INFINEON D2520N

Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Vorläufige Daten
preliminary data
D2520N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
Kenndaten
repetitive peak reverse voltages
Tvj = -40°C... Tvj max
VRRM
2200 V
IFRMSM
4950 A
Elektrische Eigenschaften
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 100 °C
IFAVM
2520 A
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 55 °C, θ = 180°sin, tP = 10 ms
IFAVM
3450 A
IFRMS
5420 A
41000 A
35000 A
Durchlaßstrom-Effektivwert
RMS on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Tvj =25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max tP = 10 ms
IFSM
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
I²t
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Tvj = Tvj max , iF = 10.2kA
Tvj = Tvj max , iF = 2kA
vF
Schleusenspannung
threshold voltage
Tvj = Tvj max
V(TO)
Ersatzwiderstand
slope resistance
Tvj = Tvj max
rT
Durchlaßkennlinie
600 A ≤ iF ≤ 13000 A
on-state characteristic
Tvj = Tvj max
Sperrstrom
reverse current
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
F
Tvj = Tvj max , vR = VRRM
max.
max.
1,75 V
0,93 V
0,73 V
0,1 mΩ
A=
B=
C=
D=
i
Thermische
Eigenschaften
v F = A + B ⋅ i F + C ⋅ ln ( i F + 1 ) + D ⋅
8405 10³A²s
6125 10³A²s
iR
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, θ = 180°sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, θ = 180°sin
Kathode / cathode, DC
RthJC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
RthCH
3,891E-01
6,013E-05
2,545E-02
5,110E-03
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
75 mA
0,0220
0,0200
0,0397
0,0375
0,0453
0,0429
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
0,005 °C/W
0,010 °C/W
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Tvj max
Tc op
-40...+175 °C
Lagertemperatur
storage temperature
Tstg
-40...+175 °C
prepared by: C.Drilling
date of publication:
approved by: M.Leifeld
revision:
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175 °C
2008-11-25
1.0
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N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Vorläufige Daten
preliminary data
D2520N
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
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Mechanische Eigenschaften
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpreßkraft
clamping force
F
Gewicht
weight
G
15…24 kN
typ.
520 g
Kriechstrecke
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
25 mm
f = 50 Hz
50 m/s²
Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in
Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Vorläufige Daten
preliminary data
D2520N
Maßbild
Maßbild
1
2
1: Anode/
Anode
2: Kathode/
Cathode
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Vorläufige Daten
preliminary data
D2520N
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC
Transienter Wärmewiderstand
Kühlung /
Cooling
beidseitig
two-sided
anodenseitig
anode-sided
kathodenseitig
cathode-sided
Pos. n
1
2
3
4
5
Rthn [°C/W]
0,0008
0,001
0,0025
0,00725
0,00845
τn [s]
0,00189
0,012
0,0038
0,2
1,134
Rthn [°C/W]
0,00066
0,00291
0,0037
0,00783
0,0224
τn [s]
0,00138
0,00614
0,0765
0,374
6,66
Rthn [°C/W]
0,00127
0,0026
0,00623
0,0046
0,0282
τn [s]
0,00201
0,0065
0,126
0,57
7,83
Analytische Funktion / Analytical function:
ZthJC
=
nmax
Σ
n=1
6
Rthn 1− e
7
-t
τn
0,050
c
0,040
Z thJC [°C/W]
a
0,030
0,020
b
0,010
0,000
0,001
0,01
0,1
t [s] 1
10
100
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance for DC
Z thJC = f(t)
a - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
c - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
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Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Vorläufige Daten
preliminary data
D2520N
Erhöhung des Zth DC bei sinus- und rechteckförmigen Strömen für unterschiedliche Stromflusswinkel Θ
Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current for different current conduction angles Θ
Diagramme
∆Zth Θ rec / ∆Zth Θ sin
Diagramme
Kühlung / Cooling
beidseitig
two-sided
anodenseitig
anode-sided
kathodenseitig
cathode-sided
Θ = 180°
Θ = 120°
Θ = 90°
Θ = 60°
Θ = 30°
∆Zth Θ rec
[°C/W]
0,00357
0,00613
0,00804
0,0107
0,0144
∆Zth Θ sin
[°C/W]
0,002
0,00384
0,00555
0,0082
0,0126
∆Zth Θ rec
[°C/W]
0,00298
0,0049
0,0063
0,0083
0,0113
∆Zth Θ sin
[°C/W]
0,0022
0,00312
0,00433
0,00625
0,00973
∆Zth Θ rec
[°C/W]
0,00324
0,0055
0,0071
0,0094
0,0127
∆Zth Θ sin
[°C/W]
0,00236
0,00344
0,0049
0,0072
0,0111
Zth Θ rec = Zth DC + ∆Zth Θ rec
Zth Θ sin = Zth DC + ∆Zth Θ sin
14.000
Durchlasskennlinie
12.000
T vj = Tvj max
iF [A]
10.000
8.000
6.000
4.000
2.000
0
0,6
0,8
1
1,2
VF [V]
1,4
1,6
1,8
2
Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic iF = f(vF)
Tvj = Tvj max
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N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Vorläufige Daten
preliminary data
D2520N
7000
Durchlassverluste
6000
5000
b
c
4000
d
e
PFAV [W]
a
Parameter:
a - DC
b - sin 180°el (M 1 , M 2 , B 2)
c - rec 120° el (B 6 , M 3 , M 3.2)
d - rec 60°el (M 6)
e - sin 60°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungsbelastung / Reverse voltage load)
f - sin 30°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungsbelastung / Reverse voltage load)
f
3000
2000
1000
0
0
1000
2000
3000
IFAV [A]
4000
5000
6000
Durchlassverlustleistung / On-state power loss PFAV = f(IFAV)
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
Tc beidseitig
180
160
140
T C [°C]
120
100
Parameter:
a - DC
b - sin 180°el (M 1 , M 2 , B 2)
c - rec 120° el (B 6 , M 3 , M 3.2)
d - rec 60°el (M 6)
e - sin 60°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungsbelastung / Reverse voltage load)
f - sin 30°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungsbelastung / Reverse voltage load)
80
60
40
20
f
e
d
c
a
b
0
0
1000
2000
3000
I FAV [A]
4000
5000
6000
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(IFAV)
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
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N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Vorläufige Daten
preliminary data
D2520N
10000
Qr Diagramm
3000 A
2000 A
1000 A
Qr [µAs]
500 A
200A
100A
1000
1
10
100
di/dt [A/µs]
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge
Qr =f(-di/dt)
Tvj= Tvjmax , vR ≤ 0,5 VRRM , vRM = 0,8 VRRM
RC-Glied / RC-Network: R = 2,7Ω, C = 1,5µF
40
35
IF (OV)M [kA]
30
25
20
0-50V
15
0,33 VRRM
0,67 VRRM
10
5
0
1
3
5
7
9
11
13
15
17
19
Anzahl der Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen
Number of pulses of 50Hz sinusoidal half waves
Typische Abhängigkeit des Grenzstromes IF(OV)M von der Anzahl für eine Folge von Sinus
Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsspannung VRM
Typical dependency of maximum overload on-state current IF(OV)M as a number of a sequence of
sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage VRM
IF(OV)M = f (pulses, VRM) ; Tvj = Tvj max
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Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
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Vorläufige Daten
preliminary data
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