AN-695 应用笔记 One Technology Way • P.O. Box 9106 • Norwood, MA 02062-9106, U.S.A. • Tel: 781.329.4700 • Fax: 781.461.3113 • www.analog.com 使用ADN8831 TEC控制器评估板 简介 评估板描述 ADN8831是一款热电冷却器(TEC)控制器,能够以出色的 ADN8831评估板提供了一个可配置的设计平台,可兼容各 温度控制分辨率、稳定性和较高的功效驱动中等功率的 种TEC和热敏电阻。在评估板上,ADN8831利用两对采用 TEC(电流<4 A)。ADN8831集成了两个高性能放大器,专用 H桥配置方式的互补MOSFET提供并控制双向TEC电流。 于温度检测和热环路补偿,允许直接连接至热敏电阻、电 通过片上可调元件,评估板可针对温度设定点、温度设定 阻式温度检测器(RTD)或其他温度传感器。 点范围、TEC电流和/或电压限值以及PID补偿网络进行配 本应用笔记可配合ADN8831数据手册一起使用,说明如何 置。温度设定点范围(出厂默认)电路经过优化能够与10 kΩ 配 置 ADN8831-EVALZ评 估 板 (4.0版 ) , 以 及 如 何 利 用 负温度系数热敏电阻一起使用,也可以与其他类型的温度 ADN8831开发真正的TEC控制电路。ADN8831数据手册提 传感器一起使用。利用可调谐PID补偿网络能够实现控制 供了详细的技术规格、内部功能框图及应用设计准则。 电路和热负载之间的特性匹配,从而实现最快的响应速度 和温度控制稳定性。如果TEMOUT电压处于TEMPSET设 本应用笔记的“评估板布局”部分提供了重要的布局设计 定点电压的±100 mV范围内,则绿色LED亮起。 准则。 功能框图 ADN8831 EVALUATION BOARD SETPOINT TEMPERATURE RANGE CONFIGURATION POTENTIOMETERS SETPOINT TEMPERATURE ADJUSTMENT POTENTIOMETER LED ADN8831 CURRENT AND VOLTAGE LIMIT CONFIGURATION POTENTIOMETERS ON ON POWER SUPPLY TEC OFF STANDBY TUNABLE COMPENSATION NETWORK 图1. ADN8831评估板功能框图 Rev. C | Page 1 of 12 EXTERNAL COMPONENTS 04592-001 THERMISTOR AN-695 目录 简介....................................................................................................1 设置输出限压 .............................................................................6 评估板描述.......................................................................................1 监控TEC电压..............................................................................6 功能框图 ...........................................................................................1 监控TEC电流..............................................................................6 开始使用 ...........................................................................................3 温度补偿......................................................................................6 开关和电位计 .............................................................................3 调节PWM开关频率 ..................................................................7 快速入门......................................................................................4 多单元评估 .................................................................................7 配置设定点温度范围................................................................4 评估板布局.......................................................................................8 配置设定点温度.........................................................................5 评估板原理图与工艺图 ...........................................................9 设置输出限流 .............................................................................5 Rev. C | Page 2 of 12 AN-695 开始使用 图2所示的ADN8831-EVALZ的出厂默认设置为,在25°C 开关S6,左侧:待机控制 的条件下与10 kΩ的热敏电阻一起使用时可提供大约2 A的 开关S6(左侧旋钮)向下时,ADN8831处于待机模式。此旋 双向TEC电流。 钮向上时(默认状态),ADN8831离开待机模式。在待机模 式下,除了ADN8831的VREF和SYNCO输出之外的其他所有 电路都处于断电状态。 开关S6,右侧:关断控制 开关S6(右侧旋钮)向下时,ADN8831处于关断模式。此旋 钮向上时(默认状态),ADN8831离开关断模式。关断模式 下,ADN8831处于断电状态。 开关S1、S2、S3、S4和S5:最佳PID补偿网络的可调元件 开关S1、S2、S3、S4和S5针对图3所示的CD、RD、RI、RP 和 CI提 供 了 PID网 络 元 件 可 调 性 。 将 一 个 TEC连 接 至 ADN8831-EVALZ之后,可能就会发生热振荡。为了抑制 振荡、优化系统建立时间并精确地控制TEC温度,有必要 图2. 评估板的顶视图 10µF 4.7µF 2.2µF 1µF 470µF 04592-003 04592-002 进行PID网络元件调谐。 出厂默认设置决定了图3所示的温度-电压转换器电路和PID 图4. 开关S1的位置 电路的片上元件值。利用片上开关和电位计,图3中的电路 开关旋钮处于向上位置时,开关旋钮下方列出的值就是 可以调节为兼容电信领域使用的大多数TEC和热敏电阻。 元件的增量。例如,开关S1决定了图3和图9中的CD值。 R1 CD R3 RD 开关S1的两个旋钮都向上,分别为4.7 μF和1 μF(注意,这两 CI RP 个旋钮都设置到上面的位置)。此例中,CD的值为 CF R2 RI RTH 4.7 μF + 1 μF = 5.7 μF OUT2 VREF TEMPOUT 2 04592-004 VREF TEMPSET 图3. 温度和补偿网络电路 参见图3,请注意,TEMPOUT是指来自引脚4 (OUT1)的输 出电压信号,TEMPSET则是施加于引脚5 (IN2P)的电压信 对于开关S1、S2、S3、S4和S5也同样。 片上电位计 ADN8831-EVALZ拥有以下片上电位计,可用于调节元件 值(如图3所示)并配置冷却和加热模式下的TEC限流值。 号。本应用笔记中通篇都会用到这些术语。 表2显示了默认设置。 开关和电位计 表2. 电位计设置 表1. 开关设置 开关 S1 S2 S3 S4 功能 CD RD RI RP S5 S6 CI 待机/关断 默认值 1 uF 24.9 kΩ 249 kΩ 249 kΩ 470 nF 上/上 电位计 R1 R2 R3 W1 W2 W3 W4 Rev. C | Page 3 of 12 功能 温度补偿网络 温度补偿网络 温度补偿网络 TEMPSET VLIM VILIMC, VILIMH VILIMC, VILIMH 默认值 17.5 kΩ 7.5 kΩ 81.3 kΩ 20 kΩ 20 kΩ 20 kΩ 20 kΩ AN-695 快速入门 TMID为平均温度,在THIGH和TLOW之间。 按照图5和第1步到第6步的介绍,将电源、TEC模块及热敏 VTEMPOUT为TEMPOUT引脚上的输出电压。它取决于RTH电 电阻连接至ADN8831-EVALZ。 TEMPSET TECP + TECN – ADN8831-EVALZ RTH RTH AGND VDD PGND 1 1 1 + VTEMPOUT = 0.5 × V REF × R 3 × − R 3 R1 R 2 + RTH TEC POWER SUPPLY 在设计中,对应于热敏电阻的三种不同电阻值,VTEMPOUT 的值也各不相同: 04592-009 OPTIONAL 阻。VTEMPOUT是RTH、R1、R2和R3的函数,如下所示 RTH = RHIGH(THIGH条件下):VTEMPOUT = VREF 图5. ADN8831-EVALZ快速入门框图 RTH = RMID(TMID条件下):VTEMPOUT = 0.5 × VREF 1. 检查片上开关是否已设置为默认状态。 RTH = RLOW(TLOW条件下):VTEMPOUT = 0 V 2. 将热敏电阻连接在标有RTH和AGND的电路板焊盘之间。 此例中,VREF约等于2.5 V,是ADN8831的引脚8上的基准电压。 3. 将热电冷却器的正端连接至TECP电路板焊盘,将负端 电阻值 连接至TECN。 为了在三种不同的设定点温度条件下实现所需的VTEMPOUT 4. 检查片上电位计是否已设置为默认状态。 输出,请使用以下公式 5. 确保电源已切断,然后将其连接至电路板焊盘VDD和 R1 = R MID + PGND将电源电压维持在3.0 V和5.5 V之间,以确保正常 R MID (RLOW + RHIGH ) − 2RHIGH RLOW RHIGH + RLOW − 2R MID R2 = R1 − R MID 工作。 6. 接通电源。 R3 = 与温度相关的热敏电阻电压TEMPOUT锁定至编程设置的 R1 (R1 + R LOW − RMID ) R LOW − RMID (1) (2) (3) 设定点电压TEMPSET。在数秒内会亮起一个绿色LED,表 例如,将高设定点温度设置为35°C、低设定点温度设置为 示已成功锁定温度。 15°C,这样中设定点温度为(35 + 15)/2 = 25°C。通过热敏电 阻的R-T表可知, 配置设定点温度范围 RHIGH = 6.9 kΩ RMID = 10 kΩ RLOW = 14.8 kΩ 表2中列出的电阻R1、R2和R3的默认值最适合10 kΩ、β = 3450(25条件下)的热敏电阻将TEC温度锁定在25。接下来 的章节介绍如何针对不同的负温度系数(NTC)热敏电阻配 注意,根据公式1和公式3可知 R1 = 17.5 kΩ R2 = 7.5 kΩ R3 = 81.3 kΩ 置电位计。 热敏电阻值 确定三个热敏电阻的电阻值:RHIGH、RMID和RLOW。为此,请 调节电位计R1、R2和R3 参见相应的热敏电阻数据手册中的热敏电阻R-T表。其依据 要调节片上电位计以获取合适的R1、R2和R3值,请切断电 是所需的TEC热控制分辨率和可控目标温度范围。 源,然后测量 这些电阻值对应于高、中和低设定点温度(THIGH、TMID和 • TPR1和TPR123之间的电阻,并将电位计R1调节为R1 TLOW)。{THIGH, TLOW}是TEC系统可控设定点温度范围。 TMID = THIGH + TLOW 2 = 17.5 kΩ。 • TPR2和TPR123之间的电阻,并将电位计R2调节为R2 = 7.5 kΩ。 • TPR3和TPR123之间的电阻,并将电位计R3调节为R3 = 81.3 kΩ。 Rev. C | Page 4 of 12 AN-695 由于这些电位计连接至ADN8831内部的有效元件,如果内 配置设定点温度 部元件产生明显的漏电现象,那么测得的结果会不准确。 VTEMPSET电压对应于TEC设定点温度。使用电位计W1配置 这些元件的导通电压约为0.8 V。 VTEMPSET。有两种情况会使用公式4。第一种情况下,设定 配置R1、R2和R3之后,第一个放大器的输出电压VTEMPOUT如下 点温度是已知的。根据热敏电阻数据手册中的R-T表找到 1 1 1 VTEMPOUT = 0.5 × VREF × R3 × − + R3 R1 R2 + RTH 特 定 的 RTH值 , 然 后 求 解 VTEMPSET。 对 TEMPSET引 脚 施 加 VTEMPSET电压。 第二种情况下,TEMPOUT引脚上的电压是已知的。求解RTH 其中: 公式,根据热敏电阻数据手册中的R-T表得出设定点温度。 RTH为设定点温度范围内的热敏电阻值。 1 1 1 VTEMPSET = 0.5 × VREF × R3 × − + R R R R + 1 2 TH 3 VREF为ADN8831的基准电压值,标称值为2.5 V。 设定点温度范围较窄时,例如<20°C,热敏电阻温度和温 度 电 压 VTEMPOUT之 间 的 关 系 几 乎 是 线 性 的 , 误 差 小 于 0.15%。线性公式如下 (4) 其中: RTH为设定点温度下的热敏电阻值。 VREF为ADN8831的基准电压值,标称值为2.5 V。 T − TLOW VTEMPOUT = VREF × SET THIGH − TLOW 另一种方法是假设温度和电压之间存在线性关系;这类似 于针对TEMPOUT引脚介绍的线性关系。设定点温度范围 其中: 较窄时,例如<20°C,热敏电阻温度和温度电压VTEMPOUT之 THIGH为温度上限(°C)。 间的关系几乎是线性的,误差小于0.15%。可以通过温度 TLOW为温度下限(°C)。 和电压的上下限得出设定点温度。公式如下 TSET为设定点温度值(°C)。 VTEMPSET = VREF × 公式1的第二部分为负时, R MID (R LOW + R HIGH ) − 2R HIGH R LOW ≤0 R HIGH + R LOW − 2R MID TSET − TLOW THIGH − TLOW 其中: THIGH为温度上限(°C)。 设置为R1 = RMID、R2 = 0。 TLOW为温度下限(°C)。 有些应用中,设定点温度不是一个范围,而是一个单点温 TSET为设定点温度值(°C)。 度。这种情况下,将单点温度设置为中点温度TMID,并设置 设置输出电流限值 THIGH = TMID + 5°C、TLOW = TMID − 5°C。与此同时,设置R1 = 利用电位计W3和W4确定冷却和加热模式下的TEC电流限 RMID、R2 = 0。因为设定点温度是一个单点值,所以无需对 值。然后,根据公式5和公式6确定需要施加于ILIMC和 VTEMPOUT与温度响应曲线进行线性化处理。计算R3之后, ILIMH引脚的电平。 检查第一级的增益是否在10和30之间。增益计算方式如下 GAIN = 2 × R3/RMID 如果增益过高,则扩大THIGH和TLOW之间的范围,反之则缩 小此范围。 注意,TEMPOUT引脚上的下限不能为0 V。最小输出电压 为50 mV。配置设定点温度范围,使下限中存在一些裕量。 例如,对于35°C至15°C的温度范围,请使用14.5°C(比15°C 的限值低2%)作为下限。 V ILIMC = VREF + 25 × I TCMAX × R S 2 (5) VILIMH = VREF − 25 × ITHMAX × RS 2 (6) 其中: VILIMC为施加于ILIMC引脚的电压。 VILIMH为施加于ILIMH引脚的电压。 ITCMAX为冷却模式的最大TEC电流。 ITHMAX为加热模式的最大TEC电流。 RS为电流检测电阻的电阻值。图9中, RS = 0.02 Ω。 VREF为基准电压。使用ADN8831时,VREF = 2.5 V。 Rev. C | Page 5 of 12 AN-695 例如,分别将ITCMAX和ITHMAX设置为2 A和1.5 A,根据以下公 监控TEC电流 式计算: 通过测量ITEC引脚(引脚29)上的电压VITEC,可以实时监控 V ILIMC = 2. 5 + 25 × 2 × 0.02 = 2.25 V 2 VILIMH = 2. 5 − 25 × 1.5 × 0.02 = 0.5 V 2 TEC电流。要根据ITEC引脚电压计算TEC电流,请使用以 下公式: I TEC = 测量引脚1 (ILIMC)上的电压时,转动电位计W3;将此值设 置为2.25 V。测量引脚32 (ILIMH)上的电压时,转动W4;将 此值设置为0.5 V。 V ITEC − 0.5 × VREF 25 × R S 其中: ITEC为TEC电流;定义为通过TEC正端(TECP)流入并通过 TEC负端(TECN)流出的电流。 设置输出电压限值 RS为电流检测电阻的值,在评估板上设置为0.02 Ω。 为了保护TEC免于过驱,需要调节W2,以便设置VLIM电 温度补偿 压。通过设置引脚31 (VLIM)上的电压,可以限制对TEC施 加的最大电压。这种电压为 温度稳定性和建立时间取决于控制环路增益和带宽。这包 括ADN8831的增益和TEC/热敏电阻反馈。为实现最高的直 VVLIM = VTMAX/5 流精度,控制环路使用比例式积分微分(PID)补偿网络。因 其中: 为每个TEC的热负载会有很大的差别,所以评估板上提供 VVLIM为VLIM引脚上设置的电压。 了可调谐补偿网络。 VTMAX为TEC两端的最大电压。 要调谐PID补偿网络,请向LP2焊盘施加一个低频方波,然 例如,要将最大TEC电压设置为4 V,请使用以下公式: 后利用示波器监控OUT2测试点。 VVLIM = 4/5 = 0.8 V LP1 通过测量来自引脚30 (VTEC)的电压VVTEC,可以实时监控 TEC两端的电压VTEC。 VREF R1 R3 CD RD CF R2 RI RTH VTEC = VLFB – VSFB = (VVTEC – 0.5 × VREF) × 4 OUT2 VREF TEMPOUT 2 其中: VTEC为TEC两端的电压。 CI RP TEMPSET LP2 04592-010 监控TEC电压 图6. 可调谐补偿网络 VLFB为LFB引脚上测得的电压。 VSFB为SFB引脚上测得的电压。 在此之前,将一个TEC连接至评估板的TECP和TECN焊 VVTEC为VTEC引脚上测得的电压。 盘,然后将连接至TEC的热敏电阻连接至评估板的RTH和 VREF为基准电压。使用ADN8831时,VREF = 2.5 V。 AGND焊盘。低频方波等同于向TEMPSET发送一个阶跃函 另外,测量LFB和SFB引脚之间的电压差也可以得到TEC两 数。除了方波之外,还有一种方法是使用一对镊子将LP2 端的电压(VTEC)。通常,LFB引脚连接至TEC的正端,SFB 焊盘与AGND测试点短接。观察OUT2上的波形,确定补 引脚连接至TEC的负端。TEC电压的定义是TEC正端和负 偿网络是否与热负载匹配。OUT2上的理想响应是尽可能 端之间的电压差。 最短的上升时间和建立时间,而且很少有或没有过冲。执 VTEC可以为正,也可为负。VTEC为正时,TEC处于冷却模 行下列步骤以调谐网络: 式。VTEC为负时,TEC处于加热模式。 1. 将CI设置为1 μF、RI和RP设置为249 kΩ、RD设置为100 ADN8831设置为待机模式时,知道TEC两端的电压会很有 kΩ、CD设置为470 nF。确保环路稳定。如果不稳定,则 用。此电压称为塞贝克电压,由两个TEC极板之间的温度 提高CI并降低RP。它具有增加环路时间常数的效果, 差产生。这种测量有助于针对高端系统确定TEC的状况和/ 允许其变得稳定。这种增加时间常数的效果会导致补偿 或TEC工作状态。 网络的响应速度变慢。 Rev. C | Page 6 of 12 AN-695 2. 补偿环路稳定时,可以调节网络中的元件值,从而缩短 LP3 整体环路响应时间。其实现方法是慢慢降低CI、提高 1nF ADN8831 脚OUT2上的输出在很少有或没有过冲的情况下实现很 COMPOSC 短的上升和下降时间。在快速响应至关重要的应用中, FREQ 允许少量的过冲(10%至20%)。 1kΩ RFREQ VDD SYNCI/SD 3. 将补偿网络调谐至令人满意的值后,建议用将来的系统 0.1µF 04592-011 RP、降低RD、提高CD并降低RI。通过这些调节,让引 PVDD 图7. 开关频率 中要用的分立式元件更换可调谐补偿网络元件,然后重 复测试。焊接分立式元件后,将所有开关调至下方位 多单元评估 置,从而关闭可调谐补偿网络元件。 ADN8831可以驱动一个TEC,在多单元配置情况下则可驱 4. 补偿网络中使用的电容应该为X7R材料的多层陶瓷电容。 动多个TEC。ADN8831数据手册中提供了有关连接多个器 这类电容可在温度和偏置漂移情况下维持稳定的电容 件的详情。通过评估板中心的PHASE、SYNCO和SYNCIN 值。X7R类型的电容还具备极低的漏电流和低噪声特性。 焊盘可以接触到用于同步和相位分配的连接引脚。 设定点温度变化1°C的情况下,蝴蝶封装式激光的典型建 如果系统噪声很大,则将从机的1 MΩ电阻更改为比针对主 立时间性能大约为0.2秒至1秒;对1 W至3 W的大质量激光 机ADN8831建议的118 kΩ高出15%,也就是136 kΩ。有关详 头而言,建立时间约为5秒至20秒。有关温度补偿网络的 情,请联系ADI公司当地代理商。 更多详情,请参见ADN8831数据手册。 ADN8831 ADN8831评估板默认设置为1 MHz的自由振荡PWM时钟频 FREQ 率。要修改RFREQ,请调节PWM开关频率(见图7)。降低 SYNCI/SD PWM开关频率可以提高系统功效,但需要使用物理尺寸 较大的LC滤波器电感和电容。 SYNCO 然而,对于效率至关重要的应用,可以选择500 kHz的时钟 118kΩ VDD NC PHASE 10kΩ 对于电信应用,建议的开关频率设置(默认值)为1 MHz。 VDD COMPOSC VDD ADN8831 SLAVE COMPOSC 频率。 FREQ 表3. 开关频率与RFREQ fSWITCH 250 kHz 500 kHz 750 kHz 1 MHz SYNCI/SD RFREQ 484 kΩ 249 kΩ 168 kΩ 118 kΩ PHASE SLAVE COMPOSC FREQ PHASE 图8. 多单元配置 Rev. C | Page 7 of 12 1kΩ 0.1µF 1MΩ VPHASE 1nF ADN8831 SYNCI/SD 1nF 1kΩ 0.1µF 1MΩ VPHASE 04592-012 MASTER 调节PWM开关频率 AN-695 评估板布局 • 由于整流器的作用,低频温度控制电路容易因高频干扰 图10至图13显示了ADN8831评估板的布局。 设计ADN8831评估板布局时记住七大准则会很有帮助。此 而出现性能下降。这种影响是指高频信号干扰低频电路 时产生的现象;干扰信号会整流或耦合为直流或频率较 处列出的产品型号,请参见图9。 1. 从PVDD到PGND的去耦电容和PWM LC输出滤波器电容 的接地端子必须连接在一起,以便降低供电轨纹波。使 用PCB走线或接地层(具有较长的电流路径)连接这两 个元件可能会产生(而不是降低)供电轨纹波(电源电压 波动)。 2. PWM MOSFET的两个源极端子必须直接连接或通过一 根粗的走线(>1 mm)连接至电源去耦电容的端子(C16和 C19)。 3. ADN8831-EVALZ采用4层PCB布局。使用4层PCB时,请 注意以下几点建议。 • 将一个内部层用作接地层,另一个内部层用于信号走 线。将顶层和底层用作ADN8831 IC、输出滤波器电感 和输出MOSFET(线性端和PWM端)的散热器。 低的信号,从而影响电路的运行。无法避免高频干扰 时,请在热敏电阻两端连接一个最多100 nF的小型电容, 安装到控制器附近,以便对高频干扰信号进行去耦操作。 4. 确保电源去耦电容的总值>40 μF。建议使用X5R或X7R 型SMT多层陶瓷电容。这类电容在不同温度下的电容值 都很稳定,而且拥有非常低的等效串联电阻(ESR)。 5. AVDD和PVDD之间的电阻值为1 Ω至10 Ω。 6. 仔细地设计AGND和PGND,在PCB上电流密度最低的 位置连接两个接地点。 7. 由于ADN8831和MOSFET会消耗大量的电流,因此会很 快聚积热量。为了实现稳定的元件性能,设计时采用金 属 散 热 器 可 以 缓 解 元 件 散 热 问 题 , 尤 其 是 在 PWM MOSFET端。设计布局时,在元件之间留出足够的空间 是一种不错的做法。为确保散热器设计妥当,请联系 • 避免在接地层传导较大的电流。 • 对关键信号路径始终以差分形式使用PCB走线。例如, ADI公司,以便在制造PCB之前为您提供布局设计审核 支持。 利用R2引脚1走线对模拟地采用专门的并行走线;两根 都用于连接热敏电阻的两个端子。这样可以确保热敏电 阻走线上耦合的任意干扰均可相互抵消。 Rev. C | Page 8 of 12 AN-695 评估板原理图和PCB布局图 图9显示了ADN8831评估板(4.0版)的原理图。注意,此原理图中显示为引脚33的THPAD是指芯片集下方裸露的散热焊盘。将 THPAD连接至AGND,以便散热。 04592-008 图9. ADN8831评估板原理图 Rev. C | Page 9 of 12 04592-005 AN-695 04592-006 图10. 顶层丝印 图11. 中层1布局 Rev. C | Page 10 of 12 04592-007 AN-695 04592-015 图12. 中层2布局 图13. 底层布局 Rev. C | Page 11 of 12 AN-695 物料清单 表4. 数量 1 1 2 2 1 3 1 1 1 1 1 1 7 1 3 6 1 1 1 1 2 2 6 1 3 1 1 1 1 2 2 3 1 2 1 1 5 标识 R14 L1 R11, R12 RI5, RP5 C5 C8, CD2, CI5 CD3 C10 CD4 R13 R1B CF C14, C15, C16, C17, C18, C19, CD5 RD1 R4, R5, R6 TPR1, TPR2, W1, W2, W3, W4 RS RD2 CI1 RD3 RI1, RP1 R10, RD4 C1, C2, C3, C4, CI2, C13 C9 R9, RI2, RP2 R8 RD5 TPR3 CI3 RI3, RP3 CD1, CI4 R7, RI4, RP4 U1 Q1, Q2 D1 S6 S1, S2, S3, S4, S5 说明 1 Ω 0603电阻 1.5 µH 3A,0.2 mm × 6.2 mm × 2 mm 1 kΩ 0603电阻 1 mΩ电阻 1 nF 0603 X7R 50 V陶瓷电容 1 µF 0603 X5R 6.3 V陶瓷电容 2.2 µF 0603 X5R 6.3 V陶瓷电容 4.7 nF 0603 X7R 50 V陶瓷电容 4.7 µF 0603 X5R 6.3 V陶瓷电容 4.75 kΩ 0603电阻 10 kΩ 0603电阻 10 nF 0805 X7R 50 V陶瓷电容 10 µF 0603 X5R 6.3 V陶瓷电容 12.4 kΩ 0603电阻 20 kΩ 0603电阻 20 kΩ多匝调节电位计 20 mΩ 0805电阻 24.9 kΩ 0603电阻 47 nF 0603 X7R 16 V陶瓷电容 49.9 kΩ 0603电阻 61.9 kΩ 0603电阻 100 kΩ 0603电阻 100 nF 0603 X7R 10 V陶瓷电容 100 pF 0603陶瓷电容 124 kΩ 0603电阻 200 Ω 0603电阻 200 kΩ 0603电阻 200 kΩ多匝调节电位计 220 nF 0603 X5R 10 V陶瓷电容 249 kΩ 0603电阻 470 nF 0603 X5R 6.3 V陶瓷电容 499 kΩ 0603电阻 TEC控制器 双N/P沟道MOSFET LED SMT(绿色) 开关,2PST 开关,5PST ©2013 Analog Devices, Inc. All rights reserved. Trademarks and registered trademarks are the property of their respective owners. AN04592sc-0-5/13(C) Rev. C | Page 12 of 12 制造厂商 Yageo Toko Panasonic Panasonic Kemet Murata Murata Yageo T-Y Panasonic Panasonic Murata Murata Panasonic Panasonic Murata Vishay SUSUMU Panasonic Panasonic Panasonic Panasonic Kemet Yageo Panasonic Panasonic Panasonic Murata Murata Panasonic Murata Panasonic Analog Devices Fairchild OSRAM C&K C&K 产品型号 RC0603FR-071RL #A918CY-1R5M=P3 ERJ-3EKF1001V ERJ-3EKF1004V C0603C102J5RACTU GRM188R61C105KA93D GRM188R60J225KE19D CC0603KRX7R9BB472 JMK107BJ475KA-T ERJ-3EKF4751V ERJ-3EKF1002V GRM216R71H103K GRM188R60J106ME47D ERJ-3EKF1242V ERJ-3GEYJ203V PVG5A203C01R00 WSL0805R0200FEA18 RR0816P-2492-D-39C ECJ-1VB1C473K ERJ-3EKF4992V ERJ-3EKF6192V ERJ-3EKF1003V C0603C104K8RACTU CC0603JRNP09BN101 ERJ-3EKF1243V ERJ-3EKF2000V ERJ-3EKF2003V PVG5A204C01R00 GRM188R71A224KA01D ERJ-3EKF2493V RM188R71E474KA12D ERJ-3EKF4993V ADN8831ACPZ FDS8960C LG T67K-H2K1-24-Z SDA02H1SBD SDA05H1SBDA