EUPEC 46DN05

Technische Information / Technical Information
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
46 DN 02 ... 06
N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Vorläufige Daten
Preliminary data
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
T vj = - 25°C...Tvj max
VRRM
200, 400
600
V
V
Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
T vj = + 25°C...Tvj max
VRSM
250, 450
650
V
V
IFRMSM
8000
A
5100
A
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
RMS forward current
Dauergrenzstrom
mean forward current
T K = 118°C
IFAVM
Stoßstrom-Grenzwert
surge forward current
T vj = 25°C, tp = 10ms
IFSM
60
52
T vj = Tvj max, tp = 10ms
Grenzlastintegral
I²t-value
T vj = 25°C, tp = 10ms
I²t
T vj = Tvj max, tp = 10ms
kA
kA
18,0
13,5
A²s*106
A²s*106
1,36
V
0,7
V
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
forward voltage
T vj = Tvj max, iF = 14kA
vF
Schleusenspannung
threshold voltage
T vj = Tvj max
V(TO)
Ersatzwiderstand
forward slope resistance
T vj = Tvj max
rT
Sperrstrom
reverse current
T vj = Tvj max, vR = VRRM
iR
max.
0,047
mΩ
60
mA
max.
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, Θ = 180°sin
RthJC
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, Θ = 180°sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, Θ = 180°sin
Kathode / cathode, DC
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Kühlfläche / cooling surface
T vj max
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
A118/99
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
max.
°C/W
RthCK
beidseitig / two-sided
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
SZ-AM / 99-09-24, K.-A.Rüther
max. 0,00935
max. 0,00879
max.
max.
max.
max.
0,0030
180
°C
T c op
- 40...+180
°C
T stg
- 40...+180
°C
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Technische Information / Technical Information
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
46 DN 02 ... 06
N
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Vorläufige Daten
Preliminary data
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
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page 3
Si-Elemente mit Druckkontakt
Si-pellets with pressure contact
Anpreßkraft
clamping force
F
Gewicht
weight
G
30...45
typ.
102
Kriechstrecke
creepage distance
kN
g
mm
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50Hz
50
m/s²
Hinweis :
Wir empfehlen die Diode mit einem temperaturbeständigen O-Ring zu schützen.
Notice:
We recommend to protect the diode with a temperture resistant O-Rin g.
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung
mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. / This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics.
It is valid in combination with the belonging technical notes.
SZ-AM / 99-09-24, K.-A.Rüther
A118/99
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Technische Information / Technical Information
Netz Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
46 DN 02 ... 06
N
4,1
SZ-AM / 99-09-24, K.-A.Rüther
A118/99
Z. Nr.: 1
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Technische Information / Technical Information
Netz Gleichrichterdiode
Rectifier DiodeThyristor
46 DN 02 ... 06
N
Kühlung
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DC
cooling
Analytical ementes of transient thermal impedance ZthJC for DC
Pos.n
1
2
3
4
5
6
7
beidseitig
Rthn [°C/W]
0,000017
0,000150
0,00105
0,000413
0,00093
0,003475
0,00275
two-sided
τ n [s]
0,000014
0,000173
0,00110
0,004360
0,01950
0,092000
0,28200
anodenseitig
Rthn [°C/W]
anode-sided
τ n [s]
kathodenseitig
Rthn [°C/W]
cathode-sided
τ n [s]
n max
Analytische Funktion / analytical function : ZthJC =
=∑
Rthn ( 1 - EXP ( - t / τn ))
n=1
SZ-AM / 99-09-24, K.-A.Rüther
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Technische Information / Technical Information
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
46 DN 02 ... 06
N
18000
vT = A+B*iT+ln(iT+1)+√iT
Tvj = 25 °C
Tvj = Tvj max
A = 0,884
B =1,22746E-05
C = -2,603E-02
D = 5,4002E-03
= 0,63337
= 7,07695E-06
= -2,8199E-02
= 7,553E-03
16000
14000
12000
iF [A]
10000
8000
6000
4000
2000
0
0,6
0,8
1
1,2
1,4
vF[V]
Grenzdurchlaßkennlinien / Limiting 0n-state characteristics iF = f(vT)
Tvj = Tvjmax
Tvj = 25 °C
SZ-AM / 99-09-24, K.-A.Rüther
A118/99
Z. Nr.: 2
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1,6
Technische Information / Technical Information
Netz Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
46 DN 02 ... 06
N
0,009
DC
0,008
0,007
R (th) JC [°C/W]
0,006
0,005
0,004
0,003
0,002
0,001
0,000
0,001
0,01
0,1
1
10
t [s]
Transienter innerer Wärmewiderstand / Transient thermal impedance Z(th)JC = f(t), DC
SZ-AM / 99-09-24, K.-A.Rüther
A118/99
Z. Nr.: 3
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Technische Information / Technical Information
Netz Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
46 DN 06
N
0,014
0,012
0,01
∆ RthJC [°C/W]
0,008
0,006
0,004
0,002
0
30
60
90
120
150
180
Θ [ °el]
Differenz zwischen den Wärmewiderständen für Pulsstrom und DC / Difference between the values
of thermal for pulse current and DC
Parameter: Stromkurvenform / Current waveform
SZ-AM / 99-09-24, K.-A.Rüther
A118/99
Z. Nr.: 4
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Technische Information / Technical Information
Netz Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
46 DN 02 ... 06
N
100.000
I T (OV) [A]
50.000
I TAV (vor) =
0A
2400A
2800A
3100 A
3400A
3600A
30.000
10.000
0,01
0,1
1
t [s]
10
100
Überstrom / Overload on-state current IF(OV) = f(t)
Beidseitige verstärkte Kühlung / forced two-sided cooling K0.024
TA = 25°C, VL = 4 l/s
Parameter: Vorlaststrom / pre-load current IFAV(vor)
SZ-AM / 99-09-24, K.-A.Rüther
A118/99
z. Nr.: 5
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Technische Information / Technical Information
Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
46 DN 02 ... 06
N
1
0,9
0,8
∫i² dt (normiert)
0,7
0,6
0,5
0,4
0,3
0,2
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
tp [ms]
Normiertes Grenzlastintegral als Funktion der Halbschwingungsdauer tp
Normalized ∫i²dt rating as a function of the duration of a half-cycle tp
SZ-AM / 99-09-24, K.-A.Rüther
A118/99
Z. Nr.: 6
Seite/page 9
10
Technische Information / Technical Information
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
46 DN 02 ... 06
N
10.000
i FM = [A]
3200
1600
800
400
200
100
Qr [µAs]
1.000
100
10
0,1
1
10
100
1000
-di/dt [A/µs]
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt)
Tvj = Tvjmax; VR = 0,5 VRRM; VRM = 0,8 VRRM
Parameter: Durchlaßstrom / Foward current iFM
Richtwert für obere Streubereichsgrenze /
Upper limit of scatter range (standard value)
Beschaltung: C = 1µf , R = 4 Ω
SZ-AM / 99-09-24, K.-A.Rüther
A118/99
Z. Nr.: 7
Seite/page 10
Technische Information / Technical Information
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
46 DN 02 ... 06
N
10.000
i FM = [A]
3200/1600
800
400
200
100
Qr [µAs]
1.000
100
10
0,1
1
10
100
1000
-di/dt [A/µs]
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt)
Tvj = Tvjmax; VR = 0,5 VRRM; VRM = 0,8 VRRM
Parameter: Durchlaßstrom / Foward current iFM
Richtwert für obere Streubereichsgrenze /
Upper limit of scatter range (standard value)
Beschaltung: 2,2 µF, R = 1,8 Ω
SZ-AM / 99-09-24, K.-A.Rüther
A118/99
Z. Nr.: 8
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