J12609

超低歪み SP4T スイッチ
CXM3599UR
概要・用途
CXM3599UR はハイパワーで超低歪みのワイヤレスコミュニケーションシステム用 SP4T スイッチです。
CXM3599UR は SVLTE や超低歪みが要求されるキャリアアグリゲーション用として使用できます。
本デバイスは+1.8 V CMOS コンパチブルデコーダを内蔵しています。
ソニーGaAs ジャンクションゲート pHEMT (JPHEMT) MMIC プロセスにより、低挿入損失と超低歪みを実現しています。
(用途: LTE/CDMA/GSM/UMTS ハンドセットやミニ基地局)
特徴・機能
◆
◆
◆
◆
◆
◆
低挿入損失:
0.27 dB (Typ.) (Cellular Band )
0.45 dB (Typ.) (IMT2000 )
超低歪み:
IMD3 = -104 dBm (Max.), IIP3 = 82 dBm (Min.)
at LTE Band 13, PTx = +23 dBm, PBlocker = +14 dBm
低電圧対応:
VDD = 2.5 V
RF ポートの DC ブロッキングコンデンサ不要
小型パッケージサイズ: UQFN-20pin (2.5 mm × 2.5 mm)
鉛フリー, RoHS 対応
構造
GaAs JPHEMT MMIC スイッチ, CMOS デコーダ
耐湿レベル
本デバイスの耐湿レベルは MSL = 2 です。
絶対最大定格
♦ 電源電圧
VDD
4
V
(Ta = 25 ˚C)
♦ 制御電圧
Vctl
4
V
(Ta = 25 ˚C)
♦ 最大入力電力
―
36
dBm
♦ 動作温度
Topr
–35 to +90
˚C
♦ 保存温度
Tstg
–65 to +150
˚C
(Duty cycle = 12.5 to 50 %, Ta = 25 ˚C)
この IC は静電気の影響を受けやすいデバイスです。取扱いには注意が必要です。
1
ブロック図
SP4T アンテナスイッチ
RF1 (低歪み)
RF2 (超低歪み)
ANT
RF3 (超低歪み)
RF4 (超低歪み)
MMIC
スイッチ
CTL A/B
CMOS デコーダ
VDD
MMIC スイッチ
ANT
F1
F3
F2
F5
RF1
F4
F6
RF2
F7
RF3
F8
RF4
真理値表
CTLA
CTLB
Active path
F1
F2
F3
F4
F5
F6
F7
F8
L
L
ANT-RF1
ON
OFF
OFF
OFF
OFF
ON
ON
ON
H
L
ANT-RF2
OFF
ON
OFF
OFF
ON
OFF
ON
ON
L
H
ANT-RF3
OFF
OFF
ON
OFF
ON
ON
OFF
ON
H
H
ANT-RF4
OFF
OFF
OFF
ON
ON
ON
ON
OFF
2
端子配列図
UQFN-20P PKG( 2.5 mm x 2.5 mm )
GND
GND
ANT
GND
GND
15
14
13
12
11
(Top View)
VDD
16
10
RF1
GND
17
9
GND
CTLA
18
8
RF2
CTLB
19
7
GND
GND
20
6
GND
3
4
5
GND
RF3
2
GND
RF4
1
GND
GND
DC バイアス条件
パラメータ
最小値
標準値
最大値
VDD
2.5
2.7
3.3
Vctl (H)
1.35
1.8
3.3
Vctl (L)
0
—
0.45
単位
V
3
電気的特性
(Ta = 25 °C, VDD = 2.5 V, Vctl = 0/1.8 V)
項目
記号
経路
最小値
標準値
最大値
*1, *2, *6, *8
―
0.32
0.42
*3, *7, *9
―
0.60
0.75
*4
―
0.65
0.80
*1, *2, *6, *8
―
0.27
0.37
*3, *4, *7, *9
―
0.45
0.60
*5
―
0.50
0.65
*1, *2, *6, *8
37
42
―
*7
33
35
―
*3,*4,*9
28
33
―
*1, *2, *6, *8
36
41
―
*3, *4, *7, *9
27
32
―
*5
25
30
―
*1, *2, *6, *8
33
38
―
*3, *4, *7, *9
25
30
―
*5
22
27
―
*1, *2, *6, *8
30
35
―
*3, *4, *7, *9
22
27
―
*5
20
25
―
ANT-RF1
704 to 2170 MHz
―
―
1.8
ANT-RF2,RF3,
RF4
704 to 2690 MHz
―
―
1.7
―
-55
-41
―
-53
-41
―
-63
-50
―
-62
-50
―
-73
-60
―
-80
-60
―
-60
-45
―
-64
-45
―
-67
-55
―
-68
-55
―
-80
-65
―
-86
-65
ANT-RF1
挿入損失
Insertion loss
IL
ANT-RF2,RF3,
RF4
RF1-RF2,RF3,
RF4
(RF1 Active)
アイソレーショ
ン
Isolation
RF2-RF1,RF3,
RF4
(RF2 Active)
ISO.
RF3-RF1,RF2,
RF4
(RF3 Active)
RF4-RF1,RF2,
RF3
(RF4 Active)
VSWR
VSWR
2fo
条件
*6
3fo
2fo
3fo
ANT-RF1
2fo
*7
*2, *3
3fo
高調波
Harmonics
2fo
*6
3fo
2fo
3fo
ANT-RF2,RF3,
RF4
2fo
*7
*2,*3,*5
3fo
相互変調歪み
(Rx 帯域)
2fo
*1
―
-82
-78
IMD2
*10, *11, *12, *15, *16, *19, *20,
*23, *24
―
―
-105
*10, *13, *14, *17, *18, *21, *22,
*25, *26
―
―
-105
ANT-RF1
IMD3
4
Unit
dB
dB
―
dBm
dBm
項目
記号
経路
IMD2
相互変調歪み
(Rx 帯域)
IMD3
ANT-RF2,RF3,
RF4
条件
最小値
標準値
最大値
*10, *11, *12, *15, *16, *19 ,*20,
*23, *24
―
―
-110
*10, *13, *14, *17, *18, *21, *22,
*25, *26
―
―
-110
*10, *27
―
―
-104
*10, *28
―
―
-110
*10, *29
―
―
-111
―
6
9
―
9
13
ANT-RF1
Unit
dBm
スイッチング
時間
Ts
ウェイクアップ
タイム
Twu
―
VDD = 2.5 V to 90 % RF, Pin = 0
dBm
―
―
20
µs
制御電流
Ictl
―
Vctl = 1.8 V
―
1
5
µA
電源電流
Idd
―
VDD = 2.7 V
―
0.14
0.35
mA
ANT-RF2,RF3,
RF4
50 % Ctl to 90 % RF
電気的特性は, 全ての RF ポートを 50 Ω終端して測定しています。
*1
*2
*3
*4
*5
*6
*7
*8
*9
*10
Pin = 25 dBm, 704 to 787 MHz
Pin = 26 dBm, 824 to 960 MHz
Pin = 26 dBm, 1710 to 1990 MHz
Pin = 10 dBm, 2110 to 2170 MHz
Pin = 26 dBm, 2500 to 2690 MHz
Pin = 35 dBm, 824 to 915 MHz
Pin = 32 dBm, 1710 to 1910 MHz
Pin = 10 dBm, 869 to 960 MHz
Pin = 10 dBm, 1805 to 1990 MHz
推奨回路にて測定
(Band 13, Band 17)
(Band 5, Band 8)
(Band 1 Tx, Band 2 Tx, Band 3 Tx, Band 4 Tx)
(Band 1 Rx, Band 4 Rx)
(Band 7)
(GSM850/900 Tx)
(GSM1800/1900 Tx)
(GSM850/900 Rx)
(GSM1800/1900 Rx)
5
µs
IMD 条件 (1)
Band
Band 1
Band 2
Band 5
Band 7
fRx on RF
[MHz]
2140
1960
880
2655
fTx
+20 dBm on RF
[MHz]
fBlocker
–15 dBm on ANT
[MHz]
1950
1880
835
2535
IMD 条件
IMD2 (fRx – fTx)
190
*11
IMD2 (fRx + fTx)
4090
*12
IMD3 (2fTx – fRx)
1760
*13
IMD3 (2fTx + fRx)
6040
*14
IMD2 (fRx – fTx)
80
*15
IMD2 (fRx + fTx)
3840
*16
IMD3 (2fTx – fRx)
1800
*17
IMD3 (2fTx + fRx)
5720
*18
IMD2 (fRx – fTx)
45
*19
IMD2 (fRx + fTx)
1715
*20
IMD3 (2fTx – fRx)
790
*21
IMD3 (2fTx + fRx)
2550
*22
IMD2 (fRx – fTx)
120
*23
IMD2 (fRx + fTx)
5190
*24
IMD3 (2fTx – fRx)
2415
*25
IMD3 (2fTx + fRx)
7725
*26
IMD 条件 (2)
fRx on RF
[MHz]
fTx
PTx = +23 dBm
on RF [MHz]
Band 13
747
786
IMD3 (2fTx – fRx)
825
*27
BC0
872
782
IMD3 (fTx + fRx)/2
827
*28
f1
+13 dBm on ANT
[MHz]
f2
+13 dBm on ANT
[MHz]
1912.5
1872.5
Band
fBlocker
PBlocker = +14 dBm on ANT
[MHz]
IMD 条件
IMD 条件 (3)
Band
Band 25
IMD3 Product
on RF [MHz]
IMD3 (2f1 – f2)
6
IMD 条件
1952.5
*29
トリプルビート比
(VDD = 2.5 V, Ta = 25 °C)
条件
項目
記号
経路
ANT-RF1
トリプ
ルビー
ト比
Input
power
at RF
[dBm]
Tx1 at
RF
[MHz]
Tx2 at
RF
[MHz]
Jammer
at ANT
–30 dBm
[MHz]
Triple beat
product
at RF
[MHz]
最小
値
標準
値
最大
値
21.5
835.5
836.5
881.5
881.5 ± 1
81
―
―
21.5
1880
1881
1960
1960 ± 1
81
―
―
13.5
1732
1733
2132
2132 ± 1
81
―
―
21.5
835.5
836.5
881.5
881.5 ± 1
88
―
―
21.5
1880
1881
1960
1960 ± 1
88
―
―
13.5
1732
1733
2132
2132 ± 1
88
―
―
TBR
ANT- RF2,
RF3,RF4
単
位
dBc
* 電気的特性は, 全ての RF ポートを 50 Ωで終端して測定しています。
推奨回路にて測定
入力 IP2
(VDD = 2.5 V, Ta = 25 °C)
条件
項目
入力
IP2
記号
IIP2
経路
ANTRF1, RF2,
RF3,RF4
Tx
at RF
24 dBm
[MHz]
Jammer
at ANT
–20 dBm
[MHz]
IM2
product
at RF
[MHz]
最小
値
標準
値
最大
値
836.61
1718.61
881.61
113.5
―
―
836.61
45
881.61
95.5
―
―
1885
3850
1965
95.5
―
―
1885
80
1965
95.5
―
―
1732.5
3865
2132.5
95.5
―
―
1732.5
400
2132.5
95.5
―
―
* 電気的特性は, 全ての RF ポートを 50 Ωで終端して測定しています。
推奨回路にて測定
7
単位
dBm
推奨回路
UQFN-20P PKG( 2.5 mm x 2.5mm )
VDD
GND
11
12
ANT
GND
C1
13
GND
14
15
GND
L1
16
10
17
9
C2
RF2
GND
GND
RF3
GND
GND
*1
*2
*3
*4
GND
5
6
4
20
3
7
1
GND
8
19
RF4
CTLB
GND
18
2
CTLA
GND
GND
RF1
全 RF ポートの DC ブロッキングコンデンサは不要です。(DC バイアスソースは除く)
全ての RF ポートの DC レベルは GND です。
静電気対策の為、Ant ポートに L1 (27 nH)と C1(12 pF)を使用する事を推奨します。
VDD 端子のデカップリング用コンデンサとして, C2(100 pF)の使用を推奨します。
8
推奨ランドパターン
9
外形寸法図
(単位: mm)
製品コード:875342357
10
外形寸法図
(単位: mm)
製品コード:875342698
11
マーク標示
GP
12
テープとリールサイズ
CXM3599UR-T9
製品コード:875342357
13
テープとリールサイズ
CXM3599UR-T9
製品コード:875342698
14
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これら回路の使用に起因する損害について, 当社は一切責任を負いません。
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