Hyper TOPLED® White LED LW T676 Vorläufige Daten / Preliminary Data • • • • • • • • GaN-Technologie Farbe: weiß x = 0.30, y = 0.32 nach CIE1931 Abstrahlcharakteristik: Lambertscher Strahler (120°) ESD-sicher bis 2 kV nach MIL STD 883D, Method 3015.7 JEDEC Level 2 weißes SMT-Gehäuse Für alle SMT-Bestück- und Löttechniken geeignet Gegurtet in 8 mm-Filmgurt VPL06724 Besondere Merkmale Features • • • • • • • • GaN technology color: white x = 0.30, y = 0.32 according to CIE1931 viewing angle: Lambertian Emitter (120°) ESD withstand voltage of 2 kV according to MIL STD 883D, Method 3015.7 JEDEC Level 2 white colored SMT package suitable for all SMT assembly and soldering methods available on 8 mm tape reels Anwendungen • • • • • • • • Innenbeleuchtungen und Hinterleuchtungen im Automobilbereich Anzeigen im Innen und Außenbereich LCD-Hinterleuchtungen Schalter-Hinterleuchtungen Batterie-Taschenlampen Notausgangsbeleuchtungen Leselampen Sehr gute Alternative zur Glühlampe Applications • • • • • • • • illumunations and backlighting for interior automotive applications indoor and outdoor message boards LCD backlighting switch backlighting battery torches emergency exit illuminations lamps for reading purposes very good alternative to incandescent lamps Semiconductor Group 1 1998-11-05 LW T676 Typ Emissionsfarbe Type Color of Emission LW T676 LW T676-L2 LW T676-M1 LW T676-M2 LW T676-N1 white Farbe der Lichtaustrittsfläche Color of the Light Emitting Area Lichtstärke Lichtstrom Bestellnummer Luminous Intensity IF = 10 mA I V (mcd) Luminous Flux IF = 10 mA ΦV (mlm) Ordering Code colored diffused Q62703-Q4450 12.5 16.0 20.0 25.0 ... ... ... ... 20.0 25.0 32.0 40.0 50 (typ.) 60 (typ.) 80 (typ.) 100 (typ.)) Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit I V max / I V min ≤ 1.6. Luminous intensity ratio in one packaging unit I V max / I V min ≤ 1.6. Helligkeitswerte werden bei einer Strompulsdauer von 25 ms spezifiziert. Luminous intensity is specified at a current pulse duration of 25 ms. Semiconductor Group 2 1998-11-05 LW T676 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Betriebstemperatur Operating temperature range Top – 40 ... + 100 °C Lagertemperatur Storage temperature range Tstg – 40 ... + 100 °C Sperrschichttemperatur Junction temperature Tj + 100 °C Durchlaßstrom Forward current IF 20 mA Sperrspanung1) Reverse voltage1) VR 5 V Verlustleistung Power dissipation TA ≤ 25 °C Ptot 90 mW Wärmewiderstand Thermal resistance Sperrschicht / Umgebung Junction / air Montage auf PC-board*) (Padgröße ≥ 16 mm2) mounted on PC board*) (pad size ≥ 16 mm2) Rth JA 500 K/W 1) 1) Werte Values Einheit Unit Belastung in Sperrichtung sollte vermieden werden. Reverse biasing should be avoided. *) PC-board: FR4 Semiconductor Group 3 1998-11-05 LW T676 Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Werte Values typ. max. Einheit Unit Farbkoordinate x nach CIE 1931 1) Chromaticity coordinate x acc. to CIE 1931 1) IF = 10 mA x 0.300 – – Farbkoordinate y nach CIE 1931 1) Chromaticity coordinate y acc. to CIE 1931 1) IF = 10 mA y 0.320 – – Abstrahlwinkel bei 50% Iv (Vollwinkel) Viewing angle at 50% Iv 2ϕ 120 – Grad deg. Durchlaßspannung Forward voltage IF = 10 mA VF 3.5 4.2 V Sperrstrom Reverse current VR = 5 V IR 0.01 10 µA Temperaturkoeffizient von x (IF = 10 mA) Temperature coefficient of x (IF = 10 mA) TCx 0.07 – 10-3/K Temperaturkoeffizient von y (IF = 10 mA) Temperature coefficient of y (IF = 10 mA) TCy 0.25 – 10-3/K Temperaturkoeffizient von VF (IF = 10 mA) Temperature coefficient of VF (IF = 10 mA) TCV – 3.1 – mV/K 1) Farbortgruppen Chromaticity coordinate groups Gruppe Group x min. max. min. max. 1 0.280 0.325 0.300 0.350 2 0.285 0.330 0.330 0.380 3 0.295 0.340 0.345 0.395 4 0.270 0.315 0.285 0.335 Semiconductor Group y 4 1998-11-05 LW T676 Relative spektrale Emission I rel = f (λ), TA = 25 °C, IF = 10 mA Relative spectral emission V(λ) = spektrale Augenempfindlichkeit Standard eye response curve OHL00467 100 Ι rel % 80 Vλ 60 40 20 0 380 420 460 500 540 580 620 660 700 nm 740 λ Abstrahlcharakteristik Irel = f (ϕ) Radiation characteristic 40˚ 30˚ 20˚ 10˚ 0˚ ϕ 50˚ OHL01660 1.0 0.8 0.6 60˚ 0.4 70˚ 0.2 80˚ 0 90˚ 100˚ 1.0 0.8 Semiconductor Group 0.6 0.4 0˚ 20˚ 5 40˚ 60˚ 80˚ 100˚ 120˚ 1998-11-05 LW T676 Relative Lichtstärke IV/IV(10 mA) = f (IF) Relative luminous intensity TA = 25 °C Durchlaßstrom IF = f (VF) Forward current TA = 25 °C OHL00432 10 2 ΙV ΙF 5 OHL00469 10 1 Ι V (10 mA) 10 0 10 1 5 5 10 -1 5 10 0 10 -2 5 5 10 -1 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 10 -3 -1 10 V 6.0 5 10 0 5 10 1 VF OHL00448 OHL00442 Ι V 1.2 Ι V (25 ˚C) Ι F mA 25 1.0 20 0.8 15 0.6 10 0.4 5 0.2 0 ΙF Relative Lichtstärke IV/IV(25 °C) = f (TA) Relative luminous intensity IF = 10 mA Maximal zulässiger Durchlaßstrom Max. permissible forward current IF = f (TA) 30 mA 10 2 0 20 40 Semiconductor Group 60 0 -20 80 C 100 TA 6 0 20 40 60 C TA 100 1998-11-05 LW T676 Maßzeichnung Package Outlines (Maße in mm, wenn nicht anders angegeben) (Dimensions in mm, unless otherwise specified) 2.1 1.7 0.1 (typ) 0.9 0.7 1.1 0.5 3.7 3.3 2.4 3.4 3.0 3.0 2.6 2.3 2.1 0.8 0.6 Cathode/Collector marking 0.18 0.6 0.12 0.4 Cathode/Collector GPL06724 Approx. weight 0.03 g Kathodenkennung: abgeschrägte Ecke Cathode mark: bevelled edge Semiconductor Group 7 1998-11-05