HITACHI J2081535_H5N2509P

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ご注意
安全設計に関するお願い
1. 弊社は品質、信頼性の向上に努めておりますが、半導体製品は故障が発生したり、誤動作する場合があり
ます。弊社の半導体製品の故障又は誤動作によって結果として、人身事故、火災事故、社会的損害などを
生じさせないような安全性を考慮した冗長設計、延焼対策設計、誤動作防止設計などの安全設計に十分ご
留意ください。
本資料ご利用に際しての留意事項
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り、本資料中に記載の技術情報についてルネサス テクノロジが所有する知的財産権その他の権利の実施、
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3. 本資料に記載の製品データ、図、表、プログラム、アルゴリズムその他全ての情報は本資料発行時点のも
のであり、ルネサス テクノロジは、予告なしに、本資料に記載した製品または仕様を変更することがあ
ります。ルネサス テクノロジ半導体製品のご購入に当たりましては、事前にルネサス テクノロジ、ルネ
サス販売または特約店へ最新の情報をご確認頂きますとともに、ルネサス テクノロジホームページ
(http://www.renesas.com)などを通じて公開される情報に常にご注意ください。
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損害がお客様に生じた場合には、ルネサス テクノロジはその責任を負いません。
5. 本資料に記載の製品データ、図、表に示す技術的な内容、プログラム及びアルゴリズムを流用する場合は、
技術内容、プログラム、アルゴリズム単位で評価するだけでなく、システム全体で十分に評価し、お客様
の責任において適用可否を判断してください。ルネサス テクノロジは、適用可否に対する責任は負いま
せん。
6. 本資料に記載された製品は、人命にかかわるような状況の下で使用される機器あるいはシステムに用いら
れることを目的として設計、製造されたものではありません。本資料に記載の製品を運輸、移動体用、医
療用、航空宇宙用、原子力制御用、海底中継用機器あるいはシステムなど、特殊用途へのご利用をご検討
の際には、ルネサス テクノロジ、ルネサス販売または特約店へご照会ください。
7. 本資料の転載、複製については、文書によるルネサス テクノロジの事前の承諾が必要です。
8. 本資料に関し詳細についてのお問い合わせ、その他お気付きの点がございましたらルネサス テクノロジ、
ルネサス販売または特約店までご照会ください。
H5N2509P
シリコン N チャネル MOSFET
高速度電力スイッチング
ADJ-208-1535B (Z)
第3版
2002.06
特長
• 低オン抵抗:RDS(on) = 0.053 Ω typ.
• ドレイン遮断電流が低い:IDSS = 1 µA max (at VDS = 250 V, VGS = 0 V)
• スイッチング速度が速い:tf = 110 ns typ (at ID = 15 A, RL = 8.3 Ω, VGS = 10 V)
• 入力ダイナミック容量(Qg)が低い:Qg = 110 nC typ (at VDD = 200 V, VGS = 10 V, ID = 30 A)
• アバランシェ保証
外観図
TO–3P
D
G
1
S
2
3
1. ࠥ࡯࠻
2. ࠼࡟ࠗࡦ
(ࡈ࡜ࡦࠫ)
3. ࠰࡯ࠬ
H5N2509P
絶対最大定格
(Ta = 25°C)
項目
ドレイン · ソース電圧
記号
VDSS
定格値
250
単位
V
ゲート · ソース電圧
ドレイン電流
VGSS
ID
±30
30
V
A
せん頭ドレイン電流
逆ドレイン電流
ID (pulse)注 1
IDR
120
30
A
A
せん頭逆ドレイン電流
アバランシェ電流
IDR (pulse)注 1
IAP 注 3
120
30
A
A
Pch 注 2
θ ch-c
150
0.833
W
°C/W
150
–55 to +150
°C
°C
許容チャネル損失
チャネル・ケース間熱抵抗
Tch
チャネル温度
Tstg
保存温度
注) 1. PW≦10µs, duty cycle≦1%での許容値
2. Tc = 25℃における許容値
3. Tch≦150℃
電気的特性
(Ta = 25°C)
項目
ドレイン · ソース破壊電圧
記号
V(BR)DSS
Min
250
Typ
—
Max
—
単位
V
測定条件
ID = 10 mA, VGS = 0
IGSS
IDSS
—
—
—
—
±0.1
1
µA
µA
VGS = ±30 V, VDS = 0
VDS = 250 V, VGS = 0
VGS(off)
RDS(on)
3.0
—
—
0.053
4.0
0.069
V
Ω
VDS = 10 V, ID = 1 mA
ID = 15 A, VGS = 10 V 注 4
順伝達アドミタンス
入力容量
|yfs|
Ciss
17
—
28
3600
—
—
S
pF
ID = 15 A, VDS = 10 V 注 4
VDS = 25 V
出力容量
帰還容量
Coss
Crss
—
—
450
115
—
—
pF
pF
VGS = 0
f = 1 MHz
ターン · オン遅延時間
上昇時間
td(on)
tr
—
—
48
120
—
—
ns
ns
ID = 15 A
VGS = 10 V
ターン · オフ遅延時間
下降時間
td(off)
tf
—
—
190
110
—
—
ns
ns
RL = 8.3 Ω
Rg = 10 Ω
ゲートチャージ量
ゲート・ソースチャージ量
Qg
Qgs
—
—
110
19
—
—
nC
nC
VDD = 200 V
VGS = 10 V
ゲート・ドレインチャージ量
ダイオード順電圧
Qgd
VDF
—
—
53
0.9
—
1.35
nC
V
ID = 30 A
IF = 30 A, VGS = 0
逆回復時間
逆回復電荷量
注) 4. パルス測定
trr
Qrr
—
—
210
1.8
—
—
ns
µC
IF = 30 A, VGS = 0
diF/dt = 100 A/µs
ドレイン遮断電流
ゲート遮断電流
ゲート · ソース遮断電圧
ドレイン · ソースオン抵抗
2
H5N2509P
主特性
቟ోേ૞㗔ၞ
1000
(A)
300
150
100
50
10
100
࠼࡟ࠗࡦ㔚ᵹ ID
⸵ኈ࠴ࡖࡀ࡞៊ᄬ
Pch (W)
200
⸵ኈ࠴ࡖࡀ࡞៊ᄬߩ
ࠤ࡯᷷ࠬᐲߦࠃࠆᄌൻ
PW
30
DC
10
er
100
ࠤ࡯᷷ࠬᐲ
100
150
(A)
40
5.5 V
20
5V
s
m
s(
1s
(T
ho
t)
25
°C
)
30
3
10
100 300 1000
࠼࡟ࠗࡦ࡮࠰࡯ࠬ㔚࿶ VDS (V)
࠰࡯ࠬធ࿾વ㆐㕒․ᕈ
V DS = 10 V
ࡄ࡞᷹ࠬቯ
ࡄ࡞᷹ࠬቯ
7V
6V
ms
µs
Ta = 25°C
100
60
0µ
೙㒢ߐࠇ߹ߔ
1
࠼࡟ࠗࡦ㔚ᵹ ID
(A)
࠼࡟ࠗࡦ㔚ᵹ ID
80
8V
ion
ߎߩ▸࿐ߩേ૞ߪ
Tc (°C)
10 V
10
1 R
DS(on) ߩ୯ߦࠃߞߡ
200
࠰࡯ࠬធ࿾಴ജ㕒․ᕈ
=
c=
0.1
50
1
at
3
0.3
0
Op
10
80
60
40
20
Tc = 75°C
25°C
−25°C
VGS = 4.5 V
0
4
8
12
16
20
࠼࡟ࠗࡦ࡮࠰࡯ࠬ㔚࿶ VDS (V)
0
2
4
6
8
ࠥ࡯࠻࡮࠰࡯ࠬ㔚࿶ VGS (V)
10
3
4
5
ࡄ࡞᷹ࠬቯ
4
3
2
I D = 30 A
1
15 A
5A
0
12
4
8
ࠥ࡯࠻࡮࠰࡯ࠬ㔚࿶
16
VGS
20
࠼࡟ࠗࡦ࡮࠰࡯ࠬࠝࡦᛶ᛫RDS(on) (mΩ)
࠼࡟ࠗࡦ࡮࠰࡯ࠬ㘻๺㔚࿶ኻ
ࠥ࡯࠻࡮࠰࡯ࠬ㔚࿶․ᕈ
࠼࡟ࠗࡦ࡮࠰࡯ࠬࠝࡦᛶ᛫ኻ
࠼࡟ࠗࡦ㔚ᵹ․ᕈ
200
ࡄ࡞᷹ࠬቯ
VGS = 10 V, 15 V
100
50
20
10
1
(V)
5
10
20
50
࠼࡟ࠗࡦ㔚ᵹ ID (A)
100
100
200
ࡄ࡞᷹ࠬቯ
160
2
㗅વ㆐ࠕ࠼ࡒ࠲ࡦࠬኻ
࠼࡟ࠗࡦ㔚ᵹ․ᕈ
࠼࡟ࠗࡦ࡮࠰࡯ࠬࠝࡦᛶ᛫ኻ
ࠤ࡯᷷ࠬᐲ․ᕈ
㗅વ㆐ࠕ࠼ࡒ࠲ࡦࠬ |yfs| (S)
࠼࡟ࠗࡦ࡮࠰࡯ࠬࠝࡦᛶ᛫RDS(on) (mΩ)
࠼࡟ࠗࡦ࡮࠰࡯ࠬ㘻๺㔚࿶ VDS(on) (V)
H5N2509P
V GS = 10 V
I D = 30 A
120
15 A
80
5A
40
0
−40
0
40
ࠤ࡯᷷ࠬᐲ
80
120
Tc (°C)
160
50
20
Tc = −25°C
10
5
2
25°C
75°C
1
0.5
0.2
0.2
V DS = 10 V
ࡄ࡞᷹ࠬቯ
0.5 1
2
5
10 20
࠼࡟ࠗࡦ㔚ᵹ ID
(A)
50 100
H5N2509P
ኈ㊂ኻ࠼࡟ࠗࡦ࡮࠰࡯ࠬ㔚࿶․ᕈ
࠰࡯ࠬ࡮࠼࡟ࠗࡦ㑆
࠳ࠗࠝ࡯࠼ㅒᣇะ࿁ᓳᤨ㑆
50000
500
20000
100
50
10
0.1
500
Coss
Crss
50
0.3
1
3
ㅒ࠼࡟ࠗࡦ㔚ᵹ
10
30
I DR (A)
0
100
16
12
VDS
8
4
40
80
120
ࠥ࡯࠻࠴ࡖ࡯ࠫ㔚⩄㊂
160
0
200
Qg (nC)
V GS (V)
VGS
V DD = 200 V
100 V
50 V
40
60
80
100
ࠬࠗ࠶࠴ࡦࠣ․ᕈ
10000
ࠥ࡯࠻࡮࠰࡯ࠬ㔚࿶
V DD = 50 V
100 V
200 V
20
࠼࡟ࠗࡦ࡮࠰࡯ࠬ㔚࿶ V DS (V)
20
100
0
1000
100
I D = 30 A
200
2000
di / dt = 100 A / µs
V GS = 0, Ta = 25°C
౉ജ࠳ࠗ࠽ࡒ࠶ࠢ․ᕈ
300
Ciss
200
500
400
5000
ኈ㊂ C (pF)
200
20
࠼࡟ࠗࡦ࡮࠰࡯ࠬ㔚࿶ V DS (V)
VGS = 0
f = 1 MHz
10000
ࠬࠗ࠶࠴ࡦࠣᤨ㑆 t (ns)
ㅒ࿁ᓳᤨ㑆 trr (ns)
1000
V GS = 10 V, V DD = 125 V
PW = 10 µs, duty ≤ 1 %
R G =10 Ω
1000
t d(off)
100
tf
t d(on)
tr
10
0.1
0.3
1
3
10
30
࠼࡟ࠗࡦ㔚ᵹ I D (A)
100
5
H5N2509P
ࠥ࡯࠻࡮࠰࡯ࠬㆤᢿ㔚࿶ኻ
ࠤ࡯᷷ࠬᐲ․ᕈ
ㅒ࠼࡟ࠗࡦ㔚ᵹ I DR (A)
100
80
V GS = 0 V
60
40
20
5V
10 V
ࡄ࡞᷹ࠬቯ
0
0.4
0.8
1.2
࠰࡯ࠬ࡮࠼࡟ࠗࡦ㔚࿶
1.6
2.0
ࠥ࡯࠻࡮࠰࡯ࠬㆤᢿ㔚࿶VGS(off) (V)
ㅒ࠼࡟ࠗࡦ㔚ᵹኻ
࠰࡯ࠬ࡮࠼࡟ࠗࡦ㔚࿶․ᕈ
5
V DS = 10 V
4
I D = 10mA
3
1mA
0.1mA
2
1
0
-50
0
50
ࠤ࡯᷷ࠬᐲ
V SD (V)
ࠬࠗ࠶࠴ࡦࠣᤨ㑆᷹ቯ࿁〝
100
200
ࠬࠗ࠶࠴ࡦࠣᵄᒻ
Vout
Monitor
Vin Monitor
150
Tc (°C)
90%
D.U.T.
RL
Vin
10Ω
Vin
10 V
V DD
= 125 V
Vout
10%
10%
90%
td(on)
6
tr
10%
90%
td(off)
tf
H5N2509P
ⷙᩰൻㆊᷰᾲᛶ᛫․ᕈ
3
Tc = 25°C
D=1
γs (t)
1
0.5
ㆊᷰᾲᛶ᛫
0.3
0.2
0.1
θ ch − c(t) = γ s (t) • θch − c
θ ch − c = 0.833°C/W, Tc = 25°C
0.1
0.05
PDM
0.03
0.02
1
0.0
0.01
10 µ
lse
t
ho
PW
T
PW
pu
T
1s
100 µ
D=
1m
10 m
100 m
1
10
ࡄ࡞ࠬ᏷ PW (s)
7
H5N2509P
外形寸法図
15.6 ± 0.3
Unit: mm
1.5
0.3
19.9 ± 0.2
2.0
14.9 ± 0.2
0.5
1.0
φ3.2 ± 0.2
5.0 ± 0.3
As of January, 2002
4.8 ± 0.2
1.6
2.0
1.4 Max
18.0 ± 0.5
2.8
1.0 ± 0.2
3.6
5.45 ± 0.5
0.6 ± 0.2
0.9
1.0
5.45 ± 0.5
Hitachi Code
JEDEC
JEITA
Mass (reference value)
8
TO-3P
—
Conforms
5.0 g
H5N2509P
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術に該当するものを輸出する場合,または国外に持ち出す場合は日本国政府の許可が必要です。
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弊社営業担当迄ご相談をお願い致します。
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保証値を越えてご使用された場合の故障及び事故につきましては,弊社はその責を負いません。
また保証値内のご使用であっても半導体製品について通常予測される故障発生率,故障モードをご考慮
の上,弊社製品の動作が原因でご使用機器が人身事故,火災事故,その他の拡大損害を生じないように
フェールセーフ等のシステム上の対策を講じて頂きますようお願い致します。
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お問い合わせ先
ඨዉ૕ࠣ࡞࡯ࡊ
‫ޥ‬100-0004᧲੩ㇺජઍ↰඙ᄢᚻ↸ੑৼ⋡6⇟2ภ㧔ᣣᧄࡆ࡞㧕(03) 3270-2111
ᄢઍ
ർ
␠
ᶏ
㆏
ᡰ
᧲
ർ
ᡰ
␠
㑐
᧲
ᡰ
␠
٨
(011) 261-3131 (ઍ)
ᵿ
᧻
ᡰ
ᐫ
٨
(053) 454-6281 (ઍ)
(022) 223-0121 (ઍ)
㑐
⷏
ᡰ
␠
٨
(06) 6616-1111 (ᄢઍ)
(03) 3212-1111 (ᄢઍ)
੩
ㇺ
ᡰ
ᐫ
٨
(075) 223-5611 (ઍ)
ඨዉ૕㩂㩨㩣㨺㩖㩩᧻ᧄ༡ᬺᚲ
٨
(0263) 36-6632
␹
ᚭ
ᡰ
ᐫ
٨
(078) 261-9677 (ઍ)
ᮮ
ᵿ
ᡰ
␠
٨
(045) 451-5000 (ઍ)
ਛ
࿖
ᡰ
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Colophon 5.0
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