MS-2394:成功实现超低光信号转换的七个步骤

技术文章
MS-2394
成功实现超低光信号转换的七个
步骤
光能传输到其中一个传感器产生电流,由高精度前置放大
作者:Reza Moghimi,ADI公司应用工程师经理
为七步:
在用于光检测的固态检测器中,光电二极管仍然是基本选择
1. 描述要测量的信号和设计目标。
(图1)。光电二极管广泛用于光通信和医疗诊断。其他应用
包括色彩测量、信息处理、条形码、相机曝光控制、电子束
边缘检测、传真、激光准直、飞机着陆辅助和导弹制导。
器进一步处理。模数转换和数字信号处理形成了整个信号
链的其余部分。选择传感器和设计模拟前端的过程可减少
2. 选择合适的传感器并描述其电气输出。
3. 确定可以获得的最大增益。
4. 确定前置放大器级的最优放大器。
5. 设计完整的传感器和前置放大器增益模块。
6. 运行仿真。
7. 构建硬件和进行校验。
图1. 光电二极管等效电路
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第1步:信号和目标
 ISC × R source
 I × R source
I SC = I light − I S  e VT −1 − SC


R photo


根据图1的等效电路,输出电流的算式为:
 Vdiode

I out = I light − I diode − I dark = I light - I S  e Vr − 1 − I dark




(1)
若要将光转换为电信号进一步处理,需要了解光源的交直
(2)
公式2中,第二项和第三项限制了Isc的线性度,但从广义上
讲可以忽略。实际上,Isc 与入射光水平基本上呈线性关
系,可以近似为:
ISC = Ilight
流特征、光源信号幅度、预期的测量分辨率和系统中可用
(3)
的电源。了解信号幅度特征和噪声水平,为如何选择传感
若要检测少量光,设计师必须指定大面积光电二极管,其
器、增益模块中必需的增益、以及选择模数转换器(ADC)时
最低预期发射光乘以响应度得到的电流要大于光电二极管
可能需要什么样的输入电压范围和噪声水平提供了依据。
的暗电流。这将产生高于光电二极管传感器本底噪声的信
假设在室温条件下,有一个光源发出光亮度为50 pW至
号。对于光波长超过1100 nm的硅光电二极管,响应度通常
250 nW(0.006勒克斯)的1 kHz光脉冲。这是非常低的光量,
小于0.7 A/W。本例中选择表1的Hamamatsu S1336。
需要非常精密的信号调理和信号处理链。目标是用16位的
光电二极管的预期电流可以从光源的预期光学功率计算得
分辨率和精度来捕捉和处理此信号。达到此分辨率意味着
出,公式为:
测量精度需要达到3.8 pW。
IMin = 0.5(A/W) × 50 pW = 25 pA
IMax = 0.5(A/W) × 250 nW = 125 nA
另外,假设系统中可使用+12 V和–12 V电源。设计师在此
基础上,可以计算信噪比(SNR)并设计电路。
第2步:传感器选择
(4)
如果光源在所选光电二极管的有效面积上耗光了能量,则
只需计算公式4。若要进行16位转换,则有必要解析为最
设计过程中,经常会优化用于光伏模式或光导模式的光电
低有效位(LSB)的一半或0.95 pA。
二极管。响应度指检测器输出与检测器输入的比率,是光
Hamamatsu光电二极管的有效面积为5.7 mm2,且采用圆形
电二极管的关键参数。其单位为A/W或V/W。
阵列。传感器和光源之间也有必要使用光纤。光缆的横截
大面积铟镓砷化物(InGaAs)光电二极管用于仪表测量和感
测应用,与高速模拟和数字通信系统、仪表测量和感测场
合所用的高速光电二极管相比,大面积铟镓砷化物在600 nm
至800 nm附近具有更佳的响应性能。
无光时,向短路的光电二极管施加一个电压得到电流IS。
照射该二极管会产生与光强度成正比的反电流Ilight。总电
流Isc为:
面积可能比我们的光电二极管大。通常,这种情形的光学
功率测量单位为W/cm2。光电二极管的面积以cm2表示,结
果为57 x 10–3 cm2。对于测量单位为W/cm2的同样25 pA光源
输出电流,必需的功率为:
50 pW/57 × 10–3 cm2 = 880 pW/cm2
(5)
硅光电二极管的噪声特征决定了光检测的下限。如图1所
示的光电二极管等效电路,捕捉了三个噪声源:
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(6)
若阻值升高,此电阻也会出现明显的热直流电压漂移,与
二极管的噪声是二极管分流电阻产生的热噪声。
放大器输入电流的温度系数所反映的情形相同。为了补偿
第3步:增益模块计算
此误差,通常在放大器同相输入端串联一个相同的电阻,
前置放大器在高背景噪声环境中提取传感器生成的小信号。
并通过容性旁路消除其大部分噪声。若要实现最大信噪
光电导体的前置放大器有两类:电压模式和跨导(图2)。
比,必须避免多级增益。
前置放大是从背景噪声中提取传感器生成的小信号的第一
随着阻值继续升高,其容差和温度额定值明显下降。例
步。将光电二极管与跨导放大器进行接口存在三种可能的
如,找到容差为0.01%的1 kΩ电阻比较简单,但要找到相同
配置。图2c所示的跨导放大器配置通过“零偏压”实现光
容差的10 MΩ电阻就很困难而且成本很高。
电二极管的精密线性检测。在此配置中,光电二极管输出
可使用串联低值电阻来形成更大的阻值,与多级增益配合
存在短路,按照公式3 (Isc = Ilight),基本上不存在“暗”电流。
使用低值电阻,或使用“T型网络”电路来解决此问题。
I/V(跨导)转换器的输出电压和输入电流之间的理想关系
遗憾的是需要平衡这些优势,采用大反馈电阻可能会出
(增益)可以表示为:
V
A signal = O Signal_Gain
I out
错,还可能引起不稳定的问题。这些问题稍后解决。
(7)
VO = − (I out × R f )
使用的反馈电阻值定义转换器的增益(有时称为灵敏度)。
另外,本设计示例采用了阻值非常高的电阻:Rf = 80 MΩ。
这应当能把最低和最高光电二极管电流转换为更易于测量
的输出电压,公式为:
VoutMin = 25 pA × 80 MΩ = 2 mV
VoutMax = 125 nA × 80 MΩ = 10 V
若电流转电压增益极高,则生成的Rf与其他限制的允许值
一样大。设计师应选择足够大的电阻,允许传感器最小输
出电流足以进行测量,且最大电流不会让放大器饱和。
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(8)
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图2. 光电二极管与跨导放大器接口
第4步:确定前置放大器级的最优放大器
的误差极小。Rphoto上与0 V的偏差会因放大器非理想状态而
光电二极管暴露在光线下且使用图2c的电路时,电流将流
引起误差电流。这些误差源是显而易见的:
到运算放大器的反相节点,如图3所示。若负载(RL)为0 Ω且

V
Vcm
δVS 

e nout =  VOS + I B × R f + out + Σen +
+
a
CMRR
PSRR
O


VOUT = 0 V,则理论上光电二极管会出现短路。实际上,这
两种状况都绝对不会出现。RL等于Rf/Aopen_loop_Gain,而VOUT
是放大器反馈配置施加的虚拟地。
(9)
这需要一个引入的误差最小的放大器。换言之,设计师选
择的放大器在其反馈电阻配置为Rf = 80 MΩ 时,输出误差
不得超过2 mV。还必须确保放大器的上升和下降时间少于
励磁激光二极管源的上升和下降时间。
公式9中未出现但可改善设计精度的几个其他放大器参数为:
• 低失调电压温度漂移
• 低输入偏置电流温度漂移
• 高输入阻抗
• 低输入电容
• 低输入电流噪声密度
• 宽带宽
选择合适的放大器时还需考虑报价、封装尺寸和功耗。
图3. 短路状况下的光电二极管
若缺少光时向短路的光电二极管施加电压,会生成所谓的
如上所述,I/V转换器的输出电压和输入电流之间的关系
实际就是转换器的增益,公式为:
“暗电流”。因此,放大器必须具有很大的开环增益,设
计师必须创建最佳“虚拟地”。这意味着放大器输入之间
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A signal =
VO
Signal_Gain
I out
第5步:增益模块
光电二极管与图2c配置的放大器相连时,该放大器经常会
VO = − (I out × R f ) − Verror × A noise
振荡。如前文所述,放大器反馈中的大阻值电阻会造成异
(10)
e
A noise = nout  Noise_Gain  = 1
β
e nin
常行为并引起振荡。设计师必须确保选用合适的放大器,
且与传感器组合使用时放大器工作稳定。
Z in
β=
Z in + Z f
电路的响应或带宽、峰化或过冲以及噪声或信噪比(SNR)
如这些公式所示,VO公式存在误差项,必须尽可能降低。
例如,若选用a O 很大的放大器,aοβ项升高,而1/aοβ降
低。这使得误差项更小。
等性能,会变得非常复杂,呈非线性,且主要取决于转换
器电路中有源和无源元件之间的相互影响。替代电路模型
可用于得出更贴近实际的分析(图4)。图4考虑了这种解决
方案的所有非理想状况,能够让设计师实施建模,使用极
本例中,我们选用工作电压为±12 V的精密运算放大器
点/零点分析,避免以后出现问题。
AD8627,它具有极低的噪声、低偏置电流和宽带宽。查看
AD8627的数据手册,可获得如下特性规格:IB = 1 pA,ft =
5 MHz,f = 1 kHz时en = 16 nV/√Hz,Ccom =3.8 pF,Cdiff = 4.1 pF。
IC制造商提供在线搜索和选择工具,可根据用户要求选择
部件。表2列出了适合光电传感的几个放大器。
表2. 适用于光电二极管应用的高压FET输入放大器
产品型号
AD8610/AD8620
ADA4610-2
AD8625/AD8626/AD8627
AD8641/AD8642/AD8643
VOS (µV)
100
400
750
750
IB(pA)
10
25
1
1
UG带宽(MHz)
25
9.3
5
3.5
图4. 替代电路模型可用于分析图2c所示电路
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噪声(nv/rtHz)
6
7.3
16
27
封装
MSOP
MSOP
SC-70
SC-70
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大反馈电阻和输入电容之间的相互作用会把零点引入极点/
声增益函数相交(图5)的交越频率,闭环相移将接近−180。
零点稳定性分析。如果Cphoto足够大,在开环跨导增益与噪
图5. 稳定性分析说明了大反馈电阻和输入电容之间的相互作用
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为保持45相位余量和稳定性,反馈中需要将一个小电容与
噪声。这点很有必要,因为跨导电路的噪声增益会随着频
Rf并联。此电容的值与放大器输入端的输入电容有关。放
率急剧上升(噪声增益 = 1 + Zf/Xc),它影响电压噪声和电阻
大器的输入电容小,则Cf值小。电路中使用更小的Cf时,
噪声,但不会影响电流噪声。如公式12所示,计算了I/V转
放大器的更多带宽将用于现有的应用。
换器和光电二极管组合时高于0.01 Hz的总噪声:
带宽和灵敏度直接相关,要通过选择Rf来权衡使用。例如
反馈电容(Cf = 2 pF)与Rf并联时,Cphoto = 20 pF及Rf = 80 MΩ
的光电二极管将具有1 kHz的最大带宽。
另外,如果需要10 kHz带宽,则设计师可能要选择最大Rf =
8 MΩ,Cf的电容仍然可以是2 pF。此概念可用于设计可编程
的带宽来处理不同输入信号,例如1 kHz和10 kHz。
设计师必须分析带宽和噪声,确认所选的放大器正好适合
设计所用。这样也就可以理解为什么选择低输入电容和带
宽的AD8627很重要。
f x = βω × f t
f t = Unity_Gain_Bandwidth = 5 MHz

C rf + C r
fx = 
 C rf + C r + C photo + C com + C diff

f z = 68 Hz

 f t = 2 × 3.5 MHz = 333 kHz

30

(11)
f p = 1 kHz
可以看到,选择Cphoto值较高的大面积光电二极管,其fx会
小很多(即带宽较低)。一个可能的补救措施是选择带宽(ft)
(12)
假设AD8627(IB = 1 pA,ft = 5 MHz,f = 1 kHz时en = 16 nV/√Hz,
Ccom = 3.8 pF,Cdiff = 4.1 pF)与Hamamatsu光电二极管(Rphoto =
2 GΩ,Cphoto = 20 pF)一起使用。另外,Rf = 80 MΩ,Cfeedback =
非常宽的放大器。然而,这样会引起其他问题,比如更多
Crf + Cf = 2 pF。根据上述信息,输入电容为Cin = Cphoto + Ccom +
噪声。
Cdiff = 20 pF + 3.8 pF + 4.1 pF = 28 pF。
这种情形下,AD8627放大器必须具有极低的电压噪声,才
I/V电路的噪声增益主要受制于en,而in和iR的噪声增益与信
能在大面积光电二极管跨导放大器应用场合获得较低的总
号增益一致(图6)。主要噪声是fx附近的enoe和fp附近的热噪
声enoR。
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图6. 根据公式12,跨导电路的噪声增益主要受制于en ,而in 和iR 的噪声增益与信号增益一致
(13)
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因为本次设计采用JFET输入放大器,所以电流噪声几乎可
为ADI公司跨导放大器示例模型提供的National Instruments
以忽略不计。
MultiSim用户界面具有Hamamatsu光电二极管的特征,可
进一步分析(图7a)。MultiSim仿真说明了噪声增益路径中
第6步:仿真
光电二极管制造商不提供产品的SPICE模型,但可以从ADI公
司网站下载放大器SPICE模型。设计师还可以从ADI网站下载
National Instruments提供的免费版SPICE仿真软件MultiSim。
该软件环境提供了光电二极管的LabVIEW®跨导模型,允
许根据设计示例中使用的具体光电二极管进行定制(图
7a)。必须先运行仿真,再构建任何板卡。由于噪声增益路
引入零点造成的不稳定(图7b)。改变反馈电阻上的电容会
影响可用的带宽(图7c)。
如上文所述,必须在反馈电阻上放置2 pF电容来引入一个极
点,从而取消此零点。2 pF反馈电容是理论值。可以分析不
同值对设计电路可用带宽的影响(图7c)。还可以通过监控
输出来校验电路带宽,其−3 dB带宽为1 kHz。
径(图7b)中引入了零点,所以可能会出现不稳定。
图7. 光电二极管电路的噪声电路分析
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第7步:硬件验证
需要更宽的范围,可以与反馈电阻串联一个低泄漏开关。
除了使用非常干净的电源外,超低光检测电路还需要采用
然后可根据不同的灵敏度,使用其他反馈电路。
最佳实践的规则和做法,才能减少所有噪声源的噪声,包
括环境电磁噪声和所有泄漏源噪声。低压应用可使用电
池,但需要使用RC或LC滤波器设置电源旁路。
参考文献
Walter G Jung。高阻抗传感器。运算放大器应用手册。第4-4
部分,Analog Devices,2006年。
成功与否的其他关键因素包括电路板用高绝缘电阻材料制
技术指南MT-059。补偿输入电容对电流电压转换器所用电
成。为了避免泄漏到测量电路中,必须使用护圈或特氟龙
压反馈和电流反馈型运算放大器的影响。Analog Devices,
支柱,将光电二极管引脚无线连接到运算放大器的输入端
2009年。
子。反馈电阻和电容同样如此。
S1336 数据手册。 硅光电二极管。 Hamamatsu Photonics,
屏蔽电缆和电路采用金属屏蔽盒是良好的防电磁干扰
新泽西州布里奇沃特,1991年。
(EMI)措施。在要求更高的场合,设计师可在光源和光电
二极管之间使用光纤。
ADI公司设计了25 pA至125 nA范围的示例电路。超出此范
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