モノリシック型 ホールIC EMシリーズ EM1781 梱包は5000個/巻のテ−ピングとなります。 EM1781は、 ホール素子と波形整形用ICが一体化されている超小型ホールICです。 ホール素子はパルス駆動されているため、 VDD=1.85V時平均消費電流6.5μAときわめて低消費電力です。 両極検知 電源電圧 ホール素子 高感度 出力形式 小型表面実装 1.6∼5.5Ｖ パルス駆動 Bop：3mT CMOS出力 パッケージ ●磁電変換特性 Vout S or N VOH H マーク面 1：VDD 1 2 2：OUT BhN N or S BhS 3：N.C. VOL 4：VSS 0 N極 BopN BrpN 印加磁束の方向 L BrpS BopS S極 ●回路構成 磁束密度 1:VDD Switch 項 目 記号 定 格 単 位 電 源 電 圧 VDD −0.1 ∼ 6 V 出 力 電 流 Iout ±0.5 mA −30 ∼ 85 ℃ 動 作 周 囲 温 度 Topr 保 存 温 度 Tstg −40 ∼ 125 Dynamic Offset Cancellator ●最大定格（Ta=25℃） 2:VDD Pulse Hall Chopper Amplifier Regulator Element Stabilizer ℃ ●電気的特性（Ta=25℃ VDD=1.85V） 項 目 記号 動作電圧範囲 測 定 条 件 最小 1.4* BrpS 出力L→H磁束密度 IBrpNI BhS ヒ ス テリシ ス 幅 I B h NI パルス駆動周期 Tp 出力High電圧 VOH 出力Low電圧 VOL Io=＋0.5mA 電 IDD 平均値 Io=−0.5mA 標準 最大 5.5 3.0 4.0 単位 電 流 Output Stage 最小 標準 最大 単位 V B S 出力H→L磁束密度 IBOPNI OP 1.2 3.0 4.4 mT mT BrpS 出力L→H磁束密度 IB NI rp 0.9 2.2 4.1 mT B S ヒ ス テリシ ス 幅 BhN I h I 0.1 0.8 1.7 mT 1.1 2.2 3.7* mT 0.3* 0.8 1.5* mT 50 100 ms 項 目 記号 測 定 条 件 注）本特性は設計保証となります。 ●外付け部品推奨回路 V VDD−0.4 VDD CMOS出力 0.4 V 9 μA OUT 源 Schmitt trigger &Latch ●磁界特性（Ta=30℃∼85℃ VDD=1.85V） 1.6 VDD BOPS 出力H→L磁束密度 IBOPNI 3:OUT 6.5 1［mT］=10［Gauss］ VDD EM1781 N.C. 外付けコンデンサ 0.1μF VSS 「*」印の特性値は設計保証値になります。 GND EM1781 •製品はある確率で故障する可能性があります。医療機器、 自動車、航空宇宙機器、原子力制御用機器等、その装置・機器の故障や動作不良が直接または間接を問わず、生命・身体・財 産等へ重大な損害を及ぼすことが通常予想されるような極めて高い信頼性を要求される用途に弊社製品を使用される場合は、必ず事前に弊社の書面による同意をおとりください。 •本資料の掲載内容は予告なく変更されることがあります。 b ●（参考）ランド形状（単位：mm） ●外形寸法図（単位：ｍｍ） 0.50 1 φ0.3 Sensor center 0∼0.1 0.90 2.1±0.2 1.25±0.1 2 0.25 2.1±0.1 1.3 0.3 5° 1.90 5° 3 4 0.05 ＋0.1 0.55−0 0.3 0.25 0.1 5° 5° 端子番号 1 2 3 4 接続 VDD OUT N.C. VSS 備考 機能 電源ピン 信号出力ピン GNDと短絡 − GND f 注１）センサ中心はφ0.3mmの 円内に位置します 注２）公差は特に定める以外は ±0.1mmとします 注３）リード平坦度：端子間の スタンドオフの差は最大 0.15mmとします。 ●使用電圧範囲 1.30 ●パルス駆動消費電流（VDD=1.85V） 6 50ms IDD 146μs 5 j IDD ON （TYP : 1.8mA） 入力電圧［V］ 4 3 2 IDD （TYP : 6.5μA） 1 IDD OFF （TYP : 1.3μA） time 0 −40 −20 0 20 40 60 80 100 周囲温度［℃］ ●動作磁束密度温度特性 ●動作タイミング IDD 6 動作磁束密度［mT］ 4 n BopS 2 0 t B BrpS Bop VDD＝1.85V t B Brp Vout High BopN −4 0 50 100 t 48.8μs Vout High t 48.8μs Low Low 周囲温度［℃］ t t Operate Point Timing o p BrpN −2 −6 −50 IDD Release Point Timing 磁 界 判 定 結 果 は 、 内 部 回 路 O F F（ I D D O F F ）直 前 に 内 部 デ ー タ と し て 保 持 さ れ 、 そ れ か ら 4 8 . 8 μ s 経って出力端子に結果を出力します。 注）図中の数字は標準値です。