bd95601muv lb j

Datasheet
4.5V～25V 入力
1ch 同期整流 降圧 DC/DC コントローラ
BD95601MUV-LB
重要特性
概要






本製品は産業機器市場へ向けた、長期の供給を保証する
ランクの製品です。これらのアプリケーションとして、
ご使用される場合に最適な商品です。
BD95601MUV-LB は、広入力電圧範囲(4.5～25V)から低
出力電圧(0.75V～2.0V)を大電流で出力できるスイッチ
ングレギュレータコントローラです。外付けのスイッチ
ングトランジスタに N-MOSFET を使用することで高効
率同期整流スイッチングレギュレータを実現できます。
3
TM
固定 ON タイムの進化版である H Reg というローム独
自の制御モードを採用することで、高速な過渡応答特性
を実現できます。また、軽負荷時の効率を改善するため
に SLLM(Simple Light Load Mode)を採用し、広範囲な負
荷電流に対して高効率を実現できます。
ソフトスタート機能、タイマラッチ付短絡保護回路機能、
過電流保護回路、トラッキング機能を有しており、低電
圧大電流電源として最適です。
VIN 入力電圧範囲：
VCC 入力電圧範囲：
VDD 入力電圧範囲：
出力電圧範囲：
スタンバイ電流：
動作温度範囲：
4.5V ～ 25V
4.5V ～ 5.5V
4.5V ～ 5.5V
0.75V ～ 2.0V
0μA (Typ)
-10°C ～ +85°C
パッケージ
W(Typ) x D(Typ) x H(Max)
4.00mm x 4.00mm x 1.00mm
VQFN020V4040
特長



産業機器に適した長期の供給保証.
軽負荷モード、連続モード選択可能.
多機能な保護回路.
－過熱保護(TSD).
－低入力電圧誤動作防止(UVLO).
－設定可能な過電流保護回路(OCP).
－過電圧保護(OVP).
－タイマラッチ付き短絡保護(SCP).
 可変ソフトスタート.
 パワーグッド.
 周波数設定可能 (f=200kHz～500kHz).
VQFN020V4040
用途
 FPGA、POL 電源.
 モバイル PC、デスクトップ PC、LCD-TV.
デジタル家電等.
 産業機器.
基本アプリケーション回路
+12V
C6
R7
REG1_5V
17
16
OUT
VIN
BOOT
EN_1MGT
1
SS
2
EN/SLLM
3
ILIM
4
VCC
5
FB
HG 15
C12
18
C11
19
C1
C4
C10
20
PGOOD
EN_1
R6
GND
R8
PG_2
C5
PG_1
1V
Q1
1VMGT
SW 14
L1
U1
R1
EN_2
R13
VDD 13
BD95371MUV
BD95601MUV-LB
1.2V
C8
1.35/1.5V
C3
EN_1.8
C14
EN_1.35/1.5
C13
EN_1.2
1.8V
VOUT
FREQ
FS
IS-
IS+
LG 12
6
7
8
9
10
2V
Q2
PGND 11
C7
R5
R12
R10
JP1
R20
R3
R18
R4
C2
R2
R11
GND
PGND
Figure 1. アプリケーション回路
○製品構造：シリコンモノリシック集積回路
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○耐放射線設計はしておりません
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PGND
LG
VDD
HG
端子配置図
SW
BD95601MUV-LB
15 14 13 12 11
BOOT 16
10 Is+
VIN 17
9 Is-
OUT 18
8 FS
2
3
4
5
FB
1
VCC
6 VOUT
ILIM
GND 20
SS
7 FREQ
EN/SLLM
PGOOD 19
Figure 2. 端子配置図
端子説明
端子番号
記
号
1
SS
2
EN/SLLM
3
ILIM
4
VCC
5
FB
6
VOUT
7
FREQ
8
FS
9
Is-
10
Is+
11
PGND
12
LG
13
VDD
14
SW
15
HG
16
BOOT
17
VIN
18
OUT
19
PGOOD
20
GND
裏面
FIN
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機
能
ソフトスタート時間設定端子です。端子電圧はスタンバイ時ローレベルになり、イネー
ブルオン時に IC 内部の定電流と SS-グラウンド間に接続されたコンデンサにより立ち上
がり時間が決定します。SS 端子電圧がリファレンス電圧(0.75V)に達するまでの間、出
力電圧を SS 端子に同期して単調増加します。
端子電圧が 2.3V 以上でハイレベルとなり、スイッチング動作が開始します。0.8V 以下
でローレベルとなりスイッチング動作が停止します。回路電流は 10µA 以下になります。
またこの端子は、SLLM と連続 PWM モードの切り替え端子を兼ねており、端子電圧が
2.3V～3.8V 時に連続 PWM モード、4.5V～5.5V 時に SLLM になります。3.3V または 5V
の電源系統にて制御することで選択可能です。
コイル電流制限設定端子です。グラウンド間に 100kΩ を接続してください。
制御回路の電源端子で、FET ドライバ回路以外の電源です。最大電流は 1.8mA で、電源
電圧は 4.5V～5.5V を使用します。VCC 端子には 10Ω、1µF 程度の CR フィルタを付け
ることを推奨します。
出力電圧フィードバック端子です。リファレンス電圧と FB 端子電圧が同じになるよう
IC が制御します。
出力電圧モニタ端子です。過電流モニタと出力電圧ディスチャージ機能も兼ねています。
負荷の変動に対し、外付け抵抗にて周波数変動を抑制します。
スイッチング周波数設定端子です。グラウンド間に抵抗を接続してください。周波数範
囲は 200kHz～500kHz で設定可能です。
FREQ 端子を出力とするアンプの入力端子です。
出力電流検出端子です。この端子と VOUT 端子間の電圧が、ILIM 端子で設定した電圧以
上になると、過電流検出とみなし、スイッチング動作を停止します。
ローサイド FET ドライブ用のグラウンド端子です。
ローサイド FET ゲートドライバ用端子です。VDD-PGND 間でスイッチング動作します。
出力段のオン抵抗は、ハイ時 3Ω／ロー時 0.5Ω で、ローサイド FET のゲートをハイスピ
ードで駆動します。
ローサイド FET ゲートドライバの電源です。FET ON/OFF 時のピーク電流が流れるため
10µF 程度のバイパスコンデンサを付けることを推奨します。
ハイサイド FET ゲートドライバ用接地端子です。対グラウンド耐圧は 30V です。
ハイサイド FET ゲートドライバ用端子です。BOOT-SW 間でスイッチング動作します。
出力段のオン抵抗は、ハイ時 3Ω／ロー時 2Ω で、ハイサイド FET のゲートをハイスピ
ードで駆動します。
ハイサイド FET ゲートドライバ用電源端子です。対グラウンド耐圧は 35V、対 SW 耐圧
は 7V です。スイッチング波形は、BOOT 動作により(VIN+VDD)～VDD まで振幅します。
3
TM
H Reg 制御回路の電源端子です。入力電圧をモニタし必要なオンタイムを決定します。
1kΩ、 0.1µF 程度の CR フィルタを接続してください。
出力電圧制御アンプの出力端子です。抵抗とコンデンサの直列回路をグラウンドへ接続
します。通常時は 0.01µF を接続してください。
FB 端子電圧がリファレンス電圧の 63%以上になるとハイレベルを出力します。出力形
式はオープンドレインになっているので、プルアップ抵抗を接続してください。
制御回路のグラウンド端子です。FIN と同電位です。
裏面放熱 PAD です。グラウンドへ接続してください。
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ブロック図
VIN
VDD
4
EN/SLLM
VCC
17
1
BG
+
EN
SCP
REF×0.56
SS×0.56
FB
VOUT
3
REF
BOOT
Soft Start Block
+
Q
VOUT
14
Driver
SLLM
S
VIN
HG
15
OVP
SW
Circuit
SLLM
18
FB
5
SS
REF
+
+
+
FREQ
7
OVP
+
-
9
10
ls-
Is+
Current Limit
ILIM
ls+ UVLO
ILIM
SCP
TSD
FS
8
+
-
VOUT
PGND
16
SLLM
R
OUT
GND
GND
VDD
TM
H Reg
Controller
Block
EN/UVLO
20
SS
REF×1.2
FB
2.5ms Delay
BG
SS
TSD
Thermal
Protection
UVLO
+
-
Reference
Block
2
VIN
Is+
6
REF
×0.63
FB
3
VDD
13
12
LG
11
PGND
19
+
-
PGOOD
ILIM
Figure 3. ブロック図
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絶対最大定格(Ta = 25°C)
項
目
記号
定
格
単位
条件
入力電圧 1
VCC
7
V
Note 1, Note 2
入力電圧 2
VDD
7
V
Note 1, Note 2
入力電圧 3
VIN
28
V
Note 1, Note 2
BOOT 電圧
BOOT
35
V
Note 1, Note 2
BOOT-SW
7
V
Note 1, Note 2
Note 1, Note 2
BOOT-SW 電圧
HG-SW 電圧
HG-SW
7
V
LG 電圧
LG
VDD
V
出力電圧
VOUT/Is+/Is-
VCC
V
EN 入力電圧
EN
7
V
Note 1
許容損失 1
Pd1
0.34
W
Note 3
許容損失 2
Pd2
0.70
W
Note 4
許容損失 3
Pd3
2.20
W
Note 5
Note 6
許容損失 4
Pd4
3.56
W
動作温度範囲
Topr
-10 ～ +85
°C
保存温度範囲
Tstg
-55 ～ +150
°C
Tjmax
+150
°C
接合部温度
(Note 1) ただし Pd を超えないこと。
(Note 2) サージ、逆起電圧等の瞬時的な電圧印加、もしくは Duty 比が 10%を下回る連続パルス印加に耐えうる最大定格。
(Note 3) Ta=25°C 以上は、2.7mW/°C で軽減。放熱板なし。
(Note 4) Ta=25°C 以上は、5.6mW/°C で軽減。70×70×1.6mm 1 層ガラエポ基板実装時、表層放熱銅箔:10.29mm2。
(Note 5) Ta=25°C 以上は、17.6m W/°C で軽減。70×70×1.6mm 4 層ガラエポ基板実装時、表層放熱銅箔:10.29mm2、2,3 層:放熱銅箔:5505mm2。
(Note 6) Ta=25°C 以上は、28.5mW/°C で軽減。70×70×1.6mm 4 層ガラエポ基板実装時、全層放熱銅箔:5505mm2。
注意：印加電圧及び動作温度範囲などの絶対最大定格を超えた場合は、劣化または破壊に至る可能性があります。また、ショートモードもしくはオープンモ
ードなど、破壊状態を想定できません。絶対最大定格を超えるような特殊モードが想定される場合、ヒューズなど物理的な安全対策を施して頂けるようご検
討お願いします。
推奨動作条件(Ta= 25°C)
項
目
記号
最小
標準
最大
単位
入力電圧 1
VCC
4.5
-
5.5
V
入力電圧 2
VDD
4.5
-
5.5
V
入力電圧 3
VIN
4.5
-
25
V
BOOT 電圧
BOOT
4.5
-
30
V
SW
-0.7
-
25
V
BOOT-SW
4.5
-
5.5
V
EN
0
-
5.5
V
IS+/IS-
0.7
-
2.7
V
TONMIN
-
-
80
ns
SW 電圧
BOOT-SW 電圧
EN 入力電圧
Is 入力電圧
MIN ON 時間
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条件
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電気的特性(特に指定のない限り VCC=5V VDD=5V EN=3V VIN=12V VOUT=1.05V RFS=36kΩ Ta=25°C)
項
目
記号
最小
標準
最大
単位
ICC
-
1500
1800
µA
ICCSTB
-
0
10
µA
IIN
-
30
80
µA
IINSTB
-
0
10
µA
条
件
全体
VCC バイアス電流
VCC スタンバイ電流
VIN バイアス電流
VIN スタンバイ電流
EN Low 電圧
EN= 0V
EN= 0V
ENLOW
GND
-
0.8
V
EN High 電圧 (強制連続モード)
ENHIGH_CON
2.3
-
3.8
V
EN High 電圧 (SLLM モード)
ENHIGH_SLLM
4.5
-
5.5
V
IEN
-
15
25
µA
EN= 3V
VCC:Sweep up
EN バイアス電流
低入力誤作動防止部
VCC スレッショルド電圧
VCC_UVLO
3.7
4.0
4.2
V
dVCC_ UVLO
100
160
220
mV
TON
194
219
244
ns
MAX ON Time
TONMAX
-
3.5
-
µs
MIN OFF Time
TOFFMIN
-
490
700
ns
HG 上側 ON 抵抗
HGHON
-
3.0
6.0
Ω
HG 下側 ON 抵抗
HGLON
-
2.0
4.0
Ω
LG 上側 ON 抵抗
LGHON
-
3.0
6.0
Ω
LG 下側 ON 抵抗
LGLON
-
0.5
1.0
Ω
SCP 起動電圧
VSCP
0.345
0.420
0.495
V
SCP ディレイ時間
TSCP
-
2.5
-
ms
VOVP
0.825
0.900
0.975
V
ISS
1
2
3
µA
VSS_STB
-
-
50
mV
VCC ヒステリシス電圧
3
H Reg
TM
VCC:Sweep down
制御部
ON Time
FET Driver 部
SCP 部
過電圧保護部
FB スレッショルド電圧
ソフトスタート部
チャージ電流
スタンバイ電圧
電流制限部
設定用電流
IILIM
-
10
-
µA
電流制限スレッシュホールド電圧
VILIM
75
100
120
mV
REF1
0.743
0.750
0.757
V
Is+入力電流
IS+
-1
0
1
µA
LS+= 1.05V
Is-入力電流
IS-
-1
0
1
µA
LS-= 1.05V
RILIM= 100kΩ
出力電圧検出部
出力基準電圧 1
パワーグッド部
FB パワーグッド電圧
ディスチャージ ON 抵抗
VPGOOD
0.38
0.47
0.56
V
RONPGOOD
-
50
150
Ω
VF
0.4
0.5
0.6
V
BOOT 用ダイオード
VF voltage
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5/22
IF= 1mA
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BD95601MUV-LB
特性データ(参考データ)
Figure 4. 効率(VIN= 7.5V)
Figure 5. 効率(VIN= 12V)
0
VOUT (20mV/div)
⊿V=8.0mV
IOUT (5.0A/div)
10µs/div
Figure 6. 効率(VIN= 21V)
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Figure 7. 過渡応答波形(VIN= 5V)
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特性データ(参考データ) －続き
VCC (5V/div)
VOUT (20mV/div)
VOUT (500mV/div)
⊿V=7.6mV
IOUT (5.0A/div)
400µs/div
SW (5V/div)
10µs/div
Figure 8. 過渡応答波形(VIN= 5V)
Figure 9. VCC によるパワーアップ
VIN (5V/div)
VIN (5V/div)
SW
(5V/div)
SW
(5V/div)
LG(5V/div)
LG(5V/div)
VOUT (200mV/div)
VOUT (200mV/div)
20µs/div
Figure 10. ラインレギュレーション
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20µs/div
Figure 11. ラインレギュレーション
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BD95601MUV-LB
特性データ(参考データ) －続き
EN (5V/div)
SW (10V/div)
VOUT
(500mV/div)
LG (5V/div)
400µs/div
SCP delay time
SW
(5V/div)
IOUT (5A/div)
Figure 12. EN によるパワーアップ
Figure 13. OCP & SCP
SW (5V/div)
SW (5V/div)
HG (5V/div)
HG (5V/div)
LG (5V/div)
LG (5V/div)
1µs/div)
1µs/div)
Figure 14. スイッチング波形(Vin= 5V,Iout= 18A)
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400µs/div
Figure 15. スイッチング波形(Vin= 21V,Iout= 18A)
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各ブロック動作説明
3
TM
BD95601MUV-LB は、固定 ON タイムの進化版である H REG コントローラを内蔵した降圧型 1ch 同期整流スイッチング
レギュレータです。コンパレータにて出力電圧の制御を行っているため、スイッチングの周波数に依存せず高速応答を
実現できます。また負荷急変時 VOUT が低下した場合、tON 時間を延長することにより VOUT の復帰を高速にして過渡応答特
性を向上させます。軽負荷モードを起動させることにより、負荷が軽い時 Simple Light Load Mode(SLLM)制御を行い、
効率を向上させます。
VIN
3
TM
H REG
制御
出力電圧制御用
コンパレータ
VOUT/VIN
Circuit
HG
FB
SW
Driver
内部基準電圧
REF
VOUT
LG
Transient
Circuit
FB が出力設定電圧(REF)以下になったことを検出した
3
TM
ら、H REG コントローラが起動します。(経路 A)
(通常動作時)
FB
REF
tON =
VOUT
VIN
x
1
f
[sec]・・・(1)
HG
HG は(1)式にて決まる時間出力します。
(FS 端子の抵抗値により設定)
LG は HG が OFF した後、FB=REF になるまで出力
します。
LG
(負荷急変時)
FB
Io
負荷急変時 VOUT が低下し、設定 tON 経過後まだ VOUT
が出力設定電圧以下の場合、tON 時間を延長することに
より、VOUT の復帰を高速にして過渡応答特性を向上さ
せます。VOUT 復帰後は、通常動作に戻ります。
tON +α
HG
LG
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BD95601MUV-LB
各ブロック動作説明
－続き
(軽負荷時)
FB
SLLM モード状態(EN/SLLM= 4.5V～5.5V)では LG が
OFF した時、コイル電流が 0A 以下(VOUT から SW 方向
へ電流が流れる状態)であれば SLLM 機能が動作し、次の
HG を出力できないようにします。
再び、FB が REF 電圧を下回ると HG を ON させます。
REF
HG
LG
0A
*注意
3
TM
H Reg コントローラは出力コンデンサの ESR を利用すること
で、コンデンサから負荷に供給する電流をモニタし、高速応答
を 実現しています。各負荷で使用するパスコン(セラミック
コンデンサ等)は各負荷側に接続することで効果を発揮します。
電源の COUT 側はセラミックコンデンサを置かないでください
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10/22
COUT
負荷
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タイミングチャート
ソフトスタート機能
EN 端子を High にすると、ソフトスタート機能が働き、
起動時の電流に制限をかけながら緩やかに出力電圧を
立ち上げます。出力ソフトスタート時間、突入電流は
式(2)(3)のように決定します。
EN
tSS
ソフトスタート時間
SS
tSS =
0.75(Typ) x CSS
・・・(2)
2μA(Typ)
FB
CSS(pF)
IIN
ソフトスタート時間(ms)
12000
5
27000
10
51000
20
突入電流
CO x VOUT
IIN =
tSS
x
VOUT
VIN
[A] ・・・(3)
(CSS:ソフトスタート用コンデンサ CO:出力コンデンサ)
タイマラッチ式 出力短絡保護回路
FB が REF x 0.7 以下になると、出力短絡保護が起動し、
設定時間経過後に出力を OFF 状態でラッチし、IC の
破壊を防止します。EN を再投入する、または UVLO を
再度解除することで出力は復帰します。出力短絡保護
設定時間は 2.5msec(Typ)です。
REF x 0.7
FB
tSCP
SCP
EN/UVLO
過電流保護回路
tON
tON
HG
tMAX
通常動作時、FB が REF 以下になると P8 のように
tON のパルス幅の HG が出力しますが、コイル電流が
ILIMIT ポイントを超えると HG を OFF します。
次のパルスは MAX ON TIME 後に出力電圧が低下かつ、
IL が ILIMIT 以下であれば通常動作に復帰します。
LG
ILIMIT
IL
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アプリケーション部品選定方法
1. コイル(L)の選定
コイルの値は、出力リップル電流に大きく影響します。
式 (4)の よ う に コ イ ル が 大 き い ほ ど 、 ま た 、 ス イ ッ チ ン グ 周 波 数 が
高いほどリップル電流は小さくなります。
ΔIL
ΔIL=
VIN
(VIN-VOUT) x VOUT
[A]・・・(4)
L x VIN x f
コイルのインダクタンス値は、一般的に値を下げるほど
応答性が速くなりますが、出力リップル増加や効率悪化を伴います。
適切な設定値として 0.47µH～2.2µH を推奨します。
IL
VOUT
L
コイルのピーク電流定格は式(5)で近似されます。
この値より高いインダクタを選定ください。
Co
PGND
PGND
(VIN-VOUT) x VOUT
ILPEAK= IOUTMAX +
出力リップル電流
2 x L x VIN x f
[A]・・・(5)
※コイルに定格電流値を超える電流を流すと、コイルが磁気飽和を起こし、効率が低下します。
ピーク電流がコイルの定格電流値を超えないよう充分なマージンをもって選定してください。
※コイルでの損失を少なくし、効率を良くするため、抵抗成分(DCR,ACR)の低いコイルを選定してください。
2. 出力コンデンサ(Co)の選定
VIN
VOUT
L
ESR
負荷
出 力 コ ン デ ン サ は 、 出 力 リ ッ プ ル 電 圧 が 30mV 以 上 に な る よ う に
等価直列抵抗、等価直列インダクタンスを考慮して決定してください。
また、コンデンサの定格は出力電圧に対して充分なマージンをもって
選定してください。
出力リップル電圧は、式(6)のように決定されます。
ESL CEXT
ΔVOUT= ESR x ΔIL+ESL x ΔIL / tON・・・(6)
Co
PGND
ΔIL:出力リップル電流
ESR:等価直列抵抗
ESL:等価直列インダクタンス
PGND
出力コンデンサ
また、出力の立ち上がり時間は、ソフトスタート時間内に設定する必要があるため、
出力コンデンサの容量は式 (7)の条件も考慮してください。出力コンデンサ容量には出力に接続する負荷側にも
パスコン目的のコンデンサが接続されます(上図の CEXT)。これらの容量も考慮しソフトスタート時間や過電流検出値を
設定してください。
CO + CEXT ≤
tSS x (Limit-IOUT)
VOUT
・・・(7)
tSS:ソフトスタート時間
Limit:過電流検出
容量値が最適でないと OCP を検出し、起動不良などが発生する可能性があります。
3. 入力コンデンサ(Cin)の選定
入力側コンデンサの選定では、大きな過渡電圧を防止するために大きなリッ
プル電流に充分対応できる大きさの低 ESR 入力コンデンサで ある必要が
あります。リップル電流 IRMS は式(8)で与えられます。
VIN
Cin
VOUT
L
IRMS=IOUT x
VOUT (VIN -VOUT)
[A]・・・(8)
VIN
Co
PGND
VIN =2 x VOUT の時、IRMS=
PGND
IOUT
2
入力コンデンサ
また、入力コンデンサの ESR 損失を少なくし、効率をよくするためにセラミックコンデンサを推奨します。
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アプリケーション部品選定方法
－続き
4. MOSFET の選定
High-side ドライバ、Low-side ドライバは、低オン抵抗の N チャンネル MOSFET
を駆動するように設計されています。
MOSFET は下記のような損失が発生するため、入出力条件や負荷電流によって
それぞれ最適な FET を選定することが重要です。
< High-side MOSFET の損失>
VIN
PHigh-side= PRON+PTRAN
High-side MOSFET
=
VOUT
2
x RIN x IOUT +
VIN
(Tr+Tf) x VIN x IOUT x f
6
(Ron:FET の ON 抵抗、f:スイッチング周波数
VOUT
・・・(9)
Tr:上昇時間、Tf:下降時間)
L
Co
<Low-side MOSFET の損失>
PGND
PGND
Low-side MONFET
PLow-side= PRON
=
VIN -VOUT
VIN
x RIN x IOUT
2
・・・(10)
High-side MOSFET は ON 抵抗による損失の他に、スイッチング時にも損失が発生するため
ON 抵抗と Qg(ゲート総電荷量)の両方ともに低い MOSFET を選定することで良好な効率となります。
下記に各電流値での MOSFET を推奨します。
出力電流
High-side MOSFET
Low-side MOSFET
～5A
RQ3E080GN
RQ3E100GN
5～8A
RQ3E120GN
RQ3E150GN
8～10A
RQ3E150GN
RQ3E180GN
5.出力電圧設定
出力電圧が REF= FB となるように IC は動作します。
出力電圧を FB にフィードバックすることにより動作します。
<出力電圧>
VOUT =
(R1+R2)
R2
x REF(0.7V)
設定抵抗は帰還電流と外部からのノイズ耐性のため 10kΩ～50kΩ の範囲で選択します。
代表的な出力電圧は下記定数を参考ください。
出力電圧
R1
R2
1.0V
10kΩ
30kΩ
1.2V
18kΩ+1.8kΩ
33kΩ
1.35V
24kΩ
30kΩ
1.5V
24kΩ
12kΩ(30kΩ//20kΩ)
1.8V
39kΩ+3kΩ
30kΩ
2.0V
36kΩ+0.68kΩ
22kΩ
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アプリケーション部品選定方法
－続き
6. 過電流設定用抵抗の選定
(A) 高精度電流検出回路 (低抵抗を使用)
VIN
HG
L
R
0.1
ILMIT=
VOUT
[A]・・・(11)
R
IL
Co
LG
(R: 検出抵抗)
PGND
PGND
RILIM は 100kΩ 固定です。
IS+
VOUT
Current limit
ut
ILIM
RILIM
100kΩ
GND
(B) 低損失電流検出回路 (L の DCR を使用)
VIN
IL
HG
L
ILMIT= 0.1 x
RL
VOUT
ただし
r
LG
Co
C
PGND
PGND
IS+
RL =
rxC
L
[A]・・・(12)
L
rxC
(RL:コイルの DCR 値)
r は許容損失が入るよう調整する必要があります。
47kΩ～330kΩ 程度にしてください
RILIM は 100kΩ 固定です。
VOUT
Current limit
ILIM
RILIM
100kΩ
GND
IL
detect point
左図のようにコイル電流により発生した Is+, VOUT 間の電圧が設定ポイント
を超えると、High-side FET のゲートを Low にします。
コイル電流のピーク値で検出できるため、コイルの飽和時にも対応でき、
システムの信頼性を向上させます。
ILIMIT
0
t
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応用回路例
+12V
C6
R7
REG1_5V
17
16
OUT
VIN
BOOT
C1
EN_1MGT
1
SS
2
EN/SLLM
HG 15
C12
18
C11
19
C4
C10
20
PGOOD
EN_1
R6
GND
R8
PG_2
C5
PG_1
1V
Q1
1VMGT
SW 14
L1
U1
R1
3
EN_2
ILIM
R13 C8
VDD 13
BD95371MUV
BD95601MUV-LB
1.35/1.5V
C3
EN_1.8
1.2V
C14
EN_1.35/1.5
C13
EN_1.2
1.8V
IS-
IS+
FB
FS
5
LG 12
FREQ
VCC
VOUT
JP1
6
7
8
9
10
2V
Q2
PGND 11
C7
R5
R12
R10
R3
4
R20
R18
R4
C2
R2
R11
GND PGND
Figure 16. BD95601MUV-LB 基本アプリケーション回路
部品表
Reference
Designator
Manufacturer
Configuration
(mm)
GRM155R71E223KA61
MURATA
1005
GRM188R61A105KA61
MURATA
1608
25V, X5R, ±10%
GRM32DR61E106KA12
MURATA
3225
0.47µF
10V, X5R, ±10%
GRM188R61A474KA61
MURATA
1608
Ceramic Capacitor
0.01µF
25V, X7R, ±10%
GRM155R71E103KA01
MURATA
1005
C7
Ceramic Capacitor
10pF
50V, CH, ±5%
GRM1552C1H100JA01
MURATA
1005
C8
Ceramic Capacitor
1000pF
50V, X5R, ±10%
GRM155R61H102KA01
MURATA
1005
C10
Ceramic Capacitor
0.1µF
50V, X5R, ±10%
GRM155R61E104KA87
MURATA
1005
C11, C12
Ceramic Capacitor
10µF
35V, X5R, ±10%
GRM32ER6YA106KA12
MURATA
3225
L1
Inductor
0.56µH
±20%, 14.2A(L=-20%), DCR=3.2mΩmax
FDU0650-H-R56M
TOKO
7667
Q1
MOSFET
-
N-ch, Vdss 30V, Id 15A, Ron 4.7mΩ
RQ3E150GN
ROHM
3333
Q2
MOSFET
-
N-ch, Vdss 30V, Id 18A, Ron 3.3mΩ
RQ3E180GN
ROHM
3333
R1
Resistor
100kΩ
1/16W, 50V, 5%
MCR01MZPJ104
ROHM
1005
R2
Resistor
10Ω
1/16W, 50V, 5%
MCR01MZPJ100
ROHM
1005
R5
Resistor
36kΩ
1/16W, 50V, 5%
MCR01MZPJ363
ROHM
1005
R6
Resistor
3.3Ω
1/16W, 50V, 5%
MCR01MZPJ3R3
ROHM
1005
R7
Resistor
1kΩ
1/16W, 50V, 5%
MCR01MZPJ102
ROHM
1005
R8
Resistor
2.7kΩ
1/16W, 50V, 5%
MCR01MZPJ272
ROHM
1005
R10
Resistor
510Ω
1/16W, 50V, 5%
MCR01MZPJ511
ROHM
1005
R11, R12
Resistor
100Ω
1/16W, 50V, 5%
MCR01MZPJ101
ROHM
1005
R13
Resistor
100kΩ
1/16W, 50V, 5%
MCR01MZPJ104
ROHM
1005
U1
IC
-
Buck DC/DC Controller
BD95601MUV-LB
ROHM
VQFN020V4040
Type
Value
C1
Ceramic Capacitor
0.022µF
25V, X7R, ±10%
C2
Ceramic Capacitor
1µF
10V, X5R, ±10%
C3
Ceramic Capacitor
10µF
C4
Ceramic Capacitor
C5, C6
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TSZ22111・15・001
Manufacturer
Part Number
Description
15/22
TSZ02201-0J1J0AZ00520-1-1
2014.4.01 Rev.002
BD95601MUV-LB
VOUT=1.0V, IOUT=6A
Reference
Designator
C13, C14
Manufacturer
Part Number
Type
Value
Description
POSCAP
470µF
2.5V, ±20%, ESR 6mΩmax
2R5TPF470M6L
Manufacturer
Configuration
(mm)
SANYO
7343
JP1
Jumper
n/a
Not applicable
-
-
-
R3
Resistor
30kΩ
1/16W, 50V, 0.5%
MCR01MZPD3002
ROHM
1005
R4
Resistor
10kΩ
1/16W, 50V, 0.5%
MCR01MZPD1002
ROHM
1005
R18
Resistor
0Ω
Jumper, 1A, 50mΩmax
MCR01MZPJ000
ROHM
1005
R20
Resistor
n/a
Not applicable
-
-
-
Manufacturer
Configuration
(mm)
SANYO
7343
-
-
VOUT=1.2V, IOUT=4A
Reference
Designator
C13, C14
Manufacturer
Part Number
Type
Value
Description
2.5V, ±20%, ESR 6mΩmax
2R5TPF470M6L
Not applicable
-
POSCAP
470µF
JP1
Jumper
n/a
R3
Resistor
30kΩ
1/16W, 50V, 0.5%
MCR01MZPD3002
ROHM
1005
R4
Resistor
18kΩ
1/16W, 50V, 0.5%
MCR01MZPD1802
ROHM
1005
R18
Resistor
0Ω
Jumper, 1A, 50mΩmax
MCR01MZPJ000
ROHM
1005
R20
Resistor
n/a
Not applicable
-
-
-
Type
Value
Description
Manufacturer
Configuration
(mm)
2.5V, ±20%, ESR 6mΩmax
2R5TPF470M6L
SANYO
7343
Not applicable
-
-
-
VOUT=1.8V, IOUT=6A
Reference
Designator
C13, C14
Manufacturer
Part Number
POSCAP
470µF
JP1
Jumper
n/a
R3
Resistor
30kΩ
1/16W, 50V, 0.5%
MCR01MZPD3002
ROHM
1005
R4
Resistor
39kΩ
1/16W, 50V, 0.5%
MCR01MZPD3902
ROHM
1005
R18
Resistor
3kΩ
1/16W, 50V, 5%
MCR01MZPJ302
ROHM
1005
R20
Resistor
n/a
Not applicable
-
-
-
Type
Value
Description
Manufacturer
Configuration
(mm)
2.5V, ±20%, ESR 6mΩmax
2R5TPF470M6L
SANYO
7343
0: 1.35V, 1: 1.5V
-
VOUT=1.35V, IOUT=4A
Reference
Designator
C13, C14
POSCAP
470µF
JP1
Jumper
-
R3
Resistor
30kΩ
1/16W, 50V, 0.5%
R4
Resistor
24kΩ
R18
Resistor
0Ω
R20
Resistor
120kΩ
Type
Value
Manufacturer
Part Number
-
-
MCR01MZPD3002
ROHM
1005
1/16W, 50V, 0.5%
MCR01MZPD2402
ROHM
1005
Jumper, 1A, 50mΩmax
MCR01MZPJ000
ROHM
1005
1/16W, 50V, 0.5%
MCR01MZPD1203
ROHM
1005
Manufacturer
Configuration
(mm)
SANYO
7343
VOUT=2.0V, IOUT=2A
Reference
Designator
C13, C14
Manufacturer
Part Number
Description
6.3V, ±20%, ESR 18mΩmax
6TPE330MIL
Not applicable
-
18kΩ
1/16W, 50V, 0.5%
30kΩ
POSCAP
330µF
JP1
Jumper
n/a
R3
Resistor
R4
Resistor
R18
Resistor
R20
Resistor
-
-
MCR01MZPD1802
ROHM
1005
1/16W, 50V, 0.5%
MCR01MZPD3002
ROHM
1005
0Ω
Jumper, 1A, 50mΩmax
MCR01MZPJ000
ROHM
1005
n/a
Not applicable
-
-
-
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熱損失について
4.0
基板サイズ:74.2mm x 74.2mm x 1.6mmt
基板①:IC 単体
2
基板②:1 層基板(表層放熱銅箔 10.29mm )
2
2
基板③:4 層基板(表裏層放熱銅箔 10.29mm 、2,3 層放熱銅箔 5505mm )
2
基板④:4 層基板(全層放熱銅箔 5505mm )
④ 3.56W
Power Dissipation Pd （W)
3.5
3.0
基板①: θja=367.6°C /W
基板②: θja=178.6°C /W
基板③: θja=56.6°C /W
基板④: θja=35.1°C /W
2.5
③ 2.20W
2.0
1.5
1.0
② 0.70W
0.5
① 0.34W
0.0
0
25
50
75
85
100
125
150
Ambient Temperature(℃)
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使用上の注意
1.
電源の逆接続について
電源コネクタの逆接続により LSI が破壊する恐れがあります。逆接続破壊保護用として外部に電源と LSI の電源端子
間にダイオードを入れる等の対策を施してください。
2.
電源ラインについて
基板パターンの設計においては、電源ラインの配線は、低インピーダンスになるようにしてください。その際、デジ
タル系電源とアナログ系電源は、それらが同電位であっても、デジタル系電源パターンとアナログ系電源パターンは
分離し、配線パターンの共通インピーダンスによるアナログ電源へのデジタル・ノイズの回り込みを抑止してくださ
い。グラウンドラインについても、同様のパターン設計を考慮してください。
また、LSI のすべての電源端子について電源－グラウンド端子間にコンデンサを挿入するとともに、電解コンデンサ
使用の際は、低温で容量ぬけが起こることなど使用するコンデンサの諸特性に問題ないことを十分ご確認のうえ、定
数を決定してください。
3.
グラウンド電位について
グラウンド端子の電位はいかなる動作状態においても、最低電位になるようにしてください。また実際に過渡現象を
含め、グラウンド端子以外のすべての端子がグラウンド以下の電圧にならないようにしてください。
4.
グラウンド配線パターンについて
小信号グラウンドと大電流グラウンドがある場合、大電流グラウンドパターンと小信号グラウンドパターンは分離し、
パターン配線の抵抗分と大電流による電圧変化が小信号グラウンドの電圧を変化させないように、セットの基準点で
1 点アースすることを推奨します。外付け部品のグラウンドの配線パターンも変動しないよう注意してください。グ
ラウンドラインの配線は、低インピーダンスになるようにしてください。
5.
熱設計について
万一、許容損失を超えるようなご使用をされますと、チップ温度上昇により、IC 本来の性質を悪化させることにつな
がります。本仕様書の絶対最大定格に記載しています許容損失は、70mm x 70mm x 1.6mm ガラスエポキシ基板実装
時、放熱板なし時の値であり、これを超える場合は基板サイズを大きくする、放熱用銅箔面積を大きくする、放熱板
を使用する等の対策をして、許容損失を超えないようにしてください。
6.
推奨動作条件について
この範囲であればほぼ期待通りの特性を得ることが出来る範囲です。電気特性については各項目の条件下において保
証されるものです。推奨動作範囲内であっても電圧、温度特性を示します。
7.
ラッシュカレントについて
IC 内部論理回路は、電源投入時に論理不定状態で、瞬間的にラッシュカレントが流れる場合がありますので、電源カ
ップリング容量や電源、グラウンドパターン配線の幅、引き回しに注意してください。
8.
強電磁界中の動作について
強電磁界中でのご使用では、まれに誤動作する可能性がありますのでご注意ください。
9.
セット基板での検査について
セット基板での検査時に、インピーダンスの低いピンにコンデンサを接続する場合は、IC にストレスがかかる恐れが
あるので、1 工程ごとに必ず放電を行ってください。静電気対策として、組立工程にはアースを施し、運搬や保存の
際には十分ご注意ください。また、検査工程での治具への接続をする際には必ず電源を OFF にしてから接続し、電
源を OFF にしてから取り外してください。
10. 端子間ショートと誤装着について
プリント基板に取り付ける際、IC の向きや位置ずれに十分注意してください。誤って取り付けた場合、IC が破壊す
る恐れがあります。また、出力と電源およびグラウンド間、出力間に異物が入るなどしてショートした場合について
も破壊の恐れがあります。
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使用上の注意
―
続き
11. 未使用の入力端子の処理について
CMOS トランジスタの入力は非常にインピーダンスが高く、入力端子をオープンにすることで論理不定の状態になり
ます。これにより内部の論理ゲートの p チャネル、n チャネルトランジスタが導通状態となり、不要な電源電流が流れ
ます。また 論理不定により、想定外の動作をすることがあります。よって、未使用の端子は特に仕様書上でうたわれ
ていない限り、適切な電源、もしくはグラウンドに接続するようにしてください。
12. 各入力端子について
本 IC はモノリシック IC であり、各素子間に素子分離のための P+アイソレーションと、P 基板を有しています。
この P 層と各素子の N 層とで P-N 接合が形成され、各種の寄生素子が構成されます。
例えば、下図のように、抵抗とトランジスタが端子と接続されている場合、
○抵抗では、GND > (端子 A)の時、トランジスタ(NPN)では GND > (端子 B)の時、P-N 接合が寄生ダイオード
として動作します。
○また、トランジスタ(NPN)では、GND > (端子 B)の時、前述の寄生ダイオードと近接する他の素子の N 層に
よって寄生の NPN トランジスタが動作します。
IC の構造上、寄生素子は電位関係によって必然的にできます。寄生素子が動作することにより、回路動作の干渉を引
き起こし、誤動作、ひいては破壊の原因ともなり得ます。したがって、入出力端子に GND(P 基板)より低い電圧を印
加するなど、寄生素子が動作するような使い方をしないよう十分に注意してください。アプリケーションにおいて電
源端子と各端子電圧が逆になった場合、内部回路または素子を損傷する可能性があります。例えば、外付けコンデン
サに電荷がチャージされた状態で、電源端子が GND にショートされた場合などです。また、電源端子直列に逆流防
止のダイオードもしくは各端子と電源端子間にバイパスのダイオードを挿入することを推奨します。
抵抗
トランジスタ (NPN)
端子B
端子A
C
E
端子A
N
P+
P
N
N
P+
N
端子B
B
寄生素子
N
P+
N P
N
P+
C
E
寄生素子
P基板
P基板
寄生素子
B
N
GND
寄生素子
GND
GND
近傍する
他の素子
GND
Figure 17. モノリシック IC 構造例
13. セラミック・コンデンサの特性変動について
外付けコンデンサに、セラミック・コンデンサを使用する場合、直流バイアスによる公称容量の低下、及び温度などに
よる容量の変化を考慮の上定数を決定してください。
14. 安全動作領域について
本製品を使用する際には、出力トランジスタが絶対最大定格及び ASO を越えないよう設定してください。
15. 温度保護回路について
IC を熱破壊から防ぐための温度保護回路を内蔵しております。許容損失範囲内でご使用いただきますが、万が一
許容損失を超えた状態が継続すると、チップ温度 Tj が上昇し温度保護回路が動作し出力パワー素子が OFF します。
その後チップ温度 Tj が低下すると回路は自動で復帰します。なお、温度保護回路は絶対最大定格を超えた状態での
動作となりますので、温度保護回路を使用したセット設計等は、絶対に避けてください。
16. 過電流保護回路について
出力には電流能力に応じた過電流保護回路が内部に内蔵されているため、負荷ショート時には IC 破壊を防止します
が、この保護回路は突発的な事故による破壊防止に有効なもので、連続的な保護回路動作、過渡時でのご使用に対応
するものではありません。
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2014.4.01 Rev.002
BD95601MUV-LB
発注形名情報
B
D
9
5
6
0
1
品名
M
U
パッケージ
MUV: VQFN
V
-
L B
H 2
製品ランク
LB:産業機器用
包装、フォーミング仕様
H2:リール状エンボステーピング
標印図
VQFN020V4040 (TOP VIEW)
Part Number Marking
9 5 6 0 1
LOT Number
1PIN MARK
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外形寸法図と包装・フォーミング仕様
Package Name
VQFN020V4040
<包装仕様>
包装形態
包装数量
包装方向
エンボステーピング
250pcs
H2
リールを左手に持ち、右手でテープを引き出したときに製品の
1番ピンが左上にくる方向
リール
1番ピン
引き出し側
*ご発注の際は、包装数量の倍数でお願い致します。
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改訂履歴
日付
版
2013.09.06
001
2013.04.01
002
変更内容
新規作成
「長期の稼働・供給」⇒「長期の供給」に変更
包装・フォーミング仕様 E2 ⇒H2 に変更
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Datasheet
ご注意
ローム製品取扱い上の注意事項
1.
極めて高度な信頼性が要求され、その故障や誤動作が人の生命、身体への危険若しくは損害、又はその他の重大な損害
(Note 1)
、航空宇宙機器、原子力制御装置等）（以下「特定用途」という）
の発生に関わるような機器又は装置（医療機器
への本製品のご使用を検討される際は事前にローム営業窓口までご相談くださいますようお願い致します。ロームの文
書による事前の承諾を得ることなく、特定用途に本製品を使用したことによりお客様又は第三者に生じた損害等に関し、
ロームは一切その責任を負いません。
(Note 1) 特定用途となる医療機器分類
日本
USA
EU
CLASSⅢ
CLASSⅡb
CLASSⅢ
CLASSⅣ
CLASSⅢ
中国
Ⅲ類
2.
半導体製品は一定の確率で誤動作や故障が生じる場合があります。万が一、かかる誤動作や故障が生じた場合で
あっても、本製品の不具合により、人の生命、身体、財産への危険又は損害が生じないように、お客様の責任において
次の例に示すようなフェールセーフ設計など安全対策をお願い致します。
①保護回路及び保護装置を設けてシステムとしての安全性を確保する。
②冗長回路等を設けて単一故障では危険が生じないようにシステムとしての安全を確保する。
3.
本製品は、下記に例示するような特殊環境での使用を配慮した設計はなされておりません。従いまして、下記のような
特殊環境での本製品のご使用に関し、ロームは一切その責任を負いません。本製品を下記のような特殊環境でご使用さ
れる際は、お客様におかれまして十分に性能、信頼性等をご確認ください。
①水・油・薬液・有機溶剤等の液体中でのご使用
②直射日光・屋外暴露、塵埃中でのご使用
③潮風、Cl2、H2S、NH3、SO2、NO2 等の腐食性ガスの多い場所でのご使用
④静電気や電磁波の強い環境でのご使用
⑤発熱部品に近接した取付け及び当製品に近接してビニール配線等、可燃物を配置する場合。
⑥本製品を樹脂等で封止、コーティングしてのご使用。
⑦はんだ付けの後に洗浄を行わない場合(無洗浄タイプのフラックスを使用された場合も、残渣の洗浄は確実に
行うことをお薦め致します)、又ははんだ付け後のフラックス洗浄に水又は水溶性洗浄剤をご使用の場合。
⑧結露するような場所でのご使用。
4.
本製品は耐放射線設計はなされておりません。
5.
本製品単体品の評価では予測できない症状・事態を確認するためにも、本製品のご使用にあたってはお客様製品に
実装された状態での評価及び確認をお願い致します。
6.
パルス等の過渡的な負荷（短時間での大きな負荷）が加わる場合は、お客様製品に本製品を実装した状態で必ず
その評価及び確認の実施をお願い致します。また、定常時での負荷条件において定格電力以上の負荷を印加されますと、
本製品の性能又は信頼性が損なわれるおそれがあるため必ず定格電力以下でご使用ください。
7.
許容損失(Pd)は周囲温度(Ta)に合わせてディレーティングしてください。また、密閉された環境下でご使用の場合は、
必ず温度測定を行い、ディレーティングカーブ範囲内であることをご確認ください。
8.
使用温度は納入仕様書に記載の温度範囲内であることをご確認ください。
9.
本資料の記載内容を逸脱して本製品をご使用されたことによって生じた不具合、故障及び事故に関し、ロームは
一切その責任を負いません。
実装及び基板設計上の注意事項
1.
ハロゲン系（塩素系、臭素系等）の活性度の高いフラックスを使用する場合、フラックスの残渣により本製品の性能
又は信頼性への影響が考えられますので、事前にお客様にてご確認ください。
2.
はんだ付けは、リフローはんだを原則とさせて頂きます。なお、フロー方法でのご使用につきましては別途ロームまで
お問い合わせください。
詳細な実装及び基板設計上の注意事項につきましては別途、ロームの実装仕様書をご確認ください。
Notice – SS
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Rev.002
Datasheet
応用回路、外付け回路等に関する注意事項
1.
本製品の外付け回路定数を変更してご使用になる際は静特性のみならず、過渡特性も含め外付け部品及び本製品の
バラツキ等を考慮して十分なマージンをみて決定してください。
2.
本資料に記載された応用回路例やその定数などの情報は、本製品の標準的な動作や使い方を説明するためのもので、
実際に使用する機器での動作を保証するものではありません。従いまして、お客様の機器の設計において、回路や
その定数及びこれらに関連する情報を使用する場合には、外部諸条件を考慮し、お客様の判断と責任において行って
ください。これらの使用に起因しお客様又は第三者に生じた損害に関し、ロームは一切その責任を負いません。
静電気に対する注意事項
本製品は静電気に対して敏感な製品であり、静電放電等により破壊することがあります。取り扱い時や工程での実装時、
保管時において静電気対策を実施の上、絶対最大定格以上の過電圧等が印加されないようにご使用ください。特に乾燥
環境下では静電気が発生しやすくなるため、十分な静電対策を実施ください。
（人体及び設備のアース、帯電物からの
隔離、イオナイザの設置、摩擦防止、温湿度管理、はんだごてのこて先のアース等）
保管・運搬上の注意事項
1.
本製品を下記の環境又は条件で保管されますと性能劣化やはんだ付け性等の性能に影響を与えるおそれがあります
のでこのような環境及び条件での保管は避けてください。
①潮風、Cl2、H2S、NH3、SO2、NO2 等の腐食性ガスの多い場所での保管
②推奨温度、湿度以外での保管
③直射日光や結露する場所での保管
④強い静電気が発生している場所での保管
2.
ロームの推奨保管条件下におきましても、推奨保管期限を経過した製品は、はんだ付け性に影響を与える可能性が
あります。推奨保管期限を経過した製品は、はんだ付け性を確認した上でご使用頂くことを推奨します。
3.
本製品の運搬、保管の際は梱包箱を正しい向き（梱包箱に表示されている天面方向）で取り扱いください。天面方向が
遵守されずに梱包箱を落下させた場合、製品端子に過度なストレスが印加され、端子曲がり等の不具合が発生する
危険があります。
4.
防湿梱包を開封した後は、規定時間内にご使用ください。規定時間を経過した場合はベーク処置を行った上でご使用
ください。
製品ラベルに関する注意事項
本製品に貼付されている製品ラベルに QR コードが印字されていますが、QR コードはロームの社内管理のみを目的と
したものです。
製品廃棄上の注意事項
本製品を廃棄する際は、専門の産業廃棄物処理業者にて、適切な処置をしてください。
外国為替及び外国貿易法に関する注意事項
本製品は外国為替及び外国貿易法に定める規制貨物等に該当するおそれがありますので輸出する場合には、ロームに
お問い合わせください。
知的財産権に関する注意事項
1.
本資料に記載された本製品に関する応用回路例、情報及び諸データは、あくまでも一例を示すものであり、これらに
関する第三者の知的財産権及びその他の権利について権利侵害がないことを保証するものではありません。従いまして、
上記第三者の知的財産権侵害の責任、及び本製品の使用により発生するその他の責任に関し、ロームは一切その責任を
負いません。
2.
ロームは、本製品又は本資料に記載された情報について、ローム若しくは第三者が所有又は管理している知的財産権
その他の権利の実施又は利用を、明示的にも黙示的にも、お客様に許諾するものではありません。
その他の注意事項
1.
本資料の全部又は一部をロームの文書による事前の承諾を得ることなく転載又は複製することを固くお断り致します。
2.
本製品をロームの文書による事前の承諾を得ることなく、分解、改造、改変、複製等しないでください。
3.
本製品又は本資料に記載された技術情報を、大量破壊兵器の開発等の目的、軍事利用、あるいはその他軍事用途目的で
使用しないでください。
4.
本資料に記載されている社名及び製品名等の固有名詞は、ローム、ローム関係会社若しくは第三者の商標又は登録商標
です。
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Rev.002
Datasheet
一般的な注意事項
1.
本製品をご使用になる前に、本資料をよく読み、その内容を十分に理解されるようお願い致します。本資料に記載
される注意事項に反して本製品をご使用されたことによって生じた不具合、故障及び事故に関し、ロームは一切
その責任を負いませんのでご注意願います。
2.
本資料に記載の内容は、本資料発行時点のものであり、予告なく変更することがあります。本製品のご購入及び
ご使用に際しては、事前にローム営業窓口で最新の情報をご確認ください。
3.
ロームは本資料に記載されている情報は誤りがないことを保証するものではありません。万が一、本資料に記載された
情報の誤りによりお客様又は第三者に損害が生じた場合においても、ロームは一切その責任を負いません。
Notice – WE
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Rev.001