中文数据手册

高增益带宽产品、
精密Fast FET™运算放大器
AD8067
特性
连接图(顶视图)
FET输入放大器:输入偏置电流:0.6 pA
SOT-23-5 (RT-5)
增益≥8时性能稳定
高速
5 +VS
VOUT 1
-3 dB带宽:54 MHz (G = +10)
压摆率:640 V/μs
–VS 2
低噪声
6.6 nV/√Hz
4 –IN
+IN 3
0.6 fA/√Hz
图1.
低失调电压:1.0 mV(最大值)
宽电源电压范围:5 V至24 V
无反相
低输入电容
单电源、轨到轨输出
出色的失真特性:无杂散动态范围(SFDR):95 dBc (1 MHz)
高共模抑制比: −106 dB
低功耗:6.5 mA电源电流典型值
低成本
小型封装: SOT-23-5
应用
光电二极管前置放大器
精密高增益放大器
高增益、高带宽复合放大器
概述
AD8067 Fast FET放大器是一款电压反馈型放大器,提供
AD8067放大器提供SOT-23-5封装,额定工作温度范围为
FET输入,具有宽带宽(G = +10时为54 MHz)和高压摆率
-40℃至+85℃工业温度范围。
(640 V/µs)特性。它采用ADI公司专有的介质隔离超快速互
28
补双极性(XFCB)工艺制造,可实现高速、低功耗和高性能
26
FET输入等特性。
24
AD8067设计用于要求高速、低输入偏置电流的应用,如
22
快速光电二极管前置放大器等。它经激光调整,具有出色
20
符合光电二极管的应用要求。
FET输入偏置电流(最大5 pA)和低电压噪声(6.6 nV/√Hz)也
使它更适合精密应用。AD8067具有宽电源电压范围(5 V至24 V)
和轨到轨输出,特别适合要求宽动态范围和低失真的各种
应用。
G = +10
GAIN – dB
的直流电压失调(最大1.0 mV)和漂移(最大15 µV/°C)特性,
G = +20
18
G = +8
16
14
12
10
8
0.1
1
10
FREQUENCY – MHz
100
图2. 小信号频率响应
Rev. A
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的最新英文版数据手册。
AD8067
目录
特性.................................................................................................... 1
宽带工作的电阻选择.............................................................. 14
应用.................................................................................................... 1
直流误差计算 ........................................................................... 15
概述.................................................................................................... 1
输入和输出过载行为.............................................................. 15
连接图(顶视图) ............................................................................... 1
输入保护.................................................................................... 16
修订历史 ........................................................................................... 2
容性负载驱动 ........................................................................... 16
±5 V时的技术规格 ......................................................................... 3
布局布线、接地和旁路考虑................................................. 16
+5 V时的技术规格 ......................................................................... 4
应用.................................................................................................. 18
±12 V时的技术规格 ....................................................................... 5
宽带错误!超链接引用无效。 ............................................ 18
绝对最大额定值.............................................................................. 6
增益小于8时使用AD8067...................................................... 19
最大功耗...................................................................................... 6
单电源供电 ............................................................................... 20
ESD警告....................................................................................... 6
高增益、高带宽复合放大器................................................. 20
典型工作特性 .................................................................................. 7
外形尺寸 ......................................................................................... 22
测试电路 ......................................................................................... 12
订购指南.................................................................................... 22
工作原理 ......................................................................................... 13
基本频率响应 ........................................................................... 13
修订历史
2006年5月—修订版0至修订版A
修改图51 ......................................................................................... 18
修改图54 ......................................................................................... 19
修改图57 ......................................................................................... 21
更新外形尺寸 ................................................................................ 22
更改订购指南 ................................................................................ 22
2002年11月—修订版0:初始版
Rev. A | Page 2 of 24
AD8067
±5 V时的技术规格
除非另有说明,VS = ±5 V、TA = +25°C、G = +10、RF = RL =1 kΩ
表1.
参数
动态性能
-3 dB带宽
0.1 dB平坦度带宽
输出过驱恢复时间(正/负)
压摆率
0.1%建立时间
噪声/失真性能
无杂散动态范围(SFDR)
输入电压噪声
输入电流噪声
直流性能
输入失调电压
输入失调电压漂移
输入偏置电流
条件
最小值
典型值
VO = 0.2 V p-p
VO = 2 V p-p
VO = 0.2 V p-p
VI = ±0.6 V
VO = 5 V步进
VO = 5 V步进
39
54
54
8
115/190
640
27
MHz
MHz
MHz
ns
V/µs
ns
fC = 1 MHz, 2 V p-p
fC = 1 MHz, 8 V p-p
fC = 5 MHz, 2 V p-p
fC = 1 MHz, 2 V p-p, RL = 150 Ω
f = 10 kHz
f = 10 kHz
95
84
82
72
6.6
0.6
dBc
dBc
dBc
dBc
nV/√Hz
fA/√Hz
TMIN至TMAX
0.2
1
0.6
25
0.2
1
119
500
输入失调电流
开环增益
输入特性
共模输入阻抗
差分输入阻抗
输入共模电压范围
共模抑制比(CMRR)
输出特性
输出电压摆幅
输出电流
短路电流
容性负载驱动
电源
工作范围
静态电流
电源抑制比(PSRR)
TMIN至TMAX
VO = ±3 V
103
最大值 单位
1.0
15
5
1
1000||1.5
1000||2.5
VCM= -1 V至+1 V
RL = 1 kΩ
RL = 150 Ω
SFDR > 60 dBc, f = 1 MHz
−5.0
−85
-4.86至+4.83
30%过冲
−106
GΩ||pF
GΩ||pF
V
dB
-4.92至+4.92
-4.67至+4.72
30
105
120
V
V
mA
mA
pF
2.0
5
−90
Rev. A | Page 3 of 24
mV
µV/°C
pA
pA
pA
pA
dB
6.5
−109
24
6.8
V
mA
dB
AD8067
+5 V时的技术规格
除非另有说明,VS = +5 V、TA = +25°C、G = +10、RF = RL =1 kΩ
表2.
参数
动态性能
-3 dB带宽
0.1 dB平坦度带宽
输出过驱恢复时间(正/负)
压摆率
0.1%建立时间
噪声/失真性能
无杂散动态范围(SFDR)
输入电压噪声
输入电流噪声
直流性能
输入失调电压
输入失调电压漂移
输入偏置电流
条件
最小值
典型值
VO = 0.2 V p-p
VO = 2 V p-p
VO = 0.2 V p-p
VI = +0.6 V
VO = 3 V步进
VO = 2 V步进
36
54
54
8
150/200
490
25
MHz
MHz
MHz
ns
V/µs
ns
86
74
60
72
6.6
0.6
dBc
dBc
dBc
dBc
nV/√Hz
fA/√Hz
390
fC = 1 MHz, 2 V p-p
fC = 1 MHz, 4 V p-p
fC = 5 MHz, 2 V p-p
fC = 1 MHz, 2 V p-p, RL = 150 Ω
f = 10 kHz
f = 10 kHz
TMIN至TMAX
输入失调电流
开环增益
输入特性
共模输入阻抗
差分输入阻抗
输入共模电压范围
共模抑制比(CMRR)
输出特性
输出电压摆幅
输出电流
短路电流
容性负载驱动
电源
工作范围
静态电流
电源抑制比(PSRR)
VO = 0.5 V至4.5 V
100
0.2
1
0.5
25
0.1
117
最大值 单位
1.0
15
5
1
1000||2.3
1000||2.5
VCM= 0.5 V至1.5 V
RL = 1 kΩ
RL =150 Ω
SFDR > 60 dBc, f = 1 MHz
0
−81
0.07至4.89
30%过冲
−98
GΩ||pF
GΩ||pF
V
dB
0.03至4.94
0.08至4.83
22
95
120
V
V
mA
mA
pF
2.0
5
−87
Rev. A | Page 4 of 24
mV
µV/°C
pA
pA
pA
dB
6.4
−103
24
6.7
V
mA
dB
AD8067
±12 V时的技术规格
除非另有说明,VS = 12 V、TA = +25°C、G = +10、RF = RL =1 kΩ
表3.
参数
动态性能
-3 dB带宽
0.1 dB平坦度带宽
输出过驱恢复时间(正/负)
压摆率
0.1%建立时间
噪声/失真性能
无杂散动态范围(SFDR)
输入电压噪声
输入电流噪声
DC PERFORMANCE
输入失调电压
输入失调电压漂移
输入偏置电流
条件
最小值
典型值
最大值 单位
VO = 0.2 V p-p
VO = 2 V p-p
VO = 0.2 V p-p
VI = ±1.5 V
VO = 5 V步进
VO = 5 V步进
39
54
53
8
75/180
640
27
MHz
MHz
MHz
ns
V/µs
ns
92
84
74
72
6.6
0.6
dBc
dBc
dBc
dBc
nV/√Hz
fA/√Hz
500
fC = 1 MHz, 2 V p-p
fC = 1 MHz, 20 V p-p
fC = 5 MHz, 2 V p-p
fC = 1 MHz, 2 V p-p, RL = 150 Ω
f = 10 kHz
f = 10 kHz
TMIN至TMAX
输入失调电流
开环增益
输入特性
共模输入阻抗
差分输入阻抗
输入共模电压范围
共模抑制比(CMRR)
输出特性
输出电压摆幅
输出电流
短路电流
容性负载驱动
电源
工作范围
静态电流
电源抑制比(PSRR)
VO = ±10 V
107
0.2
1
1.0
25
0.2
119
1.0
15
5
1
1000||1.5
1000||2.5
VCM= -1 V至+1 V
RL = 1 kΩ
RL = 500 Ω
SFDR > 60 dBc, f = 1 MHz
−12.0
−89
-11.70至+11.70
30%过冲
−108
GΩ||pF
GΩ||pF
V
dB
-11.85至+11.84
-11.31至+11.73
26
125
120
V
V
mA
mA
pF
+9.0
5
−86
Rev. A | Page 5 of 24
mV
µV/°C
pA
pA
pA
dB
6.6
−97
24
7.0
V
mA
dB
AD8067
绝对最大额定值
PD = 静态功耗 + (总驱动功耗 − 负载功耗 )
表4.
参数
电源电压
功耗
共模输入电压
差分输入电压
存储温度范围
工作温度范围
引脚温度(焊接10秒)
结温
额定值
26.4 V
参见图3
VEE − 0.5 V至VCC + 0.5 V
1.8 V
-65℃至+125℃
-40℃至+85℃
300°C
150°C
如果RL以VS−为基准,像在单电源供电情况下,则总驱动
功耗为VS × IOUT。
如果均方根信号电平未定,应考虑最差情况:RL以中间电
源电压为基准,VOUT = VS/4。
注意,超出上述绝对最大额定值可能会导致器件永久性损
坏。这只是额定最值,不表示在这些条件下或者在任何其
它超出本技术规范操作章节中所示规格的条件下,器件能
够正常工作。长期在绝对最大额定值条件下工作会影响器
件的可靠性。
单电源供电且RL以VS−为基准时,最差情况为VOUT = VS/2。
气流可增强散热,从而有效降低θJA。此外,更多金属直接
与金属走线的封装引脚、通孔、接地和电源层接触,这同
最大功耗
芯片结温(TJ)升高会限制AD8067封装的最大安全功耗。达
到玻璃化转变温度150°C左右时,塑料的特性会发生改
变。即使只是暂时超过这一温度限值也会改变封装对芯片
作用的应力,从而永久性地转变AD8067的参数性能。长
时间超过175℃的结温会导致芯片器件出现变化,因而可
样可降低θJA。
图3所示为在JEDEC标准4层板上,SOT-23-5 (180℃/W) 封
装的内部最大安全功耗与环境温度的关系。
应当注意,温度每升高10°C,IB大约会增加一倍(参见图
22)。
能造成故障。
封装的功耗(PD)为静态功耗与封装中负载驱动所导致的功
耗之和,而静态功耗则为电源引脚之间的电压(VS)乘以静
态电流(IS)。假设负载(RL)以中间电源电压为基准,则总驱
动功耗为VS/2 × IOUT,其中一部分消耗在封装中,一部分
消耗在负载中(VOUT × IOUT)。总驱动功耗和负载功耗之差便
是消耗在封装中的功耗。应当考虑均方根输出电压。
MAXIMUM POWER DISSIPATION – W
2.0
1.5
1.0
SOT-23-5
0.5
0
–40 –30 –20 –10
0
10
20
30
40
50
60
AMBIENT TEMPERATURE – °C
图3. 4层板最大功耗与温度的关系
ESD警告
ESD(静电放电)敏感器件。静电电荷很容易在人体和测试设备上累积,可高达4000 V,并可能在没有
察觉的情况下放电。尽管本产品具有专用ESD保护电路,但在遇到高能量静电放电时,可能会发生永
久性器件损坏。因此,建议采取适当的ESD防范措施,以避免器件性能下降或功能丧失。
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70
80
AD8067
典型工作特性
默认条件:除非另有说明,VS = ±5 V、TA = +25°C、G = +10、RL = RF =1 kΩ
20.7
28
26
24
20.5
22
20.4
G = +10
20
G = +8
18
G = +6
16
VOUT = 0.2V p-p
20.6
GAIN – dB
GAIN – dB
VOUT = 200mV p-p
G = +20
VOUT = 0.7V p-p
VOUT = 1.4V p-p
20.3
20.2
20.1
14
20.0
12
19.9
10
8
19.8
1
10
FREQUENCY – MHz
100
1
24
VOUT = 200mV p-p
VS = +5V
21
VS = ±5V
22
VS = ±12V
GAIN – dB
GAIN – dB
CL = 25pF
21
19
18
17
20
CL = 100pF
RSNUB = 24.9Ω
19
18
17
16
16
CL = 5pF
15
15
14
1
10
FREQUENCY – MHz
100
1
图5. 不同电源下的小信号频率响应
22
VOUT = 2V p-p
100
22
21
VS = ±5V
20
VOUT = 0.2V p-p, 2V p-p
20
VS = ±12V
19
GAIN – dB
GAIN – dB
10
FREQUENCY – MHz
图8. 不同CLOAD 下的小信号频率响应
VS = +5V
21
18
17
18
17
16
15
15
1
10
FREQUENCY – MHz
14
100
图6. 不同电源下的大信号频率响应
VOUT = 4V p-p
19
16
14
CL = 100pF
VOUT = 200mV p-p
23
20
14
100
图7. 0.1 dB平坦度频率响应
图4. 不同增益下的小信号频率响应
22
10
FREQUENCY – MHz
1
10
FREQUENCY – MHz
图9. 不同输出幅度下的频率响应
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100
AD8067
VOUT = 200mV p-p
RF = 2kΩ
21
RF = 1kΩ
80
90
60
PHASE
60
RF = 499Ω
GAIN – dB
GAIN – dB
120
70
20
19
90
18
17
16
50
0
40
–30
GAIN
30
–90
10
–120
15
0
–150
14
–10
0.01
1
10
FREQUENCY – MHz
100
0.1
1
10
FREQUENCY – MHz
–40
HD2 RLOAD = 150Ω
–50
G = +10
VOUT = 2V p-p
–50
–60
–70
DISTORTION – dBc
–60
HD3 RLOAD = 150Ω
–80
HD2
RLOAD = 1kΩ
–90
–100
–110
VOUT = 2V p-p
HD3 RLOAD = 1kΩ
–120
–140
0.1
1
10
FREQUENCY – MHz
–70
HD2 VS = ±12V
–80
–90
–100
HD2 VS = ±5V
–110
HD3 VS = ±12V
–120
G = +10
VS = ±5V
–130
HD3 VS = ±5V
–130
–140
0.1
100
1
图11. 不同负载下失真与频率的关系
–20
–30
VS = ±12V
G = +10
DISTORTION – dBc
–50
–60
HD2 VOUT = 20V p-p
HD3 VOUT = 2V p-p
HD2 VOUT = 2V p-p
HD3 VOUT = 20V p-p
–120
HD2 RLOAD = 150Ω
–60
–70
HD3 RLOAD = 150Ω
–80
–90
HD2 RLOAD = 1kΩ
–100
–110
HD3 RLOAD = 1kΩ
–120
–140
0.1
1
10
FREQUENCY – MHz
100
VS = ±12V
f = 1MHz
G = +10
–40
–100
10
FREQUENCY – MHz
图14. 不同电源下失真与频率的关系
–40
–80
–180
1000
100
图13. 开环增益和相位
–40
DISTORTION – dBc
–60
20
图10. 不同RF 下的小信号频率响应
DISTORTION – dBc
30
PHASE – Degrees
22
–130
100
图12. 不同幅度下失真与频率的关系
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18
OUTPUT AMPLITUDE – V p-p
20
图15. 不同负载下失真与输出幅度的关系
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22
24
AD8067
G = +10
VIN = 20mV p-p
G = +10
VIN = 20mV p-p
CL = 100pF
CL = 0pF
1.5V
50mV/DIV
50mV/DIV
25ns/DIV
图16. 小信号瞬态响应5 V电源
10VIN
VOUT
2V/DIV
25ns/DIV
图19. 小信号瞬态响应± 5 V电源
G = +10
VS = ±12V
VIN = 2V p-p
G = +10
200ns/DIV
5V/DIV
图17. 输出过驱恢复
50ns/DIV
图20. 大信号瞬态响应
VOUT (1V/DIV)
G = +10
VIN (100mV/DIV)
VOUT – 10VIN (5mV/DIV)
+0.1%
VIN (100mV/DIV)
+0.1%
VOUT – 10VIN (5mV/DIV)
–0.1%
–0.1%
t=0
5µs/DIV
5ns/DIV
图21. 0.1%短期建立时间
图18. 长期建立时间
Rev. A | Page 9 of 24
AD8067
14
10
8
INPUT BIAS CURRENT – pA
INPUT BIAS CURRENT – pA
12
10
8
6
VS = ±12V
4
VS = ±12V
VS = ±5V
VS = +5V
6
4
2
0
–2
–4
–6
2
–8
VS = ±5V
0
25
35
45
55
65
TEMPERATURE – °C
75
–10
–14 –12 –10 –8 –6 –4 –2 0 2 4 6 8
COMMON-MODE VOLTAGE – V
85
图25. 输入偏置电流与共模电压的关系
图22. 输入偏置电流与温度的关系
1800
5
N = 12255
SD = 0.203
MEAN = –0.033
4
INPUT OFFSET VOLTAGE – mV
1600
1400
COUNT
1200
1000
800
600
400
200
0
10 12 14
VS = ±12V
3
VS = ±5V
2
1
VS = +5V
0
–1
–2
–6
–4
–1
0
INPUT OFFSET VOLTAGE – mV
–5
–14 –12 –10 –8 –6 –4 –2 0 2 4 6 8
COMMON-MODE VOLTAGE – V
1
图23. 输入失调电压直方图
10 12 14
图26. 输入失调电压与共模电压的关系
1000
–40
–50
CMRR – dB
NOISE – nV/ Hz
–60
100
10
–70
–80
–90
–100
–110
1
1
10
100
1k
10k
100k
FREQUENCY – Hz
1M
10M
100M
–120
0.1
1
10
FREQUENCY – MHz
图27. CMRR与频率的关系
图24. 电压噪声
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100
AD8067
6.7
100
G = +10
QUIESCENT CURRENT – mA
10
OUTPUT IMPEDANCE – Ω
VS = ±12V
6.6
1
0.1
VS = ±5V
6.5
VS = +5V
6.4
6.3
6.2
6.1
0.01
6.0
–40
0.001
0.01
0.1
1
10
FREQUENCY – MHz
100
200
OUTPUT SATURATION VOLTAGE – mV
OUTPUT SATURATION VOLTAGE – V
0.30
0.25
VCC – VOH
0.20
VOL – VEE
0.15
0.10
0.05
0
5
10
15
20
25
ILOAD – mA
0
20
40
TEMPERATURE – °C
60
80
图31. 不同电源电压下静态电流与温度的关系
图28. 输出阻抗与频率的关系
0
–20
1000
30
35
40
RL = 1kΩ
180
(VCC – VOH), (VOL – VEE), VS = ±12V
160
140
120
100
(VCC – VOH), (VOL – VEE), VS = ±5V
80
VCC – VOH, VS = +5V
60
40
VOL – VEE, VS = +5V
20
0
–40
–20
图29. 输出饱和电压与输出负载电流的关系
0
20
40
TEMPERATURE – °C
60
80
图32. 输出饱和电压与温度的关系
0
140
–10
130
–20
120
–PSRR
OPEN-LOOP GAIN – dB
PSRR – dB
–30
–40
–50
–60
+PSRR
–70
–80
100
90
VS = ±5V
80
VS = +5V
70
–90
–100
0.01
VS = ±12V
110
60
0.1
1
FREQUENCY – MHz
10
100
50
图30. PSRR与频率的关系
0
5
10
15
20
25
ILOAD – mA
30
35
图33. 不同电源时开环增益与负载电流的关系
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40
AD8067
测试电路
+VCC
10µF
10µF
+
0.1µF
+
0.1µF
110Ω
1kΩ
110Ω
AD8067
49.9Ω
3
1kΩ
VIN
5
4
VIN
+VCC
VOUT
1
AD8067
110Ω
RL = 1kΩ
2
5
4
0.1µF
3
2
1kΩ
VOUT
1
1kΩ
0.1µF
10µF
10µF
+
+
AV = 10
–VEE
–VEE
图34. 标准测试电路
图37. CMRR测试电路
+VCC
VIN
10µF
110Ω
+
0.1µF
110Ω
V–
1kΩ
+VCC
1kΩ
5
4
AD8067
5
4
AD8067
100Ω
3
3
VOUT
1
1kΩ
2
0.1µF
100Ω
1kΩ
2
10µF
0.1µF
+
10µF
VOUT
AOL =
V–
VOUT
1
+
–VEE
–VEE
图35. 开环增益测试电路
图38. 正PSRR测试电路
+VCC
+VCC
10µF
10µF
+
0.1µF
+
0.1µF
110Ω
110Ω
1kΩ
4
VIN
49.9Ω
3
4
5
AD8067
2
1kΩ
RSNUB
1
0.1µF
CLOAD
VOUT
1kΩ
100Ω
5
AD8067
3
2
NETWORK ANALYZER
0.1µF
10µF
10µF
+
+
AV = 10
VOUT
1
–VEE
–VEE
图39. 输出阻抗测试电路
图36. 容性负载测试电路
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AD8067
工作原理
90
120
器,集成了精密JFET输入级和ADI公司的介质隔离超快速
80
90
互补双极性(XFCB)工艺BJT。其工作电源电压范围为5 V至
70
24 V。该放大器具有取得专利的轨到轨输出级,驱动范围
60
30
可达任一电源的0.25 V内,可提供30 mA的源电流或吸电
50
0
电源轨并扩展至正电源以下3 V。此外,只要输入电压在电
60
PHASE
40
–30
GAIN
30
–60
PHASE – Degrees
流。JFET输入由N沟道器件组成,其共模输入范围包括负
GAIN – dB
AD8067是一款低噪声、宽带宽、电压反馈型运算放大
源范围内,便没有反相电位的现象。
20
–90
AD8067集成了低噪声、直流精密性能和宽带宽,特别适
10
–120
0
–150
合宽带宽、极高输入阻抗和高增益缓冲器应用。这款器件
还适合宽带跨导应用,如需要极低输入电流和直流精度的
–10
0.01
0.1
1
10
FREQUENCY – MHz
光电二极管接口。
100
–180
1000
图41. 开环频率响应
基本频率响应
AD8067的典型开环响应(参见图41)显示,增益为+10时,
相位裕量为60°。图40和42所示为同相和反相电压增益应
用的典型配置。
带宽公式只在应用的相位裕量接近90°时适用,此时放大
器处于高增益配置。AD8067用作G = +10的缓冲器时带宽
为54 MHz,比闭环–3 dB频率公式的预测值30 MHz快得多。
出现这部分扩展带宽是由于相位裕量处于60°,而不是
基本同相增益配置的闭环频率响应可按以下公式近似计
90°。增益小于+10峰化量增加,如图4所示。增益小于+7
算:
时,可采用AD8065(一款单位增益稳定JFET输入运算放大
器,单位增益带宽为145 MHz),或参考“应用”部分,了解
闭环 – 3 dB 频率
如何在增益为2的配置中使用AD8067。
直流增益 = RF/RG + 1
GBP是放大器的增益带宽乘积。AD8067的典型GBP为300
MHz。RG和RF推荐值请参见表5。
同相配置噪声增益
表5. RG和RF推荐值
RG (Ω)
110
49.9
20
10
增益
10
20
50
100
RF (kΩ)
1
1
1
1
+VS
RX
带宽(MHz)
54
15
6
3
+
10µF
0.1µF
+
AD8067
RLOAD
–
0.1µF
RS
+
VOUT
–
–VS
RF
VI
图40. 同相增益配置
RG
10µF
+
SIGNAL
SOURCE
FOR BEST PERFORMANCE, SET RX = (RS + RG) || RF
图42. 反相增益配置
Rev. A | Page 13 of 24
AD8067
对反相电压增益应用而言,必须考虑输入信号的源阻抗,
+
RS
因为它可以设置应用中的噪声增益和闭环增益。反相应用
+
的基本频率公式如下:
CPAR
VI
闭环 – 3 dB 频率
CM
CD
CM
–
T
–
RF
SIGNAL SOURCE
直流增益
+
VOU
–
CPAR
RG
其中,GBP为放大器的增益带宽乘积,RS为信号源阻抗。
反相配置噪声增益
图43. 输入和电路板电容
放大器负输入的源阻抗(RG || RF)、与放大器差分输入电容、
共模输入电容,以及所有电路板寄生电容形成反馈环路响
出于稳定原因,反相应用的噪声增益必须保持在6以上。
应中的一个极点。这会减少环路相位裕量,并导致稳定性
如果驱动反相器的信号源是另一个放大器,注意,在
问题,即响应中不可接受的峰化和振铃。为了避免这一问
AD8067预期闭环带宽的频率范围内,驱动放大器显示出
题,建议在所有宽带电压增益应用中,AD8067负输入端
低输出阻抗。
的阻抗均保持在200 Ω以下。
宽带工作的电阻选择
宽带电压增益应用中,还建议使AD8067的输入阻抗匹
电压反馈型放大器可以使用各种不同的电阻值来设置增
配。这样可以将非线性共模电容效应降至最低,该效应会
益。正确设计应用的反馈网络需要考虑下列问题:
明显减少建立时间和失真性能。
• 放大器的输入电容与放大器输入引脚所看到的电阻形
AD8067具有6.6 nV/√Hz的低输入电压噪声。若输入引脚上
的源阻抗大于500 Ω,会明显增加应用中折合到输入端(RTI)
成的极点
• 不匹配源极阻抗的影响
的电压噪声。
• 电阻值对应用的输出电压噪声的影响
放大器必须向其反馈网络和确定的负载提供输出电流。例
如,图40中提供给放大器的负载阻抗为RLOAD || (RF + RG)。
• 放大器的负载效应
AD8067的共模输入电容(CM)为1.5 pF,差模输入电容(CD)
为2.5 pF。如图43所示。驱动同相缓冲器正输入的源阻抗会和
放大器的共模输入电容和由于电路板布局造成的寄生电容
若RLOAD 为100 Ω,RF为1 kΩ,RG为100 Ω,则放大器驱动的
总负载阻抗约为92 Ω。RF减小时,就会出现问题。AD8067
的额定低失真输出电流为30 mA。较大的输出驱动会增加
器件的功耗,这是一个必须考虑的问题。
(CPAR)形成一个极点。这会限制可获得的带宽。对G = +10
的缓冲器而言,带宽限制对大于1 kΩ的源阻抗比较明显。
Rev. A | Page 14 of 24
AD8067
直流误差计算
输入和输出过载特性
图44所示为与电压反馈放大器相关的主要直流误差。对反
图45所示为AD8067输入级的简化原理图。图中有串接N沟
相和同相配置:
道JFET输入对、ESD和其它保护二极管,以及可以消除相
位翻转的辅助NPN输入级。
由VOS 引起的输出电压误差 =
放大器的共模输入电压驱动至约正电源3 V以内时,输入
JFET的偏置电流会关闭,NPN对的偏置电流会打开,从而
由IB 引起的输出电压误差 =
控制放大器。此时NPN差分对设置放大器的失调,输入偏
置电流处变为几十毫安范围内。该特性如图25和26中所
总误差为两者之和。
示。共模电压从正电源阈值降至3 V以下时,就会恢复正
对总VOS进行建模如下式,还可以增加直流共模和电源效
常工作。
应:
输出晶体管具有内置电路,可以在输出过驱时限制自身的
饱和程度。这可以改善输出恢复时间。图17所示为用作
G = +10缓冲器的AD8067的输出恢复时间图。
其中:
VCC
VOS(nom)是标称条件下的额定失调电压(最大值为1 mV)。
TO REST OF AMP
VTHRESHOLD
ΔVS是相对于标称条件的电源电压变化。
SWITCH
CONTROL
PSR是电源抑制(最小值为90 dB)。
ΔVCM是相对于标称测试条件的共模电压变化。
VCC
VCC
VN
VP
CMR是共模抑制(AD8067的最小值为85 dB)。
RF
VEE
VEE
+VOS–
RG
–
+ VOUT –
IB–
– VI +
RS
VEE
图45. 简化输入原理图
+
IB+
图44. 运算放大器直流误差源
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VBIAS
AD8067
输入保护
布局布线、接地和旁路考虑
AD8067的输入采用输入引脚之间的背靠背二极管和各电源
布局
的ESD二极管进行保护。这样会得到具有皮安级输入电流
在极低输入偏置电流放大器应用中,杂散漏电流路径必须
的输入级,可以承受2 kV ESD事件(人体模型),性能不会
保持最少。放大器输入与邻近走线之间只要有电压差,就
下降。
会形成一条穿过PCB的泄漏路径。假设放大器输入端存在
过大功耗会损坏保护器件,从而降低放大器的性能。大于
一个1 V信号和100 GΩ接地电阻。由此产生的漏电流为
0.7 V的差分电压产生的输入电流约为(| V+ – V− | − 0.7 V)/
(RI + RG)),其中RI和RG为电阻(参见图46)。输入电压超出正
电源电压时,输入电流约为(VI – VCC – 0.7 V)/RI。输入电压
超出负电源电压时,输入电流约为(VI – VEE + 0.7 V)/RI 。上
10 pA,这是该放大器输入偏置电流的10倍。PCB布局
不佳、污染和板材料等可能会引起较大的漏电流。电路板
上的常见污染包括护肤油、水分、焊剂和清洁剂。因此,
为了充分利用AD8067的低输入偏置电流特性,必须彻底清
述任何情况下,都应当限制RI的大小,使产生的输入电流
洁电路板,确保电路板无污染。
不超过50 mA。
为了大幅减少泄漏路径,输入周围应使用保护环/屏蔽。保
–
VI
护环环绕输入引脚,并且被驱动至与输入信号相同的电
+ RI
AD8067
RI > ( |V+ – V– | –0.7V)/50mA
FOR LARGE |V+ – V– |
RG
RF
RI > (VI – VEE + 0.7V)/50mA
RI > (VI – VCC – 0.7V)/50mA
FOR VI BEYOND
+ SUPPLY VOLTAGES
VOUT
–
位,从而降低引脚之间的电位差。为使保护环真正有效,
必须用阻抗相对较低的源驱动它,并且应使用多层板,将
输 入 引 脚 四 周 及 上 下 完 全 包 围 起 来 ( 见 图 47) 。 对 于
SOT-23-5封装,要保持最少的泄漏路径很困难。其引脚间
隔非常小,构建保护环时必须特别小心(图48显示了推荐的
保护环结构)。
图46. 限流电阻
容性负载驱动
GUARD RING
由于放大器的输出阻抗有限,因此容性负载会在放大器环
路响应中引入一个极点,进而导致响应中产生过多的峰化
GUARD RING
和振铃。增益为+10的AD8067可以处理高达30 pF的电容负
NONINVERTING
INVERTING
载,不会产生过量峰化(参见图8)。如需更大的容性负载驱
图47. 保护环配置
动,可以考虑插入一个与负载串联的小电阻(至少24.9 Ω较
为合理)。容性负载驱动能力还会随着放大器增益的增加而
增强。
VOUT
AD8067
+V
VOUT
AD8067
–V
–V
+IN
–IN
INVERTING
+IN
–IN
NONINVERTING
图48. 保护环布局SOT-23-5
Rev. A | Page 16 of 24
+V
AD8067
接地
电源旁路
为了减少高速、高密度电路板的寄生电感和接地环路,接
电源引脚实际上是输入,必须谨慎地为这些输入提供干
地层至关重要。了解电路中的电流路径对于高速电路设计
净、低噪声的直流电压源。旁路电容有两个作用:
十分重要。电流路径的长度与寄生电感的幅度和路径的高
• 为干扰频率提供一个从电源输入到地的低阻抗路径,从
频阻抗成正比。感性接地回路上的快速电流变化会引起干
扰噪声和振铃。
高频旁路电容引脚的长度也很重要。旁路接地的寄生电感
会不利于旁路电容产生的低阻抗。负载电流不仅来自电
源,也来自地,因此应将负载置于与旁路电容地相同的物
理位置。对于在较低频率下发挥作用的较大电容,电流回
路长度不是非常重要。
而降低噪声对电源线的影响。
• 提供本地存储电荷——通常采用较大的电解电容来实现
去耦方法旨在降低所有频率下的旁路阻抗,这可以通过与
地并联的电容组合来实现。应当使用高质量陶瓷芯片电容
(X7R或NPO),并且务必尽可能靠近放大器封装。0.1 μF陶
瓷电容和10 μF电解质电容的并联组合可以大范围抑制干扰
噪声。10 μF电容对于高频旁路不太重要,多数情况下,一
条电源线一个电容即足够。
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AD8067
应用
前置放大器的输出噪声与频率的关系如图50所示。
宽带光电二极管前置放大器
表6. 光电二极管前置放大器的均方根噪声贡献
均方根
(RMS)
噪声(μV)1
152
CF
RF
贡献因素
RF × 2
–
CM
CS
IPHOTO
CD
RSH = 1011Ω
+
VB
VOUT
CM
AD8067
CF + CS
RF
表达式
放大器(至f1)
4.3
放大器
(f2 - f1)
96
放大器
(f2之后)
684
RSS Total
1
图49. 宽带光电二极管前置放大器
708
均方根噪声(RF = 50 kΩ、CS = 0.67 pF、CF = 0.33 pF、CM = 1.5 pF、CD = 2.5 pF)
图49显示了一个电流电压转换器和一个光电二极管的电气
1
f1 = 2 πR (C + C + C + 2C )
F F
S
M
D
其基本传递函数为:
f2 =
其中,IPHOTO为光电二极管的输出电流,RF和CF的并联组合
设置信号带宽。
VOLTAGE NOISE – nV/ Hz
模型,
1
2 πR F C F
GBP
f3 = (C + C + 2C + C )/C
S
M
D
F
F
RF NOISE
f2
此前置放大器所能实现的稳定带宽是以下参数的函数:
RF、放大器的增益带宽积,以及放大器求和点的总电容,
f1
包括CS和放大器输入电容。RF与该总电容在放大器的环路
VEN
f3
VEN (C F + C S + C M + 2C D )/C F
NOISE DUE TO AMPLIFIER
传输中产生一个极点,它可能会导致峰化和电路不稳定。
FREQUENCY – Hz
增加CF可以在环路传输中创建一个零点,它能补偿上述极
图50. 光电二极管电压噪声贡献
点的影响并降低信号带宽。在45°相位裕量(f(45))下产生的
信号带宽为:
0.33pF
49.9kΩ
+5V
GBP是单位增益带宽积,RF是反馈电阻,CS是放大器求和
0.1µF
–5V
EPM 605 LL
点的总电容(放大器+光电二极管+电路板寄生电容)。
10µF
50Ω
AD8067
0.1µF
产生f(45)的CF值可以表示为:
0.33pF
NOTES
ID @ –5V = 0.074nA
CD @ –5V = 0.690pF
RB @ 1550nm = –49dB
49.9kΩ
10µF
–5V
图51. 光电二极管前置放大器
此时的频率响应显示大约2 dB的峰化和15%的过冲。将CF
加倍以及将带宽减半会引起平坦频率响应,瞬态过冲约
5%。
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VOUT
AD8067
前置放大器的测试数据如图52和图53所示。
增益小于8时使用AD8067
稳定非完全补偿放大器的常用技巧是增加噪声增益, 而信
100
号增益可以维持独立不变。AD8067可用于信号增益小于8
TRANSIMPEDANCE GAIN – dB
95
的应用,只要注意确保放大器的噪声增益至少设置为8(参
90
见图54)即可。
85
同相放大器的信号和噪声增益计算公式如下:
80
信号增益
75
70
噪声增益
65
可用额外的电阻R2来修正噪声增益公式。注意,信号增益
60
0.01
0.1
1
FREQUENCY – MHz
10
100
公式不变。
噪声增益
图52. 光电二极管前置放大器频率响应
R3
600Ω
C1 RISE
31.2ns
+5V
C1
10µF
T
R1
301Ω
VIN
C1 FALL
31.6ns
4
R2
50Ω
3
5
AD8067
2
–5V
CH1 500mV
M 50ns CH1
830mV
图53. 光电二极管前置放大器脉冲响应
C2
0.1µF
1
R4
51Ω
C4
0.1µF
VOUT
RL
C3
10µF
图54. 增益=3的原理示意图
这技巧允许设计人员在小于8的增益配置中使用AD8067。
这种补偿方法的不足之处在于,输入噪声和失调电压也会
被噪声增益值放大。而且,失真性能也会下降。为了避免
驱动容性负载时出现过度的过冲和振铃, 应用较小的串联
电阻缓冲,本例中采用51 Ω电阻。
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AD8067
参考网络:
VOUT
V+REF − 3 dB带宽 =
VIN
T
1
2π(R2 || R3)C2
电阻R4和R1设置增益,本例中选择的反相增益为10。该应
用中,输入和输出带宽设为约10 Hz。参考网络设为输入和
输出带宽的十分之一,约为1 Hz。
R4
2.7kΩ
CH1 200mV
CH2 200mV
M 50ns CH1
C1
47µF
288mV
VIN
R1
300Ω
4
+5V
C3
10µF
5
C4
0.1µF
AD8067
图55. 增益为3的脉冲响应
3
单电源工作
+5V
因为有N沟道JFET输入级和轨到轨输出级,AD8067非常适
R2
70kΩ
C5
15µF
VOUT
1
2
R3
30kΩ
RL
1kΩ
C2
6.8µF
合低电压单电源应用。它的额定电源电压为5 V。要想顺
利实现单电源应用,需注意将信号电压保持在放大器的输
图56. 单电源工作原理示意图
入和输出裕量限制范围内。5 V电源上的输入级裕量扩展
至1.7 V(最小值)。输入范围的中间值为0.85 V。输出饱和限
高增益、高带宽复合放大器
值决定输出裕量的硬限幅。该限值取决于放大器源电流或
复合放大器充分发挥关键参数组合的优势,而在传统单放
吸电流的电流量,如图29所示。
大器中,这些参数可能是互斥的。例如,大多数精密放大
通常,输入网络中会引入失调电压取代地作为基准。这会
器都有良好的直流特性,但缺少高速交流特性。复合放大
使得输出在直流基准点(通常为中间电源电压)左右摆动。
器结合了两种放大器的优势,相比两种单运算放大器而
务必注意放大器所需的裕量,本例中,正电源所需裕量为
言,能够实现更为出色的性能。AD8067和AD8009非常适
3 V。因此,基准点选在1.5 V,从而实现100 mV的输入信
合复合放大器电路,结合了直流精密性能和高增益及带
号。图56所示为针对5 V电源工作配置的AD8067,基准电
压为1.5 V。电容C1和C5可将信号交流耦合至放大器或从放
大器中交流耦合到外部,而且会对输入和输出结构的带宽
宽。该电路采用±5 V电源供电,偏置电流约20 mA。复合
放大器的增益约40 dB,能够提供低于1 pA的输入电流、
6.1 GHz的增益带宽积,以及630 V/μs的压摆率。
产生一定的影响。
VINPUT – 3 dB带宽 =
1
2πR1C1
VOUTPUT – 3 dB带宽 =
1
2πRL C5
电阻R2和R3设置了1.5 V的输出偏置点,使输出信号在其左
右摆动。必须有足够的旁路为基准电压提供良好的交流接
地。参考网络(R2、R3和C2)的带宽一般选为输入带宽的十
分之一。这样可以确保任何低于输入带宽的频率都不会通
过参考网络进入放大器。
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AD8067
44
R2
4.99kΩ
+5V
INPUT
4
3
C8
0.1µF
C7 +5V
10µF
40
38
5
AD8067
2
–5V
C2
1 0.1µF
C4
0.1µF
C3
10µF
3
C5
5pF
7
AD8009
6
C6
0.001µF
4
C10
0.001µF
C9
10µF –5V
C11
0.01µF
2
36
OUTPUT
dB
R1
51.1Ω
42
C1
10µF
R5
50Ω
34
32
30
R4
200Ω
28
26
R3
21.5Ω
24
0.1
1
图57. AD8067/AD8009复合放大器 AV = 100,GBWP = 6.1 GHz
10
FREQUENCY – MHz
100
图58. 增益带宽响应
复合放大器增益设置为100。总增益采用以下公式设置:
C1 AMPL
4V
输出级增益设置为10,因此,AD8067的有效增益为10,可
以保持带宽超过55 MHz。
T
电路可以根据不同的增益值定制,保持比值大体一致可以
确保带宽完整性。根据电路板布局,可能需要电容C5来减
少输出的振铃。图58、59和60所示为增益带宽和脉冲响
应。
该电路的布局要求必须注意路由和反馈路径的长度。长度
CH1 1V
M 25ns CH1
0V
应当尽可能小,以便将杂散电容降至最低。
图59. 大信号响应
C1 AMPL
480mV
T
CH1 200mV
M 25ns CH1
图60. 小信号响应
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0V
AD8067
外形尺寸
2.90 BSC
5
4
2.80 BSC
1.60 BSC
1
2
3
PIN 1
0.95 BSC
1.90
BSC
1.30
1.15
0.90
1.45 MAX
0.15 MAX
0.50
0.30
0.22
0.08
SEATING
PLANE
10°
5°
0°
0.60
0.45
0.30
COMPLIANT TO JEDEC STANDARDS MO-178-AA
图61. 5引脚小型晶体管封装[SOT-23]
(RT-5)
图示尺寸单位:mm
订购指南
型号
AD8067ART-REEL
AD8067ART-REEL7
AD8067ART-R2
AD8067ARTZ-REEL 1
AD8067ARTZ-REEL71
AD8067ARTZ-R21
1
温度范围
-40℃至+85℃
-40℃至+85℃
-40℃至+85℃
-40℃至+85℃
-40℃至+85℃
-40℃至+85℃
封装描述
5引脚 SOT-23
5引脚 SOT-23
5引脚 SOT-23
5引脚 SOT-23
5引脚 SOT-23
5引脚 SOT-23
Z = 无铅器件,#表示无铅产品,可能在顶部或底部进行标识。
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封装选项
RT-5
RT-5
RT-5
RT-5
RT-5
RT-5
标识
HAB
HAB
HAB
HAB#
HAB#
HAB#
AD8067
注释
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AD8067
注释
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registered trademarks are the property of their respective owners.
C03205sc–0–5/06(A)
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