ハイブリッド型 ホールIC EWシリーズ EW432 梱包は5000個/巻のテ−ピングリール供給となります。 EW432は、 InSb高感度ホール素子と波形整形用ICを独自のアセンブル技術を用いてハイブリッド化したものです。 高感度InSbホール素子を用いている為、 デューディー比の良いTTLレベルのデジタル信号を広い温度範囲に亘って得ることができます。 交番検知 電源電圧 ホール素子 高感度 出力形式 表面実装 2.2∼18Ｖ 常時駆動 Bop：3mT プルアップ抵抗付 パッケージ 注意：弊社製品のご検討にあたっては本カタログ表紙裏の「重要注意事項」を良くお読み下さい。 ●磁電変換特性 Vout S マーク面 Vcc H Vd 1：Vcc 3 1 Bh 2：GND Vsat 3：OUT Bop L Brp N N極 S極 0 印加磁束の方向 磁束密度 ●最大定格（Ta=25℃） 項 目 定 格 単 位 圧 Vcc 18（＊） V 出 力 開 放 電 圧 Vo(off) Vcc V 出 力 流 入 電 流 Isink 12 mA 動 作 周 囲 温 度 Topr −30 ∼ 115 ℃ 度 Tstg −40 ∼ 125 ℃ 電 源 電 記号 ●回路構成 Vcc プルアップ抵抗 RL OUT 保 存 温 Amp GND （＊）70℃以上に関しましては使用電圧範囲を参照下さい。 ホール素子 ●電気的特性（Ta=25℃） 項 目 記号 測 定 条 件 動 作 電 圧 範 囲 VCC 出 力 H → L 磁 束 密 度 BOP Vcc=12V 出力L→H磁束密度 Brp Vcc=12V ヒ ス テリシ ス 幅 Bh Vcc=12V 最小 標準 最大 単位 2.2 12 18 V 3 6 mT -6 -3 mT 6 mT 出 力 飽 和 電 圧 Vsat Vcc=12V,OUT''L'' 0.4 V 流 Icc Vcc=12V,OUT''H'' 8 mA 出力電圧降下 Vd Vcc=12V,OUT''H'' 20 mV プ ル アップ 抵 抗 RL 14 kΩ 電 源 電 6 1［mT］=10［Gauss］ 増幅回路 シュミットトリガ回路 出力トランジスタ EW432 •製品はある確率で故障する可能性があります。医療機器、 自動車、航空宇宙機器、原子力制御用機器等、その装置・機器の故障や動作不良が直接または間接を問わず、生命・身体・財 産等へ重大な損害を及ぼすことが通常予想されるような極めて高い信頼性を要求される用途に弊社製品を使用される場合は、必ず事前に弊社の書面による同意をおとりください。 •Please be aware that AKE products are not intended for use in life support equipment, devices, or systems. Use of AKE products in such applications requires the advance written approval of the appropriate AKE officer. Certain applications using semiconductor devices may involve potential risks of personal injury, property damage, or loss of life. In order to minimize these risks, adequate design and operating safeguards should be provided by the customer to minimize inherent or procedural hazards. Inclusion of AKE products in such applications is understood to be fully at the risk of the customer using AKE devices or systems. ●（参考）ランド形状（単位：mm） ●外形寸法図（単位：ｍｍ） 0.6 0.1 φ0.3 Sensor center （0.65） 4.4±0.2 3.0±0.1 2 3 0.8±0.1 1 3.6±0.1 1.2±0.1 2.6±0.1 0.4 0.4 1：Vcc ●使用電圧範囲 2：GND ※注 センサの中心はφ0.3mmの 円内に位置します。 20 18 3：OUT 入力電圧［V］ 16 14 12 10 8 6 4 2 0 –60 ●動作磁束密度温度特性 –40 –20 0 20 40 60 周囲温度［℃］ 80 100 6 Vcc＝12V 4 Ta ＝ 25℃ 4 2 動作磁束密度［mT］ 動作磁束密度［mT］ 140 ●動作磁束密度温度特性 6 Bop 0 −2 2 Bop 0 −2 Brp Brp −4 −4 −6 −60 120 −40 −20 0 20 40 60 周囲温度（℃） 80 100 120 140 −6 0 5 10 Vcc（V） 15 20