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PW≦10µs, duty cycle≦1%での許容値 2. Tc = 25℃における許容値 3. Tch≦150℃ 電気的特性 (Ta = 25°C) 項目 ドレイン · ソース破壊電圧 記号 V(BR)DSS Min 250 Typ — Max — 単位 V 測定条件 ID = 10 mA, VGS = 0 IGSS IDSS — — — — ±0.1 1 µA µA VGS = ±30 V, VDS = 0 VDS = 250 V, VGS = 0 VGS(off) RDS(on) 3.0 — — 0.053 4.0 0.069 V Ω VDS = 10 V, ID = 1 mA ID = 15 A, VGS = 10 V 注 4 順伝達アドミタンス 入力容量 |yfs| Ciss 17 — 28 3600 — — S pF ID = 15 A, VDS = 10 V 注 4 VDS = 25 V 出力容量 帰還容量 Coss Crss — — 450 115 — — pF pF VGS = 0 f = 1 MHz ターン · オン遅延時間 上昇時間 td(on) tr — — 48 120 — — ns ns ID = 15 A VGS = 10 V ターン · オフ遅延時間 下降時間 td(off) tf — — 190 110 — — ns ns RL = 8.3 Ω Rg = 10 Ω ゲートチャージ量 ゲート・ソースチャージ量 Qg Qgs — — 110 19 — — nC nC VDD = 200 V VGS = 10 V ゲート・ドレインチャージ量 ダイオード順電圧 Qgd VDF — — 53 0.9 — 1.35 nC V ID = 30 A IF = 30 A, VGS = 0 逆回復時間 逆回復電荷量 注) 4. パルス測定 trr Qrr — — 210 1.8 — — ns µC IF = 30 A, VGS = 0 diF/dt = 100 A/µs ドレイン遮断電流 ゲート遮断電流 ゲート · ソース遮断電圧 ドレイン · ソースオン抵抗 2 H5N2509P 主特性 ోേ㗔ၞ 1000 (A) 300 150 100 50 10 100 ࠼ࠗࡦ㔚ᵹ ID ⸵ኈ࠴ࡖࡀ࡞៊ᄬ Pch (W) 200 ⸵ኈ࠴ࡖࡀ࡞៊ᄬߩ ࠤ᷷ࠬᐲߦࠃࠆᄌൻ PW 30 DC 10 er 100 ࠤ᷷ࠬᐲ 100 150 (A) 40 5.5 V 20 5V s m s( 1s (T ho t) 25 °C ) 30 3 10 100 300 1000 ࠼ࠗࡦ࠰ࠬ㔚 VDS (V) ࠰ࠬធવ㆐㕒․ᕈ V DS = 10 V ࡄ࡞᷹ࠬቯ ࡄ࡞᷹ࠬቯ 7V 6V ms µs Ta = 25°C 100 60 0µ 㒢ߐࠇ߹ߔ 1 ࠼ࠗࡦ㔚ᵹ ID (A) ࠼ࠗࡦ㔚ᵹ ID 80 8V ion ߎߩ▸࿐ߩേߪ Tc (°C) 10 V 10 1 R DS(on) ߩ୯ߦࠃߞߡ 200 ࠰ࠬធജ㕒․ᕈ = c= 0.1 50 1 at 3 0.3 0 Op 10 80 60 40 20 Tc = 75°C 25°C −25°C VGS = 4.5 V 0 4 8 12 16 20 ࠼ࠗࡦ࠰ࠬ㔚 VDS (V) 0 2 4 6 8 ࠥ࠻࠰ࠬ㔚 VGS (V) 10 3 4 5 ࡄ࡞᷹ࠬቯ 4 3 2 I D = 30 A 1 15 A 5A 0 12 4 8 ࠥ࠻࠰ࠬ㔚 16 VGS 20 ࠼ࠗࡦ࠰ࠬࠝࡦᛶ᛫RDS(on) (mΩ) ࠼ࠗࡦ࠰ࠬ㘻㔚ኻ ࠥ࠻࠰ࠬ㔚․ᕈ ࠼ࠗࡦ࠰ࠬࠝࡦᛶ᛫ኻ ࠼ࠗࡦ㔚ᵹ․ᕈ 200 ࡄ࡞᷹ࠬቯ VGS = 10 V, 15 V 100 50 20 10 1 (V) 5 10 20 50 ࠼ࠗࡦ㔚ᵹ ID (A) 100 100 200 ࡄ࡞᷹ࠬቯ 160 2 㗅વ㆐ࠕ࠼ࡒ࠲ࡦࠬኻ ࠼ࠗࡦ㔚ᵹ․ᕈ ࠼ࠗࡦ࠰ࠬࠝࡦᛶ᛫ኻ ࠤ᷷ࠬᐲ․ᕈ 㗅વ㆐ࠕ࠼ࡒ࠲ࡦࠬ |yfs| (S) ࠼ࠗࡦ࠰ࠬࠝࡦᛶ᛫RDS(on) (mΩ) ࠼ࠗࡦ࠰ࠬ㘻㔚 VDS(on) (V) H5N2509P V GS = 10 V I D = 30 A 120 15 A 80 5A 40 0 −40 0 40 ࠤ᷷ࠬᐲ 80 120 Tc (°C) 160 50 20 Tc = −25°C 10 5 2 25°C 75°C 1 0.5 0.2 0.2 V DS = 10 V ࡄ࡞᷹ࠬቯ 0.5 1 2 5 10 20 ࠼ࠗࡦ㔚ᵹ ID (A) 50 100 H5N2509P ኈ㊂ኻ࠼ࠗࡦ࠰ࠬ㔚․ᕈ ࠰ࠬ࠼ࠗࡦ㑆 ࠳ࠗࠝ࠼ㅒᣇะ࿁ᓳᤨ㑆 50000 500 20000 100 50 10 0.1 500 Coss Crss 50 0.3 1 3 ㅒ࠼ࠗࡦ㔚ᵹ 10 30 I DR (A) 0 100 16 12 VDS 8 4 40 80 120 ࠥ࠻࠴ࡖࠫ㔚⩄㊂ 160 0 200 Qg (nC) V GS (V) VGS V DD = 200 V 100 V 50 V 40 60 80 100 ࠬࠗ࠶࠴ࡦࠣ․ᕈ 10000 ࠥ࠻࠰ࠬ㔚 V DD = 50 V 100 V 200 V 20 ࠼ࠗࡦ࠰ࠬ㔚 V DS (V) 20 100 0 1000 100 I D = 30 A 200 2000 di / dt = 100 A / µs V GS = 0, Ta = 25°C ജ࠳ࠗ࠽ࡒ࠶ࠢ․ᕈ 300 Ciss 200 500 400 5000 ኈ㊂ C (pF) 200 20 ࠼ࠗࡦ࠰ࠬ㔚 V DS (V) VGS = 0 f = 1 MHz 10000 ࠬࠗ࠶࠴ࡦࠣᤨ㑆 t (ns) ㅒ࿁ᓳᤨ㑆 trr (ns) 1000 V GS = 10 V, V DD = 125 V PW = 10 µs, duty ≤ 1 % R G =10 Ω 1000 t d(off) 100 tf t d(on) tr 10 0.1 0.3 1 3 10 30 ࠼ࠗࡦ㔚ᵹ I D (A) 100 5 H5N2509P ࠥ࠻࠰ࠬㆤᢿ㔚ኻ ࠤ᷷ࠬᐲ․ᕈ ㅒ࠼ࠗࡦ㔚ᵹ I DR (A) 100 80 V GS = 0 V 60 40 20 5V 10 V ࡄ࡞᷹ࠬቯ 0 0.4 0.8 1.2 ࠰ࠬ࠼ࠗࡦ㔚 1.6 2.0 ࠥ࠻࠰ࠬㆤᢿ㔚VGS(off) (V) ㅒ࠼ࠗࡦ㔚ᵹኻ ࠰ࠬ࠼ࠗࡦ㔚․ᕈ 5 V DS = 10 V 4 I D = 10mA 3 1mA 0.1mA 2 1 0 -50 0 50 ࠤ᷷ࠬᐲ V SD (V) ࠬࠗ࠶࠴ࡦࠣᤨ㑆᷹ቯ࿁〝 100 200 ࠬࠗ࠶࠴ࡦࠣᵄᒻ Vout Monitor Vin Monitor 150 Tc (°C) 90% D.U.T. RL Vin 10Ω Vin 10 V V DD = 125 V Vout 10% 10% 90% td(on) 6 tr 10% 90% td(off) tf H5N2509P ⷙᩰൻㆊᷰᾲᛶ᛫․ᕈ 3 Tc = 25°C D=1 γs (t) 1 0.5 ㆊᷰᾲᛶ᛫ 0.3 0.2 0.1 θ ch − c(t) = γ s (t) • θch − c θ ch − c = 0.833°C/W, Tc = 25°C 0.1 0.05 PDM 0.03 0.02 1 0.0 0.01 10 µ lse t ho PW T PW pu T 1s 100 µ D= 1m 10 m 100 m 1 10 ࡄ࡞ࠬ PW (s) 7 H5N2509P 外形寸法図 15.6 ± 0.3 Unit: mm 1.5 0.3 19.9 ± 0.2 2.0 14.9 ± 0.2 0.5 1.0 φ3.2 ± 0.2 5.0 ± 0.3 As of January, 2002 4.8 ± 0.2 1.6 2.0 1.4 Max 18.0 ± 0.5 2.8 1.0 ± 0.2 3.6 5.45 ± 0.5 0.6 ± 0.2 0.9 1.0 5.45 ± 0.5 Hitachi Code JEDEC JEITA Mass (reference value) 8 TO-3P — Conforms 5.0 g H5N2509P ご注意 1. 本書に記載の製品及び技術のうち「外国為替及び外国貿易法」に基づき安全保障貿易管理関連貨物・技 術に該当するものを輸出する場合,または国外に持ち出す場合は日本国政府の許可が必要です。 2. 本書に記載された情報の使用に際して,弊社もしくは第三者の特許権,著作権,商標権,その他の知的 所有権等の権利に対する保証または実施権の許諾を行うものではありません。また本書に記載された情 報を使用した事により第三者の知的所有権等の権利に関わる問題が生じた場合,弊社はその責を負いま せんので予めご了承ください。 3. 製品及び製品仕様は予告無く変更する場合がありますので,最終的な設計,ご購入,ご使用に際しまし ては,事前に最新の製品規格または仕様書をお求めになりご確認ください。 4. 弊社は品質・信頼性の向上に努めておりますが,宇宙,航空,原子力,燃焼制御,運輸,交通,各種安 全装置, ライフサポート関連の医療機器等のように,特別な品質・信頼性が要求され,その故障や誤動 作が直接人命を脅かしたり,人体に危害を及ぼす恐れのある用途にご使用をお考えのお客様は,事前に 弊社営業担当迄ご相談をお願い致します。 5. 設計に際しては,特に最大定格,動作電源電圧範囲,放熱特性,実装条件及びその他諸条件につきまし ては,弊社保証範囲内でご使用いただきますようお願い致します。 保証値を越えてご使用された場合の故障及び事故につきましては,弊社はその責を負いません。 また保証値内のご使用であっても半導体製品について通常予測される故障発生率,故障モードをご考慮 の上,弊社製品の動作が原因でご使用機器が人身事故,火災事故,その他の拡大損害を生じないように フェールセーフ等のシステム上の対策を講じて頂きますようお願い致します。 6. 本製品は耐放射線設計をしておりません。 7. 本書の一部または全部を弊社の文書による承認なしに転載または複製することを堅くお断り致します。 8. 本書をはじめ弊社半導体についてのお問い合わせ,ご相談は弊社営業担当迄お願い致します。 お問い合わせ先 ඨዉࠣ࡞ࡊ ޥ100-0004᧲੩ㇺජઍ↰ᄢᚻ↸ੑৼ⋡6⇟2ภ㧔ᣣᧄࡆ࡞㧕(03) 3270-2111 ᄢઍ ർ ␠ ᶏ ᡰ ᧲ ർ ᡰ ␠ 㑐 ᧲ ᡰ ␠ ٨ (011) 261-3131 (ઍ) ᵿ ᧻ ᡰ ᐫ ٨ (053) 454-6281 (ઍ) (022) 223-0121 (ઍ) 㑐 ᡰ ␠ ٨ (06) 6616-1111 (ᄢઍ) (03) 3212-1111 (ᄢઍ) ੩ ㇺ ᡰ ᐫ ٨ (075) 223-5611 (ઍ) ඨዉ㩂㩨㩣㨺㩖㩩᧻ᧄ༡ᬺᚲ ٨ (0263) 36-6632 ᚭ ᡰ ᐫ ٨ (078) 261-9677 (ઍ) ᮮ ᵿ ᡰ ␠ ٨ (045) 451-5000 (ઍ) ਛ ࿖ ᡰ ␠ ٨ (082) 223-4111 (ઍ) ർ 㒽 ᡰ ␠ (076) 433-8511 (ᄢઍ) 㠽 ข ᡰ ᐫ ٨ (0857) 22-4270 (ઍ) ㊄ ᴛ ᡰ ᐫ ٨ (076)263-2351 (࠳ࠗࡗ࡞ ޓ ࠗࡦ ) ྾ ࿖ ᡰ ␠ ਛ ㇱ ᡰ ␠ ٨ (052) 243-3111 (ᄢઍ) Ꮊ ᡰ ␠ ٨ (087) 831-2111 (ઍ) ٨ (092) 852-1111 (ઍ) ශߪ ޔᩣᣣ┙ᚲඨዉ༡ᬺ߇Ᏹ㚢ߒߡࠆᡰ␠ᡰᐫߢߔޕ عᩣᣣ┙ᚲඨዉຠߩో༡ᬺὐߪޔਅ⸥ࡎࡓࡍࠫߢߏ᩺ౝߒߡ߅ࠅ߹ߔޕ http://www.hitachisemiconductor.com/sic/jsp/japan/jpn/Sicd/Japanese/map/frame.html عᛛⴚ⊛ߥ߅วߖ߅ࠃ߮⾗ᢱߩߏ⺧᳞ߪޔ⸥ߩᜂᒰ༡ᬺ߹ߚߪਅ⸥߳ߤ߁ߙޕ ޥ100-0004᧲ޓ੩ㇺජઍ↰ᄢᚻ↸ੑৼ⋡6⇟2ภ ᣣᧄࡆ࡞ ᩣᑼળ␠ᣣ┙ᚲޓඨዉࠣ࡞ࡊࡆࠫࡀࠬࠝࡍ࡚ࠪࡦᧄㇱޓ ✚ววߖ⓹ญޓޓޓ㧦ඨዉࠞࠬ࠲ࡑࠨࡆࠬࡦ࠲ޓE-Mail:[email protected] ࠼ࠠࡘࡔࡦ࠻⺧᳞⓹ญ㧦ඨዉ࠼ࠠࡘࡔࡦ࠻▤ℂቶޓޓޓE-Mail:[email protected] 㔚(03) 5201-5220 ⋥ 㔚(03) 5201-5189 ⋥ Copyright © Hitachi, Ltd., 2002. All rights reserved. Printed in Japan. ٨ຠ᭽ߪޔᡷ⦟ߩߚᄌᦝߔࠆߎߣ߇ࠅ߹ߔޕ ᩣᣣ┙ᚲޓඨዉࠣ࡞ࡊߩࡎࡓࡍࠫߦ߅ߡޔຠᖱႎࠍ⼾ንߦ߅ዯߌߒߡ߅ࠅ߹ߔޕߐߛߊⷩߏ߭ߗޕ http://www.hitachisemiconductor.com/jp/ Colophon 5.0 9