中文数据手册

10MHz、20V/μs、G=1、10、100、1000
iCMOS可编程增益仪表放大器
AD8253
特性
功能框图
小型封装:10引脚MSOP
可编程增益:1、10、100、1000
增益设置:数字或引脚可编程
宽电源电压:±5V至±15V
出色的直流性能
高共模抑制比(CMRR):100dB(最小值,G = 100)
低增益漂移:10ppm/°C(最大值)
低失调漂移:1.2μV/°C(最大值,G = 1000)
出色的交流性能
0.001%快速建立时间:780ns(最大值)
高压摆率:20V/μs(最小值)
低失真:-110dBTHD(1 kHz、10 V摆幅)
相对于频率的高共模抑制比(CMRR):
100dB(20kHz,最小值)
低噪声:10nV/√Hz(最大值、G = 1000)
低功耗:4mA
DGND WR
2
A1
A0
5
4
6
LOGIC
–IN 1
7
OUT
+IN 10
8
3
9
+VS
–VS
REF
06983-001
AD8253
图1.
80
70
G = 1000
60
50
应用
GAIN (dB)
G = 100
数据采集
生物医学分析
测试与测量
40
30
G = 10
20
10
G=1
0
概述
AD8253是一款数字可编程增益仪表放大器,具有GΩ输入
阻抗、低输出噪声、低失真特性,适合与传感器进行接
口,并驱动高采样速率的模数转换器(ADC)。
AD8253具有10 MHz带宽、−110 dB低总谐波失真(THD),
以及780 ns至0.001%精度的快速建立时间(最大值)。当增益
为 1000时 , 失 调 电 压 与 增 益 漂 移 分 别 为 1.2μV/°C与 10
ppm/°C。除了具有宽输入共模电压范围外,在直流至20
kHz,当增益为1000时,这款器件还具有100 dB的高共模抑
制能力。精密直流性能与高速能力的结合,使得AD8253非
常适合于数据采集应用。此外,这款单芯片解决方案还可
简化设计与制造,并通过保持内部电阻与放大器的高度匹
配来提高仪表性能。
AD8253用户接口由一个并行端口组成,用户可采用两种不
同的方法来设置增益(参见图1所示的功能框图)。利用 输入
可对通过总线发送的2-bit字进行锁存。另一种方法则是利
用透明增益模式,由增益端口的逻辑电平状态来决定增
益。
–20
1k
10k
100k
1M
FREQUENCY (Hz)
10M
100M
006983-023
–10
图2. 增益与频率的关系
表1. 仪表放大器分类
通用
零漂移
AD8220
AD8221
AD8222
AD82241
AD8228
1
1
AD8231
AD85531
AD85551
AD85561
AD85571
1
军用级
低功耗
高速PGA
AD620
AD621
AD524
AD526
AD624
AD627
AD6231
AD82231
AD8250
AD8251
AD8253
1
轨到轨输出。
AD8253采用10引脚MSOP封装,额定温度范围为−40°C至
+85°C,特别适合对尺寸和封装密度有严格要求的应用。
Rev. A
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的最新英文版数据手册。
AD8253
目录
特性....................................................................................................1
电源调整与旁路.............................................................. 18
应用....................................................................................................1
输入偏置电流回路 ......................................................... 18
概述....................................................................................................1
输入保护........................................................................... 18
功能框图 ...........................................................................................1
基准引脚........................................................................... 19
修订历史 ...........................................................................................2
共模输入电压范围 ......................................................... 19
技术规格 ...........................................................................................3
布局 ................................................................................... 19
时序图 ......................................................................................5
射频(RF)干扰................................................................... 19
绝对最大额定值..............................................................................6
驱动模数转换器.............................................................. 20
最大功耗 ..................................................................................6
应用信息 .................................................................................... 21
ESD警告 ...................................................................................6
差分输出........................................................................... 21
引脚配置和功能描述 .....................................................................7
使用微控制器设置增益 ................................................ 21
典型工作特性 ..................................................................................8
数据采集........................................................................... 22
工作原理 .........................................................................................16
外形尺寸 .................................................................................... 23
增益选择 ................................................................................16
订购指南 ........................................................................... 23
修订历史
2008年8月—修订版0至修订版A
更改订购指南 .................................................................................23
2008年7月—修订版0:初始版
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AD8253
技术规格
除非另有说明,TA= 25°C,G =1,RL = 2kΩ,+VS = +15V,−VS = −15V,VREF = 0V。
表2
参数
共模抑制比(CMRR)
CMRR,60 Hz,1 kΩ非均衡信号源
G=1
G = 10
G = 100
G = 1000
CMRR,20 kHz1
G=1
G = 10
G = 100
G = 1000
噪声
电压噪声,1kHz,RTI
G=1
G = 10
G = 100
G = 1000
0.1Hz至10Hz,RTI
G=1
G = 10
G = 100
G = 1000
电流噪声,1kHz
电流噪声,0.1Hz至10Hz
失调电压
失调RTI VOS
全温度范围
平均温度系数(TC)
折合到输入端的失调与电源的关系(PSR)
输入电流
输入偏置电流
全温度范围2
平均温度系数(TC)
输入失调电流
全温度范围
平均温度系数(TC)
动态响应
小信号-3 dB带宽
G=1
G = 10
G = 100
G = 1000
0.01%建立时间
G=1
G = 10
G = 100
G = 1000
条件
最小值
典型值
80
96
100
100
100
120
120
120
最大值
单位
+IN = −IN = −10 V至+10 V
dB
dB
dB
dB
+IN = −IN = −10 V至+10 V
80
96
100
100
dB
dB
dB
dB
45
12
11
10
nV/√Hz
nV/√Hz
nV/√Hz
nV/√Hz
2.5
1
0.5
0.5
μV峰峰值
μV峰峰值
μV峰峰值
μV峰峰值
pA/√Hz
pA峰峰值
±150 + 900/G
±210 + 900/G
±1.2 + 5/G
±5 + 25/G
μV
μV
μV/°C
μV/V
50
60
400
40
40
160
nA
nA
pA/°C
nA
nA
pA/°C
5
60
G = 1, 10, 100, 1000
T = -40°C至+85°C
T = -40°C至+85°C
VS = ±5 V至±15 V
5
T = -40°C至+85°C
T = -40°C至+85°C
40
5
T = -40°C至+85°C
T = -40°C至+85℃
ΔOUT = 10 V阶跃
10
4
550
60
MHz
MHz
kHz
kHz
700
680
1.5
14
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ns
ns
μs
μs
AD8253
参数
0.001%建立时间
G=1
G = 10
G = 100
G = 1000
压摆率
G=1
G = 10
G = 100
G = 1000
总谐波失真+噪声
增益
增益范围
增益误差
G=1
G = 10, 100, 1000
增益非线性度
G=1
G = 10
G = 100
G = 1000
增益与温度的关系
输入
输入阻抗
差分
共模
输入工作电压范围
全温度范围3
输出
输出摆幅
全温度范围4
短路电流
基准电压输入
RIN
IIN
电压范围
输出增益
数字逻辑
数字地电压,DGND
数字输入低电平电压
数字输入高电平电压
数字输入电流
增益切换时间5
tSU
tHD
t WR-LOW
t WR-HIGH
条件
最小值
典型值
最大值
单位
780
880
1.8
1.8
ns
ns
μs
μs
ΔOUT = 10 V阶跃
20
20
12
2
f = 1 kHz,RL= 10 kΩ,
±10 V,G = 1,
10 Hz至22 kHz带通滤波器
G = 1, 10, 100, 1000
OUT = ±10 V
V/μs
V/μs
V/μs
V/μs
dB
−110
1
OUT = −10 V至+10 V
RL= 10 kΩ, 2 kΩ, 600 Ω
RL= 10 kΩ, 2 kΩ, 600 Ω
RL= 10 kΩ, 2 kΩ, 600 Ω
RL= 10 kΩ, 2 kΩ, 600 Ω
所有增益
3
1000
V/V
0.03
0.04
%
%
5
3
18
110
10
ppm
ppm
ppm
ppm
ppm/°C
GΩpF
GΩpF
V
V
4||1.25
1||5
VS = ±5 V至±15 V
T = -40°C至+85°C
−VS + 1
−VS + 1.2
+VS − 1.5
+VS − 1.7
T = -40°C至+85°C
−13.7
−13.7
+13.6
+13.6
37
20
+IN, −IN, REF = 0
1
+VS
−VS
1 ± 0.0001
以GND为基准
以GND为基准
以GND为基准
−VS + 4.25
DGND
1.5
0
+VS − 2.7
1.2
+VS
1
325
见图3时序图
Rev. A | Page 4 of 24
15
30
20
15
V
V
mA
kΩ
μA
V
V/V
V
V
V
μA
ns
ns
ns
ns
ns
AD8253
参数
条件
电源
工作范围
静态电流,+IS
静态电流,−IS
全温度范围
温度范围
额定性能
最小值
典型值
最大值
单位
4.6
4.5
±15
5.3
5.3
6
V
mA
mA
mA
+85
°C
±5
T = −40°C 至 +85°C
−40
1
有关CMRR与频率的典型性能,详情请参见图20。
全温度范围内的输入偏置电流:温度最高时最小,温度最低时最大。
3
参见图30输入电压限值与电源电压和温度的关系。
4
参见图32、图33和图34不同负载下的输出电压摆幅与电源电压和温度的关系。
5
增加输出压摆和建立时间,计算总增益变化时间。
2
时序图
tWR-HIGH
tWR-LOW
WR
tSU
tHD
06983-003
A0, A1
图3. 锁存增益模式时序图(参见“锁存增益模式时序”部分)
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AD8253
绝对最大额定值
乘以静态电流(IS)。假设负载(RL)以中间电源电压为基准,
则总驱动功耗为VS/2 × IOUT,其中一部分消耗在封装中,一
部分消耗在负载中(VOUT × IOUT)。
表3
参数
额定值
电源电压
功耗
输出短路电流
共模输入电压
差分输入电压
数字逻辑输入
存储温度范围
工作温度范围2
引脚温度(焊接10秒)
结温
θJA(4层JEDEC标准板)
封装玻璃化转变温度
±17 V
见图4
时限未定1
±VS
±VS
±VS
-65°C至+125°C
-40°C至+85°C
300°C
140°C
112°C /W
140°C
总驱动功耗和负载功耗的区别在于驱动功耗是在封装中消
耗的。
PD = 静态功耗 + (总驱动功耗 − 负载功耗)
V V  V 2
PD  VS × I S    S × OUT  − OUT
RL 
RL
 2
单电源供电且RL以−VS为基准时,最差情况为VOUT= VS/2。
1
假设负载以中间电源电压为基准。
2
额定温度范围为-40°C至+85°C。有关+125°C性能,请参见“典型工作特性”
部分。
注意,超出上述绝对最大额定值可能会导致器件永久性损
气流可增强散热,从而有效降低θJA。此外,更多金属直接
与金属走线的封装引脚、通孔、地和电源层接触,这同样
可降低θJA。
图4显示4层JEDEC标准板上封装最大安全功耗与环境温度之
间的关系。
坏。这只是额定最值,不表示在这些条件下或者在任何其
2.00
够正常工作。长期在绝对最大额定值条件下工作会影响器
1.75
最大功耗
AD8253封装内的最大安全功耗受限于相应的芯片结温(TJ)的
升高情况。芯片的塑封局部达到结温。达到玻璃化转变温
度140℃左右时,塑料的特性会发生改变。即使只是暂时超
过这一温度限值也会改变封装对芯片作用的应力,从而永
久性地转变AD8253的参数性能。长时间超过140°C的结温会
导致芯片器件出现变化,因而可能造成故障。
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
0.25
0
–40
0
20
40
60
80
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
可以利用封装和PCB的静止空气热属性(θJA)、环境温度(TA)
100
120
图4. 最大功耗与环境温度的关系
和封装的总功耗(PD)来确定芯片的结温。结温通过下式计
算:
–20
06983-004
件的可靠性。
MAXIMUM POWER DISSIPATION (W)
它超出本技术规范操作章节中所示规格的条件下,器件能
ESD警告
TJ= TA+(PD×θJA)
ESD(静电放电)敏感器件。
封装的功耗(PD)为静态功耗与封装中所有输出的负载驱动所
导致的功耗之和,而静态功耗则为电源引脚之间的电压(VS)
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带电器件和电路板可能会在没有察觉的情况下放电。
尽管本产品具有专利或专有保护电路,但在遇到高能
量ESD时,器件可能会损坏。因此,应当采取适当的
ESD防范措施,以避免器件性能下降或功能丧失。
AD8253
引脚配置和功能描述
–IN 1
10 +IN
AD8253
9
REF
8 +VS
TOP VIEW
A0 4 (Not to Scale) 7 OUT
–VS 3
A1 5
6
WR
06983-005
DGND 2
图5. 10引脚MSOP(RM-10)引脚配置
表4. 引脚功能描述
引脚编号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
引脚名称
−IN
DGND
−VS
A0
A1
WR
OUT
+VS
REF
+IN
描述
反相输入引脚。真差分输入。
数字地。
负电源引脚。
增益设置引脚(LSB)。
增益设置引脚(MSB)。
写入使能。
输出引脚。
正电源引脚。
基准电压引脚。
同相输入引脚。真差分输入。
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AD8253
典型工作特性
除非另有说明,TA = 25°C,+VS = +15 V,−VS = −15 V,RL = 10 kΩ。
210
240
180
150
NUMBER OF UNITS
NUMBER OF UNITS
210
120
90
180
150
120
90
60
60
30
–40
–20
0
0
06983-006
–60
20
CMRR (µV/V)
–60
–40
–20
0
20
40
60
INPUT OFFSET CURRENT (nA)
图6. CMRR的典型分布图,G = 1
06983-009
30
0
图9. 输入失调电流的典型分布图
90
180
80
70
120
NOISE (nV/√Hz)
NUMBER OF UNITS
150
90
60
60
50
G=1
G = 100
40
30
G = 10
20
30
10
0
–100
100
200
INPUT OFFSET VOLTAGE, VOSI , RTI (µV)
0
G = 1000
1
10
100
1k
10k
100k
FREQUENCY (Hz)
图10. 电压噪声谱密度与频率的关系
图7. 失调电压的典型分布图,VOSI
250
200
150
50
2µV/DIV
0
–90
–60
–30
0
30
60
INPUT BIAS CURRENT (nA)
90
1s/DIV
图11. 0.1 Hz至10 Hz电压噪声,RTI,G =1
图8. 输入偏置电流的典型分布图
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06983-011
100
06983-008
NUMBER OF UNITS
300
06983-010
–200
06983-007
0
AD8253
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0.01
图12. 0.1 Hz至10 Hz电压噪声,RTI,G = 1000
0.1
1
WARM-UP TIME (Minutes)
图15. 输入失调电压变化与预备时间的关系,G = 1000
140
18
16
120
G = 1000
G = 100
14
100
PSRR (dB)
12
10
8
6
80
G=1
60
G = 10
40
4
10
100
1k
10k
100k
FREQUENCY (Hz)
0
10
100
1k
10k
100k
1M
06983-016
1
06983-013
0
1M
06983-017
20
2
FREQUENCY (Hz)
图13. 电流噪声谱密度与频率的关系
图16. 正PSRR与频率的关系,RTI
140
G = 100
120
G = 1000
PSRR (dB)
100
80
G = 10
60
40
140pA/DIV
1s/DIV
G=1
20
06983-014
NOISE (pA/√Hz)
10
06983-015
06983-012
1s/DIV
500nV/DIV
CHANGE IN INPUT OFFSET VOLTAGE (µV)
20
0
10
100
1k
10k
100k
FREQUENCY (Hz)
图14. 0.1 Hz至10 Hz电流噪声
图17. 负PS R与频率的关系,RTI
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AD8253
10.5
IB–
–10
7.5
–20
6.0
4.5
IOS
–40
3.0
–50
1.5
–60
–15
–10
–5
0
5
COMMON-MODE VOLTAGE (V)
0
15
10
G = 1000
80
G = 100
60
G = 10
40
20
G=1
0
10
06983-018
–30
100
10k
100k
1M
130
图21. CMRR与频率的关系,1 kΩ非均衡信号源
15
30
25
10
20
5
10
CMRR (µV/V)
15
IB–
5
0
IB+
–5
IOS
–10
0
–10
–60
–40
–20
0
20
40
60
80
TEMPERATURE (°C)
100
120
140
–15
–50
06983-019
–5
–30
120
10
30
50
70
90
110
图22. CMRR与温度的关系,G = 1
80
G = 1000
70
G = 100
100
–10
TEMPERATURE (°C)
图19. 输入偏置电流和失调电流与温度的关系
60
G = 1000
50
80
GAIN (dB)
G=1
60
G = 10
40
40
G = 100
30
20
G = 10
10
0
20
G=1
0
10
100
1k
10k
FREQUENCY (Hz)
100k
1M
–20
1k
图20. CMRR与频率的关系
10k
100k
1M
FREQUENCY (Hz)
图23. 增益与频率的关系
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10M
100M
006983-023
–10
06983-020
CMRR (dB)
1k
FREQUENCY (Hz)
图18. 输入偏置电流和失调电流与共模电压的关系
INPUT BIAS CURRENT AND
OFFSET CURRENT (nA)
100
06983-021
9.0
CMRR (dB)
0
INPUT OFFSET CURRENT (nA)
IB+
06983-022
10
INPUT BIAS CURRENT (nA)
120
12.0
20
40
400
30
300
NONLINEARITY (10 ppm/DIV)
20
10
0
–10
–20
–6
–4
–2
0
2
4
6
8
10
–200
–400
–10
30
12
INPUT COMMON-MODE VOLTAGE (V)
16
20
10
0
–10
–20
–6
–4
–2
0
2
4
6
8
10
OUTPUT VOLTAGE (V)
8
–4
–2
0
2
4
6
8
VS, ±15V
–14.1V, +7.3V
+13.8V, +7.3V
0V, +3.8V
–4V, +1.9V
0
–4V, –1.9V
–4
–8
+3.8V, +1.9V
VS = ±5V
+3.8V, –1.9V
0V, –4.2V
–14.1V, –7.3V
+13.8V, –7.3V
–12
0V, –14.2V
–12
–8
–4
0
4
8
12
80
16
60
12
INPUT COMMON-MODE VOLTAGE (V)
图28. 输入共模电压范围与输出电压的关系,G = 1
40
20
0
–20
–40
–8
–6
–4
–2
0
2
4
6
8
10
OUTPUT VOLTAGE (V)
16
0V, +13.7V
VS ±15V
8
–14.4V, +6V
0V, +3.8V
4
+14.1V, +6V
–4.3V, +2V
+4.3V, +2V
VS = ±5V
0
–4.3V, –2V
–4
+4.3V, –2V
+14.1V, –6V
0V, –4.2V
–14.4V, –6V
–8
–12
–16
–16
06983-026
–60
16
OUTPUT VOLTAGE (V)
图25. 增益非线性度,G = 10,RL = 10 kΩ, 2 kΩ, 600 Ω
–80
–10
10
0V, +13.9V
4
–16
–16
06983-025
–30
–8
–6
图27. 增益非线性度,G = 1000,RL = 10 kΩ, 2 kΩ, 600 Ω
40
–40
–10
–8
OUTPUT VOLTAGE (V)
图24. 增益非线性度,G = 1,RL = 10 kΩ, 2 kΩ, 600 Ω
NONLINEARITY (10ppm/DIV)
–100
06983-028
–8
OUTPUT VOLTAGE (V)
NONLINEARITY (10ppm/DIV)
0
–300
06983-024
–40
–10
100
06983-027
–30
200
06983-029
NONLINEARITY (10ppm/DIV)
AD8253
0V, –14.1V
–12
–8
–4
0
4
8
12
OUTPUT VOLTAGE (V)
图26. 增益非线性度,G = 100,RL = 10 kΩ, 2 kΩ, 600 Ω
图29. 输入共模电压范围与输出电压的关系,G = 1000
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AD8253
+VS
+85°C
–0.2
–2
OUTPUT VOLTAGE SWING (V)
REFERRED TO SUPPLY VOLTAGES
–1
+25°C
–40°C
+2
+25°C
–40°C
+1
+125°C
–VS
4
8
10
12
16
14
SUPPLY VOLTAGE (±VS)
图30. 输入电压限值与电源电压的关系,G=1,VREF = 0V,RL =10kΩ
25
+IN
+IN
–IN
–IN
+25°C
–40°C
–40°C
+25°C
+85°C
+1.0
+0.8
+0.6
+0.4
–VS
+125°C
4
6
8
10
12
16
14
SUPPLY VOLTAGE (±VS)
图33. 输出电压摆幅与电源电压的关系,G = 1000,RL = 10 kΩ
OUTPUT VOLTAGE SWING (V)
CURRENT (mA)
+85°C
+25°C
10
5
–5
–10
–1.0
+85°C
+Vs
0
–0.8
15
FAULT
CONDITION
(OVER-DRIVEN
INPUT)
G=1000
FAULT
CONDITION
(OVER-DRIVEN
INPUT)
15
G=1000
20
10
–0.6
+0.2
+85°C
6
+125°C
–0.4
06983-033
+125°C
06983-030
INPUT VOLTAGE (V)
REFERRED TO SUPPLY VOLTAGES
+VS
–Vs
–15
–40°C
5
+125°C
0
+85°C
–5
–10
+125°C
+25°C
图34. 输出电压摆幅与负载阻抗的关系
+VS
+VS
–0.2
–40°C
+25°C
+85°C
+125°C
–0.4
–0.4
OUTPUT VOLTAGE SWING (V)
REFERRED TO SUPPLY VOLTAGES
+125°C
–0.6
–0.8
–1.0
–1.2
+85°C
+25°C
–40°C
+1.2
–40°C
+85°C
+25°C
+1.0
+0.8
+0.6
+125°C
+0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2.0
+2.0
+1.6
+1.2
+0.8
+0.4
4
6
8
10
12
14
16
SUPPLY VOLTAGE (±VS)
06983-032
+0.2
图32. 输出电压摆幅与电源电压的关系,G = 1000,RL = 2 kΩ
–VS
4
6
8
10
12
14
OUTPUT CURRENT (mA)
图35. 输出电压摆幅与输出电流的关系
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16
06983-035
OUTPUT VOLTAGE SWING (V)
REFERRED TO SUPPLY VOLTAGES
10k
1k
LOAD RESISTANCE ( )
图31. 故障吸电流与输入电压的关系,G = 1000,RL = 10 kΩ
–VS
–40°C
06983-034
10
–15
100
06983-031
DIFFERENTIAL INPUT VOLTAGE (V)
1
100m
10m
1m
100µ
–10µ/
10µ
–100µ
–1m
–10m
–100m
–10
–25
–1
–20
AD8253
5V/DIV
NO
LOAD
47pF 100pF
1392ns TO 0.01%
1712ns TO 0.001%
2µs/DIV
2µs/DIV
TIME (µs)
图39. 大信号脉冲响应和建立时间,G = 100,RL = 10 kΩ
图36. 不同容性负载下的小信号脉冲响应,G = 1
5V/DIV
664ns TO 0.01%
744ns TO 0.001%
0.002%/DIV
TIME (µs)
10µs/DIV
06983-037
2µs/DIV
12.88µs TO 0.01%
16.64µs TO 0.001%
TIME (µs)
图37. 大信号脉冲响应和建立时间,G = 1,RL = 10 kΩ
06983-040
5V/DIV
0.002%/DIV
06983-039
20mV/DIV
06983-036
0.002%/DIV
图40. 大信号脉冲响应和建立时间,G = 1000,RL = 10 kΩ
5V/DIV
656ns TO 0.01%
840ns TO 0.001%
TIME (µs)
20mV/DIV
06983-038
2µs/DIV
图38. 大信号脉冲响应和建立时间,G = 10,RL = 10 kΩ
2µs/DIV
图41. 小信号响应,G = 1,RL = 2 kΩ,CL = 100pF
Rev. A | Page 13 of 24
06983-041
0.002%/DIV
AD8253
1400
1200
1000
TIME (ns)
SETTLED TO 0.001%
800
600
SETTLED TO 0.01%
400
200
0
2
4
6
8
图42. 小信号响应,G = 10,RL = 2 kΩ,CL = 100 pF
10
12
14
16
18
20
STEP SIZE (V)
06983-045
2µs/DIV
06983-042
20mV/DIV
图45. 建立时间与阶跃信号幅度的关系,G = 1,RL = 10 kΩ
1400
1200
TIME (ns)
1000
SETTLED TO 0.001%
800
SETTLED TO 0.01%
600
400
200
0
2
4
6
8
图43. 小信号响应,G = 100,RL = 2 kΩ,CL = 100 pF
10
12
14
16
18
20
STEP SIZE (V)
06983-046
20µs/DIV
06983-043
20mV/DIV
图46. 建立时间与阶跃信号幅度的关系,G = 10,RL = 10 kΩ
2000
SETTLED TO 0.001%
1800
1600
1400
TIME (ns)
SETTLED TO 0.01%
1200
1000
800
600
20µs/DIV
200
0
图44. 小信号响应,G = 1000,RL = 2 kΩ,CL = 100 pF
2
4
6
8
10
12
STEP SIZE (V)
14
16
18
20
06983-047
20mV/DIV
06983-044
400
图47. 建立时间与阶跃信号幅度的关系,G = 100,RL = 10 kΩ
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AD8253
0
20
18
–10
SETTLED TO 0.001%
–20
16
–30
–40
12
THD + N (dB)
SETTLED TO 0.01%
10
8
G = 1000
–60
G = 100
–70
G = 10
–80
6
–90
4
G=1
–100
–110
0
–120
10
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
06983-048
2
STEP SIZE (V)
0
–20
–30
–40
–50
G = 1000
–70
G = 100
–80
G = 10
–90
–100
G=1
100
1k
10k
FREQUENCY (Hz)
100k
1M
06983-049
–110
–120
10
1k
10k
100k
1M
图50. 总谐波失真与频率的关系,10 Hz至500 kHz带通滤波器,
2 kΩ负载
–10
–60
100
FREQUENCY (Hz)
图48. 建立时间与阶跃信号幅度的关系,G = 1000,RL = 10 kΩ
THD + N (dB)
–50
06983-050
TIME (µs)
14
图49. 总谐波失真与频率的关系,10 Hz至22 kHz带通滤波器,
2 kΩ负载
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AD8253
工作原理
+VS
+VS
A0
A1
2.2kΩ
+VS
–VS
–VS
1.2kΩ
–IN
10kΩ
A1
10kΩ
–VS
+VS
DIGITAL
GAIN
CONTROL
OUT
A3
–VS
+VS
+VS
+IN
10kΩ
A2
+VS
–VS
10kΩ
REF
–VS
+VS
2.2kΩ
DGND
WR
–VS
06983-061
1.2kΩ
–VS
图51. 简化原理图
AD8253是一款单芯片仪表放大器,采用经典的三运放拓扑
透明增益模式
结构设计,如图51所示。它采用ADI公司专有的iCMOS®工
设置增益的最简单方式是直接对A0和A1施加逻辑高或逻辑
艺制造,具有精密线性性能和稳定的数字接口。并行接口
低电平来进行编程。图52显示此增益设置方法的示例,本
允许用户对1、10、100和1000的增益进行数字化编程。增
数据手册通篇将这种方法称作透明增益模式。将WR与负
益控制通过切换内部精密电阻阵列中的电阻实现(如图51所
电源相连可启动透明增益模式。在此模式下,不论是从逻
示)。
辑低电平到逻辑高电平,还是相反,施加至A0和A1的电压
所有内部放大器均采用失真消除电路,实现了高线性度和
的任何变化都会立即导致增益变化。表5是透明增益模式
超低THD。激光调整电阻使这款器件具有低于0.03%的最
的真值表,图52所示为采用透明增益模式配置的AD8253。
大增益误差(G=1)和100 dB的最小CMRR(G=1000)。为在整
个 频 率 范 围 内 实 现 高 CMRR, 引 脚 排 列 经 过 优 化 , 使
AD8253能 够 在 频 率 为 20kHz( G=1) 时 提 供 最 低 80dB的
CMRR。平衡的输入引脚排列可减少原先对CMRR性能造
+15V
10µF
0.1µF
WR
A1
A0
+IN
成不利影响的寄生效应。
–15V
+5V
+5V
G = 1000
AD8253
增益选择
REF
–IN
高电压限值在“技术规格”部分列出。通常情况下,逻辑低
电平为0 V,逻辑高电平为5 V;两个电压均相对于DGND
进行测量。有关DGND的允许电压范围,请参考技术规格
表(表2)。AD8253的增益可用两种方法设置:透明增益模
式和锁存增益模式。无论采取哪种模式,都应使用上拉或
下拉电阻在A0和A1引脚端提供确定的电压。
DGND
10µF
DGND
0.1µF
–15V
NOTE:
1. IN TRANSPARENT GAIN MODE, WR IS TIED TO −VS.
THE VOLTAGE LEVELS ON A0 AND A1 DETERMINE
THE GAIN. IN THIS EXAMPLE, BOTH A0 AND A1 ARE
SET TO LOGIC HIGH, RESULTING IN A GAIN OF 1000.
图52. 透明增益模式,A0和A1 = 高,G = 1000
Rev. A | Page 16 of 24
06983-051
本节介绍如何配置AD8253以实现基本操作。逻辑低和逻辑
AD8253
表5. 透明增益模式的真值表
表6. 锁存增益模式的真值表逻辑电平
WR
A1
A0
−VS
−VS
−VS
−VS
低
低
高
高
低
高
低
高
增益
1
10
100
1000
WR
A1
A0
Gain
高至低
高至低
高至低
高至低
低至低
低至高
高至高
低
低
高
高
低
高
低
高
X1
X1
X1
X1
X1
X1
变化为1
变化为10
变化为100
变化为1000
不变
不变
不变
锁存增益模式
一些应用包含多个可编程器件,比如同一PCB上的多路复
用器或其他可编程增益仪表放大器。这种情况下,器件可
以共用一个数据总线。可以使用WR作为一个锁存器来设置
AD8253的增益,从而允许其他器件共用A0和A1。图53所示
为使用此方法的原理图,这种方法称为锁存增益模式。WR
保 持 在 逻 辑 高 或 逻 辑 低 电 平 ( 一 般 分 别 为 5V和 0V) 时 ,
AD8253即处于此模式。当WR信号从逻辑高电平转换到逻
辑低电平时,在它的下降沿上读取A0和A1上的电压。这会
锁存A0和A1上的逻辑电平,导致增益变化。有关此类增益
变化的更多信息,请参见表6所列的真值表。
+15V
WR
10µF
0.1µF
A1
A0
+IN
+5V
0V
+5V
0V
WR
A1
+
A0
G = PREVIOUS
STATE
+5V
0V
G = 1000
AD8253
–IN
DGND
上电时,AD8253在锁存增益模式下默认增益为1。相反,
如果AD8253采用透明增益模式配置,它在上电时以A0和
A1上的电平所指示的增益启动。
锁存增益模式的时序
在锁存增益模式下,在WR的下降沿锁存增益之前,A0和
A1上的逻辑电平必须在最短建立时间tSU内保持不变。同
样,在WR的下降沿之后,A0和A1上的逻辑电平也必须在
最短保持时间tHD内保持不变,以确保正确锁存增益。在
tHD之后,A0和A1的逻辑电平能变化,但增益在WR的下
一个下降沿之前保持不变。WR保持高电平的最短持续时间
为tWR-HIGH,保持低电平的最短持续时间为tWR-LOW。数字时
序规格见表2所列。增益改变所需的时间取决于放大器的建
立时间。时序图见图54。
DGND
0.1µF
–15V
NOTE:
1. ON THE DOWNWARD EDGE OF WR, AS IT TRANSITIONS
FROM LOGIC HIGH TO LOGIC LOW, THE VOLTAGES ON A0
AND A1 ARE READ AND LATCHED IN, RESULTING IN A
GAIN CHANGE. IN THIS EXAMPLE, THE GAIN SWITCHES TO G = 1000.
06983-052
10µF
X = 无关。
与其他器件共用数据总线时,施加至这些器件的逻辑电平
可能会馈通至AD8253的输出。可通过降低逻辑信号的边缘
速率将馈通降至最低。此外,精心设计PCB布局也能降低
板的数字部分和模拟部分之间的耦合。
REF
–
1
图53. 锁存增益模式,G = 1000
tWR-HIGH
tWR-LOW
WR
tSU
tHD
06983-053
A0, A1
图54. 锁存增益模式的时序图
Rev. A | Page 17 of 24
AD8253
INCORRECT
电源调整与旁路
CORRECT
+VS
AD8253具有高电源抑制比(PSRR)。但为了优化性能,这款
+VS
仪表放大器应当采用稳定的直流电压供电。电源引脚上的
噪声会对器件性能产生不利影响。与所有线性电路一样,
AD8253
必须使用旁路电容来去耦放大器。
AD8253
REF
REF
在各电源引脚附近放置一个0.1 μF电容。可以远离器件放置
一个10 μF钽电容(见图55),在多数情况下,其他精密集成
–VS
–VS
TRANSFORMER
电路可以共用该钽电容。
TRANSFORMER
+VS
0.1µF
+IN
+VS
10µF
WR
A1
A0
AD8253
AD8253
REF
REF
VOUT
AD8253
10M
LOAD
REF
DGND
DGND
10µF
–VS
THERMOCOUPLE
+VS
06983-054
0.1µF
–VS
THERMOCOUPLE
+VS
C
图55. 电源去耦、REF及输出以地为基准
C
输入偏置电流回路
C
fHIGH-PASS = 2π1RC
AD8253
REF
C
AD8253
REF
R
AD8253输入偏置电流必须具有返回其局部模拟地的路径。
–VS
当热电偶等信号源无法提供电流回路时,必须创建一条返
回路径(见图56)。
R
–VS
CAPACITIVELY COUPLED
CAPACITIVELY COUPLED
06983-055
–IN
–VS
图56. 创建一条IBIAS 返回路径
输入保护
AD8253的所有引脚均提供ESD保护。对于超过各供电轨
0.5V以上的电压,应当用一个与各输入串联的外部电阻来
限制电流。这样,AD8253就可以在室温下安全处理6mA连
续电流。对于AD8253会遇到极端过载电压的应用,应当使
用 外 部 串 联 电 阻 和 低 泄 漏 二 极 管 钳 位 (如 BAV199L、
FJH1100或SP720)。
Rev. A | Page 18 of 24
AD8253
基准引脚
噪声耦合
基准引脚REF处于一个10 kΩ电阻的一端(见图51)。仪表放
为了防止噪声耦合到AD8253上,请遵循以下原则:
大器的输出以REF引脚上的电压为基准,这在输出信号需
请勿在器件下方布设数字线路。
要偏移到其局部模拟地以外的电压时会很有用。例如,可
在AD8253下方布设模拟地层。
以将一个电压源与REF引脚相连,对输出进行电平转换,
使用数字地来屏蔽快速切换信号,以避免噪声辐射至
电路板的其他部分,绝不能在模拟信号路径附近布设
这些线路。
使AD8253可以与单电源ADC接口。容许的基准电压范围
取决于增益、共模输入和电源电压。REF引脚不应高出+VS
或–VS 0.5 V以上。
避免数字信号与模拟信号交叠。
为了获得最佳性能,尤其是在输出信号测量不以REF引脚
只能在一个点上连接数字地和模拟地(一般在ADC下
方)。
为参考的情况下,REF引脚应保持较低的源阻抗,因为寄
生电阻会对CMRR和增益精度产生不利影响。
INCORRECT
电源线路应使用宽走线,以确保低阻抗路径。必须进
行去耦;请遵循“电源调整与旁路”部分中所列的原
则。
CORRECT
AD8253
共模抑制
AD8253
AD8253在整个频率范围内具有高CMRR,而典型仪表放大
器在大约200 Hz处CMRR就开始下降,因此AD8253对线路
噪声及其相关谐波等的抗干扰性能比典型仪表放大器更
强,后者往往需要在输入端配置共模滤波器来弥补这一不
足。AD8253能够在更大频率范围内抑制共模信号,因而减
少了对输入共模滤波的需求。
VREF
VREF
+
–
06983-056
OP1177
图57. 驱动基准引脚
共模输入电压范围
AD8253的三运放拓扑结构是先施加增益,然后消除共模电
压。因此,AD8253的内部节点会遇到增益信号和共模信号
的合并信号。这一合并后的信号会受电源电压限制,即使
在单独输入和输出信号没有被限制的时候也是如此。图28
和图29显示了在多种输出电压、电源电压和增益条件下所
允许的共模输入电压范围。
布局
接地
在混合信号电路中,低电平模拟信号需要与高噪声数字环
境隔离。AD8253的设计也不例外。其电源电压以一个模拟
精心规划的电路板布局可以让系统实现最高性能。为了在
整个频率范围内保持较高的CMRR,输入走线需采取对称
布局。务必使走线保持阻性和容性平衡;这对于输入引脚
和走线下方的其他PCB金属层同样适用。信号源电阻和电
容应在允许的范围内尽可能靠近输入引脚。如果一条走线
越过输入(从另一层),这条走线应与输入走线垂直路由。
射频(RF)干扰
在有强RF信号的应用中使用放大器时,一般都存在RF整流
问题。这种干扰可能会表现为较小的直流失调电压。高频
信号可以通过仪表放大器输入端的低通RC网络滤除,如图
58所示。滤波器根据以下关系式对输入信号带宽加以限
制:
FilterFreq
地为基准,数字电路以一个数字地为基准。虽然将这两种
DIEF
地连至同一地层会很方便,但是流经地线和PC板的电流会
造成误差。因此,要使用独立的模拟和数字地层。模拟和
FilterFreqCM 
数字地只能在星型接地点这一个点上汇合。
AD8253的输出电压是相对于基准引脚上的电位而言的。注
意,要将REF与适当的局部模拟地相连,或将其连接至以
其中CD ≥ 10 CC。
局部模拟地为基准的电压。
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
1
2 π R (2C D  CC )
1
2 π RCC
AD8253
+15V
0.1µF
本示例中,采用一个1 nF电容和一个49.9 Ω电阻为AD7612
构建抗混叠滤波器。该1 nF电容还用于将必需的电荷存储
10µF
并传送到ADC的开关电容输入。该49.9 Ω串联电阻减轻了
CC
R
放大器1 nF负载的负担,并将其与AD7612的开关电容输入
+IN
R
所注入的反冲电流隔离开。选择过小的电阻可以改善
VOUT
AD8253
CD
AD8253输出端电压与AD7612输入端电压的相关关系,但
REF
可能使AD8253变得不稳定。是选择足够小的电阻以保持精
–IN
度,还是选择足够大的电阻以保持稳定性,必须在这两者
CC
之间进行权衡。
–15V
06983-057
10µF
0.1µF
+15V
图58. 射频干扰(RFI)抑制
应适当选择R和CC的值,使射频干扰降至最小。正输入端R
× CC与负输入端R × CC的不匹配会降低AD8253的CMRR性
10µF
0.1µF
WR
A1
+IN
+12V
49.9Ω
AD8253
而改善性能。
REF
AD7612
1nF
+5V
–IN
ADR435
仪表放大器通常用在模数转换器前面,提供CMRR。一般
DGND
10µF
AD8253的低输出噪声、低失真和短建立时间等特性使其成
为ADC驱动器的绝佳选择。
DGND
0.1µF
06983-058
而 言 , 仪 表 放 大 器 需 要 缓 冲 器 跟 随 来 驱 动 ADC。 但
0.1µF
0.1µF
能。使CD的值为C值的10倍,可以降低不匹配的影响,从
驱动模数转换器
–12V
A0
–15V
图59. 驱动ADC
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AD8253
应用信息
使用微控制器设置增益
差分输出
在某些应用中,有必要创建一个差分信号。高分辨率模数
+15V
转换器往往需要一个差分输入。在其他情况下,长距离传
10µF
输也可能需要差分信号,以实现更好的抗干扰性。
图61显示如何配置AD8253来输出差分信号。在反相拓扑结
0.1µF
WR
A1
A0
+IN
MICROCONTROLLER
+
构中使用运算放大器AD8675来创建一个差分电压。VREF根
AD8253
据图示等式设置输出中点。运算放大器产生的误差是两个
REF
–
–IN
电阻所产生的误差会引起共模直流失调误差。这类误差在
DGND
10µF
差分信号处理中由差分输入ADC或仪表放大器进行抑制。
DGND
0.1µF
使用此电路驱动一个差分ADC时,可以使用电阻分压器根
06983-059
输出的共同误差,因此属于共模误差。同样,使用不匹配
–15V
图60. 使用微控制器对增益进行编程
据ADC基准电压设置VREF,以使输出与ADC成比例。
+15V
0.1µF
AMPLITUDE
WR
+5V
A1
A0
+IN
AMPLITUDE
+
VOUTA = VIN + VREF
2
AD8253
VIN
G=1
–
0.1µF
REF
DGND
4.99k
10µF
TIME
4.99k
–15V
+15V
+2.5V
0V
–2.5V
–15V
56pF
+
AD8675 +15V
0.1µF
–15V
0.1µF
10µF
DGND
VOUTB = –VIN + VREF
2
图61. 具有电平转换的差分输出
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VREF
–
0V
AMPLITUDE
+2.5V
0V
–2.5V
TIME
06983-060
–5V
数据采集
AD8253是一款出色的仪表放大器,非常适合用于数据采集
系统。它的宽带宽、低失真、短建立时间和低噪声特性使
AMPLITUDE (dB)
其能够在各种16位ADC的前端调理信号。
图63所示的AD825x是一个完整数据采集系统的组成部分。
AD8253的快速压摆率允许其调理来自多路复用输入的快速
变化信号。FPGA控制AD7612、AD8253和ADG1209。此
外,机械开关和跳线允许用户在透明增益模式下对增益进
行引脚绑定。
根据测试,此系统在1kHz输入信号下的总谐波失真为−116
0
–10
–20
–30
–40
–50
–60
–70
–80
–90
–100
–110
–120
–130
–140
–150
–160
–170
0
5
dB,信噪比为91 dB,如图62所示。
10
15
20
25
30
35
40
45
FREQUENCY (kHz)
图62. 使用AD8253 1 kHz信号时,
AD825x在完整数据采集系统中的FFT
JMP
+12V +
+12V
0.1µF
10µF
+CH3
+CH4
–CH4
–CH3
–CH2
–CH1
806Ω
806Ω
806Ω
806Ω
806Ω
806Ω
806Ω
4 S1A
+5V
2kΩ
10µF
2
EN
DGND
DGND
JMP
+5V
DGND
5 S2A
2kΩ
2
6 S3A
ALTERA
EPF6010ATC144-3
DGND 6
7 S4A
0Ω
DA 8
0Ω
ADG1209
10 S4B
11 S3B
DB 9
12 S2B
GND 15
A0
13
–VS
S1B A1
VSS 16
0Ω
0Ω
CC +IN
CD
–IN
CC
10
1
+
5
WR
A1 4
A0
AD8253 REF
–
+VS
–VS
9
3
VOUT
+IN
0Ω 49.9Ω
AD7612
1nF
C4
0.1µF
C3
0.1µF
3
7
ADR435
8
1
DGND
+12V –12V
JMP
0.1µF
–12V
+5V
2kΩ
DGND
JMP
+5V
R8
2kΩ
06983-067
+CH2
806Ω
VDD
JMP
–12V
GND
14
+CH1
+
DGND
图63. ADG1209、AD8253和AD7612在完整数据采集系统中与AD825x配套使用的原理图
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50
06983-062
AD8253
AD8253
外形尺寸
3.10
3.00
2.90
10
3.10
3.00
2.90
1
6
5.15
4.90
4.65
5
PIN 1
0.50 BSC
0.95
0.85
0.75
0.15
0.05
1.10 MAX
0.33
0.17
SEATING
PLANE
0.23
0.08
0.80
0.60
0.40
8°
0°
COPLANARITY
0.10
COMPLIANT TO JEDEC STANDARDS MO-187-BA
图64. 10引脚超小型封装[MSOP]
(RM-10)
图示尺寸单位:mm
ORDERING GUIDE
1
型号
温度范围
封装描述
封装选项
AD8253ARMZ1
AD8253ARMZ-RL1
AD8253ARMZ-R71
AD8253-EVALZ1
-40°C至+85°C
-40°C至+85°C
-40°C至+85°C
10引脚MSOP
10引脚MSOP
10引脚MSOP
评估板
RM-10
RM-10
RM-10
Z = 符合RoHS标准的兼容器件。
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标识
Y0K
Y0K
Y0K
AD8253
注释
©2008 Analog Devices, Inc. All rights reserved. Trademarks and
registered trademarks are the property of their respective owners.
D06983-0-8/08(A)
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