LS 3369, LY 3369, LG 3369 LC 3 mm (T1) LED, Diffused Low Current LED Besondere Merkmale eingefärbtes, diffuses Gehäuse als optischer Indikator einsetzbar hohe Lichtstärke bei kleinen Strömen (typ. 2 mA) Lötspieße mit Aufsetzebene gegurtet lieferbar Störimpulsfest nach DIN 40839 VEX06710 ● ● ● ● ● ● Features ● ● ● ● ● ● colored, diffused package for use as optical indicator high luminous intensity at low currents (typ. 2 mA) solder leads with stand-off available taped on reel load dump resistant acc. to DIN 40839 Typ Type Emissionsfarbe Color of Emission Gehäusefarbe Color of Package Lichtstärke Luminous Intensity IF = 2 mA IV (mcd) Bestellnummer Ordering Code LS 3369-EH LS 3369-G LS 3369-H LS 3369-GK super-red red diffused 0.63 … 5.0 1.60 … 3.2 2.50 … 5.0 1.60 … 12.5 Q62703-Q1748 Q62703-Q2068 Q62703-Q3820 Q62703-Q3821 LY 3369-EH LY 3369-F LY 3369-G LY 3369-H LY 3369-FJ yellow yellow diffused 0.63 … 1.00 … 1.60 … 2.50 … 1.00 … 5.0 2.0 3.2 5.0 8.0 Q62703-Q1749 Q62703-Q2030 Q62703-Q2029 Q62703-Q1906 Q62703-Q3822 LG 3369-EH LG 3369-F LG 3369-G LG 3369-FJ green green diffused 0.63 … 1.00 … 1.60 … 1.00 … 5.0 2.0 3.2 8.0 Q62703-Q1750 Q62703-Q2069 Q62703-Q2070 Q62703-Q3823 Streuung der Lichterstärke in einer Verpackungseinheit IV max / IV min ≤ 2.0. Luminous intensity ratio in one packaging unit IV max / IV min ≤ 2.0. Semiconductor Group 1 1998-07-13 LS 3369, LY 3369, LG 3369 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Werte Values Einheit Unit Betriebstemperatur Operating temperature range Top – 55 … + 100 °C Lagertemperatur Storage temperature range Tstg – 55 … + 100 °C Sperrschichttemperatur Junction temperature Tj + 100 °C Durchlaßstrom Forward current IF 7.5 mA Stoßstrom Surge current t ≤ 10 µs, D = 0.005 IFM 0.15 A Sperrspannung Reverse voltage VR 5 V Verlustleistung Power dissipation TA ≤ 25 °C Ptot 20 mW Wärmewiderstand Thermal resistance Sperrschicht / Luft Junction / air Rth JA 500 K/W Semiconductor Group 2 1998-07-13 LS 3369, LY 3369, LG 3369 Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Werte Values Einheit Unit LS LY LG Wellenlänge des emittierten Lichtes(typ.) Wavelength at peak emission(typ.) IF = 7.5 mA λpeak 635 586 565 nm Dominantwellenlänge(typ.) Dominant wavelength(typ.) IF = 7.5 mA λdom 628 590 570 nm Spektrale Bandbreite bei 50 % Irel max(typ.) ∆λ Spectral bandwidth at 50 % Irel max(typ.) IF = 7.5 mA 45 45 25 nm Abstrahlwinkel bei 50 % IV (Vollwinkel) Viewing angle at 50 % IV 2ϕ 60 60 60 Grad deg. Durchlaßspannung(typ.) Forward voltage(max.) IF = 2 mA VF VF 1.8 2.6 2.0 2.7 1.9 2.6 V V Sperrstrom(typ.) Reverse current(max.) VR = 5 V IR IR 0.01 10 0.01 10 0.01 10 µA µA Kapazität(typ.) Capacitance VR = 0 V, ƒ = 1 MHz C0 3 3 15 pF tr tf 200 150 200 150 450 200 ns ns Schaltzeiten: Switching times: IV from 10 % to 90 %(typ.) IV from 90 % to 10 %(typ.) IF = 100 mA, tP = 10 µs, RL = 50 Ω Semiconductor Group 3 1998-07-13 LS 3369, LY 3369, LG 3369 Relative spektrale Emission Irel = f (λ), TA = 25 °C, IF = 7.5 mA Relative spectral emission V (λ) = spektrale Augenempfindlichkeit Standard eye response curve Abstrahlcharakteristik Irel = f (ϕ) Radiation characteristic Semiconductor Group 4 1998-07-13 LS 3369, LY 3369, LG 3369 Durchlaßstrom IF = f (VF) Forward current TA = 25 °C Relative Lichtstärke IV/IV(2 mA) = f (IF) Relative luminous intensity TA = 25 °C OHL01207 10 1 OHL01208 10 2 ΙV Ι F mA Ι V(2mA) 10 0 5 10 1 super-red green 5 yellow 10 -1 green yellow super-red 5 10 0 10 -2 5 5 10 -1 1.0 1.4 1.8 2.2 2.6 10 -3 10 3.0 V 3.4 VF Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tP) Permissible pulse handling capability Duty cycle D = parameter, TA = 25 °C t D= P T ΙF ΙF 5 5 10 1 mA 10 ΙF 2 OHL01193 mA T 6 D = 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 10 2 0 8 tP Ι F mA 5 10 Maximal zulässiger Durchlaßstrom Max. permissible forward current IF = f (TA) OHL01278 10 3 -1 5 0.2 4 0.5 10 1 3 DC 2 5 1 10 0 10 -5 10 -4 10 -3 Semiconductor Group 10 -2 10 -1 0 10 0 s 10 1 tp 5 0 20 40 60 80 ˚C 100 TA 1998-07-13 LS 3369, LY 3369, LG 3369 Wellenlänge der Strahlung λpeak = f (TA) Wavelength at peak emission IF = 7.5 mA Dominantwellenlänge λdom = f (TA) Dominant wavelength IF = 7.5 mA OHL01672 690 OHL01673 690 λ dom λ peak nm nm 650 650 super-red 630 630 610 610 590 yellow 590 570 green 570 550 0 20 40 60 550 80 ˚C 100 TA Durchlaßspannung VF = f (TA) Forward voltage IF = 2 mA VF yellow green 0 20 40 60 80 ˚C 100 TA Relative Lichtstärke IV/IV(25 °C) = f (TA) Relative luminous intensity IF = 2 mA OHL01750 2.4 super-red OHL01675 2.0 ΙV V Ι V(25 ˚C) 1.6 2.2 2.0 1.2 yellow green yellow green 1.8 0.8 super-red super-red 1.6 1.4 0.4 0 20 40 Semiconductor Group 60 0.0 80 ˚C 100 TA 6 0 20 40 60 80 ˚C 100 TA 1998-07-13 LS 3369, LY 3369, LG 3369 (Maße in mm, wenn nicht anders angegeben) (Dimensions in mm, unless otherwise specified) 4.8 4.4 2.7 2.1 0.7 0.4 0.8 0.4 1.1 0.9 2.54 mm spacing 0.6 0.4 Area not flat 1.8 1.2 29.0 27.0 Semiconductor Group 3.4 3.1 0.6 0.4 Chip position Collector/ Cathode Kathodenkennzeichnung: Cathode mark: 3.7 3.5 6.1 5.7 ø2.9 ø2.7 Maßzeichnung Package Outlines GEX06710 Kürzerer Lötspieß Short solder lead 7 1998-07-13