日本語版

最大130µVの低オフセット電圧、
TSOT、オペアンプ
AD8677
ピン配置
特長
1
V–
2
図1.
医療用計測器、工業用計測器
センサーおよび制御
熱電対
1
–IN
2
+IN 3
RTD
歪みブリッジ
シャント電流測定
高精度フィルタ
AD8677
上面図
（実寸ではありません）
4
NC＝無接続
図2.
4
–IN
5ピンTSOT（UJ-5）
NULL
V–
V+
上面図
（実寸ではありません）
+IN 3
アプリケーション
5
AD8677
05578-001
OUT
8
NULL
7
V+
6
OUT
5
NC
05578-002
低オフセット電圧：130µV（max）
入力オフセット・ドリフト：1.5µV/℃（max）
低ノイズ：0.25µVp-p
高ゲイン、CMRR、PSRR：115dB（min）
低電源電流：1.1mA
広い動作電源電圧範囲：±4∼±18V
8ピンSOIC_N（R-8）
概要
AD8677 は、次世代の高精度超低オフセット・アンプです。
OP07の高性能をベースにし、低消費電流（1.1mA typ）、低入
力バイアス電流（±1nA max ）、高いCMRR/PSRR （130dB ）
を小型の TSOT パッケージに集積しています。動作は、± 5 ∼
±15V電源で完全に仕様規定されています。
アナログ・デバイセズの iPolar TMプロセスを採用した AD8677
は、業界標準の OP07 タイプのアンプより高い精度を提供し、
小さなフットプリントで優れた性能を発揮します。広出力振幅、
低消費電力、高 CMRR （同相ノイズ除去比）、高 PSRR （電源
電圧変動除去比）など、高い性能を提供します。 AD8677 は、
時間の経過や温度の変化にほとんど左右されずにオフセットと
ゲインの安定性を維持します。クローズド・ループ・ゲインが
高い場合も、優れた直線性とゲイン精度を維持できます。
AD8677は−40∼＋125℃の拡張工業用温度範囲で完全に仕様
規定されています。AD8677アンプは、小型の5ピンTSOTパッ
ケージ、および普及型の鉛フリー、 8 ピン SOIC ナロー・パッ
ケージを採用しています。
REV. 0
アナログ・デバイセズ株式会社
アナログ・デバイセズ社は、提供する情報が正確で信頼できるものであることを期していますが、その情報の
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せん。また、アナログ・デバイセズ社の特許または特許の権利の使用を明示的または暗示的に許諾するもので
もありません。仕様は、予告なく変更される場合があります。本紙記載の商標および登録商標は、各社の所有
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電話06（6350）6868
AD8677
目次
特長 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
アプリケーション . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
概要 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
ピン配置 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
改訂履歴 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
仕様 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
絶対最大定格 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
熱抵抗. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
ESDに関する注意 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
代表的な性能特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
外形寸法 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
オーダー・ガイド. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
改訂履歴
11/05―Revision 0: Initial Version
―2―
REV. 0
AD8677
仕様
特に指定のない限り、VS＝±5.0V、TA＝＋25℃。
表1
パラメータ
記号
テスト条件／備考
Min
Typ
Max
単位
40
130
µV
入力特性
オフセット電圧
VOS
−40℃≦TA≦＋125℃
入力バイアス電流
IB
入力オフセット電流
IOS
350
µV
0.2
1
nA
1
nA
0.1
1
nA
−40℃≦TA≦＋125℃
−40℃≦TA≦＋125℃
−3.5
入力電圧範囲
同相ノイズ除去比
オープン・ループ・ゲイン
オフセット電圧ドリフト
CMRR
AVO
VCM＝±3V
120
−40℃≦TA≦＋125℃
120
RL＝2kΩ（GNDに接続）、VO＝±3V
1000
−40℃≦TA≦＋125℃
1000
ΔVOS /ΔT
−40℃≦TA≦＋125℃
VOUT
RL＝10kΩ（GNDに接続）
1
nA
＋3.5
V
127
dB
dB
10000
V/mV
V/mV
0.5
1.4
µV/℃
出力特性
出力電圧振幅
±3.95
−40℃≦TA≦＋125℃
±3.95
RL＝2kΩ（GNDに接続）
±3.9
−40℃≦TA≦＋125℃
±3.9
短絡時の最大電流
ISC
出力電流
IO
VO＝3.5V
PSRR
VS＝±4.0∼±18.0V
115
−40℃≦TA≦＋125℃
110
±4.1
V
V
±4
V
27
mA
15
mA
V
電源
電源電圧変動除去比
電源電流／アンプ
ISY
VO＝0V
130
dB
dB
1.1
−40℃≦TA≦＋125℃
1.25
mA
1.7
mA
動的性能
スルーレート
SR
ゲイン帯域幅積
GBP
RL＝10kΩ
位相マージン
0.2
V/µs
0.6
MHz
80
度
ノイズ性能
電圧ノイズ
en p-p
0.1∼10Hz
0.28
µVp-p
電圧ノイズ密度
en
f＝1kHz
10
nV/ Hz
電流ノイズ密度
in
f＝1kHz
0.074
pA/ Hz
REV. 0
―3―
AD8677
特に指定のない限り、VS＝±15V、TA＝＋25℃。
表2
パラメータ
記号
テスト条件／備考
Min
Typ
Max
単位
45
130
µV
350
µV
0.2
1
nA
1
nA
0.2
1
nA
1
nA
入力特性
オフセット電圧
VOS
入力バイアス電流
IB
入力オフセット電流
IOS
−40℃≦TA≦＋125℃
−40℃≦TA≦＋125℃
−40℃≦TA≦＋125℃
−13.5
入力電圧範囲
同相ノイズ除去比
CMRR
VCM＝±13.0V
120
オープン・ループ・ゲイン
AVO
オフセット電圧ドリフト
ΔVOS /ΔT
−40℃≦TA≦＋125℃
VOUT
RL＝10kΩ（GNDに接続）
−40℃≦TA≦＋125℃
120
RL＝2kΩ（GNDに接続）、VO＝±11V
1000
−40℃≦TA≦＋125℃
1000
＋13.5 V
140
dB
10000
V/mV
dB
V/mV
0.5
1.5
µV/℃
出力特性
出力電圧振幅
±13.95 14
V
−40℃≦TA≦＋125℃
±13.9
V
RL＝2kΩ（GNDに接続）
±13.75 13.8
V
−40℃≦TA≦＋125℃
±13.7
V
短絡時の最大電流
ISC
出力電流
IO
VO＝13.5V
電源電圧変動除去比
PSRR
VS＝±4.0∼±18.0V
115
−40℃≦TA≦＋125℃
110
電源電流／アンプ
ISY
30
mA
15
mA
130
dB
電源
VO＝0V
dB
1.1
−40℃≦TA≦＋125℃
1.3
mA
1.8
mA
動的性能
スルーレート
SR
ゲイン帯域幅積
GBP
RL＝10kΩ
位相マージン
0.2
V/µs
0.6
MHz
80
度
ノイズ性能
電圧ノイズ
en p-p
0.1∼10Hz
0.25
µVp-p
電圧ノイズ密度
en
f＝1kHz
10
nV/ Hz
電流ノイズ密度
in
f＝1kHz
0.074
pA/ Hz
―4―
REV. 0
AD8677
絶対最大定格
表3
パラメータ
定格値
電源電圧
±18V
左記の絶対最大定格を超えるストレスを加えると、デバイスに
恒久的な損傷を与えることがあります。この規定はストレス定
格のみを指定するものであり、この仕様の動作セクションに記
載する規定値以上でのデバイス動作を定めたものではありませ
ん。デバイスを長時間絶対最大定格状態に置くと、デバイスの
信頼性に影響を与えることがあります。
入力電圧
＋V電源
差動入力電圧
±0.7V
GNDへの出力短絡時間
無期限
熱抵抗
保存温度範囲
UJ-5、Rパッケージ
−65∼＋150°C
θJAは、最悪の条件、すなわち回路ボードに表面実装パッケージ
をハンダ付けした状態で規定しています。
動作温度範囲
−40∼＋125°C
表4
ジャンクション温度範囲
RM、Rパッケージ
−65∼＋150°C
ピン温度（ハンダ処理、10秒）
＋300°C
パッケージ・タイプ
θJA
θJC
単位
5ピンTSOT（UJ-5）
207
61
℃/W
8ピンSOIC（R-8）
158
43
℃/W
注意
ESD（静電放電）の影響を受けやすいデバイスです。人体や試験機器には4000Vもの高圧の静
電気が容易に蓄積され、検知されないまま放電されることがあります。本製品は当社独自の
ESD保護回路を内蔵してはいますが、デバイスが高エネルギーの静電放電を被った場合、回復
不能の損傷を生じる可能性があります。したがって、性能劣化や機能低下を防止するため、
ESDに対する適切な予防措置を講じることをお勧めします。
REV. 0
―5―
AD8677
代表的な性能特性
50
45
V S = ±15V
V S = ±15V
45
40
40
35
30
30
アンプの数
25
20
25
20
15
15
10
05578-003
10
5
0
–100 –80
–60
–40
–20
0
20
40
60
80
05578-048
アンプの数
35
5
0
100
0
0.15
0.30
0.45
V OS (µV)
0.60
0.75
0.90
1.05
図6.
図3. 入力オフセット電圧の分布
40
アンプの数 対 TCVOS
200
V S = ±5V
V S = ±15V
150
30
100
25
50
20
0
15
–50
10
–100
5
–150
0
–100 –80
–60
–40
–20
0
20
40
60
80
–200
–50
100
05578-005
V O S ( µV )
35
05578-004
アンプの数
1.20
TCV OS (µV/°C)
0
50
100
150
温度（℃）
V OS (µV)
図4. 入力オフセット電圧の分布
図7. オフセット電圧の温度特性
50
200
V S = ±5V
V S = ±5V
150
40
50
V O S ( µV )
30
20
0
–50
–100
10
0
0
0.15
0.30
0.45
0.60
0.75
0.90
–200
–50
1.05
05578-006
–150
05578-047
アンプの数
100
0
TCV OS (µV/°C)
図5.
50
100
150
温度（℃）
図8.
アンプの数 対 TCVOS
―6―
オフセット電圧の温度特性
REV. 0
AD8677
1.6
–13.92
V S = ±15V
RL = 10kΩ
–13.94
1.4
V S = ±15V
–13.96
–13.98
V OL ( V )
I SY ( m A )
1.2
V S = ±5V
1.0
0.8
–14.00
–14.02
–14.04
–14.06
0.4
–50
0
50
100
05578-011
05578-007
0.6
–14.08
–14.10
–50
150
0
50
温度（℃）
図9.
100
150
温度（℃）
図12.
電源電流の温度特性
14.40
−VOUTの温度特性
–3.98
V S = ±15V
RL = 10kΩ
V S = ±5V
RL = 10kΩ
–4.00
14.35
–4.02
–4.04
V OL ( V )
V OH ( V )
14.30
14.25
–4.06
–4.08
–4.10
14.20
–4.12
14.10
–50
0
50
100
05578-012
05578-009
14.15
–4.14
–4.16
–50
150
0
図10.
50
100
150
温度（℃）
温度（℃）
＋VOUTの温度特性
図13. −VOUTの温度特性
0
4.45
V S = ±5V
RL = 10kΩ
V S = ±15V
4.40
–0.1
4.35
IB ( n A )
V OH ( V )
–0.2
4.30
–0.3
4.25
05578-010
4.15
–50
0
50
100
05578-013
–0.4
4.20
–0.5
–50
150
0
図11.
REV. 0
50
100
温度（℃）
温度（℃）
＋VOUTの温度特性
図14.
―7―
入力バイアス電流の温度特性
150
AD8677
0
150
V S = ±5V
V S = ±4∼±18V
–0.05
–0.10
140
PSRR ( dB)
IB ( n A )
–0.15
–0.20
–0.25
130
05578-014
–0.35
–0.40
–50
0
50
100
120
–50
150
05578-019
–0.30
0
50
図15.
100
150
温度（℃）
温度（℃）
図18.
入力バイアス電流の温度特性
146
PSRRの温度特性
40
144
V S = ±15V
142
V S = ±15V
140
30
ISC ( mA )
CMRR ( dB)
138
134
134
132
V S = ±5V
20
130
124
–50
0
50
05578-015
V S = ±5V
126
100
10
–50
150
05578-020
128
0
50
図16.
100
150
温度（℃）
温度（℃）
CMRRの温度特性
図19.
16000
短絡電流の温度特性
1.4
RL = 2kΩ
14000
1.2
V S = ±15V
10000
8000
V S = ±5V
0.8
0.6
6000
0.4
4000
0.2
2000
–50
0
50
100
05578-022
電源電流（mA）
1.0
0 5578-017
A V O ( V /mV )
12000
0
0
150
10
温度（℃）
図17.
20
30
40
電源電圧（V）
図20.
オープン・ループ・ゲインの温度特性
―8―
合計電源電圧 対 電源電流
REV. 0
AD8677
50
10
V S = ±15V
V IN = 28mV
RL = ∞
CL = 20pF
V S = ±15V
0.1
0.01
0.1
1
10
40
G = +100
30
G = +10
20
10
G = +1
0
05578-026
クローズド・ループ・ゲイン（dB）
V OL = –V OUT
1
05578-023
V SY – V O UT ( V )
V OH = +VOUT
–10
100
100
1k
10k
ILOAD (mA)
図21.
100k
図24. クローズド・ループ・ゲインの周波数特性
負荷電流 対 出力電圧振幅
50
10
V S = ±5V
V IN = 28mV
RL = ∞
CL = 20pF
V OH = +VOUT
0.1
0.01
0.1
1
10
G = +100
40
30
G = +10
20
10
G = +1
0
05578-027
クローズド・ループ・ゲイン（dB）
V OL = –V OUT
1
05578-024
V SY – V OUT ( V )
V S = ±5V
–10
100
100
1k
10k
ILOAD (mA)
100
30
80
60
40
20
40
ゲイン
–OS
0
オーバーシュート（％）
ゲイン
60
20
10k
100k
1M
0
10M
+OS
20
15
10
5
05578-025
V S = ±15V
RL = ∞
CL = 20pF
Φ m = 80度
V S = ±15V
V IN = ±50mV
G = +1
25
80
位相マージン（度）
位相
1k
0
0
2
REV. 0
4
6
8
10
CLOAD (nF)
周波数（Hz）
図23.
1M
図25. クローズド・ループ・ゲインの周波数特性
負荷電流 対 出力電圧振幅
100
–40
100
100k
周波数（Hz）
05578-028
図22.
–20
1M
周波数（Hz）
図26.
オープン・ループ・ゲインと位相の
周波数特性
―9―
容量性負荷 対 オーバーシュート
12
AD8677
30
100
V S = ±5V
V IN = ±50mV
G = +1
25
–OS
10
G = +100
20
RO UT ( Ω)
オーバーシュート（％）
+OS
V S = ±15V
V IN = 28mV
RL = ∞
CL = 20pF
15
G = +10
1
G = +1
10
0.1
0
0
2
4
6
8
10
05578-032
05578-029
5
0.01
10
12
100
1k
CLOAD (nF)
図27.
10k
100k
1M
周波数（Hz）
図30.
容量性負荷 対 オーバーシュート
112
100
V S = ±15V
110
V S = ±5V
V IN = 28mV
RL = ∞
CL = 20pF
10
108
出力インピーダンスの周波数特性
G = +100
RO UT ( Ω)
104
G = +10
1
G = +1
102
0.1
100
05578-030
98
96
100
1k
10k
100k
05578-033
CMRR ( dB)
106
0.01
10
1M
100
1k
図28.
10k
100k
1M
周波数（Hz）
周波数（Hz）
CMRRの周波数特性
図31.
出力インピーダンスの周波数特性
100
100
V S = ±15V
–PSRR
電圧ノイズ密度（nV/ Hz）
60
40
+PSRR
10
0
10
100
1k
10k
100k
05578-034
20
05578-031
PSRR ( dB)
80
1
0.1
1M
1
周波数（Hz）
図29.
10
100
1k
周波数（Hz）
PSRRの周波数特性
図32.
― 10 ―
電圧ノイズ密度の周波数特性
REV. 0
AD8677
10
V S = ±5V
CL = 1nF
G = +1
V IN = 4V p-p
出力電圧（IV/DIV）
V S = ±15V
i n ( pA / Hz )
1
05578-035
05578-039
0.1
2
0.01
0.1
1
10
100
時間（100µs/DIV）
1k
周波数（Hz）
図33.
図36.
電流ノイズ密度の周波数特性
400mV
V S = ±5Vおよび±15V
CL = 1nF
G = +1
V IN = 100mV p-p
出力電圧（100mV/DIV）
大信号過渡応答
V S = ±15V
V IN = 200mV
G = –100
回復 = 1µs
200mV
V IN
0V
–200mV
2
0V
–5V
V OUT
05578-036
–10V
–20V
時間（100µs/DIV）
図34.
05578-040
–15V
時間（10µs/DIV）
図37.
小信号過渡応答
正側過負荷回復
400mV
V S = ±15V
CL = 1nF
G = +1
V IN = 4V p-p
200mV
V IN
V S = ±15V
V IN = 200mV
G = –100
回復 = 5µs
出力電圧（IV/DIV）
0V
–200mV
2
15V
10V
V OUT
05578-038
5V
–5V
時間（100µs/DIV）
図35.
REV. 0
05578-041
0V
時間（10µs/DIV）
図38.
大信号過渡応答
― 11 ―
負側過負荷回復
AD8677
1200mV
V S = ±15V
VN p-p = 0.24µV
V IN
電圧ノイズ（0.2µV/DIV）
V S = ±5V
V IN = 600mV
G = –10
回復 = 2.4µs
600mV
0V
–600mV
0V
V OUT
–2V
1
05578-042
–6V
05578-045
–4V
–8V
時間（1s/DIV）
時間（4µs/DIV）
図39.
図42.
正側過負荷回復
電圧ノイズ（0.1∼10Hz）
1200mV
20kΩ
V+
V S = ±5V
V IN = 600mV
G = –10
回復 = 5.6µs
V IN
1
–
0V
2
+
4V
7
AD8677
入力
–600mV
–
8
3
+
4
V–
5
出力
V OS のトリム範囲は
±3.5mV（typ）です
05578-049
600mV
V OUT
2V
図43.
0V
05578-043
–2V
オプションのオフセット・ゼロ化回路
–4V
時間（4µs/DIV）
図40.
負側過負荷回復
V S = ±5V
V IN = ±5.7V
V IN
V OUT
05578-044
2
時間（400µs/DIV）
図41.
位相反転なし
― 12 ―
REV. 0
AD8677
外形寸法
2.90 BSC
5
5.00 (0.1968)
4.80 (0.1890)
4
2.80 BSC
1
2
4.00 (0.1574)
3.80 (0.1497)
3
8
5
1
4
6.20 (0.2440)
5.80 (0.2284)
1番ピン
0.95 BSC
1.27 (0.0500)
BSC
1.90
BSC
*0.90
0.87
0.84
0.25 (0.0098)
0.10 (0.0040)
*1.00 MAX
0.10 MAX
0.50
0.30
0.20
0.08
実装面
8°
4°
0°
平坦性
0.10
0.60
0.45
0.30
0.51 (0.0201)
0.31 (0.0122)
0.50 (0.0196)
x 45°
0.25 (0.0099)
8°
0.25 (0.0098) 0° 1.27 (0.0500)
0.40 (0.0157)
0.17 (0.0067)
JEDEC規格MS-012-AAに準拠
管理寸法はミリメートルの単位で表記しています。カッコ内に示すインチ単位の寸法は、
ミリメートル値に基づく概数で、参考のためにのみ記載しています。
設計ではこの値を使用しないでください。
*パッケージの高さと厚さを除き、JEDEC規格MO-193-ABに準拠
図44.
実装面
1.75 (0.0688)
1.35 (0.0532)
図45.
5ピン薄型スモール・アウトライン・トランジスタ・
パッケージ［TSOT］
（UJ-5）
寸法単位：mm
8ピン標準スモール・アウトライン・パッケージ
［SOIC_N］
ナロー・ボディ
（R-8）
寸法単位：mm（インチ）
オーダー・ガイド
モデル
温度範囲
パッケージ
パッケージ・
オプション
AD8677ARZ
−40∼＋125℃
8ピン標準スモール・アウトライン・パッケージ［SOIC_N］ R-8
AD8677ARZ-REEL1
−40∼＋125℃
8ピン標準スモール・アウトライン・パッケージ［SOIC_N］ R-8
−40∼＋125℃
8ピン標準スモール・アウトライン・パッケージ［SOIC_N］ R-8
−40∼＋125℃
5ピン薄型スモール・アウトライン・
1
AD8677ARZ-REEL7
1
AD8677AUJZ-R21
マーキング
UJ-5
A0E
UJ-5
A0E
UJ-5
A0E
トランジスタ・パッケージ［TSOT］
AD8677AUJZ-REEL1
−40∼＋125℃
5ピン薄型スモール・アウトライン・
トランジスタ・パッケージ［TSOT］
AD8677AUJZ-REEL71 −40∼＋125℃
5ピン薄型スモール・アウトライン・
トランジスタ・パッケージ［TSOT］
1
Z＝鉛フリー製品
REV. 0
― 13 ―
D05578-0-11/05(0)-J
1.60 BSC