MI: MCP-in
(赤)
K: 光電面
(青)
FEP (18 kV)
12.7
+15 Vまたは +12 V入力
(赤)
GND
(黒)
コントロール入力
(白)
S: 蛍光面
(黄)
44.45
51.3
19.05
入力リード線
12.7
ケース:ブラックエポキシ
ケース:ブラックエポキシ
4-3.05
4-No4-40 UNC深さ5.1
6.35
6.35
76.2
101.6
6.35
200 MIN.
3.81
TII A0052JA
TII A0051JA
E1: 光電面
E2: MCP-in
(GND)
E3: MCP-out
E4: 蛍光面
E5: 入力電圧
E6: GND
E7: コントロール
電圧
E8: 無接続
TII A0070JA
●I.I.用ハウジング A10505
外径45 mmのI.I.(出力窓: FOP、MCP 1段タイプ)
を容易に評価するために、入力: Cマウント、出力: 弊社リレーレンズマウントのケースをご用意
しています。固定は、三脚用ネジ穴で行います。
適合I.I.: V7090U/D, V8070U/D, V8071U/D各シリーズのMCP 1段タイプ、V6886Uシリーズ、V6887Uシリーズ
(上記以外のI.I.用ケースをご希望の方は、
お気軽にお問い合わせください。)
外形寸法図(単位: mm)
M59X1
弊社リレーレンズマウント
30
32.5
17
40
Cマウント
深さ 8
65
1/4"-20UNC
深さ 10
24.8 ± 1.0
22.9
58.7 ± 1.0
17
材質: アルミニウム
質量: 250 g
TII A0069JA
●関連製品
高速ゲートイメージインテンシファイアユニット
I.I.と高圧電源・ゲート駆動回路を内蔵したユニットです。
CCDカメラの前に高速ゲートイメージインテンシファイアを接続するだけで、高感度高
速シャッタカメラとして使用可能です。放電などの高速現象の時間変化の観測が容
易に行えます。蛍光測光などは、励起光等の一次光の影響を受けない測定が可能
です。DC動作での使用時には、顕微鏡と接続し、生物発光、蛍光イメージングの用
途にも適しています。
GaAs光電面、GaAsP光電面、
マルチアルカリ光電面を内蔵したタイプを用意してい
ます。
標準コントローラでの使用以外に、USBインターフェースによりパソコンでのコントロー
ルが可能です。
ゲート時間は、3 nsからとなっています。
高解像度のMCP1枚タイプと、高ゲインであるMCP2枚タイプを取り揃えています。
過大光保護機能も搭載しており、安心してご使用いただけます。
オプションとして、
ファイバ窓CCDカメラなどをご用意しています。
セレクションガイド
C9016
C9546
C9547
C9546
C9547
C9016
C9546
C9547
-03, -04 -05, -06 -01, -02 -03, -04 -05, -06 -01, -02 -03, -04 -05, -06
φ17 1
φ17 1
φ25 2
入出力面サイズ
5 ns
10 µs
3 ns
10 ns
5 ns
最小ゲート時間
200 Hz
30 kHz
30 kHz
最大繰り返し周波数
280∼720 185∼900 370∼920 280∼720 185∼900 370∼920 280∼720 185∼900 370∼920
感度波長範囲
GaAsP マルチアルカリ GaAs
GaAsP マルチアルカリ GaAs
GaAsP マルチアルカリ GaAs
光電面材質
50
50
45
30
30
22
17
14
14
量子効率3
型名
C9016
-01, -02
単位
mm
—
—
nm
—
%
NOTE: 1 出力有効エリアは、12.8 mm × 9.6 mm です。使用するカメラの有効エリア・リレーレンズの縮小比にご注意ください。
2 出力有効エリアは、16 mm × 16 mm です。使用するカメラの有効エリア・リレーレンズの縮小比にご注意ください。
3 最高感度波長での標準値です。
高速電子シャッタ内蔵ICCDカメラ C10054シリーズ
I.I.とCCDをファイバカップリングし、CCD駆動回路、高圧電源、高速ゲート回路ととも
に一体化した小型で取り扱いやすいカメラです。簡単に微弱光計測や高速現象撮
像の観察を行うことができます。
光電面はGaAs光電面、GaAsP光電面、マルチアルカリ光電面を用意し、
その他
MCP段数・CCD信号方式の組み合わせによりラインナップを取り揃えています。
ノンTVフォーマットタイプ(倍速プログレッシブスキャンタイプ)のCCDがラインナップに
加わりました。
最小シャッタ時間は、5 nsです。
セレクションガイド
TVフォーマット
EIA
C10054-01
C10054-02
C10054-03
C10054-04
C10054-05
C10054-06
型名
TVフォーマット
CCIR
C10054-11
C10054-12
C10054-13
C10054-14
C10054-15
C10054-16
光電面
ノンTVフォーマット 入力面窓材
全画素読み出しタイプ
C10054-21
GaAsP
硼硅酸ガラス
C10054-22
C10054-23
マルチアルカリ
合成石英
C10054-24
C10054-25
GaAs
硼硅酸ガラス
C10054-26
感度波長範囲
(nm)
280 ∼ 720
185 ∼ 900
370 ∼ 920
MCP
段数
限界解像度
(TV本)
1
2
1
2
1
2
470
450
480
420
470
450
18
[営業品目]
電子管製品
○光電子増倍管
○光電子増倍管モジュール
○マイクロチャンネルプレート
○イメージインテンシファイア
○キセノンランプ・水銀キセノンランプ
○重水素ランプ
○光源応用製品
○レーザ応用製品
○マイクロフォーカスX線源
○X線イメージングデバイス
光半導体製品
○Siフォトダイオード
○APD
○フォトICと関連製品
○イメージセンサ
○PSD (位置検出素子)
○赤外線検出素子
○LED
○光通信用デバイス
○車載用デバイス
○X線フラットパネルセンサ
○ミニ分光器
○光半導体モジュール
イメージインテンシファイア
システム応用製品
○カメラ・画像計測装置
○X線関連製品
○ライフサイエンス 分野製品
○医療 分野製品
○半導体故障解析装置
○太陽電池材料評価装置
○発光材料特性評価装置
○分光計測・光計測装置
●本資料の記載内容は平成26年12月現在のものです。製品の仕様は、改良等のため予告なく変更することがあります。
□仙台営業所 〒980-0011
□筑波営業所 〒305-0817
□東京営業所 〒105-0001
□中部営業所 〒430-8587
□大阪営業所 〒541-0052
□西日本営業所 〒812-0013
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東京都港区虎ノ門3-8-21(虎ノ門33森ビル5階)
TEL (03)3436-0491
浜松市中区砂山町325-6(日本生命浜松駅前ビル4階) TEL (053)459-1112
大阪市中央区安土町2-3-13(大阪国際ビル10階)
TEL (06)6271-0441
福岡市博多区博多駅東1-13-6(竹山博多ビル5階)
TEL (092)482-0390
□電子管営業推進部 〒438-0193 静岡県磐田市下神増314-5 TEL (0539)62-5245 FAX (0539)62-2205
FAX (022)267-0135
FAX (029)855-1135
FAX (03)3433-6997
FAX (053)459-1114
FAX (06)6271-0450
FAX (092)482-0550
TII 0007J02
DEC. 2014 IP