EUPEC DZ950N

N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
DZ950N
DZ950N
Elektrische
Eigenschaften / Electrical properties
Kenndaten
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltages
Elektrische Eigenschaften T
Thermische Eigenschaften
= -40°C... Tvj max
VRRM
3600
4000 V
4400 V
Tvj = +25°C... Tvj max
VRSM
3700
4100 V
4500 V
vj
Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
IFRMSM
1500 A
950 A
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 100 °C
IFAVM
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
IFSM
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
I²t
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Tvj = Tvj max , iF = 3000 A
vF
Schleusenspannung
threshold voltage
Tvj = Tvj max
V(TO)
0,85 V
Ersatzwiderstand
slope resistance
Tvj = Tvj max
rT
0,28 mΩ
Sperrstrom
reverse current
Tvj = Tvj max , vR = VRRM
iR
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 sec
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
35.000 A
29.000 A
6.125.000 A²s
4.205.000 A²s
max.
max.
VISOL
1,78 V
100 mA
3,6 kV
3,0 kV
pro Modul / per Module, Θ = 180° sin RthJC
pro Modul / per Module, DC
max.
max.
0,042 °C/W
0,0405 °C/W
pro Modul / per Module
pro Zweig / per arm
max.
0,01 °C/W
RthCH
160 °C
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Tvj max
Betriebstemperatur
operating temperature
Tc op
- 40...+150 °C
Lagertemperatur
storage temperature
Tstg
- 40...+150 °C
prepared by: C. Drilling
date of publication:
approved by: M. Leifeld
revision:
BIP AM / 00-09-28, K.-A. Rüther
A22/00
06.05.03
1
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Datenblatt / Data sheet
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
DZ950N
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
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Mechanische Eigenschaften
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Innere Isolation
internal insulation
AlN
Anzugsdrehmoment für mechanische Anschlüsse
mounting torque
Toleranz ±15%
M1
6
Nm
Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse
terminal connection torque
Toleranz ±10%
M2
18
Nm
Gewicht
weight
G
typ.
2750 g
Kriechstrecke
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
64 mm
f = 50 Hz
file-No.
50 m/s²
E 83336
Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in
Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.
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Datenblatt / Data sheet
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
DZ950N
Maßbild
2
1
DZ
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Datenblatt / Data sheet
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
DZ950N
R,T – Werte
R,Tau-Glieder des Elements
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC
Pos. n
1
2
3
4
5
6
Rthn [°C/W]
0,0011
0,0027
0,0087
0,0231
0,0051
τn [s]
0,0100
0,0188
0,3035
4,994
9,98
7
n max
Z thJC =
Analytische Funktion / Analytical function:
SR
n=1
thn
1 -e
–t
tn
Transienter Wärmewiderstand
Θ=
rec 60°
rec120°
rec180°
sin180°
DC
0,04
0,03
0,02
0,01
0,00
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
100
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm ZthJC = f(t)
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
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Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
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R,Tau_Glieder des Kühlers
Verstärkte Kühlung / Forced cooling
1 Module pro Kühler / 1 modules per heatsink
Kühler / Heatsink type: KW70 (4l/min)
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thCA
Analytical elements of transient thermal impedance Z thCA
Pos. n
1
2
3
Rthn [°C/W]
0,00214
0,00035
0,0245
τn [s]
9,89
13
31,3
4
5
6
7
nmax
Analytische Funktion / Analytical function:
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ZthCA
=
S
n=1
Rthn 1 - e
–t
tn
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Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
DZ950N
2200
Diagramme
Diagramme
2000
DC
Durchgangsverluste
1800
180 ° sin
1600
180 ° rec
120 ° rec
1400
Θ= 60 ° rec
1200
1000
800
600
400
200
0
0
400
800
IFAV [A]
1200
1600
Durchlassverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm PFAV = f(IFAV)
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle Θ
Gehäusetemperatur
160
140
120
100
80
60
180 ° sin
40
Θ= 60 ° rec
120 ° rec
DC
180 ° rec
20
0
400
800
IFAVM [A] 1200
1600
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(IFAVM)
Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Berechungsgrundlage PTAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen)
Calculation base PTAV (switching losses should be considered separately)
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
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Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
DZ950N
6000
B2
R thCA [°C/W]
0,010
0,015
ID
+
Maximaler Strom bei B2 und B6
5000
~
4000
0,025
3000
0,035
R-Last
-
L-Last
0,045
2000
0,060
0,150
0,150
0,150
0,150
1000
0,080
0,150
0,150
0
0
20
40
60
T A [°C]
80
100
120
140
0
500
1000
ID [A]
1500
2000
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current ID
B2- Zweipuls-Brückenschaltung / Two-pulse bridge circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot
Parameter:
Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient RthCA
8000
B6
R thCA [°C/W]
0,010
ID
+
7000
3~
0,015
6000
-
5000
0,025
4000
0,035
3000
0,045
0,060
2000
0,150
0,150
0,150
0,150
0,150
1000
0,080
0,150
0
0
20
40
60
80
T A [°C]
100
120
140
0
500
1000
1500
ID [A]
2000
2500
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current ID
B6- Sechspuls-Brückenschaltung / Six-pulse bridge circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot
Parameter:
Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient RthCA
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Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
DZ950N
100000
Sperrverzögerungsladung
iFM =
3200A
1600A
800A
400A
200A
100A
10000
1000
0,1
1
10
-di/dt [A/µs]
100
Grenzstrom
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt)
Tvj = Tvjmax, vR ≤ 0,5 VRRM, vRM = 0,8 VRRM
Beschaltung/ Snubber: R = 2,7W , C = 1,5µF
Parameter: Durchlaßstrom / On-state current iFM
24.000
20.000
a
16.000
12.000
Ta = 25 °C
b
8.000
4.000
0
0,01
0,1
1
t [s]
Grenzstrom je Zweig / Maximum overload on-state current per arm IF(OV)M = f(t), vRM = 0,8 VRRM
a: Leerlauf / No-load conditions
b: Vorlaststrom je Zweig / Pre-load current per arm IFAV(vor) = IFAVM
Ta = 25°C, Wasserkühlung / water cooling
BIP AM / 00-09-28, K.-A. Rüther
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Kühlkörper / Heatsink type: KW70 4l/min
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Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
DZ950N
16.000
Überstrom
I
=
FAV (vor)
0A
450 A
700 A
900 A
1050 A
1140 A
12.000
8.000
4.000
0
0,01
0,1
1
10
t [s]
100
1000
10000
Überstrom je Zweig / Overload on-state current IT(OV)
B6- Sechspuls-Brückenschaltung, 120° Rechteck / Six-pulse bridge circuit, 120° rectangular
Kühlkörper / Heatsink type KW70 ( 4l/min. )
Wasserkühlung / water cooling at TA = 25°C
Parameter: Vorlaststrom je Zweig / Pre-load current per arm ITAV(vor)
BIP AM / 00-09-28, K.-A. Rüther
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