日本語版

1µAマイクロパワーCMOSオペアンプ
AD8502/AD8504
電源電流：1アンプ当たり最大1µA
オフセット電圧：最大3mV
単電源動作または両電源動作
レールtoレールの入力および出力
位相反転なし
ユニティ・ゲイン安定
OUT A 1
–IN A
2
AD8502
TOP VIEW
+IN A 3 (Not to Scale)
V–
4
8
V+
7
OUT B
6
–IN B
5
+IN B
06323-001
ピン配置
特長
携帯型機器
リモート・センサ
低消費電力フィルタ
スレッショールド検出器
電流検知
OUT A
1
14
OUT D
–IN A
2
13
–IN D
+IN A
3
AD8504
12
+IN D
V+
4
TOP VIEW
(Not to Scale)
11
V–
+IN B
5
10
+IN C
–IN B
6
9
–IN C
OUT B
7
8
OUT C
06323-038
図1. 8ピンSOT-23
アプリケーション
図2. 14ピンTSSOP（RU-14）
概要
AD8502/AD8504 は、電源電流最大 1µ A の高精度低消費電力
CMOSオペアンプです。最大3mVのオフセット電圧と1pA（代
表値）の入力バイアス電流を持ち、入力と出力でレールtoレー
ルの動作が可能です。AD8502/AD8504は、＋1.8∼＋5.5Vの
単電源、または±0.9∼±2.75Vの両電源で動作します。
AD8502/AD8504は消費電流と入力バイアス電流が小さく、入
力と出力でレールtoレール動作が可能であるため、バッテリ電
源で動作する各種の携帯型機器アプリケーションに最適です。
このアプリケーションとしては、臨床モニタ、心拍モニタ、血
糖値測定器、煙/火災検知器、振動モニタ、バックアップ用バッ
テリ・センサなどがあります。
REV. 0
アナログ・デバイセズ株式会社
入力と出力でレールtoレールの振幅動作が可能なため、非常に
低い電圧で動作するシステムでダイナミック・レンジを広げ、
信号対ノイズ比を大きくすることができます。AD8502/
AD8504はオフセット電圧が低いため、高ゲイン・システムで
使用しても、大きい出力オフセット誤差が生じることはありま
せん。また、高い精度が常に維持されるため、システム・キャ
リブレーションを実行する必要もありません。
AD8502/AD8504は、工業用温度範囲（−40∼＋85℃）と拡張
工業用温度範囲（−40∼＋125℃）で仕様が規定されています。
AD8502は8ピンのSOT-23表面実装パッケージを、AD8504は
14 ピンのTSSOP 表面実装パッケージを、それぞれ採用してい
ます。
アナログ・デバイセズ社は、提供する情報が正確で信頼できるものであることを期していますが、その情報の
利用に関して、あるいは利用によって生じる第三者の特許やその他の権利の侵害に関して一切の責任を負いま
せん。また、アナログ・デバイセズ社の特許または特許の権利の使用を明示的または暗示的に許諾するもので
もありません。仕様は、予告なく変更される場合があります。本紙記載の商標および登録商標は、各社の所有
に属します。
※日本語データシートはREVISIONが古い場合があります。最新の内容については、英語版をご参照ください。
© 2007 Analog Devices, Inc. All rights reserved.
本 社／ 〒105-6891 東京都港区海岸1-16-1 ニューピア竹芝サウスタワービル
電話03（5402）8200
大阪営業所／ 〒532-0003 大阪府大阪市淀川区宮原3-5-36 新大阪MTビル2号
電話06（6350）6868
AD8502/AD8504
目次
特長 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
アプリケーション . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
ピン配置 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
概要 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
改訂履歴 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
仕様 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
電気的特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
絶対最大定格 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
熱抵抗 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
ESDに関する注意 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
代表的な性能特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
外形寸法 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
オーダー・ガイド . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
改訂履歴
1/07―Revision 0: Initial Version
―2―
REV. 0
AD8502/AD8504
仕様
電気的特性
特に指定のない限り、VS＝5 V、VCM＝VS/2、TA＝25℃。
表1
Parameter
Symbol
Conditions
INPUT CHARACTERISTICS
Offset Voltage
VOS
0 V < VCM < 5 V
–40℃ < TA < +85℃
–40℃ < TA < +125℃
–40°C < TA < +85℃
–40℃ < TA < +125℃
0 V < VCM < 5 V
–40℃ < TA < +85℃
–40℃ < TA < +125℃
0 V < VCM < 5 V
–40℃ < TA < +85℃
–40℃ < TA < +125℃
Offset Voltage Drift
ΔVOS/ΔT
Input Bias Current
IB
Input Offset Current
IOS
Input Voltage Range
IVR
Common-Mode Rejection Ratio CMRR
Large Signal Voltage Gain
AVO
Input Capacitance
CDIFF
CCM
OUTPUT CHARACTERISTICS
Output Voltage High
Output Voltage Low
Short-Circuit Current
POWER SUPPLY
Power Supply Rejection Ratio
Supply Current/Amplifier
DYNAMIC PERFORMANCE
Slew Rate
Gain Bandwidth Product
Phase Margin
REV. 0
VOH
VOL
ISC
PSRR
ISY
SR
GBP
ØO
Min
0 V < VCM < 5 V
–40℃ < TA < +85℃
–40℃ to +125℃
0.1 V < VOUT < 4.9 V; RLOAD = 1 MΩ
0.1 V < VOUT < 4.9 V; –40℃ < TA < +85℃
0.1 V < VOUT < 4.9 V; –40℃ < TA < +125℃
Typ
Max
Unit
0.5
3
5
5.5
mV
mV
mV
µV/℃
µV/℃
pA
pA
pA
pA
pA
pA
V
dB
dB
dB
dB
dB
dB
pF
pF
7
5
1
0.5
0
67
65
65
98
93
75
10
100
600
5
50
100
5.0
76
120
2
4.5
RLOAD = 100 kΩ to GND
–40℃ < TA < +85℃
–40℃ to +125℃
RLOAD = 10 kΩ to GND
–40℃ < TA < +85℃
–40℃ to +125℃
RLOAD = 100 kΩ to VS
–40℃ < TA < +85℃
–40℃ to +125℃
RLOAD = 10 kΩ to VS
–40℃ < TA < +85℃
–40℃ to +125℃
VOUT = GND
4.970
4.960
4.950
4.900
4.810
4.650
1.8 V < VS < 5 V
–40℃ < TA < +85℃
–40℃ < TA < +125℃
VO = VS/2
–40℃ < TA < +85℃
–40℃ < TA < +125℃
85
66
66
RLOAD = 1 MΩ
4.990
4.930
1.6
15
±5
105
0.75
0.004
7
60
―3―
5
7
7
20
37
40
1
1.5
2
V
V
V
V
V
V
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mA
dB
dB
dB
µA
µA
µA
V/µs
kHz
Degrees
AD8502/AD8504
Parameter
Symbol
Conditions
Min
NOISE PERFORMANCE
Peak-to-Peak Noise
Voltage Noise Density
Current Noise Density
en
in
0.1 Hz to 10 Hz
f = 1 kHz
f = 1 kHz
Typ
Max
6
190
0.1
Unit
µV p-p
nV/ Hz
pA/ Hz
特に指定のない限り、VS＝1.8V、VCM＝VS/2、TA＝25℃。
表2
Parameter
Symbol
Conditions
INPUT CHARACTERISTICS
Offset Voltage
VOS
0 V < VCM < 1.8 V
–40℃ < TA < +85℃
–40℃ < TA < +125℃
–40℃ < TA < +85℃
–40℃ < TA < +125℃
0 V < VCM < 1.8 V
–40℃ < TA < +85℃
–40℃ < TA < +125℃
0 V < VCM < 1.8 V
–40℃ < TA < +85℃
–40℃ < TA < +125℃
Offset Voltage Drift
ΔVOS/ΔT
Input Bias Current
IB
Input Offset Current
IOS
Input Voltage Range
IVR
Common-Mode Rejection Ratio CMRR
Large Signal Voltage Gain
AVO
Input Capacitance
CDIFF
CCM
OUTPUT CHARACTERISTICS
Output Voltage High
Output Voltage Low
Short-Circuit Current
POWER SUPPLY
Power Supply Rejection Ratio
Supply Current/Amplifier
VOH
VOL
Min
0 V < VCM < 1.8 V
–40℃ < TA < +85℃
–40℃ < TA < +125℃
0.1 V < VOUT < 1.7 V; RLOAD = 1 MΩ
0.1 V < VOUT < 1.7 V; –40℃ < TA < +85℃
0.1 V < VOUT < 1.7 V; –40℃ < TA < +125℃
ISY
Max
Unit
0.5
3
5
5.5
mV
mV
mV
µV/℃
µV/℃
pA
pA
pA
pA
pA
pA
V
dB
dB
dB
dB
dB
dB
pF
pF
7
5
1
0.5
0
59
56
55
88
80
65
10
100
600
5
50
100
1.8
75
110
2
4.5
RLOAD = 100 kΩ to GND
–40℃ < TA < +85℃
–40℃ to +125℃
RLOAD = 10 kΩ to GND
–40℃ < TA < +85℃
–40℃ to +125℃
RLOAD = 100 kΩ to VS
–40℃ < TA < +85℃
–40℃ to +125℃
RLOAD = 10 kΩ to VS
–40℃ < TA < +85℃
–40℃ to +125℃
1.79
1.78
1.7
1.75
1.70
1.65
1.795
1.764
1.0
10
ISC
PSRR
Typ
5
6
7
20
28
29
±5
1.8 V < VS < 5 V
–40℃ < TA < +85℃
–40℃ < TA < +125℃
VO = VS/2
1
dB
dB
dB
µA
–40℃ < TA < +85℃
1.5
µA
–40℃ < TA < +125℃
2
µA
―4―
85
66
66
105
V
V
V
V
V
V
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mA
0.65
REV. 0
AD8502/AD8504
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Slew Rate
SR
RLOAD = 1 MΩ
0.004
V/µs
Gain Bandwidth Product
GBP
7
kHz
Phase Margin
ØO
60
Degrees
0.1 Hz to 10 Hz
6
µV p-p
DYNAMIC PERFORMANCE
NOISE PERFORMANCE
Peak-to-Peak Noise
Voltage Noise Density
en
f = 1 kHz
190
nV/ Hz
Current Noise Density
in
f = 1 kHz
0.1
pA/ Hz
REV. 0
―5―
AD8502/AD8504
絶対最大定格
特に指定のない限り、TA＝25℃。
熱抵抗
表3
θJAは、最悪の条件、すなわち回路ボードに表面実装パッケージ
をハンダ付けした状態で規定しています。
Parameter
Rating
Supply Voltage
6V
Input Voltage
VSS –0.3 V to VDD + 0.3 V
Differential Input Voltage
±6 V
表4.
Output Short-Circuit Duration to GND Indefinite
Storage Temperature Range
–65℃ to +150℃
Operating Temperature Range
–40℃ to +125℃
Junction Temperature Range
–65℃ to +150℃
熱抵抗
Package type
θJA
θJC
Unit
8-Lead SOT_23 (RJ-8)
376
126
℃/W
14-Lead TSSOP (RU-14)
180
35
℃/W
ESDに関する注意
ESD（静電放電）の影響を受けやすいデバイス
です。電荷を帯びたデバイスや回路ボードは、
検知されないまま放電することがあります。本
製品は当社独自の特許技術であるESD保護回路
を内蔵してはいますが、デバイスで高エネル
ギーの静電放電が発生した場合、損傷を生じる
可能性があります。性能劣化や機能低下を防止
するため、ESDに対して適切な予防措置をとる
ことが推奨されます。
Lead Temperature (Soldering, 60 sec) 300℃
上記の絶対最大定格を超えるストレスを加えると、デバイスに
恒久的な損傷を与えることがあります。この規定はストレス定
格のみを指定するものであり、この仕様の動作セクションに記
載する規定値以上でのデバイス動作を定めたものではありませ
ん。デバイスを長時間絶対最大定格状態に置くと、デバイスの
信頼性に影響を与えることがあります。
特に指定のない限り、絶対最大定格は25℃で適用します。
―6―
REV. 0
AD8502/AD8504
代表的な性能特性
1000
160
140
INPUT BIA S CURRE NT ( pA )
100
NUMBER OF A MPL IF IE RS
120
100
80
60
40
10
1
0.1
0.01
–1800 –1200
–600
0
600
1200
1800
2400
V OS (µV)
図3.
0.001
–40
06323-002
0
–2400
–20
0
20
40
60
80
100
120
TEMPERATURE (°C)
入力オフセット電圧分布（0V＜VC＜5.0V）、VS＝5V
図6.
200
06323-005
20
入力バイアス電流の温度特性、VS＝1.8Vおよび5V
1000
IB (+125°C)
100
50
IB (+85°C)
10
1
IB (+25°C)
0.1
0.01
1
3
図4.
5
7
9
11 13 15 17
TCV OS (µV/°C)
19
21
23
25
0.001
06323-003
0
IB (–40°C)
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
06323-006
INPUT BIA S CURRE NT ( pA )
NUMBER O F A MPL IF IERS
100
150
5.0
V CM (V)
図7. 同相電圧 対 入力バイアス電流、VS＝5V
入力オフセット電圧の温度ドリフト分布
（−40℃＜TA＜＋85℃）、VS＝5V
1000
70
800
60
NUMBER OF A MPL IF IE RS
600
V O S ( µV )
400
200
0
–200
–400
50
40
30
20
–600
10
0
1
図5.
REV. 0
2
3
V CM (V)
4
5
0
0.5
06323-004
–1000
0.6
0.7
0.8
0.9
ISY (µA)
同相電圧 対 入力オフセット電圧、VS＝5V
図8. 電源電流分布、VS＝5V
―7―
1.0
06323-007
–800
AD8502/AD8504
1000
OUT PUT SA T URA TION V OL TA G E ( mV )
0.9
0.8
0.7
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
1
2
3
4
5
6
V S (V)
図9.
0.1
0.01
0.1
1
LOAD CURRENT (mA)
図12.
入力同相電圧 対 電源電流
1.2
負荷電流 対 出力飽和電圧、VS＝5V
OUTPUT SA T URA TION V OL TA G E ( mV )
100
1.0
ISY @ 5.0V
0.8
I SY ( µ A )
SINK
1
0.01
0.001
06323-008
0
SOURCE
10
0.6
ISY @ 1.8V
0.4
0
–40
–25
–10
5
20
35
50
65
80
95
110
125
TEMPERATURE (°C)
図10.
06323-009
0.2
V OH @ 10k Ω LOAD
10
V OL @ 10k Ω LOAD
V OH @ 100k Ω LOAD
1
V OL @ 100k Ω LOAD
0.1
–40
–15
10
35
60
06323-012
I SY ( µ A )
0.6
100
06323-011
1.0
85
TEMPERATURE (°C)
図13.
電源電流の温度特性
900
出力飽和電圧の温度特性、VS＝5V
80
120
60
90
40
60
20
30
0
0
750
700
–20
–30
–40
–60
–60
–90
600
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
V CM (V)
図11.
5.0
–80
10
100
1k
10k
–120
100k
FREQUENCY (Hz)
入力同相電圧 対 電源電流、VS＝5V
図14.
―8―
オープンループ・ゲインの周波数特性、VS＝5V
REV. 0
06323-013
650
06323-010
I SY ( n A )
800
PHA SE MA RG IN ( Deg rees)
OPE N-L O O P G A IN ( dB)
850
AD8502/AD8504
0.20
120
110
0.15
100
0.10
90
0.05
70
V OUT ( V )
CMRR ( dB)
80
60
50
0
–0.05
40
–0.10
30
20
–0.15
0.1
1
10
FREQUENCY (kHz)
–0.20
–0.5
06323-014
0
0.01
0
0.5
1.0
06323-017
10
1.5
TIME (ms)
図15. CMRRの周波数特性、VS＝5V
図18.
100
小信号過渡応答（無負荷）、VS＝5V
0.20
90
0.15
80
0.10
0.05
60
V O UT ( V )
PS R R ( d B )
70
50
40
0
–0.05
30
–0.10
20
0.1
1
10
FREQUENCY (kHz)
–0.20
–0.5
06323-015
0
0.01
0.5
1.0
1.5
TIME (ms)
図16. PSRRの周波数特性、VS＝5V
図19.
小信号過渡応答（100pFの負荷容量）、VS＝5V
6
35
30
5
25
OS+
4
20
V O UT ( V )
O V ERSHOO T ( %)
0
06323-018
–0.15
10
OS–
15
3
2
10
100
1000
LOAD CAPACITANCE (pF)
図17.
REV. 0
0
–2
06323-016
0
10
–1
0
1
2
3
4
5
6
7
TIME (ms)
負荷容量 対 小信号オーバーシュート、VS＝5V
図20.
―9―
大信号過渡応答（無負荷）、VS＝5V
8
06323-019
1
5
AD8502/AD8504
1000
V OUT
06323-020
GAIN = +1
V IN = VS/2
TIME (s)
図21.
10
1
10
100
1k
FREQUENCY (Hz)
ターンオン時の過渡応答、VS＝5V
図24.
入力電圧ノイズ、VS＝5Vおよび1.8V
160
4
V OUT
V IN
3
140
2
NUMBE R O F A MPL IF IE RS
1
0
–1
–2
120
100
80
60
40
20
–3
–0.001
0.001
0.003
0.005
0.007
0.009
TIME (s)
図22.
0
–2400
06323-021
–4
–0.005 –0.003
06323-024
OUT PUT V OL T A G E ( V )
100
06323-023
100ms /DIV
V O L T A G E NOISE DE NSIT Y ( n V / Hz)
VS
–1800 –1200
位相反転なし、VS＝5V
図25.
4
–600
0
600
V OS (µV)
1200
1800
2400
入力オフセット電圧分布
（0V＜VCM＜1.8V）、VS＝1.8V
200
NUMBE R OF A MPL IF IERS
2
1
0
–1
–2
150
100
50
–4
–5
–4
–3
–2
–1
0
TIME (s)
1
2
3
4
5
0
1
図23. 0.1∼10Hzの入力電圧ノイズ、VS＝5Vおよび1.8V
3
図26.
― 10 ―
5
7
9
11 13 15 17
TCV OS (µV/°C)
19
21
23
25
06323-025
–3
06323-022
PE A K-TO -PE A K V O L T A GE ( µV )
3
入力オフセット電圧の温度ドリフト分布
（−40℃＜TA＜＋85℃）、VS＝1.8V
REV. 0
AD8502/AD8504
700
1000
800
600
650
200
ISY ( n A )
V O S ( µV )
400
0
600
–200
–400
550
–800
–1000
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
500
0
1.8
0.3
0.6
0.9
図27.
1000
入力同相電圧 対 入力オフセット電圧、VS＝1.8V
1.5
1.8
入力同相電圧 対 電源電流、VS＝1.8V
1000
OUTPUT SA TURA T ION V OL TA G E ( mV )
IB (+85°C)
10
IB ( pA )
図30.
IB (+125°C)
100
1
1.2
V CM (V)
V CM (V)
06323-029
06323-026
–600
IB (+25°C)
0.1
0.01
100
SOURCE
10
SINK
1
0.1
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
1.8
V CM (V)
入力同相電圧 対 入力バイアス電流、VS＝1.8V
図31.
O UT PUT SA T URA TION V OL TA G E ( mV )
NUMBE R O F A MPL IFIE RS
1
負荷電流 対 出力飽和電圧、VS＝1.8V
100
60
50
40
30
20
0.5
0.6
0.7
0.8
ISY (µA)
図29.
0.9
06323-028
10
REV. 0
0.1
LOAD CURRENT (mA)
70
0
0.4
0.01
V OH @ 10k Ω LOAD
10
V OL @ 10k Ω LOAD
V OH @ 100k Ω LOAD
1
V OL @ 100k Ω LOAD
0.1
–40
–15
10
35
60
TEMPERATURE (°C)
電源電流分布、VS＝1.8V
図32.
― 11 ―
出力飽和電圧の温度特性、VS＝1.8V
85
06323-031
図28.
0.01
0.001
06323-027
0
06323-030
IB (–40°C)
0.001
90
40
60
20
30
0
0
–20
–30
–40
–60
–60
–90
–80
10
100
1k
10k
30
20
OS+
15
10
5
–120
100k
FREQUENCY (Hz)
図33.
OS–
25
0
10
100
1000
LOAD CAPACITANCE (pF)
図35.
オープンループ・ゲインおよび位相の周波数特性、
VS＝1.8V
06323-034
60
35
O V E RSHOO T ( %)
120
PHA SE MA RG IN ( Degrees)
80
06323-032
O PE N-L O OP G A IN ( dB)
AD8502/AD8504
負荷容量 対 小信号オーバーシュート、VS＝1.8V
0.20
100
90
0.15
80
0.10
V O UT ( mV )
60
50
40
0.05
0
–0.05
30
–0.10
20
0.1
1
–0.20
–0.5
10
0
0.5
1.0
1.5
TIME (ms)
FREQUENCY (kHz)
図34. CMRRの周波数特性、VS＝1.8V
図36.
― 12 ―
06323-035
10
0
0.01
–0.15
06323-033
CMRR ( dB)
70
小信号過渡応答（無負荷）、VS＝1.8V
REV. 0
AD8502/AD8504
0
0.20
–10
1MΩ
1V p-p
0.15
10kΩ
CHA NNE L SE PA RA TIO N ( dB)
–20
0.10
V O UT ( mV )
0.05
0
–0.05
–0.10
–
–30
–40
+
V IN
–
10kΩ
10kΩ
A
–50
+
B, C, AND D
–60
–70
–80
–90
OUT C
–100
OUT D
OUT B
06323-039
–0.15
–110
0
0.5
1.0
1.5
TIME (ms)
図37.
–120
06323-036
–0.20
–0.5
100
60
図39.
2.0
1.8
1.6
V O UT ( mV )
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0
1
2
3
4
5
6
7
TIME (ms)
図38.
REV. 0
8
06323-037
0.2
–1
500
1k
2k
5k
10k
FREQUENCY (Hz)
小信号過渡応答（100pFの負荷容量）、VS＝1.8V
0
–2
200
大信号過渡応答（無負荷）、VS＝1.8V
― 13 ―
チャンネル・セパレーション
20k
AD8502/AD8504
外形寸法
5.10
5.00
4.90
2.90 BSC
8
7
1
2
6
5
14
2.80 BSC
1.60 BSC
3
8
4.50
4.40
4.30
4
PIN 1
INDICATOR
6.40
BSC
0.65 BSC
1.45 MAX
0.38
0.22
0.15 MAX
0.22
0.08
SEATING
PLANE
8°
4°
0°
0.65
BSC
1.05
1.00
0.80
0.60
0.45
0.30
1.20
MAX
0.15
0.05
COMPLIANT TO JEDEC STANDARDS MO-178-BA
図40.
7
PIN 1
0.30
0.19
SEATING
PLANE
0.20
0.09
0.75
0.60
0.45
8°
0°
COPLANARITY
0.10
COMPLIANT TO JEDEC STANDARDS MO-153-AB-1
8ピン・スモール・アウトライン・トランジスタ・
パッケージ［SOT-23］
図41.
14ピン薄型シュリンク・スモール・アウトライン・
パッケージ［TSSOP］
（RJ-8）
（RU-14）
寸法単位：mm
寸法単位：mm
オーダー・ガイド
Model
AD8502ARJZ-R2
1
AD8502ARJZ-REEL1
AD8502ARJZ-REEL7
1
1
Temperature Range
Package Description
Package Option
Branding
–40℃ to +125℃
8-Lead SOT-23
RJ-8
A1D
–40℃ to +125℃
8-Lead SOT-23
RJ-8
A1D
A1D
–40℃ to +125℃
8-Lead SOT-23
RJ-8
AD8504ARUZ1
–40℃ to +125℃
14-Lead TSSOP
RU-14
AD8504ARUZ-REEL1
–40℃ to +125℃
14-Lead TSSOP
RU-14
Z＝鉛フリー製品
― 14 ―
REV. 0
D06323-0-1/07(0)-J
1
1.95
BSC
1.30
1.15
0.90