Power TOPLED® Hyper-Bright LED LA E675 Besondere Merkmale • • • • Gehäusebauform: P-LCC-4 Gehäusefarbe: weiß als optischer Indikator einsetzbar zur Hintergrundbeleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung für alle SMT-Bestücktechniken geeignet gegurtet (8 mm-Filmgurt) JEDEC Level 3 nur IR Reflow Löten VPL06837 • • • • Features • • • • • • • • P-LCC-4 package color of package: white for use as optical indicator for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses suitable for all SMT assembly methods available taped on reel (8 mm tape) JEDEC Level 3 IR reflow soldering only Typ Emissionsfarbe Type Color of Emission LA E675 LA E675-S1 LA E675-S2 LA E675-T1 LA E675-T2 LA E675-U1 LA E675-U2 amber Farbe der Lichtaustrittsfläche Color of the Light Emitting Area Lichtstärke Lichtstrom Bestellnummer Luminous Intensity IF = 50 mA I V (mcd) Luminous Flux IF = 50 mA ΦV (mlm) Ordering Code colorless clear Q62703-Q3764 160 200 250 320 400 500 ... ... ... ... ... ... 250 320 400 500 630 800 600 (typ.) 750 (typ.) 900 (typ.) 1200 (typ.) 1500 (typ.) 1800 (typ.) Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit I V max / I V min ≤ 1.6. Luminous intensity ratio in one packaging unit I V max / I V min ≤ 1.6. Helligkeitswerte werden bei einer Strompulsdauer von 25 ms spezifiziert. Luminous intensity is specified at a current pulse duration of 25 ms. Semiconductor Group 1 1998-11-05 LA E675 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Betriebstemperatur Operating temperature range Top – 40 ... + 100 °C Lagertemperatur Storage temperature range Tstg – 40 ... + 100 °C Sperrschichttemperatur Junction temperature Tj + 120 °C Durchlaßstrom Forward current IF 70 mA Sperrspanung1) Reverse voltage1) VR 3 V Verlustleistung Power dissipation TA ≤ 25 °C Ptot 130 mW Wärmewiderstand Thermal resistance Sperrschicht / Umgebung Junction / air Montage auf PC-board*) (Padgröße ≥ 12 mm2) mounted on PC board*) (pad size ≥ 12 mm2) Rth JA 290 K/W 1) 1) Werte Values Einheit Unit Belastung in Sperrichtung sollte vermieden werden. Reverse biasing should be avoided. *) PC-board: FR4 Semiconductor Group 2 1998-11-05 LA E675 Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Werte Values Einheit Unit min. typ. max. Wellenlänge des emittierten Lichtes Wavelength at peak emission IF = 50 mA λpeak – 624 – nm Dominantwellenlänge Dominant wavelength IF = 50 mA λdom 612 617 623 nm Spektrale Bandbreite bei 50% Irel max Spectral bandwidth at 50% Irel max IF = 50 mA ∆λ – 18 – nm Abstrahlwinkel bei 50% Iv (Vollwinkel) Viewing angle at 50% Iv 2ϕ – 120 – Grad deg. Durchlaßspannung1) Forward voltage1) IF = 50 mA VF – 2.1 2.55 V Sperrstrom Reverse current VR = 3 V IR – 0.01 10 µA Temperaturkoeffizient von λdom (IF = 50 mA) Temperature coefficient of λdom (IF = 50 mA) TCλ – 0.05 – nm/K Temperaturkoeffizient von λpeak (IF = 50 mA) Temperature coefficient of λpeak (IF = 50 mA) TCλ – 0.14 – nm/K Temperaturkoeffizient von VF (IF = 50 mA) Temperature coefficient of VF (IF = 50 mA) TCV – – 2.1 – mV/K Temperaturkoeffizient von IV (IF = 50 mA) Temperature coefficient of IV (IF = 50 mA) TCI – – 0.6 – %/K 1) V Durchlaßspannungsgruppen Forward voltage groups Gruppe Group Durchlaßspannung Forward voltage Einheit Unit min. max. 1 1.85 2.25 V 2 2.15 2.55 V Semiconductor Group 3 1998-11-05 LA E675 Relative spektrale Emission Irel = f (λ), TA = 25 °C, IF = 50 mA Relative spectral emission V(λ) = spektrale Augenempfindlichkeit Standard eye response curve OHL00436 100 Ι rel % 80 Vλ amber 60 40 20 0 400 450 500 550 600 650 nm λ 700 Abstrahlcharakteristik Irel = f (ϕ) Radiation characteristic 40˚ 30˚ 20˚ 10˚ 0˚ ϕ 50˚ OHL01660 1.0 0.8 0.6 60˚ 0.4 70˚ 0.2 80˚ 0 90˚ 100˚ 1.0 0.8 Semiconductor Group 0.6 0.4 0˚ 20˚ 4 40˚ 60˚ 80˚ 100˚ 120˚ 1998-11-05 LA E675 Relative Lichtstärke IV/IV(50 mA) = f (IF) Relative luminous intensity TA = 25 °C Durchlaßstrom IF = f (VF) Forward current TA = 25 °C OHL00232 10 2 mA ΙF 5 ΙV OHL00437 10 1 Ι V (50 mA) 10 0 10 1 5 5 10 -1 5 10 0 10 -2 5 5 10 -1 1.0 1.4 1.8 2.2 2.6 10 -3 -1 10 3.0 V 3.4 VF 5 10 0 5 10 1 mA 10 2 ΙF Maximal zulässiger Durchlaßstrom Max. permissible forward current IF = f (TA) OHL00438 100 Ι F mA 80 60 40 20 0 0 20 40 Semiconductor Group 60 80 C 100 TA 5 1998-11-05 LA E675 Maßzeichnung Package Outlines (Maße in mm, wenn nicht anders angegeben) (Dimensions in mm, unless otherwise specified) 3.0 2.6 2.3 2.1 2.1 1.7 0.8 0.6 A 0.9 0.7 C C A: Anode C: Cathode 0.18 0.12 0.6 0.4 GPL06991 package marking 1.1 0.5 C 3.7 3.3 3.4 3.0 (2.4) 0.1 typ Empfehlung Lötpaddesign Recommended Pad Infrarot/Vapor-Phase Reflow-Lötung Infrared Vapor-Phase Reflow-Soldering 3.3 3.3 0.4 2.6 1.85 4.2 7.5 0.5 1.1 Paddesign for improved heat dissipation Semiconductor Group Lötstoplack solder resist 6 Cu Fläche / Cu-area = 12 mm 2 per pad OHLP0439 Padgeometrie für verbesserte Wärmeableitung 1998-11-05 LA E675 Gurtung Taping C C A OHA00440 C Semiconductor Group 7 1998-11-05